KR20110025686A - 정전척 및 그 제조방법 - Google Patents

정전척 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110025686A
KR20110025686A KR1020110016888A KR20110016888A KR20110025686A KR 20110025686 A KR20110025686 A KR 20110025686A KR 1020110016888 A KR1020110016888 A KR 1020110016888A KR 20110016888 A KR20110016888 A KR 20110016888A KR 20110025686 A KR20110025686 A KR 20110025686A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
insulating layer
electrostatic chuck
layer
Prior art date
Application number
KR1020110016888A
Other languages
English (en)
Inventor
박용균
조생현
Original Assignee
주식회사 아토
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아토 filed Critical 주식회사 아토
Priority to KR1020110016888A priority Critical patent/KR20110025686A/ko
Publication of KR20110025686A publication Critical patent/KR20110025686A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G02F1/133322—Mechanical guidance or alignment of LCD panel support components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기력을 이용하여 기판을 흡착 고정하는 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 복수 개의 전극부로 분할 형성되고, 상기 복수 개의 전극부들이 동일 극성을 가지도록 DC전원과 연결되는 전극층;을 포함함으로써, 정전기력이 신속하게 발생/해제될 수 있고, 전압차를 방지할 수 있는 정전척 및 그 제조방법을 제시한다.

Description

정전척 및 그 제조방법{ELECTROSTATIC CHUCK AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 정전기력을 이용하여 기판을 흡착 고정하는 기판처리장치의 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 정전척은 정전력에 의하여 기판을 흡착고정하는 구성으로, 플라즈마를 이용하여 진공상태에서 기판을 처리하는 진공처리장치 등 기판에 대한 소정의 공정을 수행하는 기판처리장치에서 기판을 비롯하여 매우 민감한 피고정체를 고정하는데 많이 이용되고 있다.
특히 정전척에 의하여 고정되는 기판 중 하나로는 LCD 패널용 유리기판이 있는데, LCD 패널용 유리기판은 수율성을 높이고 LCD의 대형화 추세에 맞출 수 있도록 대형으로 생산되고 있다. 이와 같이 상기 기판이 대형화됨에 따라, 정전척 또한 기판의 크기에 맞춰 대형화되고 있다.
한편 상기와 같은 정전척은 미세한 패턴의 양극 및 음극을 쌍을 이루어 형성되는 바이폴러타입(bi-polar type), 및 전원의 인가방식에 따라서 단일의 극성을 사용하는 단일극성타입(uni-polar type)이 있다.
그런데 바이폴러타입의 정전척은 세라믹 시트를 소결하여 제조되거나 폴리아미드를 사용하여 제조되는데, 미세한 패턴의 전극에 단락이 형성되거나, 소결 또는 압착에 의한 제조방법 자체의 문제 등 대형의 정전척에 적용하기에 많은 문제점을 가지고 있다.
그리고 단일극성타입의 정전척은 플라즈마 용사에 의하여 제조가 가능하므로 그 제조가 용이하여 널리 사용되고 있다. 그러나 대형화됨에 따라, 정전기력 발생을 위한 전원인가 및 정전기력 해제를 위한 시간이 오래 걸리고, 정전기력 발생을 위한 DC전원의 연결 지점과의 거리가 상대적으로 길어짐에 따라 정전척의 위치에 따라서 전위차가 커지는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, DC전원이 연결되는 전극층을 복수 개로 분할 형성함으로써, 전원인가 및 전원의 제거가 신속하게 이루어질 수 있고, 위치에 따른 전위차를 방지할 수 있는 정전척 및 그 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 복수 개의 전극부로 분할 형성되고, 상기 복수 개의 전극부들이 동일 극성을 가지도록 DC전원과 연결되는 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척을 제시한다.
상기 복수 개의 전극부들은 병렬 구조로 상기 DC전원과 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 DC전원은 복수 개 구비되어, 상기 각각의 전극부에 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한 상기한 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 모재와; 상기 모재 상에 형성되는 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 복수 개의 전극부로 분할 형성되고, 상기 복수 개의 전극부들이 동일 극성을 가지도록 DC전원과 연결되는 전극층과; 상기 전극층의 상측에 형성되는 제2절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척을 제시한다.
상기 모재는 접지되거나, RF전원이 인가되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2절연층 상에는 기판을 지지하는 다수개의 돌기부들이 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한 상기한 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 기판의 중앙부분에 대응되는 중앙 전극부 및 상기 중앙 전극부를 둘러싸도록 형성된 외곽 전극부로 분할 형성되고, 상기 중앙 전극부와 상기 외곽 전극부가 DC전원과 연결되는 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척을 제시한다.
상기 중앙 전극부는 일체로 형성되거나, 복수 개로 분할 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 중앙 전극부는 상기 정전척의 외곽을 향해 연장되어 상기 DC전원과 연결되는 적어도 하나의 연장부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 외곽 전극부는 일체로 형성되거나, 복수 개로 분할 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 중앙 전극부와 상기 외곽 전극부가 서로 동일 극성, 또는 반대 극성을 가지도록 상기 DC전원과 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 중앙 전극부에 인가되는 인가전압의 절대크기는 상기 외곽 전극부에 인가되는 인가전압의 절대크기보다 작거나 같게 구성될 수 있다.
본 발명은 또한 기판의 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 진공챔버와; 상기 기판을 지지하며, 상기와 같은 정전척을 갖는 기판지지부를 포함하는 진공처리장치를 제시한다.
본 발명은 또한 기판의 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 진공챔버와; 상기 기판을 지지하며, 상기와 같은 정전척을 갖는 기판지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 제시한다.
또한 상기한 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 모재 상에, 플라즈마 용사에 의하여 제1절연층을 형성하는 제1절연층 형성단계와; 상기 제1절연층 상에, 복수 개의 전극부로 분할 형성되고 DC전원과 연결되는 전극층을 플라즈마 용사에 의하여 형성하는 전극층 형성단계와; 상기 전극층 상에, 제2절연층을 플라즈마 용사에 의하여 형성하는 제2절연층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법을 제시한다.
상기 전극층 형성단계에서, 상기 복수 개의 전극부는 마스크(mask) 또는 테이프(tape)에 의해 분할 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2절연층의 상면이 편평하게 하는 제2절연층 편평화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2절연층 편평화단계 후, 상기 제2절연층 상에 기판을 지지하는 복수 개의 돌기부들을 형성하는 돌기부 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 정전척 및 그 제조방법은 전극층을 복수 개로 분할 형성함으로써, 기판이 대형화되더라도 동시에 복수 개소에서 전극층에 전원을 인가할 수 있기 때문에 신속하게 정전기력을 발생 및 해제시킬 수 있고, 따라서 기판의 제조시간이 줄어되어 기판의 수율이 향상될 수 있는 이점을 가질 수 있다.
또한 본 발명에 따른 정전척 및 그 제조방법은 전극층을 복수 개로 분할 형성함으로써 전극층의 위치에 따른 전압차를 방지할 수 있기 때문에 기판을 보다 균일하고 안정적으로 흡착 고정할 수 있는 이점을 가질 수 있다.
또한 본 발명에 따른 정전척 및 그 제조방법은 전극층을 외곽 전극부와 중앙 전극부로 분할 형성함으로써, 기판 분리시 기판 외곽부터 먼저 신속하게 분리할 수 있기 때문에 기판의 제조시간이 줄어들어 기판이 수율이 향상될 수 있는 이점을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 정전척이 적용된 진공처리장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 정전척의 전극층 패턴을 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제2 내지 제6실시 예에 따른 정전척의 전극층 패턴을 보여주는 도면들이다.
도 8a 내지 도 8g는 본 발명에 따른 정전척의 제조방법을 보여주는 모식도이다.
이하 본 발명에 따른 정전척이 적용되는 진공처리장치에 관하여 첨부된 도 1을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 정전척이 적용되는 진공처리장치(6)는, 웨이퍼 또는 LCD 패널용 유리기판 등 기판(4)의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간(2)에 가스를 주입하면서 플라즈마를 형성하도록 구성될 수 있다.
상기 진공처리장치(6)는 진공처리를 위한 처리공간(2)을 형성할 수 있도록 챔버본체(6a) 및 챔버본체(6a)와 탈착가능하게 결합되는 커버부재(6b)로 구성되는 진공챔버를 포함할 수 있으며, 상기 진공처리장치(6)의 한변의 길이는 대형의 기판을 처리할 수 있도록 2000mm 이상이 되는 것이 바람직하다. 상기 챔버본체(6a)에는 상기 기판(4)의 출입을 위한 게이트(6c)가 형성된다.
상기 진공처리장치(6)는 처리공간(2)의 상측에 설치되어 처리공간(2)에 가스를 공급하도록 가스공급장치와 가스공급관(12)과 연결되는 가스공급부(10)와, 처리공간(2) 내에 플라즈마를 형성하도록 전원을 인가하는 전원인가부와, 배기 및 압력제어를 위한 배기관(14)에 의하여 진공펌프와 연결되는 배기구(미도시) 등 다양한 모듈 및 장치들(설치물)이 설치될 수 있다.
상기 전원인가부는 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 챔버본체(6a) 및 커버부재(6b)를 비롯하여 가스공급부(10)를 접지하여 구성하는 상부전극과, 후술할 기판지지부(8)에 설치되어 RF전원이 인가되는 하부전극으로 구성될 수 있다.
상기 진공처리장치는 기판(4)을 지지할 수 있도록 상기 처리공간(2)에 설치되는 기판지지부(8)가 설치된다.
상기 기판지지부(8)는 정전기력을 이용하여 상기 기판(4)를 흡착 고정하는 정전척(20)을 포함한다.
또한 상기 기판지지부(8)는 상기 플라즈마에 의한 상기 기판(4)의 진공처리를 위해 온도를 높이거나 처리공정에서 발생하는 열을 냉각할 수 있도록, 정전척(20)의 하측에 결합되어 온도 제어를 위한 전열유체가 흐르는 유로가 형성된 쿨링 플레이트(cooling plate)(30)를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 기판지지부(8)는 챔버본체(6a)가 접지되어 구성될 수 있는바, 정전척(20)이 챔버본체(6a)와 절연될 수 있도록 정전척(20)과 챔버본체(6a) 사이에 절연부재(40)가 추가로 설치될 수 있다.
상기 절연부재(40)는 상술한 바와 같이 쿨링 플레이트(20)가 설치되는 경우, 쿨링 플레이트(30)의 하측에 결합되는 것이 바람직하다.
*또한 상기 기판지지부(8)는 절연부재(40)의 하측에 결합되고 진공챔버(6)의 저면에 설치된 플랜지(60)에 의해 지지되는 베이스 플레이트(50)를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 진공처리장치는 상기 기판(4)을 기판지지부(8)로부터 승하강시키기 위한 리프트핀 등이 설치될 수 있다.
이하 본 발명에 따른 정전척에 관하여 첨부된 도 2 및 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.
상기 정전척(20)은 쿨링 플레이트의 상측에 결합되는 모재(22)와, 모재(22) 상에 형성되는 제1절연층(25)과, 제1절연층(25) 상에 형성되고 정전기력이 발생될 수 있도록 DC전원(D)과 연결되는 전극층(26)과, 전극층(26) 상에 형성되는 제2절연층(27)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 정전척(20)은 기판을 지지하고 온도 제어를 위해 기판과 제2절연층(27) 사이에 열을 전달하는 헬륨(He) 등의 전열가스가 충진될 수 있도록 제2절연층(27)으로부터 돌출 형성된 다수개의 돌기부(28)들을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 정전척(20)의 가장자리에는 기판(4)의 가장자리부분의 지지하는 댐(dam; 29)이 형성될 수 있다.
상기 모재(22)는 접지되거나 RF전극이 인가되어 전원인가부의 하부전극으로 기능할 수 있도록 금속재질로 형성될 수 있다.
상기 제1절연층(25) 및 제2절연층(27)은 정전척으로서의 기능을 수행하기 위하여 소정의 유전율을 가지도록 다양한 재질이 사용될 수 있으며, 세라믹 재질, 보다 정확하게는 알루미나 세라믹(Al2O3) 등이 사용될 수 있다.
상기 전극층(26)은 일체형으로 형성될 수도 있지만, 정전기력을 신속하게 발생시키고 전압차가 생기지 않도록 복수 개의 전극부(26A)로 분할 형성되는 것이 보다 바람직하다.
상기 복수 개의 전극부(26A)들은 상기 정전척(20)의 크기 등의 설계 조건에 따라, 각각의 전극부(26A)의 형상, 각각의 전극부(26A)의 크기, 분할 개수, 패턴(pattern) 등이 결정될 수 있다.
즉, 상기 복수 개의 전극부(26A)들은 3개로 구성되고, 직사각형 형상으로 동일하게 형성되며, 일렬로 형성될 수 있다.
