JP2002313898A - 基板載置台およびその製造方法ならびに処理装置 - Google Patents
基板載置台およびその製造方法ならびに処理装置Info
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板載置台の表面に付着物が蓄積することに
よって生じるエッチングむら等の処理むらを防止し、基
板が基板載置台に吸着されてしまうこと等を防止する。 【解決手段】 プラズマ処理装置１は、基板Ｇを収容す
るチャンバー２と、前記チャンバー２内に設けられ、基
板Ｇが載置されるサセプタ４と、前記チャンバー２内に
処理ガスを供給するシャワーヘッド１１と、前記チャン
バー２内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ
生成手段２５とを具備する。サセプタ４は、基材４ａ上
に、誘電性材料膜６を形成し、その上に複数の開口を有
する開口板６６を介して溶射によりセラミックスからな
る複数の凸部７を形成する。
よって生じるエッチングむら等の処理むらを防止し、基
板が基板載置台に吸着されてしまうこと等を防止する。 【解決手段】 プラズマ処理装置１は、基板Ｇを収容す
るチャンバー２と、前記チャンバー２内に設けられ、基
板Ｇが載置されるサセプタ４と、前記チャンバー２内に
処理ガスを供給するシャワーヘッド１１と、前記チャン
バー２内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ
生成手段２５とを具備する。サセプタ４は、基材４ａ上
に、誘電性材料膜６を形成し、その上に複数の開口を有
する開口板６６を介して溶射によりセラミックスからな
る複数の凸部７を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）用のガラス基板等の基板を載置する基板載置台お
よびその製造方法、さらには基板載置台を使用して基板
に対してドライエッチング等の処理を施す処理装置に関
する。
ＣＤ）用のガラス基板等の基板を載置する基板載置台お
よびその製造方法、さらには基板載置台を使用して基板
に対してドライエッチング等の処理を施す処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいて
は、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、
ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相
成長）等のプラズマ処理が多用されている。
は、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、
ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相
成長）等のプラズマ処理が多用されている。
【０００３】このようなプラズマ処理においては、例え
ば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下
部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ
（載置台）に被処理基板を載置し、処理ガスをチャンバ
ー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周
波を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波
電界により処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に
対してプラズマ処理を施す。この際、被処理基板はサセ
プタ表面に面接触するようになっている。
ば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下
部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ
（載置台）に被処理基板を載置し、処理ガスをチャンバ
ー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周
波を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波
電界により処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に
対してプラズマ処理を施す。この際、被処理基板はサセ
プタ表面に面接触するようになっている。
【０００４】ところが、サセプタの表面は、実際には緩
曲面となっているため、基板とサセプタとの間には部分
的に微少な隙間ができている。一方、プラズマ処理を繰
り返し行うことによりサセプタ上に付着物が蓄積する。
この際、図８に示すように、付着物４７は被処理基板Ｇ
とサセプタ５０との隙間を埋めるように蓄積する。この
ため、被処理基板Ｇ裏面にサセプタ５０が接触する部分
と付着物４７が接触する部分とができて、これらの部分
間で熱伝導性や導電性が異なってしまい、被処理基板Ｇ
にエッチングむら（被処理基板Ｇにおいてエッチングレ
ートの高い部分と低い部分とが混在することをいう）が
生じることがある。また、このような付着物４７の存在
によりサセプタ５０に載置された被処理基板Ｇがサセプ
タ５０に吸着されてしまうこともある。
曲面となっているため、基板とサセプタとの間には部分
的に微少な隙間ができている。一方、プラズマ処理を繰
り返し行うことによりサセプタ上に付着物が蓄積する。
この際、図８に示すように、付着物４７は被処理基板Ｇ
とサセプタ５０との隙間を埋めるように蓄積する。この
ため、被処理基板Ｇ裏面にサセプタ５０が接触する部分
と付着物４７が接触する部分とができて、これらの部分
間で熱伝導性や導電性が異なってしまい、被処理基板Ｇ
にエッチングむら（被処理基板Ｇにおいてエッチングレ
ートの高い部分と低い部分とが混在することをいう）が
生じることがある。また、このような付着物４７の存在
によりサセプタ５０に載置された被処理基板Ｇがサセプ
タ５０に吸着されてしまうこともある。
【０００５】そのため、たとえば、特開昭５９−１７２
２３７号公報に開示されたプラズマ処理装置において
は、サセプタ（試料ステージ）に複数のたとえば円錐状
の突起部を設けている。しかし、この公報の第２図によ
れば、ステージ２２と突起物２３は一体物になってい
る。金属の機械加工により、このような均一な突起物を
作成することは、技術的に困難であり、コスト・時間も
かかる。
２３７号公報に開示されたプラズマ処理装置において
は、サセプタ（試料ステージ）に複数のたとえば円錐状
の突起部を設けている。しかし、この公報の第２図によ
れば、ステージ２２と突起物２３は一体物になってい
る。金属の機械加工により、このような均一な突起物を
作成することは、技術的に困難であり、コスト・時間も
かかる。
【０００６】また、特開昭６０−２６１３７７号公報に
開示された静電チャックおよびその製造方法において
は、静電電極を覆う焼成セラミック絶縁層の表面に凸状
パターンが形成されている。
開示された静電チャックおよびその製造方法において
は、静電電極を覆う焼成セラミック絶縁層の表面に凸状
パターンが形成されている。
【０００７】また、特開平８−７００３４号公報に開示
された静電力低減のためのパターン付きサセプタにおい
ては、サセプタ表面にフォトエッチングにより凹凸パタ
ーンを形成して、静電力（固着力）を低減し、プラズマ
処理後にサセプタからウエハを容易に分離できるように
している。
された静電力低減のためのパターン付きサセプタにおい
ては、サセプタ表面にフォトエッチングにより凹凸パタ
ーンを形成して、静電力（固着力）を低減し、プラズマ
処理後にサセプタからウエハを容易に分離できるように
している。
【０００８】また、特開平１０−３４０８９６号公報に
開示されたプラズマＣＶＤ装置用サセプタおよびその製
造方法においては、アルミニウム又はアルミニウム合金
製のサセプタの表面をショットブラスト処理して凹凸部
を形成し、さらに化学研磨、電解研磨、又はバフ研磨に
よって凸部の急峻な突起部を除去している。
開示されたプラズマＣＶＤ装置用サセプタおよびその製
造方法においては、アルミニウム又はアルミニウム合金
製のサセプタの表面をショットブラスト処理して凹凸部
を形成し、さらに化学研磨、電解研磨、又はバフ研磨に
よって凸部の急峻な突起部を除去している。
【０００９】しかし、これら従来技術はいずれも凸部の
頂上は平らであるため、プラズマ処理によって発生した
埃が堆積しやすいという欠点がある。
頂上は平らであるため、プラズマ処理によって発生した
埃が堆積しやすいという欠点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、基
板載置台の表面に付着物が蓄積することによって生じる
エッチングむら等の処理むらを防止し、基板が基板載置
台に吸着されてしまうこと等の不都合が生じ難い基板載
置台およびその製造方法、ならびにそのサセプタを使用
した処理装置を提供することを課題としている。
板載置台の表面に付着物が蓄積することによって生じる
エッチングむら等の処理むらを防止し、基板が基板載置
台に吸着されてしまうこと等の不都合が生じ難い基板載
置台およびその製造方法、ならびにそのサセプタを使用
