CN103149751B - 一种下部电极及其制作方法 - Google Patents
一种下部电极及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103149751B CN103149751B CN201310053249.4A CN201310053249A CN103149751B CN 103149751 B CN103149751 B CN 103149751B CN 201310053249 A CN201310053249 A CN 201310053249A CN 103149751 B CN103149751 B CN 103149751B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- protuberance
- substrate body
- lower electrode
- metal substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
Abstract
本发明提供了一种下部电极及其制作方法,涉及干法刻蚀领域,解决了现有技术中下部电极的陶瓷点和陶瓷层经不同工序形成,陶瓷点与陶瓷层结合强度不高,陶瓷点容易从陶瓷层上脱落的问题。一种下部电极,包括:金属基板和绝缘层,其中,所述金属基板包括:基板本体以及多个设置在所述基板本体上表面的凸出部,所述绝缘层覆盖所述基板本体的上表面以及设置在所述基板本体上表面的凸出部,且在所述凸出部处形成凸出绝缘点。本发明适用于刻蚀装置零部件的设计及制造。
Description
技术领域
本发明涉及干法刻蚀领域,尤其涉及一种下部电极及其制作方法。
背景技术
现有的显示器包括阵列基板、彩膜基板以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中,阵列基板和彩膜基板上分别包括玻璃基板以及设置在所述玻璃基板上包括一定图案的层结构。现有技术中,在玻璃基板上通过镀膜、曝光、刻蚀等工序形成所述层结构,其中,刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀一般在真空环境中进行,并通过一个下部电极支撑玻璃基板,对所述玻璃基板进行刻蚀。如图1所示,现有的下部电极1包括:金属基板2和设置在所述金属基板2上表面的陶瓷层3和凸出于所述陶瓷层3的陶瓷点4。其中在干法刻蚀过程中对所述金属基板传导静电,通过静电吸附作用,使得玻璃基板与下部电极紧密接触。又由于干法刻蚀一般是通过等离子体刻蚀,且在一定电场下进行,所述陶瓷层用于避免金属基板对电场的干扰。所述陶瓷点一方面用于支撑所述玻璃基板,另一方面方便玻璃基板与下部电极之间的气体的流通。
但在干法刻蚀过程中,金属基板具有一定温度,且刻蚀时间比较短,由于陶瓷点与金属基板表面的距离大于陶瓷层与金属表面的距离,致使陶瓷点处的温度低于陶瓷层的温度,在玻璃基板上形成压纹斑点,影响显示效果。此外,现有技术陶瓷层与陶瓷点通过两道工序沉积而成,即先在金属基板上沉积一层陶瓷层,然后在该陶瓷层上沉积陶瓷点,工序比较复杂。同时由于陶瓷点与陶瓷层在不同工序中形成,陶瓷点与陶瓷层结合强度不高,陶瓷点容易从陶瓷层上脱落。
发明内容
本发明的实施例提供一种下部电极及其制作方法,所述下部电极的陶瓷点和陶瓷层经一次工序形成,结合强度高,陶瓷点不易从陶瓷层上脱落。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明提供了一种下部电极,包括金属基板和绝缘层,其中,所述金属基板包括:基板本体以及多个设置在所述基板本体上表面的凸出部,所述绝缘层覆盖所述基板本体的上表面以及设置在所述基板本体上表面的凸出部,且在所述凸出部处形成凸出绝缘点。
可选的,所述基板本体上表面的绝缘层厚度与所述凸出部上表面的绝缘层厚度相等。
可选的,形成所述绝缘层的材料为陶瓷。
可选的,所述凸出部的上表面为平面。
可选的,所述凸出部在所述基板本体的上表面以点阵形式排布。
可选的,所述凸出部与所述金属基板一体成型。
可选的,所述凸出部通过设置其他层形成在所述基板本体的上表面。
本发明实施例提供了形成本发明实施例提供的任一种下部电极的制作方法,包括:
形成具有凸出部的金属基板;
形成覆盖所述基板本体上表面以及所述凸出部的绝缘层。
可选的,通过一次工艺形成包括基板本体和凸出部的金属基板。
可选的,所述金属基板经不同工艺分别形成所述基板本体和所述凸出部。
本发明实施例提供的一种下部电极及其制作方法,所述下部电极的金属基板表面设置有凸出部,陶瓷层在所述凸出部形成陶瓷点,这样陶瓷层和陶瓷点经一次工序形成,结合强度高,陶瓷点不易从陶瓷层上脱落。
附图说明
图1为现有技术中的一种下部电极局部的剖视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种下部电极局部的剖视结构示意图;
图3为图2所示下部电极的金属基板局部的剖视结构示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种下部电极局部的剖视结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种凸出部剖视结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种下部电极的制作方法;
附图标记:
1-下部电极;2-金属基板;3-陶瓷层;4-陶瓷点;5-绝缘层;21-基板本体;22-凸出部;51-凸出绝缘点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
本发明提供了一种下部电极,如图2所示,包括:金属基板2和绝缘层5,所述金属基板2包括:基板本体21以及多个设置在所述基板本体21上表面的凸出部22,如图3所示;
