JP2013171840A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、幾つかの実施形態の観点から説明されてきたが、本発明の範囲に含まれるものとして、代替、置換、及び等価の形態がある。また、本発明の方法及び装置を実現する多くの代替の方法があることも、留意されるべきである。本明細書では、様々な例が提供されているが、これらの例は、発明に対して例示的であって限定的ではないことを意図される。
適用例１：少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
高電力状態と低電力状態との間で第１のＲＦ信号を供給するために、前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を第１のパルス周波数でパルス出力させること、
前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第２のＲＦ電源は前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第２のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第１のＲＦ周波数値及び第２のＲＦ周波数値で動作し、前記第１のＲＦ周波数値及び前記第２のＲＦ周波数値は、学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低い第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、
を備える方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、更に、
前記複数のＲＦ電源の第３のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第３のＲＦ電源は前記第３のＲＦ電源によって出力される第３のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第３のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第３のＲＦ周波数値及び第４のＲＦ周波数値で動作し、前記第３のＲＦ周波数値及び前記第４のＲＦ周波数値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低いパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第３のＲＦ電源が前記第３のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、を備える方法。
適用例３：適用例１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表し、前記第２のＲＦ電源は、前記プラズマ処理チャンバからの測定可能チャンバパラメータの値に応答して前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を少なくとも前記第１のＲＦ周波数値と前記第２のＲＦ周波数値との間で変化させる、方法。
適用例４：適用例３に記載の方法であって、
前記測定可能チャンバパラメータは、ガンマを表す、方法。
適用例５：適用例３に記載の方法であって、更に、
前記測定可能チャンバパラメータの前記値を既定の閾値と比較することを備える方法。
適用例６：適用例５に記載の方法であって、
前記既定の閾値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ電源が前記第１のパルス周波数よりも低い前記第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力している前記学習段階中に取得される、方法。
適用例７：適用例６に記載の方法であって、
前記既定の閾値は少なくとも第１の既定の閾値及び第２の既定の閾値を含み、前記第１の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得され、前記第２の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例８：適用例７に記載の方法であって、
前記第１の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第１の値と、第１の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例９：適用例７に記載の方法であって、
前記第２の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第２の値と、第２の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例１０：適用例１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
適用例１１：少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
学習段階であって、
（ａ）第１のＲＦ信号の電力レベルを低電力状態と高電力状態との間で前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を変化させるようにパルス出力させること、前記学習段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は第１のパルス周波数で実施されること、
（ｂ）前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を動作させ、第１のＲＦ周波数値を取得すること、前記第１のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
（ｃ）その後、前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される前記自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の前記第２のＲＦ電源を動作させ、第２のＲＦ周波数値を取得すること、前記第２のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
を含む学習段階を実行すること、
生産段階であって、
（ｄ）第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態と前記高電力状態との間で交互させるように前記複数のＲＦ電源の前記ＲＦ電源をパルス出力させること、前記生産段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は、前記第１のパルス周波数よりも速い第２のパルス周波数で実施されることと、
（ｅ）前記第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させている間に、前記第１のＲＦ周波数と前記ＲＦ周波数との間で前記第２のＲＦ電源の前記周波数を交互させること、これにより前記固定周波数モードにある前記第２のＲＦ電源は、前記第２のＲＦ電源が前記自己同調モードにある間に前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させるやり方で前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させることを許可されないこと、
を含む生産段階を実行すること、
を備える方法。
適用例１２：適用例１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｆ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記高電力状態から前記低電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、測定可能チャンバパラメータの第１の値を取得することを含み、前記ステップｆ）は、前記ステップｂ）と前記ステップｃ）との間で実行される、方法。
適用例１３：適用例１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｇ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態から前記高電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、前記測定可能チャンバパラメータの第２の値を取得することを含み、前記ステップｇ）は、前記ステップｃ）の後に実行される、方法。
適用例１４：適用例１３に記載の方法であって、
前記測定可能プラズマパラメータは、ガンマを表す、方法。
適用例１５：適用例１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、測定可能パラメータの値を前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値及び前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１６：適用例１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値に第１の閾値調整値を加えたものを表す第１の閾値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１７：適用例１６に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値に第２の閾値調整値を加えたものを表す第２の閾値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１８：適用例１１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表す、方法。
