JP2009188378A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板を処理する装置であって、
   本体部分と、
   前記本体部分に結合された基板支持体と、
   前記本体部分に結合された放射線アセンブリ内に配置された複数のレーザと、
   前記放射線アセンブリに結合された１つ以上の電源と、
   前記基板支持体の方向に、前記放射線アセンブリからの電磁エネルギの少なくとも３０のパルスを誘導するために前記電源に結合された制御装置であって、各パルスが少なくとも０．２Ｊ／ｃｍ^２のエネルギ密度を有する、制御装置とを備え、
   前記制御装置が複数のレーザと前記本体部分との間に配置されたスイッチを操作するように構成された装置。
2. 前記制御装置が前記電源から前記複数のレーザへの電力パルスを生成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
3. 前記制御装置が前記基板支持体の方向に電磁エネルギの少なくとも１００のパルスを誘導する、請求項１に記載の装置。
4. 基板支持体上に前記基板を配置するステップと、
   前記基板に向かって電磁エネルギの少なくとも３０のパルスを誘導するステップと、を備え、
   各パルスが適したエネルギープロファイル及び少なくとも０．２Ｊ／ｃｍ^２のエネルギ密度を有する、
   基板をアニーリングする方法。
5. 各パルスの継続時間が１ｎｓｅｃから１０ｍｓｅｃの間である、請求項４に記載の方法。
6. 各パルスが同一エネルギおよび継続時間を有する、請求項４に記載の方法。
7. 電磁エネルギの各パルスが複数のレーザにより生成される、請求項５に記載の方法。
8. 前記パルスがスイッチを使用して電磁放射線の連続ビームを遮断することにより生成される、請求項４に記載の方法。
9. 前記スイッチが光スイッチである、請求項１に記載の装置。
10. 前記光スイッチが前記放射線アセンブリと前記基板支持体の間に配置された、請求項９に記載の装置。
11. 電磁エネルギの少なくとも１００のパルスが前記基板に向かって誘導される、請求項４に記載の方法。
12. 前記基板が複数の部分を備え、電磁エネルギの少なくとも１００のパルスが少なくとも各部分に送出され、各パルスが０．２Ｊ／ｃｍ ^２ のエネルギ密度を有する、請求項４に記載の方法。
13. 各パルスが前記基板を部分的にアニーリングする、請求項４に記載の方法。