所述绝缘层5覆盖所述基板本体21的上表面以及设置在所述基板本体上表面的凸出部22,且在所述凸出部22处形成凸出绝缘点51。
如图4所示,所述基板本体也可以是如图4所示的台阶状,且在基板本体用于承载物体的上表面设置凸出部。当然,所述基板本体还可以是其他形状,本发明实施例以所述基板本体为图3所示的矩形为例进行详细说明。
本发明实施例提供了一种下部电极,所述下部电极的金属基板包括基板本体以及设置在所述基板本体上表面的凸出部,所述陶瓷层覆盖所述基板本体的上表面以及设置在所述基板本体上表面的凸出部,且在所述凸出部处形成陶瓷点,所述陶瓷点与陶瓷层是通过一次工艺形成,结合强度高,陶瓷点不容易从陶瓷层上脱落。当然,所述下部电极还可以用于镀膜等其他工艺过程中。
所述金属基板包括基板本体和凸出部,则形成所述基板本体和所述凸出部的材料均为金属。且优选的,形成所述基板本体和所述凸出部的材料相同。所述绝缘层可以是由陶瓷、氧化铝或云母等绝缘材料形成,且优选的,形成所述绝缘层的材料为陶瓷,即在所述金属基板上表面形成陶瓷层,则所述凸出绝缘点即形成陶瓷点。且在本发明实施例中,均以绝缘层为陶瓷层为例进行详细说明。
可选的,所述基板本体上表面的绝缘层厚度与所述凸出部上表面的绝缘层厚度相等。这样陶瓷层和陶瓷点的上表面与所述金属基板上表面的距离相等。当所述金属基板具有一定温度时,在陶瓷层和陶瓷点处的温度相同。所述下部电极可用于干法刻蚀,支撑待刻蚀的基板,避免了因陶瓷层和陶瓷点处的温度不同,在基板表面形成压纹斑点的问题,进而提升显示效果。
可选的,所述凸出部的上表面为平面。这样在所述凸出部上面的陶瓷层的厚度与金属基板表面陶瓷层的厚度相同。进而当金属基板具有一定温度时,所述陶瓷层上表面的温度与所述陶瓷点上表面的温度相同。且优选的,所述凸出部的上表面为粗糙平面,例如可以是锯齿状粗糙平面,如图5所示。且当所述凸出部为粗糙平面时,则在所述金属基板上形成的绝缘陶瓷点的上表面与所述凸出部的上表面相同,也为图中所示的粗糙平面。一方面,在干法刻蚀过程中,所述陶瓷点通过多个点与所述玻璃基板接触,减小接触面积。且另一方面,在所述凸出部上再镀陶瓷层能增加陶瓷层的粘附力,不易脱落。
可选的,所述凸出部在所述基板本体的上表面以点阵形式排布。这样一方面有利于在干法刻蚀过程中,玻璃基板与下部电极之间的气体的流通。另一方面放置在所述下部电极上的玻璃基板受力均匀,不会因应力不均而损毁玻璃基板。
可选的,所述凸出部与所述金属基板一体成型。这样形成的凸出部与所述金属基板为一体结构。其中,所述一体成型即通过一次工艺形成,而无需后续加工。例如,可以是通过冲压或模具一次形成。或者,可选的,所述凸出部通过设置其他层形成在所述基板本体的上表面。例如,可以是在所述基板本体的上表面通过焊接或其他方式形成所述凸出部。
可选的,所述陶瓷层还覆盖与基板本体设置有凸出部的表面相邻的侧面。为进一步避免干法刻蚀过程中金属基板对电场的影响。陶瓷层还覆盖所述基板本体与设置有凸出部的表面相邻的侧面,相对于陶瓷层仅覆盖所述金属基板上表面,还可以避免膜层的脱落。
本发明提供了一种下部电极的制作方法,如图6所示,包括:
步骤S101、形成具有凸出部的金属基板。
其中,所述金属基板如图3所示,包括:基板本体21以及凸出部22,所述凸出部22设置在所述基板本体21的上表面。
步骤S102、形成覆盖所述基板本体上表面以及所述凸出部的绝缘层。
其中,在所述金属基板的上表面以及所述凸出部设置绝缘层,则所述绝缘层仅覆盖所述金属基板的上表面以及设置在所述上表面的凸出部,且在所述凸出部处形成凸出绝缘点,如图2所示;当然,还可以在所述金属基板设置有凸出部的表面以及与所述设置有凸出部的上表面相邻的侧面设置绝缘层,则所述绝缘层还覆盖与所述设置有凸出部的上表面相邻的侧面,这样有利于避免绝缘层的脱落。
可选的,通过一次工艺形成所述金属基板。例如可以是通过一次冲压形成,也可以是通过模具一次成型。
或者,可选的,所述金属基板经不同工艺分别形成所述基板本体和所述凸出部。例如,所述金属基板分两次工艺分别形成所述基板本体和所述凸出部,再通过焊接等方式使基板本体与凸出部为一体结构。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种下部电极,包括金属基板和绝缘层,其特征在于,所述金属基板包括:基板本体以及多个设置在所述基板本体上表面的凸出部,所述绝缘层覆盖所述基板本体的上表面以及设置在所述基板本体上表面的凸出部,且在所述凸出部处形成凸出绝缘点,所述凸出部的上表面为粗糙平面。
2.根据权利要求1所述的下部电极,其特征在于,所述基板本体上表面的绝缘层厚度与所述凸出部上表面的绝缘层厚度相等。
3.根据权利要求2所述的下部电极,其特征在于,形成所述绝缘层的材料为陶瓷。
4.根据权利要求2所述的下部电极,其特征在于,所述凸出部在所述基板本体的上表面以点阵形式排布。
5.根据权利要求1-4任一项所述的下部电极,其特征在于,所述凸出部与所述金属基板一体成型。
6.根据权利要求1-4任一项所述的下部电极,其特征在于,所述凸出部通过设置其他层形成在所述基板本体的上表面。
7.一种如权利要求1所述的下部电极的制作方法,其特征在于,包括:
形成具有凸出部的金属基板,所述凸出部的上表面为粗糙平面;
形成覆盖所述基板本体上表面以及所述凸出部的绝缘层。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,通过一次工艺形成包括基板本体和凸出部的金属基板。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述金属基板经不同工艺分别形成所述基板本体和所述凸出部。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310053249.4A CN103149751B (zh) | 2013-02-19 | 2013-02-19 | 一种下部电极及其制作方法 |
