TWI612613B

TWI612613B - 靜電式晶圓吸附座及其製造方法

Info

Publication number: TWI612613B
Application number: TW106108023A
Authority: TW
Inventors: 李家銘; 梁耀祥; 曹榮志; 朱炫權; 蘇賢紘
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2017-03-10
Filing date: 2017-03-10
Publication date: 2018-01-21
Also published as: TW201834130A

Abstract

本揭露提出一種靜電式晶圓吸附座及其製造方法，其中靜電式晶圓吸附座包含具有第一表面的承載座以及複數個突起結構。所述複數個突起結構係分佈在前述第一表面上，且每一個突起結構包含氧化鋁層、黏著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層係埋設於第一表面中，黏著層係設置於氧化鋁層上，而抗磨耗層係設置於黏著層上。上述方法包含將黏著層先沉積於埋設在承載座中之氧化鋁層上，以及將抗磨耗層沉積在黏著層上。

Description

靜電式晶圓吸附座及其製造方法

本揭露是有關於一種靜電式晶圓吸附座及其製造方法，且特別是有關於一種包含具有特定材料組成以及厚度比值的突起結構之靜電式晶圓吸附座及其製造方法。上述靜電式晶圓吸附座具有低磨耗量以及使用壽命長等優點。

在半導體製程中，相較於機械式的夾持系統，利用靜電吸附晶圓的靜電式晶圓吸附座具有不易損壞晶圓的優點。因此，靜電式晶圓吸附座(Electrostatic chuck)常設於製程腔體中，以夾持晶圓從而便於進行如化學氣相沉積、物理氣相沉積或乾式蝕刻等製程。

一般而言，靜電式晶圓吸附座之表面上設有複數個突起結構，突起結構之間的空間可提供氣體的流通，從而利於靜電式晶圓吸附座之加熱元件的熱均勻傳導至每一個突起結構上。然而，由於晶圓在未被靜電式晶圓吸附座吸附前，呈中心微凸的曲面，導致用於吸附晶圓周邊的靜電式晶圓吸附座之突起結構容易被磨耗，甚至是崩壞。磨耗或崩壞的突起結構之厚度減少及/或與晶圓之接觸面積改變，致使被靜電式晶圓吸附座吸附的晶圓受熱不均勻，從而產生擠壓缺陷(Extrusion defect)，使得晶圓表面生成非預定的突出物。因為上述所遭遇之問題，目前於半導體製程中常使用之靜電式晶圓吸附座之使用壽命較短。

鑒於上述種種問題，目前亟需提出一種靜電式晶圓吸附座及其製造方法，其可有效改善靜電式晶圓吸附座之突起結構磨耗和崩壞的缺點，以延長靜電式晶圓吸附座之使用壽命。

因此，本揭露之一態樣是在提供一種靜電式晶圓吸附座，其可透過特定的突起結構，降低靜電式晶圓吸附座使用過程中的磨耗。

本揭露之另一態樣是在提供一種靜電式晶圓吸附座的製造方法，其可製得上述之靜電式晶圓吸附座。

根據本揭露之上述態樣，提出一種靜電式晶圓吸附座。在一實施例中，上述靜電式晶圓吸附座可包含承載座以及複數個突起結構。所述承載座具有第一表面，其中承載座係用於承載晶圓於第一表面上。所述複數個突起結構係分佈在前述第一表面上，且每一個突起結構包含氧化鋁層、黏著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層係埋設於第一表面中，黏著層係設置於氧化鋁層上，而抗磨耗層係設置於黏著層上，用以接觸所述晶圓。

根據本揭露的上述態樣，提出一種靜電式晶圓吸附座的製造方法。在一實施例中，上述方法係首先提供承載座，其具有第一表面，用以承載晶圓於第一表面上，其中承載座的第一表面分別埋設有複數個氧化鋁層，且所述複數個氧化鋁層係自第一表面暴露出來。接著，利用罩幕於每一個氧化鋁層上沉積黏著層。然後，利用上述罩幕於每一個氧化鋁層上的黏著層上沉積抗磨耗層，其中所述抗磨耗層係突出於第一表面。

