JP5068975B2 - レーザアニール技術、半導体膜、半導体装置、及び電気光学装置 - Google Patents
レーザアニール技術、半導体膜、半導体装置、及び電気光学装置 Download PDFInfo
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Description
本発明はまた、上記レーザアニール方法により製造された半導体膜、この半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置、及びこの半導体装置を用いた電気光学装置に関するものである。
本発明はまた、上記レーザアニール技術を用いることにより、結晶性が高く、薄膜トランジスタ(TFT)の活性層等として好適な半導体膜、これを用いたTFT等の半導体装置及び電気光学装置を提供することを目的とするものである。
さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、前記レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を1回以上実施するレーザアニール方法において、
前記被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ前記被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、前記レーザアニールを実施し、
かつ、下記式(1)を充足するよう、前記粒状結晶部分に対して、前記非結晶部分に照射するレーザ光の波長よりも短波長のレーザ光を含む単一又は複数の波長のレーザ光を照射して、前記レーザアニールを実施することを特徴とするものである。
さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、前記レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を1回以上実施するレーザアニール装置において、
前記被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ前記被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しないレーザ光照射条件に設定されており、
かつ、下記式(1)を充足するよう、前記粒状結晶部分に対して、前記非結晶部分に照射するレーザ光の波長よりも短波長のレーザ光を含む単一又は複数の波長のレーザ光を照射するものであることを特徴とするものである。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)
(式(1)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。)
本明細書において、「レーザアニール」には、レーザ光が直接照射される領域のアニールと、レーザ光は直接照射されないが熱が伝導して結晶状態が変化する領域のアニールとが含まれるものとする。
EP≒EA・・・(1A)
(式(1A)中、EP及びEAは上記と同様。)
0.82≦EP/EA≦1.0・・・(3)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
本明細書において、照射する場所を明記していない場合、レーザ光とは、用いる複数の波長のレーザ光すべてを意味することとする。
本発明の第2の半導体膜は、基板上に形成されたパターニングされていない半導体膜において、略全面がつなぎ目のないラテラル結晶膜であることを特徴とするものである。
「半導体膜が略全面ラテラル結晶からなる」とは、レーザアニール開始時と終了時に生成され、再度のレーザアニールが実施されずに残る粒状結晶を除いた部分がすべて、ラテラル結晶からなることを意味する。
本発明の電気光学装置は、上記の本発明の半導体装置を備えたことを特徴とするものである。電気光学装置としては、エレクトロルミネッセンス(EL)装置、液晶装置、電気泳動方式表示装置、及びこれらを備えたシートコンピュータ等が挙げられる。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)、
EP≒EA・・・(1A)
(式(1)及び(1A)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。)
従来より、非結晶シリコン(a−Si)と多結晶シリコン(poly−Si)とは、レーザ光の波長に対する吸収特性が異なることは知られていた。しかしながら、従来は、粒状結晶シリコンとラテラル結晶シリコンとはいずれも多結晶シリコン(poly−Si)であり、これらのレーザ光の吸収特性に違いがあるとは考えられていなかった。
吸収係数α=k/4πλ
(式中、kは消衰係数、λは波長である。)
(膜に吸収される光エネルギー)=(膜に照射される光エネルギー)×(表面反射せずに膜に入射する光量の割合)×(膜に吸収される光量の割合)
a=exp−αt
(式中、αは吸収係数、tは膜厚)
b=1−((1−n)/(1+n))2
(式中、nは屈折率である。)
(照射エネルギーE1)=(融解エネルギーE2)+(所望の温度に上昇させるために必要なエネルギーE3)+(放熱エネルギーE4)
E2=(単位融解エネルギー)×(1μm×1μm×50nmの体積中に含まれるSiのモル数)=46×103×((2.32 g/cm3)×(10-6×10-6×50×10-9 m3)/28)=1.9×10-10 J
E3=(比熱)×(1μm×1μm×50nmの体積中に含まれるSiの質量)×(所望の温度)=770J/kg K×(2.32g/cm3×(10-6×10-6×50×10-9 m3))×1400℃=1.3×10-10 J
0.82≦EP/EA≦1.0・・・(3)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
(式(3)及び(4)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
ELは、ラテラル結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギーを、各々示す。)
0.85≦EP/EA≦1.0・・・(3A)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
0.44v0.34143≦P≦0.56v0.34143・・・(5)
V=V0×exp(−Ea/kT)
(式中、Vはa−SiからPoly−Siへの固相成長速度(cm/s)である。kはボルツマン定数である。Tはアニール温度(K)である。V0は係数であり、V0=2.3〜3.1×108 cm/sである。Eaは活性化エネルギー(=c−Si中での空孔形成エネルギーに等しい)であり、Ea=2.68〜2.71eVである。)
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)、
EP≒EA・・・(1A)
(式(1)及び(1A)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。)
IL≒IA・・・(2A)、
IL<IA・・・(2B)
(式(2A)及び(2B)中、IAは非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの照射光エネルギー、
ILはラテラル結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの照射光エネルギーを示す。)
上記(2A)又は(2B)を充足する単位面積当たりの照射光エネルギーとするには、ラテラル結晶部分に照射するレーザ光の波長は、非結晶部分に照射するレーザ光の波長と同等あるいはそれ以上とすることが好ましい。
さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を1回以上実施するレーザアニール方法において、
被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施し、
かつ、下記式(1)、好ましくは下記式(1A)を充足するよう、粒状結晶部分に対して、非結晶部分に照射するレーザ光の波長よりも短波長のレーザ光を含む単一又は複数の波長のレーザ光を照射して、レーザアニールを実施することを特徴とするものである。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)、
EP≒EA・・・(1A)
(式(1)及び(1A)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。)
図面を参照して、本発明に係る実施形態のレーザアニール装置の構成について、説明する。図13はレーザアニール装置の全体構成図、図14は1個の合波半導体レーザ光源121及び121Aの内部構成を示す図である。
合波半導体レーザ光源121にはさらに、レーザ光L1〜L4を各々反射するLDパッケージ123と同数の反射ミラー125(125A〜125D)と、
反射ミラー125A,125Bにより反射されたレーザ光L1,L2が入射する偏光ビームスプリッタ126Aと、反射ミラー125C,125Dにより反射されたレーザ光L3,L4が入射する偏光ビームスプリッタ126Bとが備えられている。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)、
EP≒EA・・・(1A)
(式(1)及び(1A)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。)
0.82≦EP/EA≦1.0・・・(3)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
(式(3)及び(4)中、EA、EP、及びELは上記と同様である。)
0.44v0.34143≦P≦0.56v0.34143・・・(5)
本実施形態のレーザアニール装置100は上記構成に限らず、適宜設計変更可能である。
図面を参照して、本発明に係る実施形態の半導体膜、これを用いた半導体装置、及びこれを備えたアクティブマトリクス基板の製造方法と構成について説明する。本実施形態では、トップゲート型の画素スイッチング用薄膜トランジスタ(画素スイッチング用TFT)と、これを備えたアクティブマトリクス基板を例として説明する。図17は、工程図(基板の厚み方向の断面図)である。
次に、図17(c)に示す如く、フォトリソグラフィ法により、レーザアニール後の半導体膜21をパターニングして、TFTの素子形成領域以外の領域を除去する。パターニング後の半導体膜に符号22を付してある。
次に、図17(e)に示す如く、電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを実施することにより、ゲート絶縁膜24上に、ゲート電極25を形成する。
以上の工程により、本実施形態の画素スイッチング用TFT30が製造される。
アクティブマトリクス基板40の製造にあたっては、走査線や信号線等の配線が形成される。ゲート電極25が走査線を兼ねる場合と、ゲート電極25とは別に走査線を形成する場合がある。ドレイン電極28bが信号線を兼ねる場合と、ドレイン電極28bとは別に信号線を形成する場合がある。
図面を参照して、本発明に係る実施形態の電気光学装置の構成について説明する。本発明は、EL装置や液晶装置等に適用可能であり、有機EL装置を例として説明する。図18は有機EL装置の分解斜視図である。
ガラス基板上に、プラズマCVD法にて、酸化シリコンからなる下地膜(200nm厚)と、非結晶シリコン膜(a−Si、50nm厚)とを順次成膜した。その後、約500℃・約10分の熱アニールを実施して、非結晶シリコン膜の脱水素処理を実施した。
<その他の条件>
レーザ光の相対走査速度0.01m/s、非結晶部分における吸収パワー密度0.1MW/cm2、重ね量75%。
比較例1では、粒状結晶部分に、非結晶部分に照射されるレーザ光の波長よりも長波長のレーザ光を照射して、粒状結晶部分と非結晶部分とにおける単位面積当たりの吸収光エネルギーの差をより大きくした。具体的には照射するGaN系レーザの種類を逆にしてレーザアニールを実施した。かかる条件でレーザアニールを実施した以外は、実施例1と同様に、略全面レーザアニールを実施した。
実施例1のレーザアニールにより得られたシリコン膜を用いてTFTを製造し、得られたTFTのVg−Id特性(ゲート電圧Vgとドレイン電流Idとの関係)を評価した。
同様に、比較例1のレーザアニールにより得られたシリコン膜を用いてTFTを製造し、そのVg−Id特性を評価した。
結果を図21に示す。図21において、左右の縦軸はいずれも同じId値を示しているが、右の縦軸は通常表示、左の縦軸は対数表示になっている。図示するように、実施例1で得られたTFTは、比較例1で得られたTFTよりも、キャリア移動度が高く、素子電流特性が良好であった。
21、22 半導体膜
23 半導体膜(活性層)
23a ソース領域(活性領域)
23b ドレイン領域(活性領域)
30 TFT(半導体装置)
40 アクティブマトリクス基板
50 有機EL装置(電気光学装置)
100 レーザアニール装置
110 基板ステージ(相対走査手段)
120 レーザヘッド
121、121A 合波半導体レーザ光源
123(123A〜123E) LDパッケージ(レーザ光発信源)
134 半導体レーザ光源(レーザ光発信源)
140 走査光学系(相対走査手段)
LD 半導体レーザ
L レーザ光
Lp1 第1のレーザビーム
Lp2 第2のレーザビーム
Claims (29)
- 非結晶半導体からなる被アニール半導体膜の一領域に対して、ラテラル結晶が成長する条件でレーザ光を照射するレーザアニールを実施してラテラル結晶を成長させ、
さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、前記レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を1回以上実施するレーザアニール方法において、
前記被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ前記被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、前記レーザアニールを実施し、
かつ、下記式(1)を充足するよう、前記粒状結晶部分に対して、前記非結晶部分に照射するレーザ光の波長よりも短波長のレーザ光を含む単一又は複数の波長のレーザ光を部分的に照射しつつ該レーザ光を相対走査して前記レーザアニールを実施するレーザアニール方法であって、
前記被アニール半導体膜に対して、
前記ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して同時に照射可能であり、前記レーザ光の相対走査方向に見て前端側及び後端側が前記相対走査方向に対して略垂直な略直線形状であるビームパターンを有し、波長分布が略均一である第1のレーザビームと、
前記レーザ光の相対走査方向に見て、前記第1のレーザビームの前側に位置し、前記粒状結晶部分を照射可能であり、前記第1のレーザビームよりも短波長の第2のレーザビームとを同時に照射して、前記レーザアニールを実施することを特徴とするレーザアニール方法。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)
(式(1)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。) - 下記式(1A)を充足するよう、前記非結晶部分に照射する前記レーザ光と前記粒状結晶部分に照射する前記単一又は複数のレーザ光の波長とを決定して、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1に記載のレーザアニール方法。
EP≒EA・・・(1A)
(式(1A)中、EP及びEAは上記と同様。) - 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であり、
下記式(3)及び(4)を充足する条件で、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザアニール方法。
0.82≦EP/EA≦1.0・・・(3)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
(式(3)及び(4)中、EA及びEPは上記と同様である。
ELは、ラテラル結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギーを示す。) - 前記被アニール半導体膜に対して、
前記ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して同時に照射可能であり、前記レーザ光の相対走査方向に見て前端側及び後端側が前記相対走査方向に対して略垂直な略直線形状であるビームパターンを有し、
前記粒状結晶部分を照射するビーム部分に、前記非結晶部分を照射するビーム部分の前記レーザ光の波長よりも短波長の前記レーザ光が含まれた波長分布特性のレーザビームを照射して、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のレーザアニール方法。 - 前記被アニール半導体膜の膜面上において、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとが接する、もしくは、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとが部分的に重なる条件で、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレーザアニール方法。
- 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であり、
前記非結晶部分における前記レーザ光の吸収パワー密度P(MW/cm2)と前記レーザ光の相対走査速度v(m/s)とが下記式(5)を充足する条件で、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のレーザアニール方法。
0.44v0.34143≦P≦0.56v0.34143・・・(5) - 前記レーザ光として連続発振レーザ光を用いることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のレーザアニール方法。
- 前記レーザ光として半導体レーザ光を用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のレーザアニール方法。
- 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であり、
前記粒状結晶部分に照射する、前記非結晶部分に照射する前記レーザ光の波長よりも短波長の前記レーザ光として、350〜600nmの波長域にあるレーザ光を用いることを特徴とする請求項8に記載のレーザアニール方法。 - 前記粒状結晶部分に照射する前記単一又は複数の波長のレーザ光を含むすべての前記レーザ光として、350〜600nmの波長域にあるレーザ光を用いることを特徴とする請求項9に記載のレーザアニール方法。
- 前記被アニール半導体膜に対して、アニール領域をずらして前記レーザアニールを再度実施する際には、
前記被アニール半導体膜に対して、先に前記レーザ光が照射された領域と次に前記レーザ光が照射される領域とが部分的に重なるよう、前記レーザアニールを実施することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のレーザアニール方法。 - 非結晶半導体からなる被アニール半導体膜の一領域に対して、ラテラル結晶が成長する条件でレーザ光を照射するレーザアニールを実施してラテラル結晶を成長させ、
さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、前記レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を1回以上実施するレーザアニール装置において、
前記被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ前記被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しないレーザ光照射条件に設定されており、
かつ、下記式(1)を充足するよう、前記粒状結晶部分に対して、前記非結晶部分に照射するレーザ光の波長よりも短波長のレーザ光を含む単一又は複数の波長のレーザ光を照射するものであり、
前記被アニール半導体膜に対して、前記レーザ光を部分的に照射しつつ該レーザ光を相対走査する相対走査手段を備え、
前記被アニール半導体膜に対して、
前記ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して同時に照射可能であり、前記レーザ光の相対走査方向に見て前端側及び後端側が前記相対走査方向に対して略垂直な略直線形状であるビームパターンを有し、波長分布が略均一である第1のレーザビームと、
前記レーザ光の相対走査方向に見て、前記第1のレーザビームの前側に位置し、前記粒状結晶部分を照射可能であり、前記第1のレーザビームよりも短波長の第2のレーザビームとを同時に照射するものであることを特徴とするレーザアニール装置。
|EA−EP|<|EA−EPs|・・・(1)
(式(1)中、
EAは、非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPsは、非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー、
EPは、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを、各々示す。) - 下記式(1A)を充足するよう、前記非結晶部分に照射する前記レーザ光と前記粒状結晶部分に照射する前記単一又は複数のレーザ光の波長とが設定されていることを特徴とする請求項12に記載のレーザアニール装置。
EP≒EA・・・(1A)
(式(1A)中、EP及びEAは上記と同様。) - 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であり、
下記式(3)及び(4)を充足するレーザ光照射条件に設定されていることを特徴とする請求項12又は13に記載のレーザアニール装置。
0.82≦EP/EA≦1.0・・・(3)、
EL/EA≦0.70・・・(4)
(式(3)及び(4)中、EA及びEPは上記と同様である。
ELは、ラテラル結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギーを示す。) - 前記被アニール半導体膜に対して、
前記ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して同時に照射可能であり、前記レーザ光の相対走査方向に見て前端側及び後端側が前記相対走査方向に対して略垂直な略直線形状であるビームパターンを有し、
前記粒状結晶部分を照射するビーム部分に、前記非結晶部分を照射するビーム部分の前記レーザ光の波長よりも短波長の前記レーザ光が含まれた波長分布特性のレーザビームを照射するものであることを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載のレーザアニール装置。 - 前記被アニール半導体膜の膜面上において、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとが接するように、もしくは、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとが部分的に重なるように照射するものであることを特徴とする請求項12〜15のいずれかに記載のレーザアニール装置。
- 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であり、
前記レーザ光の照射条件と相対走査条件とは、前記非結晶部分における前記レーザ光の吸収パワー密度P(MW/cm2)と前記レーザ光の相対走査速度v(m/s)とが下記式(5)を充足する条件に設定されていることを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載のレーザアニール装置。
0.44v0.34143≦P≦0.56v0.34143・・・(5) - 前記粒状結晶部分を照射対象とし、前記非結晶部分に照射する前記レーザ光の波長よりも短波長の前記レーザ光を発振するレーザ光発振源が備えられていることを特徴とする請求項12〜17のいずれかに記載のレーザアニール装置。
- 前記レーザ光は連続発振レーザ光であることを特徴とする請求項12〜18のいずれかに記載のレーザアニール装置。
- 前記レーザ光は半導体レーザ光であることを特徴とする請求項12〜19のいずれかに記載のレーザアニール装置。
- 前記粒状結晶部分に照射する、前記非結晶部分に照射する前記レーザ光の波長よりも短波長の前記レーザ光は、350〜600nmの波長域にある半導体レーザ光であることを特徴とする請求項20に記載のレーザアニール装置。
- 前記粒状結晶部分に照射する前記単一又は複数の波長のレーザ光を含むすべての前記レーザ光が、350〜600nmの波長域にある半導体レーザ光であることを特徴とする請求項20に記載のレーザアニール方法。
- 前記350〜600nmの波長域にある半導体レーザ光が、GaN系半導体レーザ光又はZnO系半導体レーザ光であることを特徴とする請求項21又は22に記載のレーザアニール装置。
- 前記被アニール半導体膜に対して、アニール領域をずらして前記レーザアニールを再度実施する際には、
先に前記レーザ光が照射された領域と次に前記レーザ光が照射される領域とが部分的に重なるよう、前記レーザアニールを実施するものであることを特徴とする請求項12〜22いずれかに記載のレーザアニール装置。 - 非結晶半導体からなる被アニール半導体膜に対して、請求項1〜11のいずれかに記載のレーザアニール方法を実施して製造されたものであることを特徴とする半導体膜。
- 前記被アニール半導体膜が非結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体膜。
- 略全面がラテラル結晶からなることを特徴とする請求項25又は26に記載の半導体膜。
- 請求項25〜27のいずれかに記載の半導体膜を用いて得られた活性層を備えたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項28に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電気光学装置。
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JP2006269032A JP5068975B2 (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | レーザアニール技術、半導体膜、半導体装置、及び電気光学装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091512A JP2008091512A (ja) | 2008-04-17 |
JP5068975B2 true JP5068975B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=39375387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006269032A Expired - Fee Related JP5068975B2 (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | レーザアニール技術、半導体膜、半導体装置、及び電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5068975B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102480839B1 (ko) * | 2016-07-05 | 2022-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 및 이의 구동 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009318A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 薄膜シリコン太陽電池及びその製造方法 |
JP2003100653A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 加工装置および加工方法 |
JP4397582B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4799825B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射方法 |
JP4860116B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2012-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
JP2005005323A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体加工方法および半導体加工装置 |
JP4408667B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-02-03 | 三菱電機株式会社 | 薄膜半導体の製造方法 |
JP2005217209A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Hitachi Ltd | レーザアニール方法およびレーザアニール装置 |
JP4660103B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ熱処理方法 |
JP2006196539A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置 |
JP4935059B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2012-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006269032A patent/JP5068975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008091512A (ja) | 2008-04-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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