JP7058907B2 - 加熱処理装置、アニール装置及び加熱処理方法 - Google Patents
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Description
上方に向かってガスを噴き出し、基板を浮上させて支持する第1の基板支持パッドと、
前記基板を、前記第1の基板支持パッドで支持されている箇所以外の箇所において、浮上させて支持する複数の第2の基板支持パッドと、
前記基板の、前記第1の基板支持パッドに支持されている箇所の上面にレーザビームを入射させることにより前記基板を加熱する加熱装置と、
前記第1の基板支持パッドに、常温よりも低温のガスを供給し、複数の前記第2の基板支持パッドに常温のガスを供給するガス供給装置と
を有する加熱処理装置が提供される。
常温より低温のガスを第1の基板支持パッドから上方に向かって噴き出し、複数の第2の基板支持パッドから常温のガスを上方に向かって吹き出して基板を浮上させて支持し、
浮上して支持された前記基板の、前記第1の基板支持パッドに支持されている箇所の上面にレーザビームを入射させることにより前記基板を加熱する加熱処理方法が提供される。
図1は、実施例による加熱処理装置の概略図である。第1の基板支持パッド(第1のエアベアリング)10及び複数の第2の基板支持パッド(第2のエアベアリング)11が、チャンバ30内に配置され、水平な仮想面に沿って二次元的に分布している。ガス導入口32からチャンバ30内にパージガスが導入され、チャンバ30内のパージガスがガス排気口33から排気される。パージガスとして、例えば窒素ガスが用いられる。第1の基板支持パッド10及び複数の第2の基板支持パッド11の各々が、上方に向かってガスを噴き出し、基板40を浮上させて支持する。基板40は、例えば半導体ウエハ、ガラス基板等である。
実施例では、第1の基板支持パッド10が基板40の底面に向かって冷却されたガスを噴き付ける。基板40の底面がガスによって冷却されるため、基板40の上面を加熱する熱処理を行う場合に、基板40の裏面の温度上昇を抑制することができる。
上記実施例では、ガス供給装置20(図1)として、ガス源21から放出されたガスを冷却装置22で冷却したが、ガス源21として、常温より低温のガスを放出するものを用いてもよい。例えば、配管23を、液化ガスを収容した容器に接続し、気化したガスを第1の基板支持パッド10及び第2の基板支持パッド11に供給するようにしてもよい。液化ガスとして、例えば液化窒素を用いることができる。
11 第2の基板支持パッド(第2のエアベアリング)
12 昇降機構
13 高さセンサ
20 ガス供給装置
21 ガス源
22 冷却装置
23 配管
25 加熱装置
26 レーザ光源
27 ビームホモジナイザ
28 ビームスポット
30 チャンバ
31 レーザ透過窓
32 ガス導入口
33 ガス排気口
35x x方向リニアガイド
35y y方向リニアガイド
36x、36y 案内レール
37x、37y ブロック
40 基板
41 ステージ
50 制御装置
Claims (7)
- 上方に向かってガスを噴き出し、基板を浮上させて支持する第1の基板支持パッドと、
前記基板を、前記第1の基板支持パッドで支持されている箇所以外の箇所において、浮上させて支持する複数の第2の基板支持パッドと、
前記基板の、前記第1の基板支持パッドに支持されている箇所の上面にレーザビームを入射させることにより前記基板を加熱する加熱装置と、
前記第1の基板支持パッドに、常温よりも低温のガスを供給し、複数の前記第2の基板支持パッドに常温のガスを供給するガス供給装置と
を有する加熱処理装置。 - 前記第1の基板支持パッドに供給されるガスの温度は、前記加熱装置による加熱処理時における前記基板の裏面の最高到達温度が許容上限値を超えないように設定される請求項1に記載の加熱処理装置。
- 前記ガス供給装置は、
ガス源と、
前記ガス源から放出されたガスを冷却して前記第1の基板支持パッドに供給する冷却装置と
を有する請求項1または2に記載の加熱処理装置。 - 前記ガス供給装置は、液化ガスを収容する容器に接続され、前記容器から気化したガスを前記第1の基板支持パッドに供給する配管を含む請求項1または2に記載の加熱処理装置。
- 上方に向かってガスを噴き出し、基板を浮上させて支持する第1の基板支持パッド及び複数の第2の基板支持パッドと、
ガス源から放出されたガスをガス冷却装置で常温以下まで冷却して前記第1の基板支持パッドに供給し、常温のガスを複数の前記第2の基板支持パッドに供給するガス供給装置と、
レーザ光源から出力されたレーザビームを、ビームホモジナイザを通して、前記第1の基板支持パッド及び前記第2の基板支持パッドによって支持された基板の、前記第1の基板支持パッドで支持された箇所の上面に入射させる加熱装置と
を有するアニール装置。 - 常温より低温のガスを第1の基板支持パッドから上方に向かって噴き出し、複数の第2の基板支持パッドから常温のガスを上方に向かって吹き出して基板を浮上させて支持し、
浮上して支持された前記基板の、前記第1の基板支持パッドに支持されている箇所の上面にレーザビームを入射させることにより前記基板を加熱する加熱処理方法。 - さらに、前記基板の、前記第1の基板支持パッドに支持されている箇所の上面を加熱しながら、前記第1の基板支持パッドに対して前記基板を水平方向に移動させる請求項6に記載の加熱処理方法。
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