100‧‧‧靜電式晶圓吸附座

110、210‧‧‧承載座

111、211‧‧‧第一表面

112、212‧‧‧電極

113、213‧‧‧第二表面

114、214‧‧‧加熱元件

120、220‧‧‧突起結構

120A、220A‧‧‧頂表面

122、222‧‧‧抗磨耗層

124、224‧‧‧黏著層

126、226‧‧‧氧化鋁層

126A‧‧‧表面

130‧‧‧冷卻層

132、232‧‧‧冷卻管線

140、240‧‧‧氣體通道

150‧‧‧氣體供應裝置

250‧‧‧罩幕

300‧‧‧方法

310‧‧‧提供具有第一表面和氧化鋁層之承載座

320‧‧‧利用罩幕於氧化鋁層上沉積複數個黏著層

330‧‧‧利用上述罩幕於每一個黏著層上沉積抗磨耗層

T1、T2、T3、T4‧‧‧厚度

W、W2‧‧‧寬度

D、D’‧‧‧距離

藉由以下詳細說明並配合圖式閱讀，可更容易理解本揭露。在此強調的是，按照產業界的標準做法，各種特徵並未按比例繪製，僅為說明之用。事實上，為了清楚的討論，各種特徵的尺寸可任意放大或縮小。

[圖1A]係繪示根據本揭露之實施例所述之靜電式晶圓吸附座的剖面示意圖。

[圖1B]和[圖1C]係繪示本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座之上視圖。

[圖1D]至[圖1F]係繪示本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的承載座和突起結構之局部放大剖面示意圖。

[圖2A]至[圖2C]係繪示根據本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法之各個中間階段的剖面示意圖。

[圖3]係繪示根據本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法之示意流程圖。

以下的揭露提供了許多不同實施例或例子，以實施本揭露之不同特徵。以下所描述之構件與安排的特定例子係用以簡化本揭露。當然這些僅為例子，並非用以做為限制。舉例而言，於描述中，第一特徵形成於第二特徵上方或上，可能包含第一特徵與第二特徵以直接接觸的方式形成的實施例，亦可包含額外特徵可能形成在第一特徵與第二特徵之間的實施例，如此第一特徵與第二特徵可能不會直接接觸。此外，本揭露可能會在各例子中重複元件符號和/或字母。這樣的重複係基於簡化與清楚之目的，以其本身而言並非用以指定所討論之各實施例及/或配置之間的關係。

再者，空間性地相對用語，如“正下方”、“下方”、“較下”、“上方”、“較上”和類似用語，在此係用以簡易描述圖式中之元件或特徵對另一元件或特徵之關係。此些空間性地相對用語意圖包含使用或操作中裝置的不同方位，除圖式中所示的方位。例如：如圖式中的裝置被翻轉，則其所描述為其他元件或特徵下方或正下方的元件會被導向在其他元件或特徵的上方或正上方。因此，例示性的術語“下方”可包含上方或下方。裝置可另外改變其方位(旋轉90°或在其他方位)，而可據以同樣地說明在此所使用之空間性地相對描述。

本揭露之一態樣在於提供一種靜電式晶圓吸附座，其於承載座中的第一表面上分佈有複數個突起結構，且每一個突起結構係由氧化鋁層、黏著層以及抗磨耗層堆疊而成。藉由氧化鋁層與承載座間的接著力，以及黏著層與氧化鋁層間的接著力，強化突起結構與承載座間的接合，並藉由高硬度但與晶圓表面之摩擦係數低的抗磨耗層，可減少突起結構的磨損。因此，本揭露之靜電式晶圓吸附座具有低磨耗量、使用壽命長、減少晶圓於製程中的損壞率等優點。

本揭露此處所稱之晶圓可例如為大塊矽晶圓(Bulk Silicon)、摻雜或未摻雜之絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator；SOI)、或其他類似材料覆於砷鎵、藍寶石、玻璃等絕緣層上。

請參考圖1A，其係繪示根據本揭露之實施例所述之靜電式晶圓吸附座的剖面示意圖。如圖1A所示，靜電式晶圓吸附座100包含承載座110以及複數個突起結構120。承載座110具有第一表面111，用以承載晶圓(未繪示)於第一表面111上。複數個突起結構120係分佈在第一表面111，其中每一個突起結構120包含氧化鋁層黏著層以及抗磨耗層(如圖1D至圖1F所示之氧化鋁層126、黏著層124和抗磨耗層122)。在一些實施例中，複數個突起結構120係均勻分佈於第一表面111上。請參考圖1B和圖1C，其係分別繪示根據本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座之上視圖。在一例子中，複數個突起結構120可例如以螺旋式(如圖1B所示)、同心圓式(如圖1C所示)或其他類似的排列方式，均勻地分佈於承載座110之第一表面111上。

在一些實施例中，承載座110具有相對第一表面111的第二表面113，且靜電式晶圓吸附座100可更包含至少一對電極112、加熱元件114、冷卻層130以及氣體通道140。所述至少一對電極112係埋設於承載座110中並鄰近於第一表面111，加熱元件114係埋設於承載座110中並位於至少一對電極112和第二表面113之間，冷卻層130係設於第二表面113上，且氣體通道140貫穿冷卻層130和承載座110。

在一些實施例中，靜電式晶圓吸附座具有一對電極(如圖1A之電極112)，其中電極112之一者可與電源供應器(未繪示)電性連接，而至電極112之另一者可接地。在一些實施例中，電極112可為環形、條形、楔形、半月形或其他形狀。在一些實施例中，電極112之金屬材料可例如為鉬、鎢、上述之組合、鉬基合金或鎢基合金，其中所述鉬基合金或鎢基合金可例如包含鎳或鈷。特別說明的是，本揭露此處雖僅繪示一對電極，然根據使用需求、靜電式晶圓吸附座之設計等，可使用二或更多對的電極，本揭露之圖式並非用以限制本揭露的範圍。

在一些實施例中，加熱元件114係與加熱裝置(未繪示)耦合，以利用加熱裝置調整靜電式晶圓吸附器100之溫度。在一些實施例中，加熱元件114之材料可例如為加熱分解成之石磨(Pyrolytic Graphite)、金屬材料或其他導熱性佳的材料。

在一些實施例中，冷卻層130可例如以螺固的方式與承載座110接合。在一些實施例中，冷卻層130包含冷卻管線132，以提供冷卻水之流通。

在一些實施例中，氣體通道140可與氣體供應裝置150連通，提供氣體以均勻傳導加熱元件114之產熱至每個突起結構120上。在一些例子中，所述氣體可例如但不限於氬氣、氦氣、氮氣、其他惰性氣體或上述之任意組合。

接著請參考圖11D，其係繪示本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的承載座110和突起結構120之局部放大剖面示意圖。如圖1D所示，突起結構120係分佈於第一表面111上，且突起結構120包含氧化鋁層126、黏著層124和抗磨耗層122，其中氧化鋁層126係埋設於第一表面111中，且氧化鋁層126之表面126A與第一表面111對齊。黏著層124係設置於氧化鋁層126上，而抗磨耗層122設置於氧化鋁層126上之黏著層124上，抗磨耗層122係用以接觸晶圓(未繪示)。換言之，黏著層124和抗磨耗層122突出承載座110的第一表面111。

請參考圖1E，其係繪示本揭露之另一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的承載座110和突起結構120之局部放大剖面示意圖。如圖1E所示，突起結構120係分佈於第一表面111上，且突起結構120包含氧化鋁層126、黏著層124和抗磨耗層122，其中氧化鋁層126係埋設於第一表面111中，且氧化鋁層126之表面126A係位於承載座110的第一表面111中。黏著層124係設置於氧化鋁層126上，部分之黏著層124突出第一表面111，而抗磨耗層122設置於氧化鋁層126上之黏著層124上，抗磨耗層122係用以接觸晶圓(未繪示)。換言之，部分之黏著層124以及抗磨耗層122係突出承載座110的第一表面111。

請參考圖1F，其係繪示本揭露之又一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的承載座110和突起結構120之局部放大剖面示意圖。如圖1F所示，突起結構120係分佈於第一表面111上，且突起結構120包含氧化鋁層126、黏著層124和抗磨耗層122，其中氧化鋁層126係埋設於第一表面111中，且氧化鋁層126之表面126A係突出於承載座110的第一表面111。黏著層124係設置於氧化鋁層126上，而抗磨耗層122設置於氧化鋁層126上之黏著層124上，抗磨耗層122係用以接觸晶圓(未繪示)。換言之，部分之氧化鋁層126、黏著層124以及抗磨耗層122係突出承載座110的第一表面111。

在一實施例中，承載座110係由氮化鋁(AlN)所組成，黏著層124為金屬鈦(Ti)層以及抗磨耗層122為氮化鈦(TiN)層。特別說明的是，本揭露此處所稱之抗磨耗層122(或稱氮化鈦層)具有相對高的硬度，且與晶圓表面的摩擦係數低(例如約為0.354)，故可有效降低應用於半導體製程中，靜電式晶圓吸附座的突起結構磨耗量。另一方面，本揭露此處所稱之黏著層124(或稱金屬鈦層)，針對氧化鋁和氮化鈦都有良好的黏著性，因此黏著層124可有效加強突起結構120與承載座110的接合性。因此，倘若任意改變上述任一種材料，則有造成突起結構硬度不足、與晶圓接觸面摩擦力增加、靜電式晶圓吸附座磨耗量變高，或是突起結構與承載座接合性不佳等缺點。

在一些實施例中，抗磨耗層122具有厚度T1，黏著層124具有厚度T2，且抗磨耗層122與黏著層124之厚度比值(即厚度T1/厚度T2)為6至34。倘若上述厚度比值小於6，高硬度的抗磨耗層122之厚度不足，致使靜電式晶圓吸附座100使用壽命短。倘若上述厚度比值大於34或未使用黏著層124，突起結構120容易從承載座110上崩落。再者，黏著層124的厚度越薄，抗磨耗層122越容易受到氧化鋁層126的表面粗糙度影響，因此也會增加抗磨耗層122的磨耗量。

在一些實施例中，突出結構120之頂表面120A與第一表面111之間可具有3.25μm至4.25μm之距離D(如圖1D至圖1F所示)。在其他實施例中，突出結構120可具有2.2μm至2.4μm之寬度W。倘若突出結構120之頂表面120A與第一表面111之間的距離D少於3.25μm，由氣體供應裝置150所產生的氣體，容易溢散而無法於每一突起結構120之間流動，從而無法均勻傳導加熱元件114的熱至每一突起結構120上。另一方面，倘若上述距離D大於4.25μm，易有突起結構120的受熱不均的缺點。此外，倘若突起結構120的寬度W小於2.2μm，與晶圓之接觸面積過小，造成靜電吸附力不足。然而，倘若突起結構120的寬度W大於2.4μm，每一突起結構120之間的距離太過密集，而使傳導熱的氣體無法順利流通。

在一些實施例中，抗磨耗層122與黏著層124具有完全相同的截面形狀(如圖1B和圖1C之上視圖的突起結構120所示)，所述截面形狀係指與第一表面111平行之截面的平面。本揭露此處所稱之完全相同係指抗磨耗層122的任一截面與黏著層124的任一截面都可完全重合。在一些實施例中，所述截面形狀可包括但不限於圓形、正方形、長方形或其他幾何形狀。倘若抗磨耗層122與黏著層124的截面形狀不同(例如隨突起結構120遠離第一表面111方向，截面面積漸減)，則在製造晶圓的過程中，晶圓(未繪示)與突起結構120的接觸面積不斷改變，不利於控制製造晶圓的製程條件。

