JP2002134476A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型の被処理基板に対しても載置台の表面状
態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｇが収容されるチャンバー２
と、チャンバー２内で被処理基板Ｇを載置する基板載置
台５と、基板載置台５に載置された基板の周囲部分を機
械的にクランプするクランプ機構６と、クランプ機構６
によりクランプされた被処理基板Ｇを載置台５から浮き
上がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供給す
る浮上ガス供給手段８と、チャンバー２内に処理ガスを
供給する処理ガス供給手段２３と、チャンバー内に処理
ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段１３とを具
備する。
態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｇが収容されるチャンバー２
と、チャンバー２内で被処理基板Ｇを載置する基板載置
台５と、基板載置台５に載置された基板の周囲部分を機
械的にクランプするクランプ機構６と、クランプ機構６
によりクランプされた被処理基板Ｇを載置台５から浮き
上がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供給す
る浮上ガス供給手段８と、チャンバー２内に処理ガスを
供給する処理ガス供給手段２３と、チャンバー内に処理
ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段１３とを具
備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエ
ッチング等のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関
する。
ＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエ
ッチング等のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいて
は、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、
ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相
成長）等のプラズマ処理が多用されている。
は、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、
ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相
成長）等のプラズマ処理が多用されている。
【０００３】このようなプラズマ処理においては、例え
ば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下
部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ
（載置台）に基板を載置し、処理ガスをチャンバー内に
導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波を印
加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界に
より処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に対して
プラズマ処理を施す。
ば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下
部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ
（載置台）に基板を載置し、処理ガスをチャンバー内に
導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波を印
加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界に
より処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に対して
プラズマ処理を施す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時、ＬＣ
Ｄ基板に対して一層の薄型化の要求が高まっており、
０．７ｍｍという極めて薄い基板も製造されつつある。
このように被処理基板が薄型化すると、基板が載置され
ているサセプタの表面状態がプラズマ処理に影響してし
まう。例えば、サセプタの加工形状（表面の微細な凹
凸）および汚れ等の経時的な変化がエッチング特性等の
不均一をもたらす。
Ｄ基板に対して一層の薄型化の要求が高まっており、
０．７ｍｍという極めて薄い基板も製造されつつある。
このように被処理基板が薄型化すると、基板が載置され
ているサセプタの表面状態がプラズマ処理に影響してし
まう。例えば、サセプタの加工形状（表面の微細な凹
凸）および汚れ等の経時的な変化がエッチング特性等の
不均一をもたらす。
【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、薄型の被処理基板に対しても載置台の表面状
態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
であって、薄型の被処理基板に対しても載置台の表面状
態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことがで
きるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被処理基板が収容されるチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板を載置する基板載置台
と、前記基板載置台に載置された被処理基板の周囲部分
を機械的にクランプするクランプ機構と、前記クランプ
機構によりクランプされた被処理基板を前記載置台から
浮き上がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供
給する浮上ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガ
スを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に
処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具
備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
この場合に、基板と前記載置台との間の距離が基板中央
部で１〜１５ｍｍであることが好ましく、また、前記浮
上ガス供給手段からのガスの圧力が２０〜３５０Ｐａで
あることが好ましい。
に、本発明は、被処理基板が収容されるチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板を載置する基板載置台
と、前記基板載置台に載置された被処理基板の周囲部分
を機械的にクランプするクランプ機構と、前記クランプ
機構によりクランプされた被処理基板を前記載置台から
浮き上がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供
給する浮上ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガ
スを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に
処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具
備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
この場合に、基板と前記載置台との間の距離が基板中央
部で１〜１５ｍｍであることが好ましく、また、前記浮
上ガス供給手段からのガスの圧力が２０〜３５０Ｐａで
あることが好ましい。
【０００７】また、本発明は、被処理基板が収容される
チャンバーと、前記チャンバー内に相対向するように設
けられた上部電極および被処理基板が載置される下部電
極と、前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一
方に高周波電力を供給する高周波電源と、被処理基板を
前記下部電極から浮き上がらせるように被処理基板の裏
面側からガスを供給する浮上ガス供給手段と、前記チャ
ンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具
備し、前記高周波電力により処理ガスをプラズマ化し
て、前記被処理基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ
処理装置を提供する。
チャンバーと、前記チャンバー内に相対向するように設
けられた上部電極および被処理基板が載置される下部電
極と、前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一
方に高周波電力を供給する高周波電源と、被処理基板を
前記下部電極から浮き上がらせるように被処理基板の裏
面側からガスを供給する浮上ガス供給手段と、前記チャ
ンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具
備し、前記高周波電力により処理ガスをプラズマ化し
て、前記被処理基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ
処理装置を提供する。
【０００８】さらに、本発明は、被処理基板が収容され
るチャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載置
する基板載置台と、被処理基板を前記載置台から浮き上
がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供給する
浮上ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供
給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガ
スのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備する
ことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
るチャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載置
する基板載置台と、被処理基板を前記載置台から浮き上
がらせるように被処理基板の裏面側からガスを供給する
浮上ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供
給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内に処理ガ
スのプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備する
ことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【０００９】本発明によれば、被処理基板を浮き上がら
せるように被処理基板の裏面側からガスを供給する浮上
ガス供給機構を設けたので、被処理基板が薄い場合でも
従来のように載置台表面の影響を受けることなくプラズ
マ処理を行うことができる。
せるように被処理基板の裏面側からガスを供給する浮上
ガス供給機構を設けたので、被処理基板が薄い場合でも
従来のように載置台表面の影響を受けることなくプラズ
マ処理を行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るＬＣＤガラス基板用のプラズマエッチング装
置を模式的に示す断面図である。このプラズマエッチン
グ装置１は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装
置として構成されている。
の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るＬＣＤガラス基板用のプラズマエッチング装
置を模式的に示す断面図である。このプラズマエッチン
グ装置１は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装
置として構成されている。
【００１１】このプラズマエッチング装置１は、例えば
表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有し
ており、このチャンバー２は接地されている。前記チャ
ンバー２内の底部には絶縁材からなる角柱状のサセプタ
支持台３が設けられており、さらにこのサセプタ支持台
３の上には、被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇを載
置するためのサセプタ５が設けられている。このサセプ
タ５はアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなり、下部電極として機能する。また、サセプ
タ５の外周および上面周縁には絶縁部材４が設けられて
いる。
表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有し
ており、このチャンバー２は接地されている。前記チャ
ンバー２内の底部には絶縁材からなる角柱状のサセプタ
支持台３が設けられており、さらにこのサセプタ支持台
３の上には、被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇを載
置するためのサセプタ５が設けられている。このサセプ
タ５はアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなり、下部電極として機能する。また、サセプ
タ５の外周および上面周縁には絶縁部材４が設けられて
いる。
【００１２】サセプタ５の上方には基板Ｇの周囲を上面
から機械的にクランプするための額縁状をなすクランプ
部材６が設けられている。このクランプ部材６は、シリ
ンダ機構等で構成される昇降機構７により昇降される。
なお、クランプ部材６は、基板Ｇの製品として使用しな
い部分をクランプするようになっている。例えば、基板
Ｇの周縁３ｍｍまでの部分がクランプされる。
から機械的にクランプするための額縁状をなすクランプ
部材６が設けられている。このクランプ部材６は、シリ
ンダ機構等で構成される昇降機構７により昇降される。
なお、クランプ部材６は、基板Ｇの製品として使用しな
い部分をクランプするようになっている。例えば、基板
Ｇの周縁３ｍｍまでの部分がクランプされる。
【００１３】サセプタ５の内部には、クランプ部材６に
よりクランプされた基板Ｇを浮上させるための浮上ガス
を供給する浮上ガス供給機構８から流量圧力制御機構９
を介してガスが供給されるようになっており、浮上ガス
は、ガスライン８ａを経てサセプタ５の内部に形成され
たガス流路１０およびサセプタ５の表面近傍で分岐した
分岐路１１を通ってサセプタ５の表面と基板Ｇの裏面と
の間に供給される。これにより、少なくとも基板Ｇのク
ランプされていない部分、つまり製品として使用される
部分がサセプタ５から浮上するようになっている。浮上
ガスとしては、処理に影響を及ぼさないガスであればよ
く、Ｈｅガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス等が例示される。
よりクランプされた基板Ｇを浮上させるための浮上ガス
を供給する浮上ガス供給機構８から流量圧力制御機構９
を介してガスが供給されるようになっており、浮上ガス
は、ガスライン８ａを経てサセプタ５の内部に形成され
たガス流路１０およびサセプタ５の表面近傍で分岐した
分岐路１１を通ってサセプタ５の表面と基板Ｇの裏面と
の間に供給される。これにより、少なくとも基板Ｇのク
ランプされていない部分、つまり製品として使用される
部分がサセプタ５から浮上するようになっている。浮上
ガスとしては、処理に影響を及ぼさないガスであればよ
く、Ｈｅガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス等が例示される。
【００１４】サセプタ５には、高周波電力を供給するた
めの給電線１２が接続されており、この給電線１２には
整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高
周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力がサセプタ５に供給される。
めの給電線１２が接続されており、この給電線１２には
整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高
周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力がサセプタ５に供給される。
【００１５】前記サセプタ５の上方には、このサセプタ
５と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド１５が設けられている。このシャワーヘッド１５
は、絶縁部材１６を介してチャンバー２の上部に支持さ
れており、内部に空間１７を有するとともに、サセプタ
５との対向面に処理ガスを吐出する多数の吐出孔１８が
形成されている。このシャワーヘッド１５は接地されて
おり、サセプタ５とともに一対の平行平板電極を構成し
ている。
５と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド１５が設けられている。このシャワーヘッド１５
は、絶縁部材１６を介してチャンバー２の上部に支持さ
れており、内部に空間１７を有するとともに、サセプタ
５との対向面に処理ガスを吐出する多数の吐出孔１８が
形成されている。このシャワーヘッド１５は接地されて
おり、サセプタ５とともに一対の平行平板電極を構成し
ている。
【００１６】シャワーヘッド１５の上面にはガス導入口
１９が設けられ、このガス導入口１９には、ガス供給管
２０が接続されており、このガス供給管２０には、バル
ブ２１、およびマスフローコントローラ２２を介して、
処理ガス供給源２３が接続されている。処理ガス供給源
２３から、エッチングのための処理ガスが供給される。
処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒ
ガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることが
できる。
１９が設けられ、このガス導入口１９には、ガス供給管
２０が接続されており、このガス供給管２０には、バル
ブ２１、およびマスフローコントローラ２２を介して、
処理ガス供給源２３が接続されている。処理ガス供給源
２３から、エッチングのための処理ガスが供給される。
処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒ
ガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることが
できる。
【００１７】前記チャンバー２の側壁底部には排気管２
４が接続されており、この排気管２４には排気装置２５
が接続されている。排気装置２５はターボ分子ポンプな
どの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２
内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成さ
れている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口
２６と、この基板搬入出口２６を開閉するゲートバルブ
２７が設けられており、このゲートバルブ２７を開にし
た状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）
との間で搬送されるようになっている。
４が接続されており、この排気管２４には排気装置２５
が接続されている。排気装置２５はターボ分子ポンプな
どの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２
内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成さ
れている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口
２６と、この基板搬入出口２６を開閉するゲートバルブ
２７が設けられており、このゲートバルブ２７を開にし
た状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）
との間で搬送されるようになっている。
【００１８】次に、プラズマエッチング装置１における
処理動作について説明する。まず、被処理体である基板
Ｇは、ゲートバルブ２７が開放された後、図示しないロ
ードロック室から基板搬入出口２６を介してチャンバー
２内へと搬入され、サセプタ５上に載置される。この場
合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ５の内部を挿通しサ
セプタ５から突出可能に設けられたリフターピン（図示
せず）によって行われる。次いで、基板Ｇはクランプ部
材６によりサセプタ５にクランプされる。その後、ゲー
トバルブ２７が閉じられ、排気装置２５によって、チャ
ンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
処理動作について説明する。まず、被処理体である基板
Ｇは、ゲートバルブ２７が開放された後、図示しないロ
ードロック室から基板搬入出口２６を介してチャンバー
２内へと搬入され、サセプタ５上に載置される。この場
合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ５の内部を挿通しサ
セプタ５から突出可能に設けられたリフターピン（図示
せず）によって行われる。次いで、基板Ｇはクランプ部
材６によりサセプタ５にクランプされる。その後、ゲー
トバルブ２７が閉じられ、排気装置２５によって、チャ
ンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００１９】その後、バルブ２１が開放されて、処理ガ
ス供給源２３から処理ガスがマスフローコントローラ２
２によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２
０、ガス導入口１９を通ってシャワーヘッド１５の内部
空間１７へ導入され、さらに吐出孔１８を通って基板Ｇ
に対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定
の値に維持される。
ス供給源２３から処理ガスがマスフローコントローラ２
２によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２
０、ガス導入口１９を通ってシャワーヘッド１５の内部
空間１７へ導入され、さらに吐出孔１８を通って基板Ｇ
に対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定
の値に維持される。
【００２０】そして、高周波電源１４から整合器１３を
介して高周波電力がサセプタ５に印加され、これによ
り、下部電極としてのサセプタ５と上部電極としてのシ
ャワーヘッド１５との間に高周波電界が生じ、処理ガス
が解離してプラズマ化し、エッチング処理が施される。
介して高周波電力がサセプタ５に印加され、これによ
り、下部電極としてのサセプタ５と上部電極としてのシ
ャワーヘッド１５との間に高周波電界が生じ、処理ガス
が解離してプラズマ化し、エッチング処理が施される。
【００２１】この際に、浮上ガス供給機構８からの浮上
ガスが、ガスライン８ａを経てサセプタ５の内部に形成
されたガス流路１０およびサセプタ５の表面近傍で分岐
した分岐路１１を通ってサセプタ５の表面と基板Ｇの裏
面との間に供給される。これにより、図２に示すよう
に、少なくとも基板Ｇのクランプされていない部分、つ
まり製品として使用される部分がサセプタ５から浮上す
る。
ガスが、ガスライン８ａを経てサセプタ５の内部に形成
されたガス流路１０およびサセプタ５の表面近傍で分岐
した分岐路１１を通ってサセプタ５の表面と基板Ｇの裏
面との間に供給される。これにより、図２に示すよう
に、少なくとも基板Ｇのクランプされていない部分、つ
まり製品として使用される部分がサセプタ５から浮上す
る。
【００２２】このように、浮上ガスを供給することによ
り基板Ｇがサセプタ５から浮上するので、サセプタの加
工形状および汚れ等の経時的な変化が基板Ｇの表面に影
響を与えることがなく、これらによるエッチングの不均
一が生じずに、均一なエッチングを行うことができる。
これは、浮上ガスにより、サセプタ５表面と被処理基板
Ｇ裏面との間に絶縁性の空間（隙間）つまり絶縁層が形
成され、この絶縁層が、サセプタ表面状態がエッチング
処理に与える悪影響をキャンセルするためと考えられ
る。
り基板Ｇがサセプタ５から浮上するので、サセプタの加
工形状および汚れ等の経時的な変化が基板Ｇの表面に影
響を与えることがなく、これらによるエッチングの不均
一が生じずに、均一なエッチングを行うことができる。
これは、浮上ガスにより、サセプタ５表面と被処理基板
Ｇ裏面との間に絶縁性の空間（隙間）つまり絶縁層が形
成され、この絶縁層が、サセプタ表面状態がエッチング
処理に与える悪影響をキャンセルするためと考えられ
る。
【００２３】特に、基板Ｇの厚さが１．１ｍｍ以下、例
えば０．７ｍｍの場合に、エッチング特性がサセプタ表
面状態の影響を受けやすかったが、上記構成によりこの
ような薄い基板であってもサセプタ表面の状態の影響を
受けずに均一なエッチングを実現することが可能となっ
た。したがって、本発明は基板Ｇの厚さが１．１ｍｍ以
下、さらには０．７ｍｍ以下の時に特に有効である。
えば０．７ｍｍの場合に、エッチング特性がサセプタ表
面状態の影響を受けやすかったが、上記構成によりこの
ような薄い基板であってもサセプタ表面の状態の影響を
受けずに均一なエッチングを実現することが可能となっ
た。したがって、本発明は基板Ｇの厚さが１．１ｍｍ以
下、さらには０．７ｍｍ以下の時に特に有効である。
【００２４】この場合に、クランプ部材６が基板Ｇをク
ランプする距離ａは例えば約３ｍｍ（図２参照）であ
り、基板Ｇのそれよりも内側の部分が主に浮上する。基
板Ｇにおける使用領域は、通常、基板周縁より１０ｍｍ
程度内側部分までであるから、クランプ部材６で基板Ｇ
をクランプしても基板Ｇの使用領域の全域を浮上させる
ことができ、エッチングの不均一を回避することができ
る。
ランプする距離ａは例えば約３ｍｍ（図２参照）であ
り、基板Ｇのそれよりも内側の部分が主に浮上する。基
板Ｇにおける使用領域は、通常、基板周縁より１０ｍｍ
程度内側部分までであるから、クランプ部材６で基板Ｇ
をクランプしても基板Ｇの使用領域の全域を浮上させる
ことができ、エッチングの不均一を回避することができ
る。
【００２５】ここで、基板Ｇの中央における浮上高さｂ
（サセプタ５表面と基板Ｇ裏面との距離（図２参照））
は、１ｍｍ以上であることが望ましい。サセプタ５の付
着物（デポ）の高さは最大１００μｍ程度であるから、
中央における浮上高さが１ｍｍ以上あれば基板Ｇの使用
領域全体においてサセプタ表面状態の影響を有効に排除
することができる。一方、浮上高さが１５ｍｍを超える
と、エッチングに悪影響を与えるおそれがあるため１５
ｍｍ以下であることが望ましい。浮上高さｂのより好ま
しい範囲は１〜３ｍｍである。
（サセプタ５表面と基板Ｇ裏面との距離（図２参照））
は、１ｍｍ以上であることが望ましい。サセプタ５の付
着物（デポ）の高さは最大１００μｍ程度であるから、
中央における浮上高さが１ｍｍ以上あれば基板Ｇの使用
領域全体においてサセプタ表面状態の影響を有効に排除
することができる。一方、浮上高さが１５ｍｍを超える
と、エッチングに悪影響を与えるおそれがあるため１５
ｍｍ以下であることが望ましい。浮上高さｂのより好ま
しい範囲は１〜３ｍｍである。
【００２６】前記浮上ガス供給機構８からのガスの圧力
は、基板Ｇの大きさや強度等の物理的特性にもよるが、
２０Ｐａ（１５０ｍＴｏｒｒ）〜３５０Ｐａ（２．６Ｔ
ｏｒｒ）であることが好ましい。例えば、基板Ｇの大き
さが５５０×６５０ｍｍで厚さが０．７ｍｍであり、チ
ャンバー２内の圧力が１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）
である場合、ガスの圧力が１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）で
浮上高さｂを約６ｍｍとすることができる。この浮上ガ
スの圧力は流量圧力制御機構９により適宜される。
は、基板Ｇの大きさや強度等の物理的特性にもよるが、
２０Ｐａ（１５０ｍＴｏｒｒ）〜３５０Ｐａ（２．６Ｔ
ｏｒｒ）であることが好ましい。例えば、基板Ｇの大き
さが５５０×６５０ｍｍで厚さが０．７ｍｍであり、チ
ャンバー２内の圧力が１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）
である場合、ガスの圧力が１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）で
浮上高さｂを約６ｍｍとすることができる。この浮上ガ
スの圧力は流量圧力制御機構９により適宜される。
【００２７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では、基板をクランプ部材によりサセプタにクランプさ
せたが、クランプ部材は必ずしも必要はない。例えば、
図３に示すように、表面に基板Ｇ用の落とし込み部３０
を形成したサセプタ５′を用い、浮上ガス供給機構８か
ら浮上ガスを供給して、基板Ｇを落とし込み部３０内で
浮上させるようにしてもよい。この実施形態では、基板
Ｇは均一に浮上するので、基板Ｇの中央における浮上高
さｂは１００μｍ以上、好ましくは２００μｍ以上であ
ればよい。この実施形態でもサセプタ５′の外周および
上面周縁には絶縁部材４′が設けられている。
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では、基板をクランプ部材によりサセプタにクランプさ
せたが、クランプ部材は必ずしも必要はない。例えば、
図３に示すように、表面に基板Ｇ用の落とし込み部３０
を形成したサセプタ５′を用い、浮上ガス供給機構８か
ら浮上ガスを供給して、基板Ｇを落とし込み部３０内で
浮上させるようにしてもよい。この実施形態では、基板
Ｇは均一に浮上するので、基板Ｇの中央における浮上高
さｂは１００μｍ以上、好ましくは２００μｍ以上であ
ればよい。この実施形態でもサセプタ５′の外周および
上面周縁には絶縁部材４′が設けられている。
【００２８】また、上記実施形態ではサセプタに基板の
温度を調節する機構を特別設けていないが、例えば冷媒
流路等の温度調節機構を設けてもよい。ただし、冷却機
構等が存在する場合には、この浮上ガスが冷却効率等に
影響を及ぼす場合もある。
温度を調節する機構を特別設けていないが、例えば冷媒
流路等の温度調節機構を設けてもよい。ただし、冷却機
構等が存在する場合には、この浮上ガスが冷却効率等に
影響を及ぼす場合もある。
【００２９】さらに、上記実施形態では下部電極に高周
波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プ
ラズマエッチング装置を示したが、エッチング装置に限
らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ
処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波
電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限
らず誘導結合型であってもよい。
波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プ
ラズマエッチング装置を示したが、エッチング装置に限
らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ
処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波
電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限
らず誘導結合型であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理基板を浮き上がらせるように被処理基板の裏面側
からガスを供給する浮上ガス供給機構を設けたので、被
処理基板が薄い場合でも従来のように載置台表面の影響
を受けることなくプラズマ処理を行うことができ、均一
なプラズマ処理を実現することができる。
被処理基板を浮き上がらせるように被処理基板の裏面側
からガスを供給する浮上ガス供給機構を設けたので、被
処理基板が薄い場合でも従来のように載置台表面の影響
を受けることなくプラズマ処理を行うことができ、均一
なプラズマ処理を実現することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板用
のプラズマエッチング装置を模式的に示す断面図
のプラズマエッチング装置を模式的に示す断面図
【図２】図１のプラズマエッチング装置において、サセ
プタと基板との間に浮上ガスを供給した状態を示す断面
図。
プタと基板との間に浮上ガスを供給した状態を示す断面
図。
【図３】本発明の他の実施形態に係るＬＣＤガラス基板
用のプラズマエッチング装置の要部を示す断面図。
用のプラズマエッチング装置の要部を示す断面図。
１；プラズマエッチング装置 ２；チャンバー ５，５′；サセプタ（基板載置台） ６；クランプ部材（クランプ機構） ８；浮上ガス供給機構（浮上ガス供給手段） ９；流量圧力制御機構 １０；ガス流路 １１；分岐路 １４；高周波電源 １５；シャワーヘッド ２３；処理ガス供給源 ３０；落とし込み部 Ｇ；ＬＣＤガラス基板（被処理基板）
