RU2623400C1 - Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц - Google Patents
Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц Download PDFInfo
- Publication number
- RU2623400C1 RU2623400C1 RU2015155473A RU2015155473A RU2623400C1 RU 2623400 C1 RU2623400 C1 RU 2623400C1 RU 2015155473 A RU2015155473 A RU 2015155473A RU 2015155473 A RU2015155473 A RU 2015155473A RU 2623400 C1 RU2623400 C1 RU 2623400C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electron
- particles
- metal particles
- dust
- dusty
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Способ включает зарядку пылевых металлических частиц и воздействие на заряженные пылевые металлические частицы электрическим полем, направленным вдоль поверхности защищаемого рабочего элемента литографического оборудования. Пылевые металлические частицы заряжают потоком электронов, при этом энергию электронов Еэл и произведение плотности потока электронов J0 на поперечный размер X потока электронов задают в определенном соотношении. Технический результат: повышение эффективности защиты литографического оборудования.
Description
Изобретение относится к способам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим.
К такому литографическому оборудованию относится оптическая нанолитография в глубоком ультрафиолете (Junichi Fujimoto, Tamotsu Abe, Satoshi Tanaka, Takeshi Ohta, Tsukasa Hori, Tatsuya Yanagida, Hiroaki Nakarai, Hakaru Mizoguchi, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 11(2), 021111, pp 1-14, Apr-Jun 2012). Так, одним из наиболее важных требований, возникающих при разработке источника глубокого ультрафиолета, является необходимость полного предотвращения попадания пылевых металлических частиц (например, кластеров и атомов Sn) на поверхность зеркала коллектора, поскольку осаждение даже слоя толщиной 1 нм ухудшает коэффициент отражения зеркала на 10%, что существенно влияет на его срок службы.
В последние годы разработаны способы отчистки и защиты поверхности рабочих элементов в различных установках от загрязнения продуктами, возникающими в процессе работы этих установок.
Известен способ удаления загрязняющих частиц с поверхности оборудования, производящего полупроводниковые изделия (см. заявка ЕР 0790642, МПК С23С 16/02, С23С 16/44, H01J 37/32, H01L 21/00, H01L 21/306, H01L 21/677, опубликована 20.08.1997), включающий зарядку загрязняющих частиц в ионизованном газе и удаление их с поверхности полупроводниковых изделий за счет ускорения в электрическом поле. Система электродов, используемых в известном способе, может устанавливаться как в рабочей камере, так и в узлах транспортировки подложек.
Известный способ позволяет существенно снизить степень загрязнения поверхности полупроводниковых изделий, однако, он не предназначен для отчистки рабочих элементов установок от пленок и пылевых частиц с сильной адгезией к поверхности.
Известен способ защиты оборудования для изготовления полупроводниковых приборов от попадания частиц на поверхность подложки (см. заявка KR 19990083161, МПК C23F 01/00, H01J 37/32, H01L 21/302, опубликована 25.11.1999), включающий воздействие на частицы электрическим полем, отталкивающим частицы от полупроводниковой подложки, при этом воздействие на частицы электрическим полем синхронизировано с процессом генерации плазмы под действием высокочастотного напряжения, формирующей структуры на полупроводниковой подложке.
Известный способ позволяет защищать полупроводниковую подложку от загрязнений, обусловленных осаждением на ее поверхность нежелательных кластеров частиц, формирующихся в объеме рабочего газа. Однако способ не обеспечивает защиту полупроводниковых подложек от попадания на них кластеров частиц во время процесса формирования структуры на подложке.
Известен способ защиты поверхности полупроводниковых подложек от пылевых частиц (см. патент US 5858108, МПК В08В 06/00, H01L 021/00, опубликован 12.01.1999), включающий формирование потока газа над полупроводниковой подложкой, удаляющего незаряженные пылевые частицы, приложение к полупроводниковой подложке импульсного напряжения с периодически изменяющейся полярностью для удаления с полупроводниковой подложки соответственно отрицательно и положительно заряженных пылевых частиц, захват удаленных пылевых частиц потоком газа и вынос их в систему откачки. Особенностью способа является то, что удаление пылевых частиц происходит в загрузочной, а не в рабочей камере.
Известный способ позволяет осуществлять удаление пылевых частиц во время формирования полупроводниковых структур без необходимости прерывания рабочего процесса. Однако в известном способе удаляют пылевые частицы, осажденные на поверхность полупроводниковой подложки, а не защищают ее от осаждения пылевых частиц. Соответственно эффективность очистки подложки сильно зависит от адгезии частиц к ее поверхности.
