JP2010274328A5 - - Google Patents
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Description
第１発明に係るレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成する方法であって、パルスレーザ光を集光して脆性材料基板表面に照射するレーザ光照射工程と、レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、を含んでいる。そして、パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下である。また、入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１０００００以下の範囲である。さらに、パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である。
第２発明に係るレーザ加工方法は、第１発明の方法において、入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値は、より好ましくは３６００以上８８０００以下の範囲である。
第６発明に係るレーザ加工装置は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成する装置であって、レーザ照射機構と移動機構とを備えている。レーザ照射機構はパルスレーザ光を発信するレーザ発振器及び発振されたパルスレーザ光を集光して照射する集光光学機構を有する。移動機構はレーザ照射機構を脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿って相対的に移動させる。この装置において、パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下である。また、入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１０００００以下の範囲である。さらに、パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である。
（ａ）レーザ強度：１．０×１０８〜１．０×１０１０(W/cm2)
（ｂ）（入熱量(J/cm2)×線膨張係数(10-7/K)）：３０００以上１０００００以下
（ｃ）正方形内のパルス数：２パルス以上（線膨張係数が大きい場合）
５パルス以上（線膨張係数が小さい場合）
ここで、溶融アブレーションによって得られたスクライブ溝の状態を図６に示している。この図に示すように、溶融アブレーションによる加工では、欠陥及びクラックが生じることなく、高い精度でスクライブ溝６を形成することができる。
（ｂ）（入熱量(J/cm2)×線膨張係数(10-7/K)）：３０００以上１０００００以下
（ｃ）正方形内のパルス数：２パルス以上（線膨張係数が大きい場合）
５パルス以上（線膨張係数が小さい場合）
ここで、溶融アブレーションによって得られたスクライブ溝の状態を図６に示している。この図に示すように、溶融アブレーションによる加工では、欠陥及びクラックが生じることなく、高い精度でスクライブ溝６を形成することができる。
Claims (6)
- 脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、
パルスレーザ光を集光して脆性材料基板表面に照射するレーザ光照射工程と、
前記レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、
を含み、
前記パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下であり、
入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１０００００以下の範囲であり、
前記パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である、
レーザ加工方法。 - 前記入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値は、より好ましくは３６００以上８８０００以下の範囲である、請求項１に記載のレーザ加工方法。
- 前記入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３８００以上７６０００以下の範囲の場合、前記正方形内のパルス数はより好ましくは５パルス以上である、請求項１に記載のレーザ加工方法。
- 前記パルスレーザ光のパルス幅は１ns以上１０００ns以下である、請求項１に記載のレーザ加工方法。
- 前記パルスレーザ光は、波長が３００nm以下の紫外線レーザ光である、請求項１に記載のレーザ加工方法。
- 脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工装置であって、
パルスレーザ光を発信するレーザ発振器及び発振されたパルスレーザ光を集光して照射する集光光学機構を有するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構を脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿って相対的に移動させるための移動機構と、
を備え、
前記パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下であり、
入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１０００００以下の範囲であり、
前記パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である、
レーザ加工装置。
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