接下來請參考圖2A至圖3，其中圖2A至圖2C係繪示根據本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法之各個中間階段的剖面示意圖，而圖3係繪示根據本揭露之一些實施例所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法300之示意流程圖。特別說明的是，為簡化圖式，本揭露之圖2B與圖2C僅繪示圖2A中所圈示處於製程中的各個中間階段。首先，如圖2A以及圖3所示，在操作310中，提供具有第一表面211的承載座210，用以承載晶圓(未繪示)於第一表面211上，其中承載座210的第一表面211分別埋設有複數個氧化鋁層226，且每個氧化鋁層226係自第一表面211暴露出來。

在一些實施例中，所述承載座210具有相對第一表面211的第二表面213，至少一對電極212係埋設於承載座210中並鄰近第一表面211，加熱元件214係埋設於承載座210並位於至少一對電極212和第二表面213之間，承載座210之第二表面213上更設有冷卻層230，且氣體通道240係貫穿冷卻層230和承載座210。在一實施例中，冷卻層230係螺固地形成於第二表面213上。在一些實施例中，承載座210之材料可為氮化鋁。

上述至少一對電極212、加熱元件214、冷卻層230以及氣體通道240係與前述至少一對電極112、加熱元件114、冷卻層130和氣體通道140之種類、設置方式、功能等相同或相似，故此處不另贅述。

接著，如圖2B以及圖3之操作320所示，利用罩幕250沉積黏著層224於氧化鋁層226上。

然後，如圖2C以及圖3之操作330所示，再次利用罩幕250於氧化鋁層226上的黏著層224上，沉積抗磨耗層222，以形成突起結構220。

特別說明的是，本揭露之方法300所製得的靜電式晶圓吸附座中的氧化鋁層226之表面與第一表面211對齊(類似於圖1D所示之結構)，惟本技術領域具有通常知識者可了解上述實施例僅用以說明本揭露的實施方式，並非用以限制本揭露的範圍。如本揭露圖1E、圖1F或其他上述結構的潤飾之實施例，可透過類似於方法300之製造方法而製得。

在一些實施例中，黏著層224為金屬鈦層以及抗磨耗層222為氮化鈦層。特別說明的是，本揭露此處所稱之抗磨耗層222(或稱氮化鈦層)具有相對高硬度，且與晶圓表面的摩擦係數低(例如約為0.354)，故可有效降低應用於半導體製程中的突起結構220之磨耗量。另一方面，本揭露此處所稱之黏著層224(或稱金屬鈦層)，針對氧化鋁和氮化鈦都有良好的黏著性，因此黏著層224可有效加強突起結構220與承載座210的接合性。因此，倘若任意改變上述任一種材料，則有造成突起結構硬度不足、與晶圓接觸面摩擦力增加、靜電式晶圓吸附座磨耗量變高，或是突起結構與承載座接合性不佳等缺點。

在一些實施例中，上述操作320和操作330可利用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition；PVD)進行。在黏著層224為金屬鈦層以及抗磨耗層222為氮化鈦層的例子中，操作320係首先通入氣化金屬鈦至形成預定厚度的鈦層(或稱黏著層224)後。接著於操作330中，持續通入氣化金屬鈦並額外通入氮氣，以形成預定厚度的氮化鈦層(或稱抗磨耗層222)。上述操作320和操作330可例如於200℃下進行。

在一些實施例中，抗磨耗層222具有厚度T3，黏著層224具有厚度T4，且抗磨耗層222與黏著層224之厚度比值(即厚度T3/厚度T4)為6至34。倘若上述厚度比值小於6，高硬度的抗磨耗層222不足，致使靜電式晶圓吸附座之使用壽命短。倘若上述厚度比值大於34或未形成黏著層224，突起結構220容易從承載座210上崩落。再者，黏著層224的厚度越薄，抗磨耗層222越容易受到氧化鋁層226的表面粗糙度影響，因此也會增加抗磨耗層222的磨耗量。

在一些實施例中，突起結構220的頂表面220A與第一表面211之間可具有3.25μm至4.25μm之距離D’。在其他實施例中，突起結構220可具有2.2μm至2.4μm之寬度W2。倘若突起結構220的距離D’不足3.25μm或大於4.25μm，突起結構220無法均勻受熱。此外，倘若突起結構220的寬度W2小於2.2μm，與晶圓之接觸面積過小，造成靜電吸附力不足。然而，倘若突起結構220的寬度W2大於2.4μm，每一突起結構220之間的距離太過密集，而使傳導熱的氣體無法順利流通。

在一些實施例中，抗磨耗層222與黏著層224具有完全相同的截面形狀(如圖1B和圖1C之上視圖的突起結構120所示)，所述截面形狀係指與第一表面211平行之截面的平面。本揭露此處所稱之完全相同係指抗磨耗層222的任一截面與黏著層224的任一截面完全重合。在一些實施例中，所述截面形狀可包括但不限於圓形、正方形、長方形或其他幾何形狀。倘若抗磨耗層222與黏著層224的截面形狀不同(例如隨突起結構220遠離第一表面211方向，截面面積漸減)，則在製造晶圓的過程中，晶圓(未繪示)與突起結構220的接觸面積不斷改變，不利於控制製造晶圓的製程條件。

在一些實施例中，本揭露之靜電式晶圓吸附座(例如靜電式晶圓吸附座100)可應用於操作溫度為300℃ 至500℃之製程中。在一些實施例中，本揭露之靜電式晶圓吸附座可應用於高產出鋁銅(High throughput AlCu；HTP AlCu)製程、熱沉積鋁銅(Hot-deposited AlCu)製程或其他類似的半導體製程中。

當晶圓為大塊矽晶圓時，在一例子中，突起結構220之頂表面220A與第一表面211之距離D’為3.5μm以及寬度為2.3μm，其中抗磨耗層222的厚度為3μm以及黏著層224的厚度為0.5μm，故抗磨耗層222與黏著層224的厚度比值為6。使上述靜電式晶圓吸附座在350℃下進行磨耗實驗後，靜電式晶圓吸附座的磨耗量為0.193μm。本揭露此處所稱之磨耗實驗係將靜電式晶圓吸附座之突起結構與晶圓來回摩擦數次而進行。

在另一例子中，突起結構220之頂表面220A與第一表面211之距離D’為3.5μm以及寬度為2.3μm，其中抗磨耗層222的厚度為3.4μm以及黏著層224的厚度為0.1μm，故抗磨耗層222與黏著層224的厚度比值為34。使上述靜電式晶圓吸附座在350℃下進行磨耗實驗後，靜電式晶圓吸附座的磨耗量為0.798μm。

在又一例子中，突起結構220之頂表面220A與第一表面211之距離D’為3.5μm以及寬度為2.3μm，其中抗磨耗層222的厚度為3.2μm以及黏著層224的厚度為0.3μm，故抗磨耗層222與黏著層224的厚度比值為11。使上述靜電式晶圓吸附座在350℃下進行磨耗實驗後，靜電式晶圓吸附座的磨耗量為0.372μm。

在又一例子中，本揭露之靜電式晶圓吸附座的使用壽命為0.5年至1.5年。

然而，若使用碳化鈦(TiC)層為抗磨耗層且未包含黏著層的情況下進行磨耗實驗，由於碳化鈦與晶圓表面的摩擦係數約為0.564，所產生的磨耗量高達1.161μm。長期而言，上述具有碳化鈦抗磨耗層的靜電式晶圓吸附座之使用壽命小於半年。

應用本揭露之靜電式晶圓吸附座以及其製造方法，可藉由沉積黏著層於承載座的氧化鋁層上，再沉積抗磨耗層於黏著層上，以形成突起結構。在半導體製程中，上述突起結構因吸附晶圓所造成的磨耗量低，具有使用壽命長、降低晶圓損壞率的優點。

