JP7059064B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7059064B2 JP7059064B2 JP2018057545A JP2018057545A JP7059064B2 JP 7059064 B2 JP7059064 B2 JP 7059064B2 JP 2018057545 A JP2018057545 A JP 2018057545A JP 2018057545 A JP2018057545 A JP 2018057545A JP 7059064 B2 JP7059064 B2 JP 7059064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrode
- capacitance
- esc
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
Description
前提技術や課題等について以下に補足説明する。前述の従来技術では、以下のような点について考慮が不足していたため課題が生じていた。近年、プラズマ処理装置を用いて半導体デバイスを製造する工程においては、半導体ウエハ等の試料の上面の膜構造等を、より高い精度で処理するために、高周波バイアス技術やESC技術を用いた、多段ステップのエッチング処理が主流になりつつある。この多段ステップのエッチング処理では、処理条件を、処理を構成する複数のステップのステップ毎に切り替える。処理条件は、真空容器内部にガスが供給されて形成されるプラズマの放電の条件や、試料台または試料に高周波電力(RF電力)が供給されて形成されるRFバイアス電位の大きさが挙げられる(高周波:radio frequency:RFと記載する場合がある)。
図1~図12を用いて、本発明の実施の形態1のプラズマ処理装置について説明する。実施の形態1のプラズマ処理装置は、処理室内の下方に配置され試料が載せられる試料台と、試料台の上面部を構成する誘電体部材と、誘電体部材内に配置され直流電源からの直流電力が供給されて所定の極性が付与されて試料を吸着するための静電気力が形成される静電吸着(ESC)用の複数の電極(ESC電極)と、試料台内で誘電体部材の下方に配置され試料処理中に高周波電源からのバイアス電位形成用の高周波電力が供給される導電体製のバイアス用電極(基材)とを備える。複数の電極における2つの電極(第1電極、第2電極)は、直流電源の正極端子および負極端子と、ローパスフィルタ回路を介して電気的接続されている。
図1は、実施の形態1のプラズマ処理装置1の構成概略を模式的に示す縦断面図である。真空容器101等について縦断面(X-Z面)で示している。図3は、そのプラズマ処理装置1のうちのESC機構5および試料台10等の構成を示している。実施の形態1のプラズマ処理装置1は、マイクロ波ECRプラズマ処理装置である。マイクロ波ECRは、真空容器101内に配置され減圧された処理室106に所定の周波数のマイクロ波の電界とその周波数に応じた強度が調節された磁界とを供給し、これらの相互作用によって生起された電子サイクロトロン共鳴(ECR:Electron Cyclotron Resonance)を用いる方式である。この方式では、ECRを用いて、処理室106に供給されたプラズマ形成用のガスを励起してプラズマを形成して、試料台10上の試料4における処理対象の膜層をエッチング処理する。試料4は、プラズマを用いた処理の対象となる基板状の試料であり、例えば円板状の半導体ウエハである。試料4は、処理室106の下部に配置された試料台10上に載せられてESC機構5で保持される。エッチング処理は、試料4の表面のマスクと処理対象の膜層とを含む複数層の膜構造における処理対象の膜層の処理を含む。
実施の形態1のプラズマ処理装置1で、エッチング処理の対象となる試料4の上面の膜構造の構成例は、図2の通りである。図2の膜構造40は、導電体とみなせる基板202と、その基板202の上面に接続されて配置された絶縁膜203と、その絶縁膜203の一部に設けられた導体201とを有する。導体201は、A部分(膜状部201A)とB部分(貫通孔部201B)とを有する。B部分(貫通孔部201B)は、厚さ方向で絶縁膜203を貫通する貫通孔の内部を充填していて基板202上面一部に接している部分である。A部分(膜状部201A)は、そのB部分の貫通孔の上端の開口周囲の、絶縁膜203上面一部を膜状に覆う部分である。
図3は、実施の形態1のプラズマ処理装置1における、ESC機構5を含む試料台10の構成概略を模式的に示す縦断面図である。試料台10等のX-Z面を示す。なお、X方向は、中心軸(Z方向)に対する径方向のうちの一方向である。
上記のようなESC機構5および試料台10を備えるプラズマ処理装置1を用いた、試料4のエッチング処理について、以下に説明する。実施の形態1では、例として図2の試料4の上面の膜構造40を、エッチング処理対象とする。図4~図7等を用いて、試料4の膜構造40のエッチング処理について説明する。このエッチング処理は、以下の第1ステップS1、第2ステップS2、第3ステップS3を有する、多段ステップのエッチング処理である。このエッチング処理では、RFバイアス電位の大きさ等を、ステップ毎(対応する工程、時間毎)に切り替える。これにより、ステップ間、ステップ毎に、試料4に加わる直流成分の電圧Vdc等が変動し得る。
図4は、実施の形態1のプラズマ処理装置1で、図3のESC機構5等を用いて、図2の膜構造40を処理した際の、上記複数のステップの工程を施した処理(エッチング処理)の間に試料4に流入するESC電流の時間的変化を表すグラフを示す。横軸は処理時間(秒(s))であり、第1ステップS1(時間T1)、第2ステップS2(時間T2)、第3ステップS3(時間T3)を有する。縦軸にはESC電流の大きさを、0を中心として示す。図4の例では、ステップ間の切り替え、移行に際して、極微小なESC電流が流れるものの、この処理による試料4へのダメージは認められなかった。すなわち、実施の形態1のプラズマ処理装置1では、ESC機構5で試料4を吸着保持しつつ、エッチング処理中、ESC電流による試料4へのダメージも防止または抑制できた。