Известен способ защиты литографического оборудования от пылевых частиц (см. заявка РСТ WO 2011110467, МПК В08В 06/00, C23F 01/08, G03B 07/52, G03F 07/20, опубликована 15.09.2011), включающий удаление пылевых частиц электрическим полем, формируемым на пути распространения излучения в глубоком ультрафиолете. На первом этапе электрическое поле создают за счет приложения переменного напряжения к электродам, установленным с противоположных сторон пути излучения. На втором этапе к электродам прикладывают постоянное напряжение. Известный способ позволяет удалять заряженные пылевые частицы с пути распространения излучения, однако данный способ не защищает оптические элементы литографического оборудования от незаряженных пылевых частиц.
Известен способ защиты литографического оборудования от пылевых частиц (см. заявка US2005140945, МПК G03B 27/52, G03B 27/54 G03F 07/00, G03F 07/20, опубликована 30.06.2005), включающий зарядку пылевых частиц в плазме электрического разряда и воздействие на заряженные частицы магнитным полем и захват отклоненных под воздействием силы, перпендикулярной току и магнитному полю, пылевых частиц множеством удерживающих поверхностей.
Известный способ позволяет отклонять ионы и кластеры, однако способ не обеспечивает ослабление потока частиц нанометрового размера на элементы литографического оборудования, поскольку такие частицы не захватываются магнитным полем.
Известен способ защиты литографического оборудования от пылевых частиц, в том числе металлических (см. заявка ЕР 1434095, МПК G03F 07/20, опубликована 30.06.2004), совпадающий с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ-прототип включает зарядку пылевых частиц в плазме электрического разряда и воздействие на заряженные пылевые частицы электрическим полем, направленным вдоль поверхности защищаемого рабочего элемента литографического оборудования.
Способ-прототип не обеспечивает эффективного отклонения заряженных пылевых частиц электрическим полем, так как использование для зарядки частиц плазмы газового разряда не позволяет заряжать пылевые металлические частицы выше плавающего потенциала, который определяется температурой электронов в плазме газового разряда и составляет всего несколько десятков вольт.
Задачей настоящего изобретения является разработка такого способа защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц, который бы обеспечивал повышение эффективности отклонения пылевых металлических частиц за счет их зарядки до более высоких потенциалов.
Поставленная задача решается тем, что способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц включает зарядку пылевых металлических частиц и воздействие на заряженные пылевые металлические частицы электрическим полем, направленным вдоль поверхности защищаемого рабочего элемента литографического оборудования. При этом пылевые металлические частицы заряжают потоком электронов, а энергию электронов Еэл и произведение плотности потока электронов J0 на поперечный размер X потока электронов определяют из соотношений:
где: Емин - энергия электронов, при превышении которой коэффициент вторичной эмиссии электронов с поверхности пылевой металлической частицы становится меньше единицы, Дж;
ρ - плотность материала пылевых металлических частиц, кг/м3;
Z - зарядовое число металла пылевых частиц;
R0 - размер пылевой металлической частицы, м;
А - атомный вес металла пылевых частиц, а.е.;
М - максимальное значение произведения плотности потока электронов на поперечный размер потока электронов, при котором электрическое поле пространственного заряда потока электронов снижает энергию электронов в центре потока до значения Емин, А⋅м;
V0 - скорость пылевых металлических частиц, м/с;
Q0 - заряд пылевой металлической частицы, Кл, который определяется выражением:
ε0 - диэлектрическая проницаемость вакуума, Ф/м.
е - заряд позитрона, Кл.
Способ защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых металлических частиц микронных размеров основан на том, что зарядку металлических частиц осуществляют в потоке электронов, в котором энергию Еэл электронов и произведение плотности J0 потока электронов на поперечный размер X потока электронов задают в соответствии с приведенными выше соотношениями.
Образующиеся при оптической нанолитографии в глубоком ультрафиолете металлические частицы заряжают в потоке электронов с энергией Еэл. При этом произведение плотности J0 потока электронов на поперечный размер X потока электронов определяют из приведенных выше соотношений. Поток электронов может быть создан, например, с помощью термоэмиссионного катода и коллектора электронов. Для ограничения эмиссии электронов с термоэмиссионного катода в направлении, противоположном основному потоку, может быть использован формирующий электрод, на который подают отрицательное напряжение. С целью снижения теплового потока на коллектор электронов может быть использован импульсно-периодический режим формирования потока электронов. Возможность реализации такого режима обусловлена тем, что поток металлических частиц, образующийся при оптической нанолитографии в глубоком ультрафиолете, носит импульсно-периодический характер. При этом поток электронов должен быть согласован с потоком микрочастиц таким образом, чтобы импульс потока электронов перекрывал импульс потока микрочастиц. После пролета области зарядки металлические частицы подают в отклоняющее электрическое поле, воздействие которого приводит к изменению их траектории.
Особенность настоящего способа заключается в зарядке частиц в потоке электронов до высоких потенциалов. Интервал величин энергии Еэл электронов определяются двумя требованиями: энергия Еэл должна быть достаточно высокой для того, чтобы снизить поток вторичной эмиссии электронов и заряжать частицы отрицательно, но при этом энергия Еэл электронов не должна превышать значений, при которых электроны проходят сквозь частицы и не заряжают их. Эти ограничения величины энергии Еэл электронов устанавливает соотношение:
При высоких плотностях потока J0 электронов их пространственный заряд формирует виртуальный катод и тем самым ограничивает поток электронов. Поперечный размер X потока электронов определяется необходимостью зарядки пылевых металлических частиц до заряда Q0 при их пролете через поток электронов и находится из условия:
Заряд Q0 отдельной пылевой металлической частицы определяется балансом потока электронов, приходящих на частицу, и потока электронов, эмитируемых частицей. Основной механизм эмиссии электронов в рассматриваемом случае является вторичная эмиссия электронов, поэтому заряд, до которого заряжаются частицы, определяется выражением:
Пример
Для экспериментальной проверки эффективности данного способа защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых металлических частиц был собран макет установки электрического экранирования пылевых металлических частиц, в котором мишень из олова чистотой 99,99% облучалась импульсами излучения Nd:НФП - лазера. Облучение мишени проводилось в вакууме с давлением остаточного воздуха 10-4 Па. Длительность лазерных импульсов составляла 30 не, энергия в импульсе 0,3 Дж, частота повторения импульсов 60 Гц, время облучения 5 минут. В процессе облучения мишень вращалась со скоростью 2 оборота в минуту, соответственно фокус лазерного излучения смещался по поверхности мишени. При этом часть материала с мишени эмитировалась в виде капель и на мишени формировалась канавка в форме кольца. Эмитированные с мишени частицы олова разлетаются во все стороны от плоскости мишени. В качестве защищаемого элемента использовали кварцевый датчик скорости нанесения пленок размером 1 см, который моделировал элемент оптики литографического оборудования и располагался под мишенью на расстоянии 15 см. Измерения скорости напыления олова на датчик проводили с помощью контроллера STC-2000A. Для того, чтобы ослабить поток частиц олова на датчик и при этом не препятствовать потокам электромагнитного излучения, на участке между мишенью и датчиком формировали ленточный пучок электронов плотностью 2,5 мА/см2, шириной 1 см, высотой Х=4 см и длиной 5 см. Энергия электронов в пучке (Еэл) составляла 1,3⋅10-15 Дж. Пучок электронов был направлен перпендикулярно направлению потока пылевых частиц олова в области их пересечения. Пылевые частицы олова, которые попадают в поток электронов, заряжались. На участке за пучком электронов и до датчика, который защищали от пылевых частиц, было создано отклоняющее электрическое поле напряженностью 2 кВ/см, направленное вдоль поверхности датчика. Размер области электрического поля составлял 5 см в высоту (от пучка электронов до датчика), 7 см в ширину (размер электродов, формирующих поле) и 4 см в длину (расстояние между электродами). Без включения потока электронов и отклоняющего электрического поля скорость напыления пылевых частиц олова на датчик составляла примерно 0,5 нм/с. При включении пучка электронов и отклоняющего электрического поля, скорость напыления пылевых частиц олова на датчик падала до 0,12 нм/с, то есть в 4,16 раза.
Claims (14)
- Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц, включающий зарядку пылевых металлических частиц и воздействие на заряженные пылевые металлические частицы электрическим полем, направленным вдоль поверхности защищаемого рабочего элемента литографического оборудования, отличающийся тем, что пылевые металлические частицы заряжают потоком электронов, при этом энергию электронов Еэл и произведение плотности потока электронов J0 на поперечный размер X потока электронов определяют из соотношений:
- Емин<Еэл<1.65⋅10-13⋅(ρZR0/A)0.7, Дж;
- M>J0X>Q0V0/[2пR0 2(1-σ)], А⋅м;
- где: Емин - энергия электронов, при превышении которой коэффициент вторичной эмиссии электронов с поверхности пылевой металлической частицы становится меньше единицы, Дж;
- ρ - плотность материала пылевых металлических частиц, кг/м3;
- Z - зарядовое число металла пылевых частиц;
- R0 - размер пылевой металлической частицы, м;
- А - атомный вес металла пылевых частиц, а.е.;
- М - максимальное значение произведения плотности потока электронов на поперечный размер потока электронов, при котором электрическое поле пространственного заряда потока электронов снижает энергию электронов в центре потока до значения Емин, А⋅м;
- V0 - скорость пылевых металлических частиц, м/с;
- Q0 - заряд пылевой металлической частицы, Кл, который определяется выражением:
- Q0=4пε0(Еэл-Емин)⋅R0/e;
- ε0 - диэлектрическая проницаемость вакуума, Ф/м;
- е - заряд позитрона, Кл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015155473A RU2623400C1 (ru) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015155473A RU2623400C1 (ru) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2623400C1 true RU2623400C1 (ru) | 2017-06-26 |
Family
ID=59241511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015155473A RU2623400C1 (ru) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2623400C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107744966A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-03-02 | 安徽锐视光电技术有限公司 | 一种基于电磁屏蔽的防尘装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1055541A1 (ru) * | 1982-05-18 | 1983-11-23 | Куйбышевский государственный университет | Способ зар дки аэрозольных частиц |
SU1743657A1 (ru) * | 1989-08-03 | 1992-06-30 | Всесоюзный научно-исследовательский институт по строительству магистральных трубопроводов | Машина дл очистки и изол ции наружной поверхности трубопровода |
EP1223468A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-17 | ASML Netherlands BV | Lithographic projection Apparatus and device manufacturing method |
EP1434095A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050140945A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a debris-mitigation system, a source for producing EUV radiation having a debris mitigation system and a method for mitigating debris |
WO2011110467A2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Asml Netherlands B.V. | System for removing contaminant particles, lithographic apparatus, method for removing contaminant particles and method for manufacturing a device |
-
2015
- 2015-12-24 RU RU2015155473A patent/RU2623400C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1055541A1 (ru) * | 1982-05-18 | 1983-11-23 | Куйбышевский государственный университет | Способ зар дки аэрозольных частиц |
SU1743657A1 (ru) * | 1989-08-03 | 1992-06-30 | Всесоюзный научно-исследовательский институт по строительству магистральных трубопроводов | Машина дл очистки и изол ции наружной поверхности трубопровода |
EP1223468A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-17 | ASML Netherlands BV | Lithographic projection Apparatus and device manufacturing method |
EP1434095A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050140945A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a debris-mitigation system, a source for producing EUV radiation having a debris mitigation system and a method for mitigating debris |
WO2011110467A2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Asml Netherlands B.V. | System for removing contaminant particles, lithographic apparatus, method for removing contaminant particles and method for manufacturing a device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107744966A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-03-02 | 安徽锐视光电技术有限公司 | 一种基于电磁屏蔽的防尘装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7230258B2 (en) | Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source | |
JP6801851B2 (ja) | 基板処理システム、イオン注入システム、およびビームラインイオン注入システム | |
JP5758153B2 (ja) | 放射源装置、リソグラフィ装置、放射発生および送出方法、およびデバイス製造方法 | |
US8604418B2 (en) | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction | |
TWI383710B (zh) | 輻射系統及微影裝置 | |
JP2008277481A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
TWI324281B (en) | Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation | |
US20040055871A1 (en) | Use of ion beams for protecting substrates from particulate defect contamination in ultra-low-defect coating processes | |
US11333971B2 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article | |
WO2013152023A1 (en) | System and method for cleaning surfaces and components of mask and wafer inspection systems based on the positive column of a glow discharge plasma | |
US9761410B2 (en) | Apparatus and method for in-situ cleaning in ion beam apparatus | |
CN108604523B (zh) | 离子束装置中污染控制的装置、系统和方法 | |
CN115176202A (zh) | 配有用于改变颗粒碎片的轨迹的偏转设备的光刻系统 | |
US6888297B2 (en) | Method and apparatus for debris mitigation for an electrical discharge source | |
JP7183415B2 (ja) | 静電フィルタを用いてイオンビームを制御するための装置および方法 | |
RU2623400C1 (ru) | Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц | |
EP3518268B1 (en) | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering | |
US10678149B2 (en) | Method and apparatus for maintaining the surface of a reticle free of particles | |
RU2655339C1 (ru) | Устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц | |
WO2020055894A1 (en) | Method and apparatus to eliminate contaminants from an accelerated neutral atom beam to protect a beam target | |
JP7171917B2 (ja) | 静電フィルタおよび静電フィルタを用いてイオンビームを制御するための方法 | |
JP2004298667A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP5493402B2 (ja) | 薄膜、フォトマスクブランク、及びそれらを成膜する方法並びに成膜装置 |