JP2016506067A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板を熱処理するための装置であって、
   第一の放射を第一のフルエンスで供給する第一の放射エネルギー源、
   前記第一の放射エネルギー源と光学的に連結される第一の光学アセンブリ、
   第二の放射を第二のフルエンスで供給する第二の放射エネルギー源、
   前記第二の放射エネルギー源と光学的に連結される第二の光学アセンブリ、及び
   前記第一の放射を第一の位置で受け、前記第二の放射を第二の位置で受けるように配置される基板支持体を備え、前記第一のフルエンスは前記第二のフルエンスの１０〜１００倍であり、前記第一の放射は前記第二の位置に到達できない、装置。
2. 前記第二の放射エネルギー源は、複数のレーザを備えるパルスレーザアセンブリである、請求項１に記載の装置。
3. 前記第一の放射エネルギー源は、パルスレーザであり、前記第二の放射エネルギー源は、複数のレーザを備えるパルスレーザアセンブリである、請求項１に記載の装置。
4. 前記基板支持体は作業表面を含み、前記第一の位置は前記作業表面の周辺部にあり、前記第二の位置は前記第一の位置より前記作業表面の中心により近い、請求項１に記載の装置。
5. 前記第二の光学アセンブリは、パルスコンバイナ、パルス整形器、及びホモジナイザを含む、請求項２に記載の装置。
6. 前記第二の光学アセンブリは、空間ホモジナイザ、時間ホモジナイザ、及びエッジ調整部材を含む、請求項２に記載の装置。
7. 前記第一の放射エネルギー源は、少なくとも約３０ＭＷの出力、１００ｎｓｅｃ以下のパルス持続時間、及び５ｃｍ^２以下のビーム断面積を有するレーザである、請求項３に記載の装置。
8. 前記第一の放射エネルギー源は、約５００ｍＪ／ｃｍ^２〜約３，０００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを供給し、前記第二の放射エネルギー源の各レーザは、約５０ｍＪ／ｃｍ^２〜約３００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを供給する、請求項３に記載の装置。
9. 前記第一の放射エネルギー源は、約５００ｍＪ／ｃｍ^２〜約３，０００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを前記第一の位置に供給し、前記第二の放射エネルギー源の各レーザは、約５０ｍＪ／ｃｍ^２〜約３００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを前記第二の位置に供給する、請求項４に記載の装置。
10. 前記第一の放射エネルギー源は、約５００ｍＪ／ｃｍ ^２ 〜約３，０００ｍＪ／ｃｍ ^２ のフルエンスを供給するパルスレーザであり、前記第二の放射エネルギー源は、約５０ｍＪ／ｃｍ ^２ 〜約３００ｍＪ／ｃｍ ^２ のフルエンスを供給する複数のレーザを備えるパルスレーザアセンブリであり、前記基板支持体は、作業表面を含み、前記第一の位置は前記作業表面の周辺部にあり、前記第二の位置は前記第一の位置より前記作業表面の中心により近い、請求項５に記載の装置。
11. 基板を熱処理するための装置であって、
    第一の放射を第一のフルエンスで供給する第一の放射エネルギー源、
    前記第一の放射エネルギー源と光学的に連結される第一の光学アセンブリ、
    第一の作業領域の周辺部にある第一の位置で前記第一の放射を受けるように配置される前記第一の作業領域を含む第一の基板支持体、
    第二の放射を第二のフルエンスで供給する第二の放射エネルギー源、
    前記第二の放射エネルギー源と光学的に連結される第二の光学アセンブリ、及び
    前記第一の作業領域と寸法において同様の第二の作業領域を含み、前記第一の位置から前記第一の作業領域の中心に対する近さよりも、前記第二の作業領域の中心に対してより近くにある前記第二の作業領域の第二の位置で前記第二の放射を受けるように配置される第二の基板支持体を備え、前記第一のフルエンスは前記第二のフルエンスの１０〜１００倍である、装置。
12. 前記第一の基板支持体は第一のチャンバの中にあり、前記第二の基板支持体は第二のチャンバの中にある、請求項１１に記載の装置。
13. 前記第一の放射エネルギー源は、パルスレーザであり、前記第二の放射エネルギー源は、複数のレーザを備えるパルスレーザアセンブリである、請求項１１に記載の装置。
14. 前記第二の光学アセンブリは、空間ホモジナイザ、時間ホモジナイザ、及びエッジ調整部材を含む、請求項１３に記載の装置。
15. 前記第一の放射エネルギー源は、約５００ｍＪ／ｃｍ^２〜約３，０００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを供給し、前記第二の放射エネルギー源の各レーザは、約５０ｍＪ／ｃｍ^２〜約３００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを供給する、請求項１４に記載の装置。