次に、図3の実施の形態1のESC機構5に代えて、図17の第1比較例のESC機構19を用いて、同様に図2の膜構造40に対し、上記複数のステップの処理を施した場合について説明する。図17のESC機構19の構成では、ESCおよび処理中に、DC電源134からのDC電圧に基づいて、電極131が正極性に、電極132が負極性にされる。この処理の間、DC電源134の出力電圧は、その電圧の振幅が正負ともに600Vに固定されているものとした。
次に、第2比較例のESC機構として、双極型のESC機構を用いて、同様に図2の膜構造40を対象に、上記複数のステップの処理を施した場合について説明する。第2比較例のESC機構は、いずれの出力端も接地されていないDC電源から、RFフィルタ(高周波フィルタ)を介して、ESC用の電極の正極および負極の各電極に、対応する正負の電圧が印加される構成である。
次に、第3比較例のESC機構を用いて、同様に図2の膜構造40を対象に、上記複数のステップの処理を施した場合について説明する。第3比較例のESC機構は、いずれの出力端も接地されていないDC電源から、RFフィルタを介して、ESC用の電極の正極および負極の各電極に、対応する正負の電圧が印加される。それと共に、第3比較例のESC機構では、電圧Vppから予測される電圧Vdcを、抵抗回路を介して、DC電源の出力端に接続する。これにより、電圧Vdcの予測電位がDC電源の両出力端子の中間の電位となるように設定される。電圧Vppは、RFバイアス電位形成用のRF電力の供給によって試料台に発生するRF電圧の振幅の大きさである。電圧Vdcは、RF電力に伴って試料4に発生する直流成分の電圧である。この処理の間、DC電源から出力される電圧は1200Vに固定されているものとした。
上記のように、実施の形態1のプラズマ処理装置1では、試料4を載置および支持する試料台10内におけるバイアス用電極である基材11にRF電力を供給してRFバイアス電位を形成しつつ、試料4を処理する。また、このプラズマ処理装置1では、ESCとして、試料4の処理中に、両出力端が完全に浮遊電位となっているDC電源34から、LPF33を介して、誘電体膜12内のESC用の複数の電極30に、正負のDC電圧を印加する。電極31に正のDC電圧が印加されて正極性が付与され、電極32に負のDC電圧が印加されて負極性が付与される。これにより、処理中、試料4が吸着保持されつつ、RFバイアス電位に伴ってプラズマから試料4に流れるESC電流が抑制される。これにより、実施の形態1では、図2のように上面側にアンテナ比の大きな膜構造40を持つ試料4に対する多段ステップのエッチング処理の場合でも、試料4へのダメージの発生が防止または抑制される。実施の形態1では、処理を構成する前後のステップ間で、処理条件の1つであるRFバイアス電位形成用のRF電力による電圧Vdcが大きく変動するような処理が実施された場合でも、ダメージの発生が抑制される。
図8は、実施の形態1のプラズマ処理装置1で、図3のESC機構5について、プラズマを含めてDC成分のみを対象とした電気的な等価回路を示す。図8の等価回路では、試料4の電圧Vdcに対し、コンデンサの容量Cescが接続されていて、その容量Cescに対し、コンデンサの容量Cbおよびコンデンサの容量Cfが並列に接続されている。コンデンサの容量Cescは、「ESCの電極と試料との間の誘電体の部分の静電容量」を示す。図3でいえば、この容量Cescは、電極30(31,32)の上面と試料4の裏面(載置面sf1)との間にある誘電体膜12の第1部分P1の静電容量に相当する。コンデンサの容量Cbは、「ESCの電極と試料台の基材(バイアス用電極)との間の誘電体の部分の静電容量」を示す。図3でいえば、この容量Cbは、電極30(31,32)の下面と基材11の上面との間にある誘電体膜12の第2部分P2の静電容量に相当する。コンデンサの容量Cfは、「LPF回路内のコンデンサの静電容量」である。図3でいえば、この容量Cfは、LPF33の回路内のすべてのコンデンサの静電容量の総和である。ESC機構5にLPF33として複数のLPF回路、例えば図3の第1LPF33Aおよび第2LPF33Bが備えられる場合、この容量Cfは、これらの複数のLPF回路を全体で1つの回路としてみなした場合のコンデンサの静電容量を示す。
以上から、ESC電流を抑制するためには、以下の条件が必要である。(1)「ESCの電極と試料との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第1部分P1の静電容量)を第1静電容量C1とする。第1静電容量C1は、Cescと対応する。(2)「ESCの電極と基材との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第2部分P2の静電容量)を第2静電容量C2とする。第2静電容量C2は、Cbと対応する。(3)「LPF回路内のコンデンサの静電容量の総和」を第3静電容量C3とする。第3静電容量C3は、Cfと対応する。
実施の形態1で、LPF33の回路の実装例として、図10に示す回路が使用できる。図10は、実施の形態1のプラズマ処理装置1で、図3のESC機構5を構成する、LPF33の回路の構成例を模式的に示す回路図である。この回路は、ESC電極(電極30)側とDC電源34側との間において、コイル1001(インダクタンス:Lfとする)とコンデンサ1002とが接続されている。コンデンサ1002の静電容量は、前述の容量Cfに対応する。
また、他の比較例として、LPF33内のコンデンサの静電容量の影響を調べるため、LPF33内の静電容量の値を、上記容量Cescの値よりも大きい25nFにして、同様に図2の膜構造40を処理した場合について、評価を行った。この場合の「LPF内のコンデンサの静電容量の総和」である静電容量Cf(第3静電容量C3)は、50nFとなる。この場合で、式2で見積もられるESC電流Jの大きさは、第1比較例のESC電流J0の大きさの75%となることがわかった。このようなLPF33を用いた膜構造40の処理では、ESC電流の抑制が十分ではないため、膜構造40のB部分(貫通孔部201B)の一部が消失するダメージが認められた。