した処理装置を提供することを課題としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の第１の観点では、基材表面に誘電性材料膜
を形成する工程と、前記誘電性材料膜の上に、複数の開
口を有する開口板を載置し、前記開口板を介してセラミ
ックスを溶射してセラミックスからなる複数の凸部を形
成する工程とを含むことを特徴とする基板載置台の製造
方法を提供する。
め、本発明の第１の観点では、基材表面に誘電性材料膜
を形成する工程と、前記誘電性材料膜の上に、複数の開
口を有する開口板を載置し、前記開口板を介してセラミ
ックスを溶射してセラミックスからなる複数の凸部を形
成する工程とを含むことを特徴とする基板載置台の製造
方法を提供する。
【００１２】本発明の第２の観点では、基材上に第１の
誘電性材料膜を形成する工程と、前記第１の誘電性材料
膜上に導電層を形成する工程と、前記導電層上に第２の
誘電性材料膜を形成する工程と、前記第２の誘電性材料
膜上に、複数の開口を有する開口板を載置し、前記開口
板を介してセラミックスを溶射してセラミックスからな
る複数の凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする
基板載置台の製造方法を提供する。
誘電性材料膜を形成する工程と、前記第１の誘電性材料
膜上に導電層を形成する工程と、前記導電層上に第２の
誘電性材料膜を形成する工程と、前記第２の誘電性材料
膜上に、複数の開口を有する開口板を載置し、前記開口
板を介してセラミックスを溶射してセラミックスからな
る複数の凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする
基板載置台の製造方法を提供する。
【００１３】本発明の第３の観点では、基材と、前記基
材上に形成された誘電性材料膜と、前記誘電性材料膜の
上に形成されたセラミックスからなる複数の凸部とを備
えた基板載置台であって、前記凸部は溶射により形成さ
れたものであることを特徴とする基板載置台を提供す
る。
材上に形成された誘電性材料膜と、前記誘電性材料膜の
上に形成されたセラミックスからなる複数の凸部とを備
えた基板載置台であって、前記凸部は溶射により形成さ
れたものであることを特徴とする基板載置台を提供す
る。
【００１４】本発明の第４の観点では、基材と、前記基
材上に形成された第１の誘電性材料膜と、前記第１の誘
電性材料膜上に形成された導電層と、前記導電層上に形
成された第２の誘電性材料膜と、前記第２の誘電性材料
膜上に形成されたセラミックスからなる複数の凸部とを
備えた基板載置台であって、前記凸部は溶射により形成
されたものであることを特徴とする基板載置台を提供す
る。
材上に形成された第１の誘電性材料膜と、前記第１の誘
電性材料膜上に形成された導電層と、前記導電層上に形
成された第２の誘電性材料膜と、前記第２の誘電性材料
膜上に形成されたセラミックスからなる複数の凸部とを
備えた基板載置台であって、前記凸部は溶射により形成
されたものであることを特徴とする基板載置台を提供す
る。
【００１５】本発明の第５の観点では、基板を収容する
処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板が載置さ
れる基板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する
ガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを
具備し、前記基板載置台が上記第３の観点または第４の
観点の構成を有するものであることを特徴とする処理装
置を提供する。
処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板が載置さ
れる基板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する
ガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを
具備し、前記基板載置台が上記第３の観点または第４の
観点の構成を有するものであることを特徴とする処理装
置を提供する。
【００１６】以上のような構成によれば、誘電性材料膜
の上に、セラミックスを溶射して凸部を形成するので、
基板載置台において、セラミックスからなる複数の凸部
を容易にかつ一様に分布させることができ、これら凸部
がスペーサーの役割をはたし、基板載置台上に付着物が
蓄積しても付着物が被処理基板に接触し難くなる。した
がって、被処理基板裏面に基板載置台が接触する部分と
付着物が接触する部分とができることに起因したエッチ
ングむらや、被処理基板が基板載置台に吸着されること
等の不都合が生じることを防止することができる。
の上に、セラミックスを溶射して凸部を形成するので、
基板載置台において、セラミックスからなる複数の凸部
を容易にかつ一様に分布させることができ、これら凸部
がスペーサーの役割をはたし、基板載置台上に付着物が
蓄積しても付着物が被処理基板に接触し難くなる。した
がって、被処理基板裏面に基板載置台が接触する部分と
付着物が接触する部分とができることに起因したエッチ
ングむらや、被処理基板が基板載置台に吸着されること
等の不都合が生じることを防止することができる。
【００１７】この場合に、上記第１の観点における基
材、第２の観点における導電層を静電電極として機能さ
せることにより静電チャックを有する基板載置台が得ら
れる。
材、第２の観点における導電層を静電電極として機能さ
せることにより静電チャックを有する基板載置台が得ら
れる。
【００１８】また、本発明の第６の観点によれば、基板
を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基
板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガス
を供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排
気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記基
材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩
形であり、前記複数の凸部は直交格子を構成し、前記直
交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度が０
°を超え４５°以下であることを特徴とする処理装置を
提供する。
を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基
板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガス
を供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排
気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記基
材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩
形であり、前記複数の凸部は直交格子を構成し、前記直
交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度が０
°を超え４５°以下であることを特徴とする処理装置を
提供する。
【００１９】さらに、本発明の第７の観点によれば、基
板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記
基板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する
排気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記
基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は
矩形であり、前記複数の凸部は不規則に配置されている
ことを特徴とする処理装置を提供する。
板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記
基板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する
排気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記
基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は
矩形であり、前記複数の凸部は不規則に配置されている
ことを特徴とする処理装置を提供する。
【００２０】これら第６および第７の観点に示す構成に
よれば、基板に形成された回路パターンと凸部の配列パ
ターンとを重ならないようにすることができ、エッチン
グむら等の処理むらを回避することができる。
よれば、基板に形成された回路パターンと凸部の配列パ
ターンとを重ならないようにすることができ、エッチン
グむら等の処理むらを回避することができる。
【００２１】上記いずれの構成においても、前記凸部
は、その上部において被処理基板と点接触することが好
ましい。このようにすることで、付着物による悪影響を
より小さくすることができる。また、前記凸部の上部
は、曲面のみからなることが好ましい。これにより凸部
に突起（尖った箇所）が存在しない状態になるので、突
起が削れてパーティクルの原因となることがない。
は、その上部において被処理基板と点接触することが好
ましい。このようにすることで、付着物による悪影響を
より小さくすることができる。また、前記凸部の上部
は、曲面のみからなることが好ましい。これにより凸部
に突起（尖った箇所）が存在しない状態になるので、突
起が削れてパーティクルの原因となることがない。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実
施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた
処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断
面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態の
基板載置台であるサセプタ４は、基材４ａと、基材４ａ
の上に設けられた誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６の
上に設けられた凸部７とを有する。
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実
施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた
処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断
面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態の
基板載置台であるサセプタ４は、基材４ａと、基材４ａ
の上に設けられた誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６の
上に設けられた凸部７とを有する。
【００２３】凸部７は、誘電体材料膜６の上の基板Ｇ載
置領域に一様に分布して形成されており、基板Ｇはこの
凸部７上に載置されるようになっている。これにより凸
部７はサセプタ４と基板Ｇとの間を離隔するスペーサー
として機能し、サセプタ４上に付着した付着物が基板Ｇ
に悪影響を及ぼすことが防止される。この凸部７は、そ
の高さが５０〜１００μｍであることが好ましい。サセ
プタ４上に付着する付着物の量を考慮すると、凸部７の
高さを５０μｍ以上とすることで付着物が基板Ｇに悪影
響を及ぼすことを十分に防止することができるからであ
る。一方、高さが１００μｍを超えると凸部７の強度が
低下したり、基板Ｇのエッチングレートが低下するとい
った問題や、後述するように凸部７を溶射で形成する場
合に溶射時間が長くなるという不都合もある。また、凸
部７の径は０．５〜１ｍｍであることが好ましく、その
間隔は０．５〜３０ｍｍとすること、さらには５〜１０
ｍｍとすることが好ましい。配列パターンには特に制限
はなく、例えば千鳥格子配列であってもよい。
置領域に一様に分布して形成されており、基板Ｇはこの
凸部７上に載置されるようになっている。これにより凸
部７はサセプタ４と基板Ｇとの間を離隔するスペーサー
として機能し、サセプタ４上に付着した付着物が基板Ｇ
に悪影響を及ぼすことが防止される。この凸部７は、そ
の高さが５０〜１００μｍであることが好ましい。サセ
プタ４上に付着する付着物の量を考慮すると、凸部７の
高さを５０μｍ以上とすることで付着物が基板Ｇに悪影
響を及ぼすことを十分に防止することができるからであ
る。一方、高さが１００μｍを超えると凸部７の強度が
低下したり、基板Ｇのエッチングレートが低下するとい
った問題や、後述するように凸部７を溶射で形成する場
合に溶射時間が長くなるという不都合もある。また、凸
部７の径は０．５〜１ｍｍであることが好ましく、その
間隔は０．５〜３０ｍｍとすること、さらには５〜１０
ｍｍとすることが好ましい。配列パターンには特に制限
はなく、例えば千鳥格子配列であってもよい。
【００２４】凸部７は、少なくともその上部を曲面形状
や半球状に形成して、基板Ｇと点接触させることが好ま
しい。これにより、凸部７と基板Ｇとの接触部分に付着
物が極めて付着し難くすることができる。一方、凸部７
の形状を円柱または角柱とした場合には、上面が平面で
あり、この上面に付着物が付着しやすくなる欠点があ
る。
や半球状に形成して、基板Ｇと点接触させることが好ま
しい。これにより、凸部７と基板Ｇとの接触部分に付着
物が極めて付着し難くすることができる。一方、凸部７
の形状を円柱または角柱とした場合には、上面が平面で
あり、この上面に付着物が付着しやすくなる欠点があ
る。
【００２５】凸部７は一般的に耐久性および耐食性が高
い材料として知られているセラミックスで構成されてい
る。凸部７を構成するセラミックスは特に限定されるも
のではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ
３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣの
ようにある程度導電性を有するものであってもよい。凸
部７は溶射により形成される。
い材料として知られているセラミックスで構成されてい
る。凸部７を構成するセラミックスは特に限定されるも
のではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ
３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣの
ようにある程度導電性を有するものであってもよい。凸
部７は溶射により形成される。
【００２６】誘電性材料膜６は、誘電性材料からなって
いればその材料は問わず、また高絶縁性材料のみならず
電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを含
む。このような誘電性材料膜６は、耐久性および耐食性
の観点からセラミックスで構成することが好ましい。こ
の際のセラミックスは特に限定されるものではなく、凸
部７の場合と同様、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ
２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。このような誘電体材料膜６は溶射により形成
してもよい。また、溶射した後、研磨用によって表面を
平滑化してもよい。
いればその材料は問わず、また高絶縁性材料のみならず
電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを含
む。このような誘電性材料膜６は、耐久性および耐食性
の観点からセラミックスで構成することが好ましい。こ
の際のセラミックスは特に限定されるものではなく、凸
部７の場合と同様、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ
２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。このような誘電体材料膜６は溶射により形成
してもよい。また、溶射した後、研磨用によって表面を
平滑化してもよい。
【００２７】基材４ａは、誘電体材料膜６を支持するも
のであり、例えばアルミニウム等の金属やカーボンのよ
うな導電体で構成されている。
のであり、例えばアルミニウム等の金属やカーボンのよ
うな導電体で構成されている。
【００２８】次に、誘電性材料膜６上に凸部７を溶射に
よって形成する方法について説明する。凸部７は機械加
工やエッチング等の他の方法でも形成することも考えら
れるが、この場合には技術的、コスト的に問題がある。
そこで、本実施形態では以下のような方法を採用する。
よって形成する方法について説明する。凸部７は機械加
工やエッチング等の他の方法でも形成することも考えら
れるが、この場合には技術的、コスト的に問題がある。
そこで、本実施形態では以下のような方法を採用する。
【００２９】図２に示すように、まず、複数の円形開口
を有する開口板６６を誘電性材料膜６上に非接触に位置
させる。そのためには、中間部材６５を誘電性材料膜６
上に載せ、さらにその上に開口板６６を載せる。すなわ
ち、開口板６６と誘電性材料膜６との間に中間部材６５
を置き、開口板６６を浮かせる。中間部材６５の材料は
金属または耐熱性の樹脂等が好適である。また、接着層
付耐熱性樹脂シートであれば誘電性材料膜６に接着する
ことができて好都合である。中間部材６５は、開口板６
６の開口部以外の面積より小さい面積を有するとともに
開口板６６の開口に対応する部分に存在しない。開口板
６６は、たとえば、板厚０．３ｍｍ程度の金属板、具体
的にはステンレス板を使用する。この開口板６６を介し
て溶射し、開口に対応する部分に凸部７を形成する。こ
れにより、比較的容易に凸部７を形成することができ
る。また、このように複数の開口を有するマスク部材を
介して溶射することにより、凸部７の上部の形状を曲面
形状にすることができる。これは、溶射の際に開口の周
辺部が障壁となりセラミックスの拡散が妨げられるため
と考えられる。
を有する開口板６６を誘電性材料膜６上に非接触に位置
させる。そのためには、中間部材６５を誘電性材料膜６
上に載せ、さらにその上に開口板６６を載せる。すなわ
ち、開口板６６と誘電性材料膜６との間に中間部材６５