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DD01 DE14 DE20 DM03 DM08 DM33 DM35 DM37 5F004 AA01 BA04 BB18 BB21 BB25 BB29 BC05 DA00 DA23 DA26 5F045 AA08 AE01 AF07 BB01 DP03 DQ10 EB08 EB09 EH13 EJ03 EM03 EM07 5F103 AA08 HH04 LL20 NN10 RR10
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理基板が収容されるチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板を載置する基板載置台
と、 前記基板載置台に載置された被処理基板の周囲部分を機
械的にクランプするクランプ機構と、 前記クランプ機構によりクランプされた被処理基板を前
記載置台から浮き上がらせるように被処理基板の裏面側
からガスを供給する浮上ガス供給手段と、 前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、 前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラ
ズマ生成手段とを具備することを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項２】 被処理基板と前記載置台との間の距離が
基板中央部で１〜１５ｍｍであることを特徴とする請求
項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記浮上ガス供給手段からのガスの圧力
が２０〜３５０Ｐａであることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 被処理基板が収容されるチャンバーと、 前記チャンバー内に相対向するように設けられた上部電
極および被処理基板が載置される下部電極と、 前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一方に高
周波電力を供給する高周波電源と、 被処理基板を前記下部電極から浮き上がらせるように被
処理基板の裏面側からガスを供給する浮上ガス供給手段
と、 前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手
段とを具備し、 前記高周波電力により処理ガスをプラズマ化して、前記
被処理基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装
置。 - 【請求項５】 被処理基板が収容されるチャンバーと、 前記チャンバー内で被処理基板を載置する基板載置台
と、 被処理基板を前記載置台から浮き上がらせるように被処
理基板の裏面側からガスを供給する浮上ガス供給手段
と、 前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、 前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラ
ズマ生成手段とを具備することを特徴とするプラズマ処
理装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000324351A JP4684403B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | プラズマ処理装置 |
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| JP2000324351A JP4684403B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | プラズマ処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134476A true JP2002134476A (ja) | 2002-05-10 |
| JP4684403B2 JP4684403B2 (ja) | 2011-05-18 |
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| JP2000324351A Expired - Fee Related JP4684403B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | プラズマ処理装置 |
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| JP (1) | JP4684403B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204996A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Oki Semiconductor Co Ltd | ウエハ保持装置及び方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09270418A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH09320799A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH11238596A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electron Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000174000A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000324351A patent/JP4684403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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| JP2000174000A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
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| JP2011204996A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Oki Semiconductor Co Ltd | ウエハ保持装置及び方法 |
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