次に、他の比較例として、ESC用の電極30(31,32)と基材11の上面との間の誘電体膜12の部分(第2部分P2)の静電容量の影響を調べるために、以下のような構成で評価を行った。この構成で、電極31,32と基材11の上面との間の第2部分P2の距離を0.1mmとした。この構成で、上記実施の形態1のLPF33の実装例と同様に、図2の膜構造40を処理した場合について評価を行った。この際、電極31,32と基材11の上面との間の誘電体膜12の部分の静電容量Cb(第2静電容量C2)は、61nFである。この第2静電容量C2は、電極31,32と試料4との間の誘電体膜12の第1部分P1の容量Cesc(第1静電容量C1)よりも大きくなる。この際、式2で見積もられるESC電流Jの大きさは、第1比較例のESC電流J0の大きさの75%となる。このような構成を用いた膜構造40の処理では、ESC電流の抑制が十分ではないため、膜構造40のB部分の一部が消失するダメージが認められた。
上記のように、実施の形態1におけるESC機構5の実装例においては、「ESCの電極と基材との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第2静電容量C2、容量Cb)を、「ESCの電極と試料との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第1静電容量C1、容量Cesc)よりも小さな値に設定する(C2<C1、Cb<Cesc)。なおかつ、「LPF回路内のコンデンサの静電容量の総和」(第3静電容量C3、容量Cf)を、「ESCの電極と試料との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第1静電容量C1、容量Cesc)よりも小さな値に設定する(C3<C1、Cf<Cesc)。これにより、RFバイアス電力の値(電圧Vdc)が異なるステップ間で試料4に流入するESC電流が低減され、ESC電流による試料4へのダメージが抑制できる。
また、上記実施の形態1の図10のLPF33の回路構成例では、1つのコイル1001と1つのコンデンサ1002を組み合わせた、いわゆる1段のフィルタ回路を用いた。これに限らず、LPF回路としては、例えば図11に示すように、コイル1001とコンデンサ1002との組から構成された回路が直列に複数接続された、多段のフィルタ回路を用いた構成としても、同様の効果が得られる。図11は、変形例のプラズマ処理装置1におけるLPF33の回路構成例を模式的に示す。図11では、電極30とDC電源34との間に、コイル1001とコンデンサ1002との組の回路が、3段で直列に接続されている。
上記実施の形態1では、実装例として、「ESCの電極と試料との間の誘電体膜の部分の静電容量」(第1静電容量C1、容量Cesc)を小さくするために、図12に示すように、電極30と基材11との間の誘電体膜12の第2部分P2の距離を大きくした。
上記のように、実施の形態1のプラズマ処理装置1によれば、ESC機構5を備える試料台10を用いて試料4の処理を行うことで、処理の歩留まりを向上できる。プラズマ処理装置1によれば、RFバイアス電力が変化する多段ステップのエッチング処理において、ステップ間で電圧Vdcが変動した場合に、試料4に流れるESC電流を、従来技術例よりも大幅に低減できる。そのため、プラズマ処理装置1によれば、試料4内にアンテナ比の高い膜構造40等がある場合でも、ESC電流によるダメージの発生を抑制できる。すなわち、プラズマ処理装置1によれば、プラズマを用いた処理を行って製造される半導体デバイスの性能が損なわれず、処理の歩留まりを向上できる。
上記実施の形態1のプラズマ処理装置1に対し、他の実施の形態(変形例)のプラズマ処理装置として以下も可能である。以下では、各実施の形態における実施の形態1とは異なる構成部分について説明する。
次に、図14を用いて、本発明の実施の形態3のプラズマ処理装置のESC機構について説明する。図14の(A)は、実施の形態3におけるESC機構53の構成概略を模式的に示す縦断面図である。図14の(B)は、(A)のESC機構53を含む電気的な等価回路を示す。
次に、図15、図16を用いて、本発明の実施の形態4のプラズマ処理装置のESC機構について説明する。図15の(A)は、実施の形態4におけるESC機構54等の構成概略を示す。図15の(B)は、(A)のESC機構54を含む等価回路を示す。図15のように、実施の形態4におけるESC機構54では、試料台10内、特に誘電体膜12内に、ヒータであるヒータ電極150を有する。実施の形態4では、実施の形態1のESC機構5を基本として、ヒータ機構を追加した場合の構成例を示す。なお、ヒータ電極150自体については公知技術である。ヒータ電極150の温度制御によって、処理等に際して試料台10の温度制御が可能となっている。
次に、上記実施の形態4に対する比較例のESC機構として以下の構成を検討した。この比較例においては、図15のヒータ側のLPF155を構成する回路内のコンデンサの静電容量を、容量Cescよりも大きい値、例えば25nFにした場合について検討した。この構成では、LPF155のコンデンサの静電容量の総和は50nFになる。また、式5で表される合成静電容量Cb″は、14.5nFとなる。この場合のESC電流の値Jは、図17の第1比較例のESC電流の値J0の42%となる。一方で、この比較例のESC機構を備えるプラズマ処理装置を用いて図2の膜構造40を処理したところ、ESC電流の抑制が不十分であったため、B部分の一部が消失するダメージが発生した。
次に、上記実施の形態4に対する他の比較例のESC機構として以下の構成を検討した。図16の(A)は、この比較例のプラズマ処理装置のESC機構の構成概略を示す。図16の(B)は、(A)のESC機構を含むDC成分に対する等価回路を示す。この比較例の構成では、図16のように、図15のヒータ電極150とAC電源154とを、絶縁トランス153を介さずに、LPF155を介して電気的接続して、AC電力をヒータ電極150に供給する。この比較例のESC機構では、図15の実施の形態4の構成に対し、絶縁トランス153を除き、ほぼ同等に構成されている。