또는 다른 실시 예로써 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개의 전극부(26A)들은 8개로 구성되고, 삼각형상으로 동일하게 형성되고, 2개씩 짝을 이루어 사각 패턴을 형성함과 아울러 사각 패턴을 이룬 한 쌍의 전극부(26A)들이 좌우, 전후로 균일하게 복수 쌍 형성될 수 있다.
또는 또 다른 실시 예로써 상기 복수 개의 전극부(26A)들은 분할 개수가 한정되지 않고, 원형, 다각형, 부정형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 규칙적인 패턴(pattern)으로 형성될 수도 있고 불규칙한 패턴(pattern)으로 형성될 수 있는 등 다양하게 변형되어 형성될 수 있다.
상기와 같은 복수 개의 전극부(26A)들은 병렬 구조로 상기 1개의 DC전원(D)과 연결됨으로써, 동시에 동일한 전압의 상기 DC전원(D)을 인가받는 것이 바람직하다.
물론, 상기 복수 개의 전극부(26A)들이 둘 이상의 DC전원(D) 중 어느 하나와 선택적으로 연결되는 것도 가능하다. 즉 이러한 일 예로써 상기 복수 개의 전극부(26A)들의 개수만큼 상기 DC전원(D)이 복수 개 구성될 수 있다. 하지만 이 경우, 상기 복수 개의 전극부(26A)들에 연결되는 DC전원(D)의 전위가 상이하기 때문에, 상기 복수 개의 전극부(26A)들 간 전위차가 생길 수 있고, 상기 DC전원(D) 연결을 위한 회로가 복잡해지며, 상기 복수 개의 전극부(26A)들을 정밀하게 동시 제어하는 것이 어렵다는 단점을 가진다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시 예로써 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 전극층(26)은 상기 정전척(20)의 중앙에 형성되는 중앙 전극부(26B)와, 상기 중앙 전극부(26B)를 둘러싸도록 형성되어 상기 정전척(20)의 외곽에 형성되는 외곽 전극부(26C)로 구성될 수 있다.
이때, 상기 중앙 전극부(26B)는 기판의 중앙부분에 대응되며, 일체형, 즉 1개로 형성될 수도 있고(도 6 및 도 7 참조), 둘 이상의 복수 개로 분할 형성될 수도 있다.
상기 외곽 전극부(26C) 또한 일체형, 즉 1개로 형성될 수도 있고(도 5 참조), 둘 이상의 복수 개로 분할 형성될 수도 있다(도 6 및 도 7 참조).
그리고, 상기 중앙 전극부(26B)와 상기 외곽 전극부(26C)는 상술한 제1 내지 제 3실시 예와 같이 서로 동일한 극성(도 2 참조; 도 2에서는 DC전원(D)의 +전극이 인가되는 것으로 도시하였으나, DC전원(D)의 -전극이 인가될 수 있음은 물론이다)을 갖도록 상기 DC전원(D)과 연결되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않고 설계 조건에 따라 서로 반대 극성을 갖도록 상기 DC전원(D)과 연결되는 것도 가능하다.
이와 같이 상기 전극층(26)을 상기 중앙 전극부(26B)와 상기 외곽 전극부(26C)로 분리하게 되면, 다음과 같이 더 탁월한 이점을 가질 수 있다.
먼저 기판(4) 및 정전척(20) 사이에 헬륨과 같은 전열가스가 채워지게 되는데 전열가스의 공급압력으로 인하여 기판(4)의 가장자리 부분에서 전열가스의 누출이 발생될 수 있다.
이때 상기 중앙 전극부(26B)와 상기 외곽 전극부(26C)로 분리된 경우 중앙 전극부(26B)에 인가되는 인가전압(V1)의 절대크기를 외곽 전극부(26C)에 인가되는 인가전압(V2)의 절대크기보다 작거나 같게 함으로써 기판(4)의 가장자리 부분에서 전열가스의 누출을 방지할 수 있게 된다.
상기 기판(4)을 분리할 때에는, 상기 기판(4)을 보다 용이하고 안전하게 분리하기 위해서, 상기 리프트핀에 의해 상기 기판(4)의 외곽을 먼저 들어올린 후 상기 기판(4)의 중앙을 들어올린다. 따라서, 이와 같은 방법으로 상기 기판(4)을 들어올리는데 보다 적합하도록, 상기 전극층(26)을 상기 중앙 전극부(26B)와 상기 외곽 전극부(26C)로 분할하는 것이 보다 바람직하다.