適用例１９：適用例１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワットである、方法。
適用例２０：適用例１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
適用例１：少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
高電力状態と低電力状態との間で第１のＲＦ信号を供給するために、前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を第１のパルス周波数でパルス出力させること、
前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第２のＲＦ電源は前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第２のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第１のＲＦ周波数値及び第２のＲＦ周波数値で動作し、前記第１のＲＦ周波数値及び前記第２のＲＦ周波数値は、学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低い第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、
を備える方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、更に、
前記複数のＲＦ電源の第３のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第３のＲＦ電源は前記第３のＲＦ電源によって出力される第３のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第３のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第３のＲＦ周波数値及び第４のＲＦ周波数値で動作し、前記第３のＲＦ周波数値及び前記第４のＲＦ周波数値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低いパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第３のＲＦ電源が前記第３のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、を備える方法。
適用例３：適用例１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表し、前記第２のＲＦ電源は、前記プラズマ処理チャンバからの測定可能チャンバパラメータの値に応答して前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を少なくとも前記第１のＲＦ周波数値と前記第２のＲＦ周波数値との間で変化させる、方法。
適用例４：適用例３に記載の方法であって、
前記測定可能チャンバパラメータは、ガンマを表す、方法。
適用例５：適用例３に記載の方法であって、更に、
前記測定可能チャンバパラメータの前記値を既定の閾値と比較することを備える方法。
適用例６：適用例５に記載の方法であって、
前記既定の閾値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ電源が前記第１のパルス周波数よりも低い前記第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力している前記学習段階中に取得される、方法。
適用例７：適用例６に記載の方法であって、
前記既定の閾値は少なくとも第１の既定の閾値及び第２の既定の閾値を含み、前記第１の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得され、前記第２の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例８：適用例７に記載の方法であって、
前記第１の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第１の値と、第１の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例９：適用例７に記載の方法であって、
前記第２の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第２の値と、第２の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。
適用例１０：適用例１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
適用例１１：少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
学習段階であって、
（ａ）第１のＲＦ信号の電力レベルを低電力状態と高電力状態との間で前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を変化させるようにパルス出力させること、前記学習段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は第１のパルス周波数で実施されること、
（ｂ）前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を動作させ、第１のＲＦ周波数値を取得すること、前記第１のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
（ｃ）その後、前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される前記自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の前記第２のＲＦ電源を動作させ、第２のＲＦ周波数値を取得すること、前記第２のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
を含む学習段階を実行すること、
生産段階であって、
（ｄ）第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態と前記高電力状態との間で交互させるように前記複数のＲＦ電源の前記ＲＦ電源をパルス出力させること、前記生産段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は、前記第１のパルス周波数よりも速い第２のパルス周波数で実施されることと、
（ｅ）前記第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させている間に、前記第１のＲＦ周波数と前記ＲＦ周波数との間で前記第２のＲＦ電源の前記周波数を交互させること、これにより前記固定周波数モードにある前記第２のＲＦ電源は、前記第２のＲＦ電源が前記自己同調モードにある間に前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させるやり方で前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させることを許可されないこと、
を含む生産段階を実行すること、
を備える方法。
適用例１２：適用例１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｆ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記高電力状態から前記低電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、測定可能チャンバパラメータの第１の値を取得することを含み、前記ステップｆ）は、前記ステップｂ）と前記ステップｃ）との間で実行される、方法。
適用例１３：適用例１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｇ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態から前記高電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、前記測定可能チャンバパラメータの第２の値を取得することを含み、前記ステップｇ）は、前記ステップｃ）の後に実行される、方法。
適用例１４：適用例１３に記載の方法であって、
前記測定可能プラズマパラメータは、ガンマを表す、方法。
適用例１５：適用例１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、測定可能パラメータの値を前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値及び前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１６：適用例１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値に第１の閾値調整値を加えたものを表す第１の閾値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１７：適用例１６に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値に第２の閾値調整値を加えたものを表す第２の閾値と比較することに応答してなされる、方法。
適用例１８：適用例１１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表す、方法。
適用例１９：適用例１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワットである、方法。
