JP3860444B2

JP3860444B2 - シリコン結晶化方法とレーザアニール装置

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Publication number: JP3860444B2
Application number: JP2001257628A
Authority: JP
Inventors: 利雄工藤; 和則山崎
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2001-08-28
Filing date: 2001-08-28
Publication date: 2006-12-20
Anticipated expiration: 2021-08-28
Also published as: JP2003068644A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン結晶化方法とレーザアニール装置に関し、特に大きな結晶粒を形成可能で、用いる装置のメインテナンスが簡易なシリコン結晶化方法とこの方法に用いられるレーザアニール装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アモルファスシリコン膜は、太陽電池、液晶表示装置、半導体装置等で広く用いられている。アモルファスシリコンは、結晶シリコンと較べ、低い移動度を有する。アモルファスシリコンを結晶化することにより、より特性の優れた電子デバイスを作成することができる。
【０００３】
アモルファスシリコンを多結晶化するアニール技術は、種々開発されている。現在、アモルファスシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射して多結晶化する技術が広く用いられている。ＸｅＣｌエキシマレーザは、メインテナンスに手間とコストがかかる。得られる多結晶シリコン膜の電気的特性は十分満足できるものではない。より良い品質で、かつ低コストの多結晶シリコン膜が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
多結晶シリコンは、単結晶化した結晶粒（グレイン）の集合を含む。結晶粒の境界であるグレインバウンダリが多結晶シリコンの電気的特性を左右する。グレインバウンダリが多い多結晶シリコンの電気的特性は一般的にグレインバウンダリの少ない多結晶シリコンより悪くなり易い。
【０００５】
各グレインの寸法（グレインサイズ）が大きくなれば、一般的にはグレインバウンダリは減少する。電気的特性の優れた多結晶シリコンを得るため、グレインサイズの大きな多結晶シリコンを形成する技術が求められている。
【０００６】
さらに、半導体素子を形成する領域、少なくとも半導体素子の特性を左右する領域（たとえば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域）を１つのグレイン内に形成できれば、半導体素子の特性を大幅に改善できる。
【０００７】
本発明の目的は、アモルファスシリコン膜から大きなグレインを有するシリコン膜を形成することのできるシリコン結晶化方法を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、このようなシリコン結晶化を行うことのできるレーザアニール装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、（ａ）シリコン膜に第１の強度と第１の時間長とを有する第１のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、（ｂ）溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第１の強度より低い第２の強度と第２の時間長とを有する第２のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、（ｃ）照射領域を部分的にずらして前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程と、含み、前記第１および第２のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長４００ｎｍ〜９００ｎｍのレーザ光を加算したものであるシリコン結晶化方法が提供される。
【００１０】
本発明の他の観点によれば、複数のレーザダイオード励起固体レーザを含み、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍ、第１の強度、第１の時間長を有する第１のパルスレーザ光を発生できる第１のパルスレーザ光源群と、複数のレーザダイオード励起固体レーザを含み、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍ、第１の強度より低い第２の強度、第２の時間長を有する第２のパルスレーザ光を発生できる第２のパルスレーザ光源群と、前記第１及び第２のパルスレーザ光源群の各レーザダイオード励起固体レーザのパルスレーザ光発生タイミングを制御するタイミング制御手段と、加工対象物を載置し、２次元平面内で駆動できるステージと、前記ステージの駆動を制御できるステージ制御手段と、前記ステージ上に載置される加工対象物の加工対象領域に前記第１のパルスレーザ光または前記第２のパルスレーザ光を照射させる光学系とを有するレーザアニール装置が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明の１実施例であるレーザアニール装置を説明する。パルスレーザ光源１１、１２は、それぞれ所定の強度と所定の時間長を有するパルスレーザビームを発生できる。パルスレーザ光源１１、１２の構成については後述する。
【００１２】
パルスレーザ光源１１からのレーザビームは、たとえばｓ波であり、λ／２位相板１３によってｐ波に変更され、ミラーＭ１１，Ｍ１２，アッテネータＡ１を介し偏光分波器（ポーラリゼーションビームスプリッタ）ＰＢＳに入射する。ＰＢＳは、たとえばｐ偏光を透過させる。
【００１３】
パルスレーザ光源１２からのレーザビームは、たとえばｓ波であり、ミラーＭ２１，Ｍ２２，アッテネータＡ２、ミラーＭ２３を介し偏光分波器（ポーラリゼーションビームスプリッタ）ＰＢＳに入射する。ＰＢＳは、たとえばｓ偏光を反射する。このようにして、２つのレーザビームは同一の光路上に出射する。
【００１４】
ＰＢＳの出射光は、ミラーＭ３１，Ｍ３２を介してビームエキスパンダ１６に入射し、ビーム径が拡げられる。ビーム径の拡がったレーザビームは、空間的可干渉性解消素子１７で可干渉性を緩和させ、ビームホモジナイザ１８で均一な強度分布を有するビームに変換される。空間的可干渉性解消素子１７と、ビームホモジナイザ１８についても後述する。
【００１５】
ビームホモジナイザ１８から出射したレーザビームは、ミラーＭ４０で下方に反射され、ガスカーテン装置２０の入射窓２２に入射する。ガスカーテン装置２０は、入射窓２２とガス導入口２３を有する上板２４と、その周辺部下面に接続された側壁部材２５で半密閉空間を画定する。側壁部材２６下部にはガス回収口２６が設けられている。ここでは、ガス雰囲気形成機構はガスカーテンだけに限定されない。例えば、ガス交換が可能な真空チェンバでも良い。
【００１６】
ステージ３０は、それぞれステッピングモータ等の駆動手段を備えたＸステージ３３、Ｙステージ３２を有し、二次元平面内で、移動できる。Ｙステージ３２上には定盤３１が設置されている。常磐３１上には、アモルファスシリコン膜を形成したガラス基板等の加工対象物１９が載置される。なお、Ｘステージ、Ｙステージの順序は逆でも良い。
【００１７】
ガスカーテン装置２０は、常磐３１の上方所定距離に配置される。ガス導入口２３から不活性ガスを導入すると、上板２４、側壁２５、常磐３１上の加工対象物１９で画定される加工空間内は不活性ガスで充填され、外気から遮断される。この状態でレーザビームを照射すると、加工対象物１９のアモルファスシリコン膜は、レーザビームによって溶融し、不活性ガス雰囲気内で固化（結晶化）させることができる。
【００１８】
上位制御装置３５は、コンピュータなどで構成され、タイミング制御装置３６、電源３７、３８を介してパルスレーザ光源１１、１２から所望のパルスレーザ光を発生させ、ステージコントローラ３９を介してステージ３０を所望速度、所望方向に駆動することができる。
【００１９】
図２（Ａ）は、パルスレーザ光源１１、１２、ＰＢＳを含む光学系、ビームエキスパンダ１６の構成をより詳細に示す。複数のレーザ光源１１ａ、１１ｂ、．．１２ａ、１２ｂ、．．はそれぞれレーザダイオード励起固体レーザを含み、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍのｓ偏光レーザ光を発振する。たとえば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザと２次高調波発生器、Ｎｄ：ＹＬＦレーザと２次高調波発生器、またはＮｄ：ＹＶＯ₄レーザと２次高周波発生器で構成される。各パルスレーザ光源１１、１２が２つのレーザ光源で構成されている場合を図示したが、３つ以上のレーザ光源を用いてもよい。
【００２０】
レーザ光源１１ａ、１１ｂからの出射光は、λ／２位相板１３ａ、１３ｂによってｐ波に変換され、ミラーＭ１１ａ、Ｍ１１ｂ、およびミラーＭ１２ａ、Ｍ１２ｂで反射され、ＰＢＳに入射する。
【００２１】
レーザ光源１２ａ、１２ｂからの出射光は、ミラーＭ２３ａ、Ｍ２３ｂで反射され、ｓ偏光のままＰＢＳに入射する。ＰＢＳは、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射することにより、ｓ偏光とｐ偏光とを同一の光路上に出射することができる。ＰＢＳから出射したレーザ光はλ／４位相板１４で円偏光に変換される。ビームエキスパンダ１６は、たとえば凹レンズと凸レンズの組み合わせを含み、平行光束を一旦発散させ、径の拡大した平行光束にする。
【００２２】
パルスレーザ光源１１がｓ偏光レーザビームを出射している時、λ／４位相板より先（下流）の光学系から反射光がもどると、λ／４位相板でｓ偏光にされ、ＰＢＳで反射される。パルスレーザ光源１２からのｓ偏光レーザビームの反射光はλ／４位相板により、ｐ偏光に変換され、ＰＢＳを透過する。このように、反射光は発振中のレーザ光源には戻らない。
【００２３】
図２（Ａ）の２群のパルスレーザ光源により以下に述べる２種類の特性を有するパルスレーザ光を発生させる。２群のパルスレーザ光源の各々は、図１のタイミング制御装置３６の制御のもとに動作し、パルスレーザ光発生タイミングが制御される。
【００２４】
図２（Ｂ）は、発生させるダブルパルスレーザ光の強度変化を示すグラフである。横軸が時間を示し、縦軸が強度を示す。第１パルスレーザ光Ｐ１は、アモルファスシリコン膜を十分溶融できるように強度が高く、パルス幅が狭い（時間長が短い）。第２パルスレーザ光Ｐ２は、一旦溶融したシリコンの冷却速度を遅らせ、結晶化速度を緩やかにして結晶粒を成長させるように、強度が低く、パルス幅が長い。または、第１パルスレーザ光と第２パルスレーザ光との両者ともパルス幅が長く、第１パルスレーザ光の強度は高く、第２パルスレーザ光の強度は低い。
【００２５】
たとえば、第１の例として、第１パルスレーザ光Ｐ１は、時間長１４ｎｓｅｃ、第２パルスレーザ光Ｐ２は、時間長１２０ｎｓｅｃ、その強度比は６．９である。第２の例として、第１パルスレーザ光Ｐ１と第２パルスレーザ光Ｐ２の時間長は両者共１２０ｎｓｅｃ、その強度比は２．２である。
【００２６】
第１パルスレーザ光の時間長は５ｎｓｅｃ以上、５０ｎｓｅｃ未満であり、第２パルスレーザ光時間長は５０ｎｓｅｃ以上、３００ｎｓｅｃ未満であることが望ましい。または、第１パルスレーザ光と第２パルスレーザ光の時間長は両者共５０ｎｓｅｃ以上、３００ｎｓｅｃ未満であることが望ましい。
【００２７】
実際にアモルファスシリコン膜の結晶化を行う場合には、対象とするアモルファスシリコン膜に種々の条件のパルスレーザ光を照射して最適条件を求めることが好ましい。
【００２８】
このような、パルス強度、時間長を有するレーザパルスを単独の固体レーザで発生させることは、現在では困難である。複数の固体レーザを用い、複数の固体レーザから同時にパルス光を発生させ、合波することにより十分な強度を有する第１パルスレーザ光Ｐ１を発生させることができる。又、複数の固体レーザをタイミングをずらして発振させ、合波することにより十分な時間長を有する第２パルスレーザ光Ｐ２を発生させることができる。
【００２９】
第１パルスレーザ光Ｐ１と第２パルスレーザ光Ｐ２の間隔は、時間長に依存して、たとえば（１４ｎｓｅｃ、１２０ｎｓｅｃ）や（１２０ｎｓｅｃ、１２０ｎｓｅｃ）の組み合わせではそれぞれ２３０ｎｓｅｃ、４５０ｎｓｅｃである。ダブルパルスの繰り返し周期は、たとえばｍｓｅｃオーダである。なお、第１、第２のパルスレーザ光がそれぞれ複数のレーザパルスを合波したものであるため、厳密には擬似ダブルパルスである。
【００３０】
レーザ光は、本来可干渉性を有する。アモルファスシリコン膜を効率的に結晶化するためには、長尺ビームを形成し、広幅の領域を照射しながら走査することが望ましい。長尺ビーム内で強度分布はできるだけ一定であることが望ましい。
【００３１】
照射領域内でレーザビームが干渉すると、意図せざる強度分布が発生し、一様なアニール処理を妨げることになる。空間的可干渉性解消素子は、レーザビームを複数のビーム領域に分割し、ビーム領域間での空間的可干渉性を低減する素子である。
【００３２】
レーザビームは、通常ビーム面積内で強度分布を有する。ホモジナイザはレーザビームを複数の領域に分割し、各領域内の光束を一定の共通領域内に再分布させることにより、照射面積内での強度を均一化させる素子である。
【００３３】
図３（Ａ），（Ｂ）は、空間的可干渉性解消素子１７、ホモジナイザ１８の構成例を示す。光軸をＺ方向とした場合、図３（Ａ）は、たとえばＸ方向から見た側面図であり、図３（Ｂ）はＹ方向から見た側面図である。
【００３４】
空間的可干渉性解消素子１７は、Ｚ方向の長さが異なる光学材料の板をＹ方向に積層した素子とＸ方向に積層した素子とを組み合わせた構成を有する。光路長の差が生じ、空間的可干渉性が低減する。互いに隣接する領域で光路長が徐々に変化する構成を図示したが，光路差の設定は任意である。たとえば，ランダムな光路差を設定してもよい。
【００３５】
なお、ビーム断面内を複数の領域に分割でき、各領域に異なる光路差を生じさせる構成であれば図示の構成に限らない。たとえば、ファイババンドルのような構成であれば、２つの素子を必要とせず、単一の素子で同様の効果を発揮できる。
【００３６】
ホモジナイザ１８は、たとえば、Ｘ方向シリンドリカルレンズ１８ａをＹ方向に並べ、Ｙ方向に並んだ複数の光束を形成し、他のＸ方向シリンドリカルレンズ１８ｂで各光束を再分布させ、同様Ｙ方向シリンドリカルレンズ１８ｃをＸ方向に並べ、Ｘ方向に並んだ複数の光束を形成し、他のＹ方向シリンドリカルレンズ１８ｄで各光束を再分布させる。図の構成では、結像レンズ１８ｐ、１８ｑで各光束を共通の領域上に結像させている。
【００３７】
このようにして、照射領域内で一定の強度を有する長尺ビームを形成している。この長尺ビームが、図１に示すアモルファスシリコン膜を堆積した加工対象物１９上に照射される。
【００３８】
図４（Ａ）、（Ｂ）は、加工対象物１９の構成を示す平面図と部分的断面図である。図４（Ｂ）に示すように、ガラス基板４０の上に２層の酸化シリコン膜４１、４３が積層されている。下側酸化シリコン膜４１には開口４２が形成されている。上側酸化シリコン膜４３は、開口４２上で鋭いカスプ４４を形成している。このようなカスプを形成した酸化シリコン膜４３の全面上にアモルファスシリコン膜４６が堆積されている。
【００３９】
図４（Ａ）に示すように、加工対象物１９の一対の対向辺に沿ってカスプ４４が一定の間隔で形成されている。例えば、右辺から左辺に向かってレーザビームを走査し、左辺で折り返し、左辺から右辺に向かって走査し、ジグザグ状に走査を繰り返す。
【００４０】
図４（Ｃ）に示すように、各走査の初期において、レーザビームＬＢ照射領域には複数のカスプ４４が含まれる。カスプ４４は、アモルファスシリコン膜４６が溶融し、固化する際、結晶核発生を誘起する。カスプ４４の底に結晶核が発生してフィルタ効果によって１つの大きな種結晶が成長する。レーザビームＬＢを走査することにより、それぞれの種結晶を元に単結晶領域が走査方向に拡がる。
【００４１】
なお、図４（Ｄ）に示すように、基板を複数のセクションＳに分割し、各セクションの周辺部にカスプ４４を形成してもよい。結晶成長を開始する部分にカスプを形成することにより、カスプから種結晶を成長させ、広い単結晶領域を形成させる。
【００４２】
レーザ照射は、重複照射によって同一位置に何回か繰り返し行われる。一回の照射により結晶化できなかった部分も複数回の照射で結晶化が進行する。
【００４３】
図４（Ｅ）は、アモルファスシリコンと結晶シリコンとの光吸収係数を概略的に示す。横軸がフォトンエネルギＥを示し、縦軸が吸収係数αを示す。曲線Ｑｃが結晶シリコンの吸収係数であり、曲線Ｑαがアモルファスシリコンの吸収係数である。本実施例で用いたレーザ光の波長では、アモルファスシリコンの吸収係数Ｑαは結晶シリコンの吸収係数より１桁以上大きい。波長４００〜９００ｎｍの領域では、このようにアモルファスシリコンの吸収係数が結晶シリコンの吸収係数より大きい。
【００４４】
図４（Ｆ）に示すように、レーザ照射領域内に大小様々の結晶化領域、グレインバウンダリ（アモルファス領域）がある場合、グレインバウンダリはより多くのレーザ光を吸収し、優先的に溶融する。
【００４５】
図４（Ｇ）に示すように、溶融領域が広がると、比較的大きな結晶化領域のみが固相で残る。このような状態から結晶化が再開すれば、前よりも大きなグレインサイズが得られるであろう。
【００４６】
図４（Ａ）に示すように、ストライプ状領域を端部を重ねて走査した場合、重なり部分は、上下の結晶領域からの影響が及び、歪みが蓄積しやすい。本実施例の場合、歪みが蓄積され結晶性が劣化した領域はアモルファス的となり、優先的に溶融する。再び結晶化すると、歪みは緩和される。
【００４７】
なお、実験の結果、ＸｅＣｌエキシマレーザ光を用いた場合より大きなグレインサイズが得られた。ＸｅＣｌエキシマレーザ光の波長では、アモルファスシリコンと結晶シリコンは、ほぼ同等の吸収係数を有する。従って、図４（Ｇ）に示すような状態は実現困難であろう。
【００４８】
図４（Ｈ），（Ｉ）は、結晶化シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの構成を概略的に示す。図４（Ｈ）に示すように結晶化シリコンをパターニングして島状の活性領域ＡＲが形成されている。このシリコン領域を横断するように絶縁ゲート電極Ｇが配置される。
【００４９】
図４（Ｉ）に示すように、絶縁ゲート電極は、シリコン領域上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の絶縁膜を形成し、その上にＣｒ，Ａｌ等の導電性材料のゲート電極を配置して形成される。
【００５０】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。
【００５１】
【発明の効果】
グレインサイズの大きな結晶化シリコン膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるレーザアニール装置を示す。
【図２】図１の光源部からビームエキスパンダまでの部分の拡大図とパルス波形を示すグラフである。
【図３】図１の可干渉性解消素子とホモジナイザの部分の拡大図である。
【図４】加工対象物の構成を示す平面図、断面図、結晶化過程を説明するためのグラフ、平面図、薄膜トランジスタの平面図、断面図である。
【符号の説明】
１１、１２パルスレーザ光源
１３、１４位相板
Ｍミラー
ＰＢＳ偏光分波器
Ａアッテネータ
１６ビームエキスパンダ
１７空間的可干渉性解消素子
１８ホモジナイザ
２０ガスカーテン装置
３０ステージ

Claims

アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、
（ａ）シリコン膜に第１の強度と第１の時間長とを有する第１のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、
（ｂ）溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第１の強度より低い第２の強度と第２の時間長とを有する第２のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、