Claims (6)
- 真空容器内に配置され内側でプラズマが形成される処理室と、
前記処理室内の下方に配置され、前記プラズマを用いた処理の対象となる試料が載せられる試料台と、
前記試料が載せられる載置面を含む前記試料台の上面部を構成する誘電体部材と、
前記誘電体部材内に配置され、直流電源からの直流電力が供給されて所定の極性が付与され、前記試料を吸着するための静電気力が形成される膜状の複数の電極と、
前記試料台内で前記誘電体部材の下方に配置され、前記試料の前記処理中に、高周波電源からの高周波バイアス電位の形成用の高周波電力が供給される導電体製のバイアス用電極と、
を備え、
前記複数の電極は、前記直流電力に基づいて正極性が付与される第1電極、および負極性が付与される第2電極を含み、
前記第1電極は、前記直流電源の正極端子とローパスフィルタ回路を介して電気的接続され、
前記第2電極は、前記直流電源の負極端子と前記ローパスフィルタ回路を介して電気的接続されており、
前記ローパスフィルタ回路の静電容量は、前記複数の電極と前記試料との間の前記誘電体部材の第1部分の静電容量よりも小さい、
プラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記試料の前記処理中には、前記直流電源の正極端子および負極端子と、前記複数の電極とが電気的浮遊状態にされる、
プラズマ処理装置。 - 真空容器内に配置され内側でプラズマが形成される処理室と、
前記処理室内の下方に配置され、前記プラズマを用いた処理の対象となる試料が載せられる試料台と、
前記試料が載せられる載置面を含む前記試料台の上面部を構成する誘電体部材と、
前記誘電体部材内に配置され、直流電源からの直流電力が供給されて所定の極性が付与され、前記試料を吸着するための静電気力が形成される膜状の複数の電極と、
前記試料台内で前記誘電体部材の下方に配置され、前記試料の前記処理中に、高周波電源からの高周波バイアス電位の形成用の高周波電力が供給される導電体製のバイアス用電極と、
を備え、
前記複数の電極は、前記直流電力に基づいて正極性が付与される第1電極、および負極性が付与される第2電極を含み、
前記第1電極は、前記直流電源の正極端子とローパスフィルタ回路を介して電気的接続され、
前記第2電極は、前記直流電源の負極端子と前記ローパスフィルタ回路を介して電気的接続されており、
前記複数の電極は、前記第1電極と前記第2電極とを一対として、複数の対を含み、
前記直流電源として複数の直流電源を有し、
前記複数の対の各々の対の前記第1電極および前記第2電極は、前記複数の直流電源の各々の直流電源の正極端子および負極端子と、前記ローパスフィルタ回路を介して電気的接続されている、
プラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置において、
前記試料の前記処理中には、前記直流電源の正極端子および負極端子と、前記複数の電極とが電気的浮遊状態にされる、
プラズマ処理装置。 - 真空容器内に配置され内側でプラズマが形成される処理室と、
前記処理室内の下方に配置され、前記プラズマを用いた処理の対象となる試料が載せられる試料台と、
前記試料が載せられる載置面を含む前記試料台の上面部を構成する誘電体部材と、
前記誘電体部材内に配置され、直流電源からの直流電力が供給されて所定の極性が付与され、前記試料を吸着するための静電気力が形成される膜状の複数の電極と、
前記試料台内で前記誘電体部材の下方に配置され、前記試料の前記処理中に、高周波電源からの高周波バイアス電位の形成用の高周波電力が供給される導電体製のバイアス用電極と、
を備え、
前記複数の電極は、前記直流電力に基づいて正極性が付与される第1電極、および負極性が付与される第2電極を含み、
前記第1電極は、前記直流電源の正極端子とローパスフィルタ回路を介して電気的接続され、
前記第2電極は、前記直流電源の負極端子と前記ローパスフィルタ回路を介して電気的接続されており、
前記バイアス用電極と前記高周波電源との間の前記高周波電力の給電経路に、前記複数の電極と前記バイアス用電極との間の前記誘電体部材の第2部分の静電容量よりも小さい静電容量を持つコンデンサが設けられている、
プラズマ処理装置。 - 請求項5記載のプラズマ処理装置において、
前記試料の前記処理中には、前記直流電源の正極端子および負極端子と、前記複数の電極とが電気的浮遊状態にされる、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018057545A JP7059064B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | プラズマ処理装置 |
KR1020190009012A KR102150929B1 (ko) | 2018-03-26 | 2019-01-24 | 플라스마 처리 장치 |
TW108106271A TWI709158B (zh) | 2018-03-26 | 2019-02-25 | 電漿處理裝置 |
US16/286,338 US11398371B2 (en) | 2018-03-26 | 2019-02-26 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018057545A JP7059064B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019169653A JP2019169653A (ja) | 2019-10-03 |
JP7059064B2 true JP7059064B2 (ja) | 2022-04-25 |
Family
ID=67985433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018057545A Active JP7059064B2 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11398371B2 (ja) |
JP (1) | JP7059064B2 (ja) |
