JP6558901B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6558901B2 JP6558901B2 JP2015000694A JP2015000694A JP6558901B2 JP 6558901 B2 JP6558901 B2 JP 6558901B2 JP 2015000694 A JP2015000694 A JP 2015000694A JP 2015000694 A JP2015000694 A JP 2015000694A JP 6558901 B2 JP6558901 B2 JP 6558901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- frequency power
- plasma processing
- plasma
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Description
まず、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置10の全体構成について、図1を参照しながら説明する。プラズマ処理装置10は、アルミニウム等からなり、内部を密閉可能な筒状のチャンバ11を有している。チャンバ11は、接地電位に接続されている。チャンバ11の内部には、導電性材料、例えばアルミニウム等から構成された載置台12が設けられている。載置台12は、半導体ウェハ(以下、「ウェハW」ともいう。)を載置する円柱状の台であり、下部電極を兼ねている。
[プラズマ処理方法]
次に、本発明の第1実施形態にかかるプラズマ処理方法について、図2のフローチャートを参照しながら説明する。第1実施形態にかかるプラズマ処理では、まず、プラズマ処理が行われるチャンバ11内にウェハWを搬入する工程が実行される(ステップS10)。
[プラズマ処理方法]
次に、本発明の第2実施形態にかかるプラズマ処理方法について、図4のフローチャートを参照しながら説明する。第2実施形態にかかるプラズマ処理においても、まず、プラズマ処理が行われるチャンバ11内にウェハWを搬入する工程が実行される(ステップS10)。
[プラズマ処理方法]
次に、本発明の第3実施形態にかかるプラズマ処理方法について、図6のフローチャートを参照しながら説明する。第3実施形態にかかるプラズマ処理においても、まず、プラズマ処理が行われるチャンバ11内にウェハWを搬入する工程が実行される(ステップS10)。
11:チャンバ
12:載置台
16:APC
17:反応室
18:排気室
19:第1の高周波電源
21:静電電極板
22:静電チャック
23:直流電源
24:フォーカスリング
25:冷媒室
27:伝熱ガス供給孔
29:シャワーヘッド
31:第2の高周波電源
Claims (4)
- プラズマ処理が行われるチャンバ内に基板を搬入する工程と、
基板を載置する載置台に、プラズマ励起用の高周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用の高周波電力を印加する工程と、
前記載置台の上の基板を静電吸着する静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
を含み、
前記直流電圧を印加する工程は、
前記バイアス用の高周波電力を印加する工程の後に実行され、
前記直流電圧を印加する工程の後に実行される、プラズマ励起用の高周波電力を印加する工程を含む、プラズマ処理方法。 - 印加する前記直流電圧を段階的に大きくする、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記バイアス用の高周波電力を印加する工程の前に該バイアス用の高周波電力を所定時間印加する、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記バイアス用の高周波電力は、400kHz以上13.56MHz以下である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015000694A JP6558901B2 (ja) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | プラズマ処理方法 |
US14/962,407 US10192719B2 (en) | 2015-01-06 | 2015-12-08 | Plasma processing method |
KR1020150186298A KR102427971B1 (ko) | 2015-01-06 | 2015-12-24 | 플라즈마 처리 방법 |
TW105100005A TWI698928B (zh) | 2015-01-06 | 2016-01-04 | 電漿處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015000694A JP6558901B2 (ja) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127173A JP2016127173A (ja) | 2016-07-11 |
JP6558901B2 true JP6558901B2 (ja) | 2019-08-14 |
Family
ID=56286868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015000694A Active JP6558901B2 (ja) | 2015-01-06 | 2015-01-06 | プラズマ処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10192719B2 (ja) |
JP (1) | JP6558901B2 (ja) |
KR (1) | KR102427971B1 (ja) |
TW (1) | TWI698928B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9768033B2 (en) * | 2014-07-10 | 2017-09-19 | Tokyo Electron Limited | Methods for high precision etching of substrates |
JP7307299B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2023-07-12 | 北陸成型工業株式会社 | 静電チャック |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100614A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Nec Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP4070974B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2008-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4322484B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4704087B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4922705B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法および装置 |
JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5317509B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および方法 |
JP2010010214A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、及び記憶媒体 |
JP5395633B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の基板載置台 |
JP5709505B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 |
DE102011004581A1 (de) * | 2011-02-23 | 2012-08-23 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Technik zur Reduzierung der plasmahervorgerufenen Ätzschäden während der Herstellung von Kontaktdurchführungen in Zwischenschichtdielektrika durch modifizierten HF-Leistungshochlauf |
JP5651041B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-01-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2015
- 2015-01-06 JP JP2015000694A patent/JP6558901B2/ja active Active
- 2015-12-08 US US14/962,407 patent/US10192719B2/en active Active
- 2015-12-24 KR KR1020150186298A patent/KR102427971B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-04 TW TW105100005A patent/TWI698928B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160084802A (ko) | 2016-07-14 |
KR102427971B1 (ko) | 2022-08-02 |
US10192719B2 (en) | 2019-01-29 |
TW201637091A (zh) | 2016-10-16 |
JP2016127173A (ja) | 2016-07-11 |
TWI698928B (zh) | 2020-07-11 |
US20160196957A1 (en) | 2016-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6449674B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6552346B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6224428B2 (ja) | 載置台にフォーカスリングを吸着する方法 | |
TWI567862B (zh) | A particle adhesion control method and a processing device for the substrate to be processed | |
JP5348919B2 (ja) | 電極構造及び基板処理装置 | |
KR101746567B1 (ko) | 기판 탈착 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20120222817A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6339866B2 (ja) | プラズマ処理装置およびクリーニング方法 | |
US20140373867A1 (en) | Cleaning method and substrate processing apparatus | |
KR100782621B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2022103235A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6558901B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP6396819B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2019169635A (ja) | クリーニング方法及び処理装置 | |
JP2020177959A (ja) | クリーニング処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2005317782A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP5596082B2 (ja) | 基板吸着離脱方法及び基板処理方法 | |
JPH07111259A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010205872A (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
JP2004165266A (ja) | プラズマエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180723 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190404 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6558901 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |