JP5800654B2 - レーザアニール装置、及び、レーザアニール方法 - Google Patents
レーザアニール装置、及び、レーザアニール方法 Download PDFInfo
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レーザビームを出射するレーザ光源と、
半導体基板を保持し、第1の方向と平行な方向に移動させるステージと、
前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された半導体基板上に伝搬する伝搬光学系と、
nを3以上の整数とするとき、前記ステージに保持された半導体基板上に、前記第1の方向に沿って見た場合に画定されるn個の小領域に対し、前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記半導体基板上において前記第1の方向と平行な方向に走査させながら、前記半導体基板の中心位置を基準として、前記第1の方向に相対的に遠い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが、前記中心位置に相対的に近い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギよりも小さくなるように、レーザビームを入射させる制御装置と
を有するレーザアニール装置が提供される。
(a)nを3以上の整数とするとき、半導体基板上に第1の方向に沿って見る場合に、n個の小領域を画定し、レーザビームを、前記半導体基板上において前記第1の方向と平行な方向に走査させながら、前記半導体基板の中心位置を基準として、前記第1の方向に相対的に遠い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが、前記中心位置に相対的に近い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギよりも小さくなるように、レーザビームを入射させる工程と、
(b)レーザビームの入射位置を、前記第1の方向と交差する第2の方向にずらず工程と、
(c)前記工程(b)の後に前記工程(a)を繰り返す工程と
を有するレーザアニール方法が提供される。
50 レーザ光源
51 アッテネータ
52 ビーム整形光学系
53 折り返しミラー
54 フォーカスレンズ
55 ステージ
56 制御装置
60、60a〜60f シリコンウエハ
70 ベース
71 駆動機構
72 θステージ
73 チャックプレート
73a〜73f ウエハ載置位置
77〜79 エリア
85 支柱
86 ベース
87a、87b ガイド
87c 駆動機構
88 Yステージ
89 レーザ光源
90 アッテネータ
91 ビーム整形光学系
92 折り返しミラー
93 フォーカスレンズ
94 鏡筒
95 ステージ
Claims (6)
- レーザビームを出射するレーザ光源と、
半導体基板を保持し、第1の方向と平行な方向に移動させるステージと、
前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された半導体基板上に伝搬する伝搬光学系と、
nを3以上の整数とするとき、前記ステージに保持された半導体基板上に、前記第1の方向に沿って見た場合に画定されるn個の小領域に対し、前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記半導体基板上において前記第1の方向と平行な方向に走査させながら、前記半導体基板の中心位置を基準として、前記第1の方向に相対的に遠い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが、前記中心位置に相対的に近い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギよりも小さくなるように、レーザビームを入射させる制御装置と
を有するレーザアニール装置。 - 前記中心位置が属する小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが第1の値であり、前記第1の方向と平行な方向に沿って見た場合に、端にある小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが第2の値であり、前記第1の値と前記第2の値の差を、前記第1の値の0.3%以上とする請求項1に記載のレーザアニール装置。
- 前記半導体基板の中心を通り、前記第1の方向と平行な直線に沿ってみたとき、前記半導体基板の中心が属する小領域を、前記半導体基板の20%〜70%とする請求項1または2に記載のレーザアニール装置。
- (a)nを3以上の整数とするとき、半導体基板上に第1の方向に沿って見る場合に、n個の小領域を画定し、レーザビームを、前記半導体基板上において前記第1の方向と平行な方向に走査させながら、前記半導体基板の中心位置を基準として、前記第1の方向に相対的に遠い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが、前記中心位置に相対的に近い小領域の単位面積当たりに投入するエネルギよりも小さくなるように、レーザビームを入射させる工程と、
(b)レーザビームの入射位置を、前記第1の方向と交差する第2の方向にずらず工程と、
(c)前記工程(b)の後に前記工程(a)を繰り返す工程と
を有するレーザアニール方法。 - 前記中心位置が属する小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが第1の値であり、前記第1の方向と平行な方向に沿って見た場合に、端にある小領域の単位面積当たりに投入するエネルギが第2の値であり、前記第1の値と前記第2の値の差を、前記第1の値の0.3%以上とする請求項4に記載のレーザアニール方法。
- 前記半導体基板の中心を通り、前記第1の方向と平行な直線に沿ってみたとき、前記半導体基板の中心が属する小領域を、前記半導体基板の20%〜70%とする請求項4または5に記載のレーザアニール方法。
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