を置き、開口板６６を浮かせる。中間部材６５の材料は
金属または耐熱性の樹脂等が好適である。また、接着層
付耐熱性樹脂シートであれば誘電性材料膜６に接着する
ことができて好都合である。中間部材６５は、開口板６
６の開口部以外の面積より小さい面積を有するとともに
開口板６６の開口に対応する部分に存在しない。開口板
６６は、たとえば、板厚０．３ｍｍ程度の金属板、具体
的にはステンレス板を使用する。この開口板６６を介し
て溶射し、開口に対応する部分に凸部７を形成する。こ
れにより、比較的容易に凸部７を形成することができ
る。また、このように複数の開口を有するマスク部材を
介して溶射することにより、凸部７の上部の形状を曲面
形状にすることができる。これは、溶射の際に開口の周
辺部が障壁となりセラミックスの拡散が妨げられるため
と考えられる。
【００３０】このようにすることにより、溶射によって
形成される凸部を所望の形状に制御することができる。
溶射後は、開口板６６および中間部材６５は取りはず
す。
形成される凸部を所望の形状に制御することができる。
溶射後は、開口板６６および中間部材６５は取りはず
す。
【００３１】また、凸部７をセラミックスの溶射で形成
する際に、気孔が形成される場合があるが、その場合に
は凸部７を形成した後に封孔処理を施す。誘電性材料膜
６を溶射により形成する際も同様である。
する際に、気孔が形成される場合があるが、その場合に
は凸部７を形成した後に封孔処理を施す。誘電性材料膜
６を溶射により形成する際も同様である。
【００３２】また、誘電性材料膜６の材質と凸部７の材
質が同一であれば、両者は強固に結合するので好適であ
る。しかし、処理中の温度範囲で両者の結合が十分であ
れば、両者の材質は異なっていてもよい。なお、凸部７
および誘電性材料膜６を同一の材料で構成する場合に
は、これらを溶射により連続して形成することができ
る。
質が同一であれば、両者は強固に結合するので好適であ
る。しかし、処理中の温度範囲で両者の結合が十分であ
れば、両者の材質は異なっていてもよい。なお、凸部７
および誘電性材料膜６を同一の材料で構成する場合に
は、これらを溶射により連続して形成することができ
る。
【００３３】また、基材４aと誘電性材料膜６の間に層
５が設けられている。層５は、熱膨張係数が基材４ａと
誘電性材料膜６との中間の値を示す材料からなり、基材
４ａと誘電性材料膜６との熱膨張差を緩和する機能を有
している。また、基材４ａと誘電性材料膜６との接合を
強化するために設けてもよい。なお、層５は必須なもの
ではなく、サセプタ４のサイズが小さい場合や温度の変
化量が小さい場合や基材４ａと誘電性材料膜６との接合
が強固な場合には層５を省いてもよい。また、層５は１
つに限らず２つ以上設けてもよい。
５が設けられている。層５は、熱膨張係数が基材４ａと
誘電性材料膜６との中間の値を示す材料からなり、基材
４ａと誘電性材料膜６との熱膨張差を緩和する機能を有
している。また、基材４ａと誘電性材料膜６との接合を
強化するために設けてもよい。なお、層５は必須なもの
ではなく、サセプタ４のサイズが小さい場合や温度の変
化量が小さい場合や基材４ａと誘電性材料膜６との接合
が強固な場合には層５を省いてもよい。また、層５は１
つに限らず２つ以上設けてもよい。
【００３４】この層５は、基材４ａをアルミニウムで構
成し、誘電性材料膜６をセラミックスで構成する場合に
は、例えばニッケルおよびアルミニウムの合金で構成す
ることができる。なお、層５の形成方法は問わない。
成し、誘電性材料膜６をセラミックスで構成する場合に
は、例えばニッケルおよびアルミニウムの合金で構成す
ることができる。なお、層５の形成方法は問わない。
【００３５】サセプタ４においては、エッチングプロセ
スを繰り返すことにより、図３に示すように、基材４ａ
上に形成された誘電性材料膜６の表面には基板Ｇからエ
ッチングされた物質等の付着物４７が蓄積するが、本実
施形態においては、凸部７がスペーサーの役割をはた
し、サセプタ４上に付着物が蓄積しても付着物が基板Ｇ
に接触し難く、これにより基板Ｇにサセプタ４と接触す
る部分および付着物４７と接触する部分ができてエッチ
ングむらが生じたり、基板Ｇがサセプタ４に吸着される
といった不都合が防止される。
スを繰り返すことにより、図３に示すように、基材４ａ
上に形成された誘電性材料膜６の表面には基板Ｇからエ
ッチングされた物質等の付着物４７が蓄積するが、本実
施形態においては、凸部７がスペーサーの役割をはた
し、サセプタ４上に付着物が蓄積しても付着物が基板Ｇ
に接触し難く、これにより基板Ｇにサセプタ４と接触す
る部分および付着物４７と接触する部分ができてエッチ
ングむらが生じたり、基板Ｇがサセプタ４に吸着される
といった不都合が防止される。
【００３６】次に、再び図１を参照して、上述した構成
のサセプタ４を用いた本発明の処理装置について説明す
る。この処理装置１は、ＬＣＤガラス基板の所定の処理
を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズ
マエッチング装置を例として構成されている。ただし、
本発明の処理装置はプラズマエッチング装置にのみ限定
されるものではない。
のサセプタ４を用いた本発明の処理装置について説明す
る。この処理装置１は、ＬＣＤガラス基板の所定の処理
を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズ
マエッチング装置を例として構成されている。ただし、
本発明の処理装置はプラズマエッチング装置にのみ限定
されるものではない。
【００３７】このプラズマエッチング装置１は、例えば
表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有し
ている。このチャンバー２内の底部には絶縁材からなる
角柱状の絶縁板３が設けられており、さらにこの絶縁板
３の上には、被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇを載
置するための前述したサセプタ４が設けられている。ま
た、サセプタ４の基材４ａの外周および上面の層５およ
び誘電性材料膜６が設けられていない周縁には、絶縁部
材８が設けられている。
表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニ
ウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有し
ている。このチャンバー２内の底部には絶縁材からなる
角柱状の絶縁板３が設けられており、さらにこの絶縁板
３の上には、被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇを載
置するための前述したサセプタ４が設けられている。ま
た、サセプタ４の基材４ａの外周および上面の層５およ
び誘電性材料膜６が設けられていない周縁には、絶縁部
材８が設けられている。
【００３８】サセプタ４には、高周波電力を供給するた
めの給電線２３が接続されており、この給電線２３には
整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高
周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力がサセプタ４に供給される。
めの給電線２３が接続されており、この給電線２３には
整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高
周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力がサセプタ４に供給される。
【００３９】前記サセプタ４の上方には、このサセプタ
４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャ
ンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２
を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを
吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャ
ワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに
一対の平行平板電極を構成している。
４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘ
ッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャ
ンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２
を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを
吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャ
ワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに
一対の平行平板電極を構成している。
【００４０】シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口
１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供
給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５に
は、バルブ１６、およびマスフローコントローラ１７を
介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガ
ス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供
給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２
ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用
いることができる。
１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供
給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５に
は、バルブ１６、およびマスフローコントローラ１７を
介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガ
ス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供
給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２
ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用
いることができる。
【００４１】前記チャンバー２の側壁底部には排気管１
９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０
が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプな
どの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２
内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成さ
れている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口
２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ
２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開に
した状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せ
ず）との間で搬送されるようになっている。
９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０
が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプな
どの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２
内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成さ
れている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口
２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ
２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開に
した状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せ
ず）との間で搬送されるようになっている。
【００４２】次に、このように構成されるプラズマエッ
チング装置１における処理動作について説明する。ま
ず、被処理体である基板Ｇは、ゲートバルブ２２が開放
された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口
２１を介してチャンバー２内へと搬入され、サセプタ４
上に形成された誘電性材料膜６の凸部７上に載置され
る。この場合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ４の内部
を挿通しサセプタ４から突出可能に設けられたリフター
ピン（図示せず）を介して行われる。その後、ゲートバ
ルブ２２が閉じられ、排気装置２０によって、チャンバ
ー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
チング装置１における処理動作について説明する。ま
ず、被処理体である基板Ｇは、ゲートバルブ２２が開放
された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口
２１を介してチャンバー２内へと搬入され、サセプタ４
上に形成された誘電性材料膜６の凸部７上に載置され
る。この場合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ４の内部
を挿通しサセプタ４から突出可能に設けられたリフター
ピン（図示せず）を介して行われる。その後、ゲートバ
ルブ２２が閉じられ、排気装置２０によって、チャンバ
ー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００４３】その後、バルブ１６が開放されて、処理ガ
ス供給源１８から処理ガスがマスフローコントローラ１
７によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管１
５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部
空間１２へ導入され、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇ
に対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定
の値に維持される。
ス供給源１８から処理ガスがマスフローコントローラ１
７によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管１
５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部
空間１２へ導入され、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇ
に対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定
の値に維持される。
【００４４】この状態で高周波電源２５から整合器２４
を介して高周波電力がサセプタ４に印加され、これによ
り、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシ
ャワーヘッド１１との間に高周波電界が生じ、処理ガス
が解離してプラズマ化し、これにより基板Ｇにエッチン
グ処理が施される。
を介して高周波電力がサセプタ４に印加され、これによ
り、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシ
ャワーヘッド１１との間に高周波電界が生じ、処理ガス
が解離してプラズマ化し、これにより基板Ｇにエッチン
グ処理が施される。
【００４５】このようにしてエッチング処理を施した
後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、
チャンバー２内の圧力が所定の圧力まで昇圧され、ゲー
トバルブ２２が開放され、基板Ｇが基板搬入出口２１を
介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ
搬出されることにより基板Ｇのエッチング処理は終了す
る。
後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、
チャンバー２内の圧力が所定の圧力まで昇圧され、ゲー
トバルブ２２が開放され、基板Ｇが基板搬入出口２１を
介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ
搬出されることにより基板Ｇのエッチング処理は終了す
る。
【００４６】上述したサセプタ（基板載置台）４には静
電チャックを設けてもよい。この場合には、図４に示す
ように、サセプタの基材４ａ上に第１の誘電性材料膜３
１、静電電極層として機能する導電層３２、第２の誘電
性材料膜６′、凸部７′をこの順に積層してサセプタ
４′を構成すればよい。
電チャックを設けてもよい。この場合には、図４に示す
ように、サセプタの基材４ａ上に第１の誘電性材料膜３
１、静電電極層として機能する導電層３２、第２の誘電
性材料膜６′、凸部７′をこの順に積層してサセプタ
４′を構成すればよい。
【００４７】静電チャック部の第１の誘電性材料膜３
１、導電層３２、第２の誘電性材料膜６′を形成する方
法は問わないが、すべて溶射によって形成してもよい。
また、一部または全部の層を研磨等により平滑化しても
よい。
１、導電層３２、第２の誘電性材料膜６′を形成する方
法は問わないが、すべて溶射によって形成してもよい。