KR (1) | KR102150929B1 (ja) |
TW (1) | TWI709158B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11037765B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-06-15 | Tokyo Electron Limited | Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization |
JP7426842B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2024-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ装置、給電機構、および処理装置 |
KR102246725B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2021-04-30 | 한국생산기술연구원 | 플라즈마 액츄에이터를 포함하는 3d 프린팅 장치 |
JP7176143B2 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-11-21 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 基板処理装置のプロセス判定装置、基板処理システム、基板処理装置のプロセス判定方法、学習モデル群、学習モデル群の生成方法及びプログラム |
KR20230117668A (ko) | 2022-02-01 | 2023-08-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지부 및 플라스마 처리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003059910A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008244063A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009170509A (ja) | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置 |
JP2009231247A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び高周波電力の供給方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2665242B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-10-22 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
EP0734055B1 (en) * | 1991-11-07 | 2000-07-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. | Method of manufacturing an electrostatic chuck |
JP3847363B2 (ja) * | 1996-02-02 | 2006-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 |
US5812361A (en) | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
JP3911787B2 (ja) | 1996-09-19 | 2007-05-09 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置及び試料処理方法 |
JP2004047696A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 |
JP4684222B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2011-05-18 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 双極型静電チャック |
JP5036143B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4704088B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101415551B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2014-07-04 | (주)소슬 | 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP5063520B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US9401240B2 (en) * | 2010-03-01 | 2016-07-26 | California Institute Of Technology | Integrated passive iron shims in silicon |
JP5632626B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 自動整合装置及びプラズマ処理装置 |
WO2013137414A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその制御方法 |
JP6357436B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-07-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