나아가, 상기 외곽 전극부(26C)는 일체형인 경우(도 5 참조) 그 잔류 정전기력이 상기 중앙 전극부(26B)보다 신속하게 제거될 수 있도록, 상기 중앙 전극부(26C)의 크기보다 더 작게 형성되거나, 복수 개로 분할 형성(도 6 및 도 7 참조)되는 것이 바람직하다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 전극층(26)은 상기 중앙 전극부(26B) 및 상기 외곽 전극부(26C)로 분할 형성됨과 아울러, 상기 중앙 전극부(26B)에 상기 정전척(20)의 외곽을 향해 연장되어 상기 DC전원(D)과 연결되는 연장부(26D)가 더 형성될 수 있다. 따라서, 상기 DC전원(D)이 상기 정전척(20)의 가장자리로만 연결되는 경우 등에 대응하여, 상기 중앙 전극부(26B)에 용이하게 상기 DC전원(D)을 연결할 수 있어 바람직하다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 정전척의 제조방법에 관하여 첨부된 도 8a 내지 도 8g를 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이 준비된 상기 모재(22) 상에, 플라즈마 용사 방법 등에 의해 상기 제1절연층(25)을 형성하는 제1절연층 형성단계를 실시한다. 이때, 상기 제1절연층(25)은 상기 전극층(26)이 형성되는 상기 모재(22)의 상면에만 형성될 수 있고, 필요에 따라 상기 모재(22)의 측면에까지 형성될 수도 있다.
다음, 도 8b 내지 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 제1절연층(25) 상에, 상기 전극층(26)을 형성하는 전극층 형성단계를 실시한다.
이때 상기 전극층(26)을 다양한 방법으로 상기 복수 개의 전극부(26A)들로 분할 형성할 수 있다. 바람직한 일 예로써, 먼저 도 8b에 도시된 바와 같이 마스크(mask)(100) 또는 테이프(tape) 등에 의해 상기 제1절연층(25) 상에 상기 복수 개의 전극부(26A)들의 경계 영역을 상기 전극부(26A)들이 형성되지 않도록 차폐한다. 그리고, 도 8c에 도시된 바와 같이 플라즈마 용사방법 등에 의해 상기 복수 개의 전극부(26A)들을 형성한다. 다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이 상기 마스크(100) 또는 테이프 등을 제거하면, 상기 복수 개의 전극부(26A)들로 분할 형성된 전극층(26)을 형성할 수 있다.
상기 전극층(26)이 형성되고 나면, 도 8e에 도시된 바와 같이 상기 전극층(26) 상에 플라즈마 용사방법 등에 의해 상기 제2절연층(27)을 형성한다. 이때, 상기 제2절연층(27)은 상기 전극층(26)과 대응되는 부분만 형성될 수도 있지만, 상기 모재(22)가 절연될 수 있도록 상기 모재(22)의 측면까지 형성되는 것이 보다 바람직하다.
한편, 상기 제2절연층(27) 형성 후에는, 도 8e의 확대 도면에서는 보는 바와 같이, 상기 복수 개의 전극부(26A)들이 분할 형성됨으로써 상기 복수 개의 전극부(26A)들의 경계 영역에 대응하여 상기 제2절연층(27)의 함몰 부분(도 8e의 'A'참조)이 생긴다.
따라서, 상기 제2절연층(27) 형성 후에는, 도 8f에 도시된 바와 같이 연마방법 등에 의해 상기 제2절연층(27)의 상면을 편평하게 하는 제2절연층 편평화단계를 실시하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 도 8f의 확대 도면에서 보는 바와 같이, 상기 제2절연층 편평화단계에 의해 상기 제2절연층(27)이 점선으로 도시된 상태에서 실선으로 도시된 바와 같이 편평하게 형성될 수 있다.