また、一部または全部の層を研磨等により平滑化しても
よい。
【００４８】凸部７′は上述の凸部７と同様、セラミッ
クスで構成されており、そのセラミックスは特に限定さ
れるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ
２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電性材料
膜６′は、上記誘電性材料膜６と同様、誘電性材料から
なっていればその材料は問わず、また高絶縁材料のみな
らず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを
含み、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構
成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限
定されるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２
Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。また、第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電
性材料膜６′は同じ材質であってもよい。また、基材４
ａと第１の誘電性材料膜３１との間や第２の誘電性材料
膜６′と凸部７′との間に１以上の中間層を設けること
もできる。この中間層の機能は、前記層５と同様であ
る。
クスで構成されており、そのセラミックスは特に限定さ
れるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ
２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電性材料
膜６′は、上記誘電性材料膜６と同様、誘電性材料から
なっていればその材料は問わず、また高絶縁材料のみな
らず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを
含み、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構
成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限
定されるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２
Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができる
が、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであっ
てもよい。また、第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電
性材料膜６′は同じ材質であってもよい。また、基材４
ａと第１の誘電性材料膜３１との間や第２の誘電性材料
膜６′と凸部７′との間に１以上の中間層を設けること
もできる。この中間層の機能は、前記層５と同様であ
る。
【００４９】凸部７′は第２の誘電性材料膜６′の基板
Ｇ載置領域に一様に分布しており、基板Ｇはこの凸部
７′上に吸着されるようになっている。この第２の誘電
性材料膜６′と凸部７′の形状およびその形成方法は、
上記誘電性材料膜６および凸部７について既に説明した
ものと同様である。なお、このような構造をとらなくて
も、図１に示すサセプタ４の基材４ａを静電チャックの
静電電極とすることにより静電チャックとして機能させ
ることができる。
Ｇ載置領域に一様に分布しており、基板Ｇはこの凸部
７′上に吸着されるようになっている。この第２の誘電
性材料膜６′と凸部７′の形状およびその形成方法は、
上記誘電性材料膜６および凸部７について既に説明した
ものと同様である。なお、このような構造をとらなくて
も、図１に示すサセプタ４の基材４ａを静電チャックの
静電電極とすることにより静電チャックとして機能させ
ることができる。
【００５０】このように、静電チャックにより基板Ｇを
静電吸着するとともに、温調しながら、基板Ｇの処理、
例えばエッチング処理を行う。そしてエッチング処理を
繰り返すことにより、静電チャック上に形成された誘電
性材料膜６表面に付着物が蓄積するが、本実施形態にお
いても、凸部７′がスペーサーの役割をはたすため、付
着物が基板Ｇに接触し難い。したがって、基板Ｇにサセ
プタと接触する部分および付着物と接触する部分ができ
てエッチングむらが生じたり、静電チャックによる静電
吸着を解除した後も基板Ｇがサセプタに固着されるとい
った不都合が防止される。
静電吸着するとともに、温調しながら、基板Ｇの処理、
例えばエッチング処理を行う。そしてエッチング処理を
繰り返すことにより、静電チャック上に形成された誘電
性材料膜６表面に付着物が蓄積するが、本実施形態にお
いても、凸部７′がスペーサーの役割をはたすため、付
着物が基板Ｇに接触し難い。したがって、基板Ｇにサセ
プタと接触する部分および付着物と接触する部分ができ
てエッチングむらが生じたり、静電チャックによる静電
吸着を解除した後も基板Ｇがサセプタに固着されるとい
った不都合が防止される。
【００５１】次に、他の実施形態について説明する。図
５の（ａ）、（ｂ）に示すサセプタ１００は、 基材４
ａと、前記基材４ａ上に形成した層５と、前記層５上に
形成した誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６上の凸部７
とを備えており、基材４ａを貫通して、基材４ａの表面
の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路９９が形
成されている。これによって、凸部間の空間に熱伝導媒
体たとえばヘリウムガスを充満させて基板を一様に冷却
することができ、基板の温度を一様にすることができる
ので、エッチング等のプラズマ処理も基板前面にわたっ
て一様となる。また、エッジ付近に台部１０１が設けら
れており、この台部１０１によって、熱伝導媒体がサセ
プタ以外の領域に拡散することを抑制することができ
る。この台部１０１の表面の高さは、前記凸部７の高さ
以上である。
５の（ａ）、（ｂ）に示すサセプタ１００は、 基材４
ａと、前記基材４ａ上に形成した層５と、前記層５上に
形成した誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６上の凸部７
とを備えており、基材４ａを貫通して、基材４ａの表面
の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路９９が形
成されている。これによって、凸部間の空間に熱伝導媒
体たとえばヘリウムガスを充満させて基板を一様に冷却
することができ、基板の温度を一様にすることができる
ので、エッチング等のプラズマ処理も基板前面にわたっ
て一様となる。また、エッジ付近に台部１０１が設けら
れており、この台部１０１によって、熱伝導媒体がサセ
プタ以外の領域に拡散することを抑制することができ
る。この台部１０１の表面の高さは、前記凸部７の高さ
以上である。
【００５２】図６の（ａ）、（ｂ）に示すサセプタ１０
０′は、台部１０１に溝部１０２を設け、この溝部１０
２に伝熱媒体流路９９の吹出口が設けられているもので
ある。この溝部１０２によっても、熱伝導媒体がサセプ
タ以外の領域に拡散することを抑制することができる。
０′は、台部１０１に溝部１０２を設け、この溝部１０
２に伝熱媒体流路９９の吹出口が設けられているもので
ある。この溝部１０２によっても、熱伝導媒体がサセプ
タ以外の領域に拡散することを抑制することができる。
【００５３】なお、図５および図６のサセプタにおいて
も、上述したように静電チャックを設けることができ
る。
も、上述したように静電チャックを設けることができ
る。
【００５４】図７に示すサセプタ１００″は、図示する
ように平面形状が矩形状であり、複数の凸部７は直交格
子を構成し、前記直交格子のひとつの軸Ｙが前記矩形の
ひとつの辺Ｘとなす角度θが０°を超え４５°以下とし
てある。ここにいう直交格子とは、単位格子（基本格
子）が矩形であるような格子である。ガラス基板等の矩
形の基板には、半導体回路パターンが露光され、エッチ
ングによってその半導体回路パターン等が現像される。
この半導体回路パターン等においては、矩形の各辺に平
行にソースライン、ゲートラインその他が配列されてい
るため、サセプタの各凸部が特定のパターンと重なる
と、その凸部で基板との接触の異常のため、熱伝導や電
界が変動し、エッチングむらを生じる虞がある。このサ
セプタ１００″は、このようなエッチングむらを抑制す
るためのものである。また、このようにエッチングむら
を抑制する観点からは、このような直交格子ではなく、
凸部７が不規則に配置されているものであってもよい。
このようなエッチングむらを抑制するサセプタに図５ま
たは図６の構成を採用することもできる。
ように平面形状が矩形状であり、複数の凸部７は直交格
子を構成し、前記直交格子のひとつの軸Ｙが前記矩形の
ひとつの辺Ｘとなす角度θが０°を超え４５°以下とし
てある。ここにいう直交格子とは、単位格子（基本格
子）が矩形であるような格子である。ガラス基板等の矩
形の基板には、半導体回路パターンが露光され、エッチ
ングによってその半導体回路パターン等が現像される。
この半導体回路パターン等においては、矩形の各辺に平
行にソースライン、ゲートラインその他が配列されてい
るため、サセプタの各凸部が特定のパターンと重なる
と、その凸部で基板との接触の異常のため、熱伝導や電
界が変動し、エッチングむらを生じる虞がある。このサ
セプタ１００″は、このようなエッチングむらを抑制す
るためのものである。また、このようにエッチングむら
を抑制する観点からは、このような直交格子ではなく、
凸部７が不規則に配置されているものであってもよい。
このようなエッチングむらを抑制するサセプタに図５ま
たは図６の構成を採用することもできる。
【００５５】以上のヘリウムガス等の伝熱媒体を吹き出
すための伝熱媒体流路９９を有する図５から図７のサセ
プタを備えた処理装置は、基材４ａを貫通してヘリウム
等の伝熱媒体流路９９は例えばヘリウム源に接続されて
いる以外の点は図１に示した処理装置と同様である。
すための伝熱媒体流路９９を有する図５から図７のサセ
プタを備えた処理装置は、基材４ａを貫通してヘリウム
等の伝熱媒体流路９９は例えばヘリウム源に接続されて
いる以外の点は図１に示した処理装置と同様である。
【００５６】なお、本発明は以上説明した実施形態に限
定されるものではない。例えば、本発明の処理装置につ
いては、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプ
の容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示し
て説明したが、エッチング装置に限らず、アッシング、
ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することが
できるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであ
っても、また容量結合型に限らず誘導結合型であっても
よい。また、被処理基板はＬＣＤガラス基板Ｇに限られ
ず半導体ウエハであってもよい。
定されるものではない。例えば、本発明の処理装置につ
いては、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプ
の容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示し
て説明したが、エッチング装置に限らず、アッシング、
ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することが
できるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであ
っても、また容量結合型に限らず誘導結合型であっても
よい。また、被処理基板はＬＣＤガラス基板Ｇに限られ
ず半導体ウエハであってもよい。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電性材料膜の上に、複数の開口を有する開口板を載置
し、開口板を介してセラミックスを溶射して凸部を形成
するので、基板載置台において、セラミックスからなる
複数の凸部を容易にかつ一様に分布させることができ、
これら凸部がスペーサーの役割をはたし、前記載置台上
に付着物が蓄積しても付着物が被処理基板に接触し難く
なる。したがって、被処理基板裏面に前記載置台が接触
する部分と付着物が接触する部分とができることに起因
したエッチングむらや、被処理基板が前記載置台に吸着
されること等の不都合が生じることを防止することがで
きる。
誘電性材料膜の上に、複数の開口を有する開口板を載置
し、開口板を介してセラミックスを溶射して凸部を形成
するので、基板載置台において、セラミックスからなる
複数の凸部を容易にかつ一様に分布させることができ、
これら凸部がスペーサーの役割をはたし、前記載置台上
に付着物が蓄積しても付着物が被処理基板に接触し難く
なる。したがって、被処理基板裏面に前記載置台が接触
する部分と付着物が接触する部分とができることに起因
したエッチングむらや、被処理基板が前記載置台に吸着
されること等の不都合が生じることを防止することがで
きる。
【００５８】また、基板載置台を矩形とし、複数の凸部
を直交格子を構成し、直交格子の一つの軸が前記矩形の
一つの辺となす角度が０°を超え４５°以下であるよう
に構成する、あるいは不規則に配列するので、基板に形
成された回路パターンと凸部の配列パターンとを重なら
ないようにすることができ、エッチングむら等の処理む
らを回避することができる。
を直交格子を構成し、直交格子の一つの軸が前記矩形の
一つの辺となす角度が０°を超え４５°以下であるよう
に構成する、あるいは不規則に配列するので、基板に形
成された回路パターンと凸部の配列パターンとを重なら
ないようにすることができ、エッチングむら等の処理む
らを回避することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る基板載置台としての
サセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエ
ッチング装置を示す断面図。
サセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエ
ッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置に設けられたサセプタの凸部の形成
方法を説明するための断面図。
方法を説明するための断面図。
【図３】本発明のサセプタ（基板載置台）に付着物が付
着した状態を示す断面図。
着した状態を示す断面図。
【図４】静電チャックを設けた他の実施形態に係るサセ
プタを示す断面図。
プタを示す断面図。
【図５】さらに他の実施形態に係るサセプタを示す断面
図および部分平面図
図および部分平面図
【図６】別の実施形態に係るサセプタを示す断面図およ
び部分平面図
び部分平面図
【図７】また別の実施形態に係るサセプタを示す平面図
【図８】従来のサセプタ上に付着物が付着した状態を示
す断面図
す断面図
１ 処理装置（プラズマエッチング装置） ２ チャンバー（処理室） ３ 絶縁板 ４，１００，１００′，１００″ サセプタ ５ 層 ６ 誘電性材料膜 ６′ 第２の誘電性材料膜 ７，７′ 凸部 １１ シャワーヘッド（ガス供給手段） ２０ 排気装置 ３１ 第１の誘電性材料膜 ３２ 導電層 ２５ 高周波電源（プラズマ生成手段） ６５ 中間部材 ６６ 開口板 ９９ 伝熱媒体流路 １０１ 台部 １０２ 溝部
フロントページの続き (72)発明者 里吉 務 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 伊藤 博道 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA05 HA02 HA03 HA08 HA10 HA16 MA28 MA29 MA32 PA26 PA30
Claims (24)
- 【請求項１】 基材表面に誘電性材料膜を形成する工程
と、 前記誘電性材料膜の上に、複数の開口を有する開口板を
載置し、前記開口板を介してセラミックスを溶射してセ
ラミックスからなる複数の凸部を形成する工程とを含む
ことを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 【請求項２】 前記基材と前記誘電性材料膜との間に１
以上の層を形成する工程をさらに有することを特徴とす
る請求項１に記載の基板載置台の製造方法。 - 【請求項３】 前記凸部を形成する工程は、前記開口板
を前記誘電性材料膜表面から浮かし、前記開口板を介し
て前記セラミックスを溶射して前記凸部を形成すること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板載置
台の製造方法。 - 【請求項４】 前記凸部を形成する工程において、前記
開口板を前記誘電性材料膜表面から浮かすのは、前記開
口板の開口部以外の面積より小さい面積を有するととも
に前記開口板の開口に対応する部分に存在しない中間部
材を前記開口板と前記誘電性材料膜との間に置くことに
よってなされることを特徴とする請求項３に記載の基板
載置台の製造方法。 - 【請求項５】 基材上に第１の誘電性材料膜を形成する
工程と、 前記第１の誘電性材料膜上に導電層を形成する工程と、 前記導電層上に第２の誘電性材料膜を形成する工程と、 前記第２の誘電性材料膜上に、複数の開口を有する開口
板を載置し、前記開口板を介してセラミックスを溶射し
てセラミックスからなる複数の凸部を形成する工程とを
含むことを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 【請求項６】 前記基材と前記第１の誘電性材料膜との
間に１以上の層を形成する工程をさらに有することを特
徴とする請求項５に記載の基板載置台の製造方法。 - 【請求項７】 前記凸部を形成する工程は、前記開口板
を前記第２の誘電性材料膜表面から浮かし、前記開口板
を介して前記セラミックスを溶射して前記凸部を形成す
ることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の基
板載置台の製造方法。 - 【請求項８】 前記凸部を形成する工程において、前記
開口板を前記第２の誘電性材料膜表面から浮かすのは、
前記開口板の開口部以外の面積より小さい面積を有する
とともに前記開口板の開口に対応する部分に存在しない
中間部材を前記開口板と前記第２の誘電性材料膜との間
に置くことによってなされることを特徴とする請求項７
に記載の基板載置台の製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の誘電性材料膜上に１以上の層
を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項
５または請求項６に記載の基板載置台の製造方法。 - 【請求項１０】 前記凸部を形成する工程は、前記開口
板を前記第２の誘電性材料膜上の前記層の表面から浮か
し、前記開口板を介して前記セラミックスを溶射して前
記凸部を形成することを特徴とする請求項９に記載の基
板載置台の製造方法。 - 【請求項１１】 前記凸部を形成する工程において、前
記開口板を前記第２の誘電性材料膜上の前記層の表面か
ら浮かすのは、前記開口板の開口部以外の面積より小さ
い面積を有するとともに前記開口板の開口に対応する部
分に存在しない中間部材を前記開口板と前記第２の誘電
性材料膜上の前記層との間に置くことによってなされる
ことを特徴とする請求項１０に記載の基板載置台の製造
方法。 - 【請求項１２】 基材と、前記基材上に形成された誘電
性材料膜と、前記誘電性材料膜の上に形成されたセラミ
ックスからなる複数の凸部とを備えた基板載置台であっ
て、前記凸部は溶射により形成されたものであることを
特徴とする基板載置台。 - 【請求項１３】 基材と、前記基材上に形成された第１
の誘電性材料膜と、前記第１の誘電性材料膜上に形成さ
れた導電層と、前記導電層上に形成された第２の誘電性
材料膜と、前記第２の誘電性材料膜上に形成されたセラ
ミックスからなる複数の凸部とを備えた基板載置台であ
って、前記凸部は溶射により形成されたものであること
を特徴とする基板載置台。 - 【請求項１４】 前記基材は静電チャックの静電電極と
して機能することを特徴とする請求項１２に記載の基板
載置台。 - 【請求項１５】 前記導電層は静電チャックの静電電極
として機能することを特徴とする請求項１３に記載の基
板載置台。 - 【請求項１６】 前記凸部の上部は、曲面のみからなる
ことを特徴とする請求項１２から請求項１５のいずれか
１項に記載の基板載置台。 - 【請求項１７】 前記凸部の高さは、５０〜１００μｍ
であることを特徴とする請求項１２から請求項１６のい
ずれか１項に記載の基板載置台。 - 【請求項１８】 基板を収容する処理室と、 前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載
置台と、 前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、 前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、前記基板
載置台は請求項１２から請求項１７のいずれかに記載さ
れたものであることを特徴とする処理装置。 - 【請求項１９】 基板を収容する処理室と、 前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載
置台と、 前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、 前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、 前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複
数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数
の凸部は直交格子を構成し、前記直交格子の一つの軸が
前記矩形の一つの辺となす角度が０°を超え４５°以下
であることを特徴とする処理装置。 - 【請求項２０】 基板を収容する処理室と、 前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載
置台と、 前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、 前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、 前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複
数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数
の凸部は不規則に配置されていることを特徴とする処理
装置。 - 【請求項２１】 前記複数の凸部において前記基板が点
接触することを特徴とする請求項１９または請求項２０
に記載の処理装置。 - 【請求項２２】 前記基板載置台は、前記基材を貫通し
て設けられ、前記基材の表面の周縁部に吹出口を有する
複数の伝熱媒体流路を有することを特徴とする請求項１
９から請求項２１のいずれか１項に記載の処理装置。 - 【請求項２３】 前記基板載置台の伝熱媒体流路の外側
に設けられた台部をさらに備え、 前記台部表面の高さは、前記凸部の高さ以上であること
を特徴とする請求項２２に記載の処理装置。 - 【請求項２４】 前記基板載置台の伝熱媒体流路の外側
に設けられた台部と、前記台部に設けられた溝部とをさ
らに備え、 前記台部表面の高さは、前記凸部の高さ以上であり、 前記溝部に前記伝熱媒体流路の吹出口が設けられている
ことを特徴とする請求項２２に記載の処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393918A JP3626933B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-12-26 | 基板載置台の製造方法 |
| US10/067,506 US20020134511A1 (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Substrate supporting table,method for producing same, and processing system |
| KR1020020007113A KR20020066198A (ko) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 기판지지대 및 그 제조방법과 처리장치 |
| TW091102269A TW548691B (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Substrate supporting table, method for manufacturing the same and processing apparatus |
| US11/032,138 US20050120962A1 (en) | 2001-02-08 | 2005-01-11 | Substrate supporting table, method for producing same, and processing system |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-32712 | 2001-02-08 | ||
| JP2001032712 | 2001-02-08 | ||
| JP2001393918A JP3626933B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-12-26 | 基板載置台の製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004121463A Division JP4126286B2 (ja) | 2001-02-08 | 2004-04-16 | 処理装置 |
| JP2004287124A Division JP2005033221A (ja) | 2001-02-08 | 2004-09-30 | 基板載置台および処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313898A true JP2002313898A (ja) | 2002-10-25 |
| JP2002313898A5 JP2002313898A5 (ja) | 2004-10-28 |
| JP3626933B2 JP3626933B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=26609147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001393918A Expired - Lifetime JP3626933B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-12-26 | 基板載置台の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR20020066198A (ja) |
| TW (1) | TW548691B (ja) |
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