US14/386,979 US20150044424A1 (en) | 2013-02-19 | 2013-04-24 | Bottom electrode and manufacturing method thereof |
PCT/CN2013/074644 WO2014127581A1 (zh) | 2013-02-19 | 2013-04-24 | 下部电极及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310053249.4A CN103149751B (zh) | 2013-02-19 | 2013-02-19 | 一种下部电极及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103149751A CN103149751A (zh) | 2013-06-12 |
CN103149751B true CN103149751B (zh) | 2015-09-16 |
Family
ID=48547919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310053249.4A Active CN103149751B (zh) | 2013-02-19 | 2013-02-19 | 一种下部电极及其制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150044424A1 (zh) |
CN (1) | CN103149751B (zh) |
WO (1) | WO2014127581A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103913876B (zh) * | 2014-03-17 | 2017-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置 |
CN104332380B (zh) * | 2014-09-02 | 2017-08-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 用于干法刻蚀设备的电极及其制备方法、干法刻蚀设备 |
CN108133889A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-08 | 上海申和热磁电子有限公司 | 一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法 |
CN113917720B (zh) * | 2021-10-20 | 2022-07-05 | 苏州众芯联电子材料有限公司 | 一种具有致密浮点表面结构的下部电极制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1535473A (zh) * | 2001-04-19 | 2004-10-06 | ���������ƴ���ʽ���� | 干蚀刻方法 |
CN1534737A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 干式蚀刻装置及干式蚀刻方法 |
JP2009064935A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN202307791U (zh) * | 2011-11-15 | 2012-07-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 干刻蚀底部电极及干刻蚀装置 |
CN203084388U (zh) * | 2013-02-19 | 2013-07-24 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种下部电极 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730468B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1995-04-05 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
US5230741A (en) * | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
JP2758755B2 (ja) * | 1991-12-11 | 1998-05-28 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置及び方法 |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
JP3626933B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台の製造方法 |
US6905984B2 (en) * | 2003-10-10 | 2005-06-14 | Axcelis Technologies, Inc. | MEMS based contact conductivity electrostatic chuck |
JP2005340090A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sharp Corp | イオン発生電極およびその製造方法 |
WO2006070446A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Ngk Insulators, Ltd. | 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源 |
US7751115B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-07-06 | Lg Electronics Inc. | Electronic paper display device, manufacturing method and driving method thereof |
KR20090068793A (ko) * | 2007-12-24 | 2009-06-29 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-02-19 CN CN201310053249.4A patent/CN103149751B/zh active Active
- 2013-04-24 US US14/386,979 patent/US20150044424A1/en not_active Abandoned
- 2013-04-24 WO PCT/CN2013/074644 patent/WO2014127581A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1535473A (zh) * | 2001-04-19 | 2004-10-06 | ���������ƴ���ʽ���� | 干蚀刻方法 |
CN1534737A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 干式蚀刻装置及干式蚀刻方法 |
JP2009064935A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN202307791U (zh) * | 2011-11-15 | 2012-07-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 干刻蚀底部电极及干刻蚀装置 |
CN203084388U (zh) * | 2013-02-19 | 2013-07-24 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种下部电极 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103149751A (zh) | 2013-06-12 |
US20150044424A1 (en) | 2015-02-12 |
WO2014127581A1 (zh) | 2014-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203084388U (zh) | 一种下部电极 | |
CN103149751B (zh) | 一种下部电极及其制作方法 | |
TWI308849B (en) | Electrostatic chuck for vacuum processing apparatus, vacuum processing apparatsu havign the same, and method for manufacturing the same | |
CN1752281B (zh) | 制程处理室中阴极的射频接地 | |
CN204905225U (zh) | 基板处理装置 | |
KR101058748B1 (ko) | 정전척 및 그 제조방법 | |
CN103278978B (zh) | 一种液晶显示面板及其制作方法 | |
CN204375716U (zh) | 遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备 | |
CN102023733B (zh) | 触摸屏、彩膜基板及其制造方法 | |
CN101191203B (zh) | 等离子体反应器基板安装表面纹理化 | |
CN105271108A (zh) | 一种晶圆的键合方法 | |
KR20110041334A (ko) | 터치패널용 면상 부재 및 이의 제조 방법 | |
CN109891570A (zh) | 静电卡盘及其制造方法 | |
CN101978473B (zh) | 具有滚轧成型表面的基座和制造所述基座的方法 | |
TW201230889A (en) | Plasma processing apparatus (2) | |
KR20120104841A (ko) | 정전 척 및 그것의 제조 방법 | |
KR20110025686A (ko) | 정전척 및 그 제조방법 | |
KR101515882B1 (ko) | 서셉터 | |
KR20130070623A (ko) | 정전 척 및 그것의 제조 방법 | |
CN108203817B (zh) | Pecvd反应腔以及用于pecvd反应腔的支撑针 | |
CN202025712U (zh) | 用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备 | |
CN113917720B (zh) | 一种具有致密浮点表面结构的下部电极制作方法 | |
CN106024610A (zh) | 一种下部电极、干法刻蚀设备 | |
CN207425822U (zh) | 一种用于功率半导体dpoly工艺的立式炉工艺舟 | |
CN207068834U (zh) | 一种石英基座及物理气相沉积设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |