JP2012524422A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. それぞれが光パルスを生成して半導体基板の表面の一部分を少なくとも２００℃に加熱するように構成された複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを備え、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備え、
   前記光パルスが、独立して選択可能なパルス持続時間、形状、および繰返し率を有する１つまたは複数の光波長を含み、
   前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、
   基板処理システム。
2. 前記光パルスがプロセスガスと前記半導体基板との間の化学反応を促進させ、その結果、前記半導体基板の表面上に膜を形成する、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記光パルスが、前記半導体基板内のドーパントを活動化させる、請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記光パルスが、前記半導体基板を焼鈍する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
5. 前記パルス持続時間が、約１００ｎｓ〜約１００μｓである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
6. 前記繰返し率が約１ＭＨｚ未満である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
7. 前記表面の前記部分が、１００平方ミリメートルより大きい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 前記１つまたは複数のファイバレーザの前記１つまたは複数の波長とは異なる波長に近い前記表面の前記部分からの放射を監視する光学高温測定アセンブリをさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
9. 処理チャンバ内に配置された半導体基板を支持する基板支持アセンブリと、
   光学アセンブリとを備え、前記光学アセンブリが、
   それぞれが１つまたは複数の波長の光パルスを生成して前記半導体基板の表面の一部分を少なくとも２００℃に加熱するように構成された複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを備え、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備え、
   前記光パルスが、独立して選択可能なパルス持続時間、形状、および繰返し率を有する１つまたは複数の光波長を含み、前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、
   基板処理システム。
10. 前記光学アセンブリが、前記半導体基板の一部分を一度に露出させる、請求項９に記載の基板処理システム。
11. 前記基板支持アセンブリが、前記１つまたは複数のファイバレーザに対して可動式である、請求項９または１０に記載の基板処理システム。
12. 半導体基板を処置する方法であって、
    表面プロセスを促進させる少なくとも１つの光パルスのパルス持続時間、形状および繰返し率を独立して選択するステップと、
    前記表面プロセスを促進するために、前記少なくとも１つの光パルスで半導体基板の表面の第１の部分を少なくとも２００℃に加熱するステップとを含み、
    前記少なくとも１つの光パルスが、ファイバレーザアセンブリの出力部から放出された１つまたは複数のファイバレーザ波長を含み、前記ファイバレーザアセンブリが、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、少なくとも１つの光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記少なくとも１つの光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備えた複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを含み、
    前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、方法。
13. 前記半導体基板を動かすステップと、
    前記半導体基板の前記表面の第２の部分を照射するステップと
    をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記半導体基板の表面の前記第１の部分から放出された光を受け取るステップと、
    プロセス監視波長に近い前記放出された光の輝度を判定するステップとをさらに含み、前記プロセス監視波長が前記１つまたは複数のファイバレーザ波長とは異なる、
    請求項１２または１３に記載の方法。