根據一實施例，本揭露提供一種靜電式晶圓吸附座，其可包含承載座以及複數個突起結構。所述承載座具有第一表面，其中承載座係用於承載晶圓於第一表面上。所述複數個突起結構係分佈在前述第一表面上，且每一個突起結構包含氧化鋁層、黏著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層係埋設於第一表面中，黏著層係設置氧化鋁層上，而抗磨耗層係設置於黏著層上，用以接觸所述晶圓。

根據又一實施例，本揭露提供一種靜電式晶圓吸附座的製造方法。上述方法係首先提供承載座，其具有第一表面，用以承載晶圓於第一表面上，其中承載座的第一表面分別埋設有複數個氧化鋁層，且所述複數個氧化鋁層係自第一表面暴露出來。接著，利用罩幕於每一個氧化鋁層上沉積黏著層。然後，利用上述罩幕於每一個氧化鋁層上的黏著層上沉積抗磨耗層，其中所述抗磨耗層係突出於第一表面。

以上敘述已概述數個實施例的特徵，因此熟習此技藝者可更了解本揭露之態樣。熟悉此技藝者應了解到，其可輕易地使用本揭露為基礎，來設計或潤飾其他製程與結構，以實現與在此所介紹之實施例相同的目的及/或達到相同的優點。熟悉此技藝者也應了解到，這類對等架構並未脫離本揭露之精神和範圍，且熟悉此技藝者可在不脫離本揭露之精神和範圍下，進行各種之更動、取代與潤飾。

110‧‧‧承載座

111‧‧‧第一表面

120‧‧‧突起結構

120A‧‧‧頂表面

122‧‧‧抗磨耗層

124‧‧‧黏著層

126‧‧‧氧化鋁層

126A‧‧‧表面

T1、T2‧‧‧厚度

W‧‧‧寬度

D‧‧‧距離

Claims

一種靜電式晶圓吸附座，包含：一承載座，具有一第一表面，用以承載一晶圓於該第一表面上；以及複數個突起結構，分佈在該第一表面上，其中每一該些突起結構包含：一氧化鋁層，埋設於該第一表面中；一黏著層，設置於該氧化鋁層上；以及一抗磨耗層，設置於該黏著層上，用以接觸該晶圓。
如申請專利範圍第1項所述之靜電式晶圓吸附座，其中該抗磨耗層與該黏著層之一厚度比值為6至34。
如申請專利範圍第1項所述之靜電式晶圓吸附座，其中該氧化鋁層係突出該第一表面。
如申請專利範圍第1項所述之靜電式晶圓吸附座，其中該承載座係由氮化鋁所組成，該黏著層為一金屬鈦層，且該抗磨耗層為氮化鈦層。
如申請專利範圍第1項所述之靜電式晶圓吸附座，其中該承載座具有相對該第一表面之一第二表面，且該靜電式晶圓吸附座更包含：至少一對電極，埋設於該承載座中並鄰近於該第一表面；一加熱元件，埋設於該承載座中並位於該至少一對電極和該第二表面之間；一冷卻層，設於該第二表面上；以及一氣體通道，貫穿該冷卻層以及該承載座。
一種靜電式晶圓吸附座的製造方法，包含：提供一承載座，其中該承載座具有一第一表面，用以承載一晶圓於該第一表面上，其中該承載座的該第一表面分別埋設有複數個氧化鋁層，該些氧化鋁層並自該第一表面暴露出來；利用一罩幕於每一該些氧化鋁層上沉積一黏著層；以及利用該罩幕於每一該些氧化鋁層上之該黏著層上沉積一抗磨耗層，其中該抗磨耗層係突出於該第一表面。
如申請專利範圍第6項所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法，其中該抗磨耗層與該黏著層之一厚度比為6至34。
如申請專利範圍第6項所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法，其中該氧化鋁層係突出該第一表面。
如申請專利範圍第6項所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法，其中該承載座係由氮化鋁所組成，該抗磨耗層為氮化鈦層，且該黏著層為一金屬鈦層。
如申請專利範圍第6項所述之靜電式晶圓吸附座的製造方法，其中該沉積該黏著層以及該沉積該抗磨耗層之步驟係利用物理氣相沉積進行。