適用例２０：適用例１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
Claims (20)
- 少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
高電力状態と低電力状態との間で第１のＲＦ信号を供給するために、前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を第１のパルス周波数でパルス出力させること、
前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第２のＲＦ電源は前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第２のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第１のＲＦ周波数値及び第２のＲＦ周波数値で動作し、前記第１のＲＦ周波数値及び前記第２のＲＦ周波数値は、学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低い第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、
を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、更に、
前記複数のＲＦ電源の第３のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第３のＲＦ電源は前記第３のＲＦ電源によって出力される第３のＲＦ信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第３のＲＦ信号は少なくとも２つの交代する固定ＲＦ周波数値、すなわち第３のＲＦ周波数値及び第４のＲＦ周波数値で動作し、前記第３のＲＦ周波数値及び前記第４のＲＦ周波数値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ信号が前記第１のパルス周波数よりも低いパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第３のＲＦ電源が前記第３のＲＦ信号のＲＦ周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表し、前記第２のＲＦ電源は、前記プラズマ処理チャンバからの測定可能チャンバパラメータの値に応答して前記第２のＲＦ信号のＲＦ周波数を少なくとも前記第１のＲＦ周波数値と前記第２のＲＦ周波数値との間で変化させる、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、
前記測定可能チャンバパラメータは、ガンマを表す、方法。 - 請求項３に記載の方法であって、更に、
前記測定可能チャンバパラメータの前記値を既定の閾値と比較することを備える方法。 - 請求項５に記載の方法であって、
前記既定の閾値は、前記学習段階中、前記第１のＲＦ電源が前記第１のパルス周波数よりも低い前記第２のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力している前記学習段階中に取得される、方法。 - 請求項６に記載の方法であって、
前記既定の閾値は少なくとも第１の既定の閾値及び第２の既定の閾値を含み、前記第１の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得され、前記第２の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項７に記載の方法であって、
前記第１の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第１の値と、第１の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項７に記載の方法であって、
前記第２の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第２の値と、第２の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値は、前記学習段階中、前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値で動作し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。 - 少なくとも１つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のＲＦ電源を用い、前記方法は、
学習段階であって、
（ａ）第１のＲＦ信号の電力レベルを低電力状態と高電力状態との間で前記複数のＲＦ電源の第１のＲＦ電源を変化させるようにパルス出力させること、前記学習段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は第１のパルス周波数で実施されること、
（ｂ）前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の第２のＲＦ電源を動作させ、第１のＲＦ周波数値を取得すること、前記第１のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
（ｃ）その後、前記第２のＲＦ電源によって出力される第２のＲＦ信号の周波数を前記第２のＲＦ電源が自己同調させることを許可される前記自己同調モードで前記複数のＲＦ電源の前記第２のＲＦ電源を動作させ、第２のＲＦ周波数値を取得すること、前記第２のＲＦ周波数値は前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態にあるときに前記第２のＲＦ電源が前記第２のＲＦ信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
を含む学習段階を実行すること、
生産段階であって、
（ｄ）第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態と前記高電力状態との間で交互させるように前記複数のＲＦ電源の前記第２のＲＦ電源をパルス出力させること、前記生産段階における前記第１のＲＦ電源の前記パルス出力は、前記第１のパルス周波数よりも速い第２のパルス周波数で実施されることと、
（ｅ）前記第２のＲＦ電源を固定周波数モードで動作させている間に、前記第１のＲＦ周波数と前記第２のＲＦ周波数との間で前記第２のＲＦ電源の前記周波数を交互させること、これにより前記固定周波数モードにある前記第２のＲＦ電源は、前記第２のＲＦ電源が前記自己同調モードにある間に前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させるやり方で前記第２のＲＦ信号の前記周波数を自己同調させることを許可されないこと、
を含む生産段階を実行すること、
を備える方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｆ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記高電力状態から前記低電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記低電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、測定可能チャンバパラメータの第１の値を取得することを含み、前記ステップｆ）は、前記ステップｂ）と前記ステップｃ）との間で実行される、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
（ｇ）前記固定周波数モードで前記第２のＲＦ電源を動作させ、前記第１のＲＦ信号の前記電力レベルを前記低電力状態から前記高電力状態へ変化させるように前記第１のＲＦ電源をパルス出力させ、その後、前記第２のＲＦ電源が前記固定周波数モードで動作し前記第２のＲＦ信号が前記第２のＲＦ周波数値を有し前記第１のＲＦ信号が前記高電力状態を有する間に、前記第２のＲＦ電源に関連付けられたセンサを使用して、前記測定可能チャンバパラメータの第２の値を取得することを含み、前記ステップｇ）は、前記ステップｃ）の後に実行される、方法。 - 請求項１３に記載の方法であって、
前記測定可能プラズマパラメータは、ガンマを表す、方法。 - 請求項１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、測定可能パラメータの値を前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値及び前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項１３に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第１の値に第１の閾値調整値を加えたものを表す第１の閾値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項１６に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第２の値に第２の閾値調整値を加えたものを表す第２の閾値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ電源は、独立にパルス出力するＲＦ電源を表す、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワットである、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
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