JP2007059458A - レーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザービームを、光学部品を介して、所定のビーム形状に整形し、且つ半導体基板の所定の位置に照射してアニールする処理を施す際に、前記レーザービームの光軸から外れた位置で、前記光軸または前記光学系部品に向けて光検出装置を配置し、光軸または光学系部品からの漏れ光を検出するレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法とする。
【選択図】 図1
Description
このようなレーザーアニールプロセスにおける従来のレーザーアニールプロセスモニタリングの一例を図4(非特許文献1の記載より)に示す。このモニタリング方法は、照射中のレーザービームのパワーをモニタリングするために、被照射ウエハに対して斜めからレーザービーム21を入射させ、シリコンウエハ20からの反射光22をパワーメーター23にて取り込み、レーザービーム照射処理におけるレーザーパワー/エネルギーの変動の有無をモニタリングしている。また、この非特許文献ではレーザーのパワーと同時にパイロメーター24にて照射表面温度も、非接触/非破壊にてモニタリングしている。
レーザービームをウエハに対して垂直入射させる場合、入射レーザービームの一部を取り出してモニタリングするために、ハーフミラー(一部は反射し、メインは透過するミラー)を挿入して、反射したレーザービームをモニタリングする手法もあるが、この場合は、ウエハに照射されるレーザービームのエネルギー密度低下が生じる。
本発明は、以上、述べた点に鑑みてなされたものであり、レーザービーム照射による半導体基板表面の温度上昇の均一性、安定性が得られると共に、半導体基板に対してレーザービームを垂直に入射させるレーザーアニールの場合にも、常時または随時モニタリングを可能にし、レーザービームのエネルギー密度低下のないレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法を提供することを目的とする。
特許請求の範囲の請求項2の発明によれば、前記漏れ光の強度変化を検出した場合、異常発生としてアラーム出力するレーザービームのモニタリング方法とすることが好ましい。通常のレーザーアニール装置は、非常に大きなパワーをもつレーザービームを照射するため、光軸から外れた光学系の近傍においても、かなりの強度の漏れ光が届く。この漏れ光を特許請求の範囲の請求項3記載のように、光検出装置としてフォトダイオードを用いて捕捉し、レーザービームの強度変化をモニタリングすることが望ましい。
特許請求の範囲の請求項6の発明では、前記レーザービームを10Hz〜10kHzのパルスレーザービームとし、、振動波媒体の気体雰囲気中で照射する特許請求の範囲の請求項4または5記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項8記載の本発明によれば、前記請求項1または4記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法の両方を同時に行うレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法とすることもできる。
このレーザーアニール装置100により検出されたモニタリング例を図3に示す。図3は横軸に時間、縦軸に熱衝撃音波の強度を取って示すモニタリング波形の模式図である。このレーザーアニール装置100によれば、前述の実施例1とは異なる検出方法により、レーザービームの照射プロセス中に発生する異常を簡便に検知できる。たとえば、図3に示す波形を見れば、音波の振幅波形において、波形部分11や12に音波の振幅(強度)の異常があることは容易に分かる。また、強度オシロスコープによって熱衝撃音波の形状をモニタリングしても、波形の異常によりプロセスの異常をモニタリングすることが可能である。このように音波の振幅や波形の異常を検出した場合、異常が発生したとして、外部へアラームを出力する。このような場合では、レーザーアニールによるシリコンウエハの照射領域の温度上昇も低下し、イオン注入層の活性化に悪影響があるので、直ちにレーザービーム照射をストップして不良品をそれ以上ださないような対策をとることができる。
2 反射ミラー
3 アッテネーター
4 テレスコープ(ビームの拡大器)
5 ホモジナイザー(均質器)
6 シリコンウエハ
7 光検出装置(フォトダイオード)
9 記録計
9−1 振動波検出装置(マイクロフォン)
9−2 記録計
10、100 レーザーアニール装置。
Claims (8)
- レーザービームを、光学部品を介して、所定のビーム形状に整形し、且つ半導体基板の所定の位置に照射してアニールする処理を施す際に、前記レーザービームの光軸から外れた位置で、前記光軸または前記光学系部品に向けて光検出装置を配置して、光軸または光学系部品からの漏れ光を検出することを特徴とするレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 前記漏れ光の強度変化を検出した場合、異常発生としてアラーム出力することを特徴とする請求項1記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 光検出装置として、フォトダイオードを用いることを特徴とする請求項1記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- レーザービームを、光学部品を介して、所定のビーム形状に整形し、且つ半導体基板の所定の位置に照射してアニールする処理を施す際に、被照射半導体基板の近傍に振動波検出装置を配置して、半導体基板表面から発生する熱衝撃振動波を検出することを特徴とするレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 振動波検出装置として、マイクロフォンを用いることを特徴とする請求項4記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 前記レーザービームのパルス周波数が10Hz〜10kHzであって、振動波媒体の気体雰囲気中で照射することを特徴とする請求項4または5記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 前記振動波として検出される音波の強度変化を検出した場合、異常発生としてアラーム出力することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
- 前記請求項1または4記載のレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法の両方を同時に行うことを特徴とするレーザーアニールにおけるレーザービームのモニタリング方法。
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