JP2013526004A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステムであって、
   （ａ）ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に備えられる少なくとも１対の電極と、
   （ｂ）前記少なくとも１対の電極の間に制御された電圧を供給する電圧源と、
   （ｃ）前記少なくとも１対の電極間に供給される電圧を制御するコントローラと
   を備え、
   前記コントローラは、前記少なくとも１対の電極間に電圧のレジームを供給し、前記レジームは、１対の電極にＡＣ電圧が供給される第１のステージと、１対の電極にＤＣ電圧が供給される第２のステージとを含む、システム。
2. 前記レジームの各ステージの必要な電圧は、それぞれの連続する期間に同じ対の電極間に供給される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
3. 前記ＥＵＶ放射ビームは、パルス放射源によって供給され、前記コントローラは、前記電圧レジームのステージの期間の合計が前記ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応するように構成される、請求項２に記載の汚染粒子を除去するシステム。
4. 前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数と電位は、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
5. 前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数は、２０〜１００ＭＨｚの間にある、請求項４に記載の汚染粒子を除去するシステム。
6. 前記第１のステージのＡＣ電圧の大きさは、４０〜２００Ｖの間にある、請求項４又は５に記載の汚染粒子を除去するシステム。
7. ＡＣ電圧によって前記１対の電極に供給される電力は、０．００５〜０．０４Ｗ／ｃｍ^２の間にある、請求項４から６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
8. 前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマを散逸させるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
9. 前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、０．１〜２０ＭＨｚの間、望ましくは１０ＭＨｚである、請求項８に記載の汚染粒子を除去するシステム。
10. 前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の大きさは、１０〜４００Ｖの間、望ましくは２００Ｖである、請求項８又は９に記載の汚染粒子を除去するシステム。
11. 前記電圧レジームは、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される前記第１のステージと第２のステージとの間に設けられた中間ステージを含み、
    前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数よりも高い、請求項３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
12. 前記第１のステージと前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記第１のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高め、前記第２のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記プラズマを散逸させるように選択される、請求項１１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
13. 前記少なくとも１対の電極は、第１の対の電極が第２の対の電極よりも汚染粒子の発生源に近いように前記ＥＵＶ放射ビームの軸に沿ったそれぞれの位置に備えられる第１及び第２の対の電極を備え、
    前記電圧レジームの前記第１のステージの電圧は、前記第１の対の電極に印加され、前記電極レジームの前記第２のステージの電圧は、前記第２の対の電極に印加される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
14. 前記電圧レジームは、前記第１のステージと前記第２のステージとの間に備えられ、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される中間ステージを含み、
    前記第１のステージの前記ＡＣ電圧は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧よりも高い、請求項１３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
15. 前記レジームの前記中間ステージ及び第２のステージに必要な電圧は、それぞれの連続する期間に前記第２の対の電極間に供給される、請求項１４に記載の汚染粒子を除去するシステム。
16. 前記第２のステージの前記ＤＣ電圧は、１００〜４００Ｖの範囲から選択され、望ましくは２００Ｖである、請求項１から１５のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
17. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
18. 前記汚染粒子を除去するシステムは、照明システムと前記放射ビームにパターンを与えるパターニングデバイスとの間の前記ＥＵＶビーム経路から汚染粒子を除去する、請求項１７に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
19. リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法であって、
    ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に少なくとも１対の電極を備えるステップと、
    前記少なくとも１対の電極間の電圧レジームを供給するステップと、
    を含み、前記レジームはＡＣ電圧が１対の前記電極に供給される第１のステージと、ＤＣ電圧が前記電極に供給される第２のステージとを含む、方法。
20. パターニングされたＥＵＶ放射ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、前記ＥＵＶ放射ビームの経路の少なくとも一部から汚染粒子を除去する、請求項１９に記載の方法を用いるステップを含むデバイス製造方法。