상기 제2절연층(27) 편평화단계 후, 기판의 중앙부분에 대응되는 플라즈마 용사방법 등에 의해 상기 제2절연층(27) 상에 기판을 지지하는 복수 개의 돌기부(28)들을 형성하는 돌기부 형성단계를 실시하면, 상기 정전척(20)의 제조공정이 완료된다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 정전척은 진공처리장치 이외에 기판에 대한 소정의 공정을 수행하는 기판처리장치에 사용될 수 있음은 물론이다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
2; 처리공간 4; 기판
6; 진공챔버 10; 가스공급부
20; 정전척 22; 모재
25; 제1절연층 26; 전극층
26A; 전극부 27; 제2절연층
28; 돌기부 30; 쿨링 플레이트

Claims (1)

  1. 금속재질의 모재와; 상기 모재 상에 형성되는 세라믹 재질의 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 복수 개의 전극부들로 분할 형성되고, 상기 복수 개의 전극부들이 동일 극성을 가지도록 DC전원과 연결되어 상기 DC전원의 인가 및 제거가 신속하게 이루어지도록 하는 전극층과; 용사에 의하여 상기 전극층의 상측에 일체로 형성되는 세라믹 재질의 제2절연층을 포함하며,
    기판을 지지하고 온도 제어를 위해 기판과 상기 제2절연층 사이에 열을 전달하는 전열가스가 충진될 수 있도록 상기 제2절연층으로부터 다수개의 돌기부들이 돌출 형성되며, 그 가장자리에는 기판의 가장자리부분을 지지하는 댐이 형성되며,
    상기 복수개의 전극부들은 기판의 중앙부분에 대응되는 중앙 전극부 및 상기 중앙 전극부를 둘러싸도록 형성된 하나 이상의 외곽 전극부를 포함하며,
    상기 중앙 전극부와 상기 외곽 전극부는 상기 DC전원과 연결되며,
    상기 중앙 전극부에 인가되는 인가전압의 절대크기는 상기 외곽 전극부에 인가되는 인가전압의 절대크기보다 작거나 같게 하여 기판의 가장자리부분에서 전열가스의 누출이 방지되는 것을 특징으로 하는 정전척.
KR1020110016888A 2011-02-25 2011-02-25 정전척 및 그 제조방법 KR20110025686A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110016888A KR20110025686A (ko) 2011-02-25 2011-02-25 정전척 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110016888A KR20110025686A (ko) 2011-02-25 2011-02-25 정전척 및 그 제조방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080092409A Division KR101058748B1 (ko) 2008-09-19 2008-09-19 정전척 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110025686A true KR20110025686A (ko) 2011-03-10

Family

ID=43933128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110016888A KR20110025686A (ko) 2011-02-25 2011-02-25 정전척 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110025686A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9842781B2 (en) 2014-12-09 2017-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck system and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
WO2019173497A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck having electrode on portion thereof
US11658010B2 (en) 2019-08-21 2023-05-23 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus including the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9842781B2 (en) 2014-12-09 2017-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck system and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
WO2019173497A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck having electrode on portion thereof
US11658010B2 (en) 2019-08-21 2023-05-23 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101058748B1 (ko) 정전척 및 그 제조방법
JP7444842B2 (ja) ピクセル型温度制御式基板支持アセンブリ
JP6207780B2 (ja) ピクセル化された容量制御ｅｓｃ
TWI797151B (zh) 以可變電壓將電壓耦合至晶圓的空間分段部分的基板支撐組件及處理腔室
TWI651798B (zh) 載置台及電漿處理裝置
CN101405857B (zh) 承载基片的装置和方法
TWI762551B (zh) 電漿處理裝置
CN101533764A (zh) 喷淋头和基板处理装置
JP2011512021A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20120112147A (ko) 플라즈마 처리 장치
TWI544106B (zh) Electrolyte processing device
CN106783722B (zh) 承载装置及半导体加工设备
KR20120049823A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20110025686A (ko) 정전척 및 그 제조방법
JP6010296B2 (ja) 静電チャック
KR20080010192A (ko) 서로 다른 전위면 사이의 갭에 완충 절연재가 삽입된기판처리장치
JP5313375B2 (ja) プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品
KR102199738B1 (ko) 건식 식각장비용 직냉식 정전척
KR20100064763A (ko) 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR101128826B1 (ko) 무냉각식 상압 플라즈마 장치
TWI836422B (zh) 等離子體蝕刻系統
KR20120104841A (ko) 정전 척 및 그것의 제조 방법
KR20230072079A (ko) 정전척 및 이를 이용한 평판 기판 척킹 방법
TW202336810A (zh) 電漿處理裝置
JP2021022673A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
WITN Withdrawal due to no request for examination