（ｃ）照射領域を部分的にずらして前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程と、
を含み、前記第１および第２のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長４００ｎｍ〜９００ｎｍのレーザ光を加算したものであるシリコン結晶化方法。
前記第１及び第２のパルスレーザ光の照射を受ける前記シリコン膜は不活性ガス雰囲気機構により外気から遮断されている請求項１に記載のシリコン結晶化方法。
前記第１及び第２のパルスレーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧの第２高調波またはＮｄ：ＹＬＦの第２高調波またはＮｄ：ＹＶＯ₄の第２高調波である請求項１または２記載のシリコン結晶化方法。
前記第１の時間長は５ｎｓｅｃ以上５０ｎｓｅｃ未満、かつ前記第２の時間長は５０ｎｓｅｃ以上３００ｎｓｅｃ未満であるか、または前記第１及び第２の時間長は、共に５０ｎｓｅｃ以上３００ｎｓｅｃ未満である請求項１〜３のいずれか１項記載のシリコン結晶化方法。
前記第１及び第２のパルスレーザ光は共通の空間的可干渉性解消素子とホモジナイザとを介して照射される請求項１〜４のいずれか１項記載のシリコン結晶化方法。
前記第１及び第２のパルスレーザ光照射による走査をストライプ状に行ない、ストライプ端部で折り返し、互いに接するストライプ状結晶化領域を形成する請求項１〜５のいずれか１項記載のシリコン結晶化方法。
前記アモルファス相のシリコン膜は、ガラス基板上に形成された酸化シリコン膜上に堆積されたものであり、前記酸化シリコン膜が、結晶核を発生させ種結晶を形成させるカスプまたは段差を有する請求項１〜６のいずれか１項記載のシリコン結晶化方法。
複数のレーザダイオード励起固体レーザを含み、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍ、第１の強度、第１の時間長を有する第１のパルスレーザ光を発生できる第１のパルスレーザ光源群と、
複数のレーザダイオード励起固体レーザを含み、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍ、第１の強度より低い第２の強度、第２の時間長を有する第２のパルスレーザ光を発生できる第２のパルスレーザ光源群と、
前記第１及び第２のパルスレーザ光源群の各レーザダイオード励起固体レーザのパルスレーザ光発生タイミングを制御するタイミング制御手段と、
加工対象物を載置し、２次元平面内で駆動できるステージと、
前記ステージの駆動を制御できるステージ制御手段と、
前記ステージ上に載置される加工対象物の加工対象領域に前記第１のパルスレーザ光または前記第２のパルスレーザ光を照射させる光学系と
を有するレーザアニール装置。
さらに、前記加工対象領域周囲に、加工対象領域を外気から遮断する不活性ガス雰囲気を形成できる機構を有する請求項８記載のレーザアニール装置。
前記第１及び第２のパルスレーザ光源群は、それぞれ複数のＮｄ：ＹＡＧレーザ光源と第２高調波発生手段、複数のＮｄ：ＹＬＦレーザ光源と第２高調波発生手段、または複数のＮｄ：ＹＶＯ₄レーザ光源と第２高調波発生手段を有する請求項８または９記載のレーザアニール装置。
前記第１の時間長は５ｎｓｅｃ以上５０ｎｓｅｃ未満、かつ前記第２の時間長は５０ｎｓｅｃ以上３００ｎｓｅｃ未満であるか、または前記第１及び第２の時間長が、共に５０ｎｓｅｃ以上３００ｎｓｅｃ未満である請求項８〜１０のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
前記光学系は、前記第１及び第２のパルスレーザ光に共通の空間的可干渉性解消素子とホモジナイザとを含む請求項８〜１１のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
前記空間的可干渉性解消素子は、レーザビームを複数の領域に分割し、各領域に対して異なるリターデーションを与える光路を形成する請求項１２記載のレーザアニール装置。
前記ステージ制御手段が、前記加工対象物上での前記加工対象領域の走査を折り返しストライプ形状に行うことができる請求項８〜１３のいずれか１項記載のレーザアニール装置。