WO2016025573A1 (en) * | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system |
JP2016115818A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2017028111A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP6708358B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-06-10 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及び試料の離脱方法 |
-
2018
- 2018-03-26 JP JP2018057545A patent/JP7059064B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-24 KR KR1020190009012A patent/KR102150929B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-25 TW TW108106271A patent/TWI709158B/zh active
- 2019-02-26 US US16/286,338 patent/US11398371B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003059910A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008244063A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009170509A (ja) | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置 |
JP2009231247A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び高周波電力の供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201941253A (zh) | 2019-10-16 |
TWI709158B (zh) | 2020-11-01 |
KR20190112634A (ko) | 2019-10-07 |
US11398371B2 (en) | 2022-07-26 |
JP2019169653A (ja) | 2019-10-03 |
US20190295823A1 (en) | 2019-09-26 |
KR102150929B1 (ko) | 2020-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7059064B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
EP3133635B1 (en) | Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer | |
KR102539151B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
US8513563B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR100886982B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR100926380B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP2019024090A (ja) | Dcバイアス変調による、粒子発生抑制装置 | |
KR102036950B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
US20150243486A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4378169B2 (ja) | プロセスチャンバ内に電界を発生するアンテナ及びプラズマ処理装置 | |
TW201643932A (zh) | 電漿產生設備 | |
JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2016031955A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
CN105702572A (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
KR20180015558A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 시료의 이탈 방법 | |
KR20130127405A (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
TW201535511A (zh) | 電漿處理裝置 | |
CN110770880B (zh) | 等离子处理装置 | |
JP2015207562A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP6002365B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP6636691B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2016178123A (ja) | 処理装置および処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7059064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |