JP6060476B2 - 電極形成方法 - Google Patents
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Description
(1)表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属を被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。
(2)表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属及び配線用金属膜を順次被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。
(3)上記金属層は、Tiであることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
(4)上記炭化珪素基板は、表面に金属シリサイドが形成された炭化珪素基板であることを特徴とする(1)ないし(3)のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
(5)上記金属シリサイドは、ニッケルシリサイドであることを特徴とする(4)に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
(6)上記炭化珪素基板のアニールは、500K以上で行うことを特徴とする(1)ないし(5)のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
(7)上記炭化珪素基板のアニールは、真空中で行うことを特徴とする(1)ないし(6)のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
(本発明の原理)
炭化珪素半導体基板上に形成されているグラファイト層とカーバイドを形成することが可能な金属膜との接合状態を説明するための断面図を図1に示す。
炭化珪素基板1の表面にグラファイト層2が形成された場合(図2(a))、図2(b)に示すようにカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積し、続けて配線用金属膜5として任意の必要な金属を単層もしくは複数層堆積させることにより、カーバイドを形成することが可能な金属層3と配線用金属膜5間の密着力は保障される。さらに堆積し終わった後、室温より高い温度でアニールすることで剥離の原因となるグラファイト層2を堆積しカーバイドを形成することが可能な金属層3の金属と反応させる。
図2(c)に示すようにカーバイド層4を炭化珪素基板1とカーバイドを形成することが可能な金属層3の間に形成することで、配線用金属膜の金属を自由に選択して炭化珪素半導体装置を製造することができ、且つ剥離を抑制することができる。
特に、図3(a)に示すようにオーミック電極を形成するために金属、例えばカーボンと反応しにくいNi、を堆積した後アニールを行い炭化珪素基板1と金属膜6の界面で反応させると、図3(b)に示すように金属膜6が薄い場合は、金属シリサイドとグラファイトのいずれか複数を含む混合層7が形成され表面にグラファイト層2が形成されやすい。
ここで、図3(c)に示すようにカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積し、続けて配線用金属膜5として必要な金属を複数層堆積、さらに図3(d)に示すように堆積し終わった後室温より高い温度でアニールすることでカーバイド層4を形成し、剥離の原因となるグラファイト層2を無くし剥離を抑制することを特徴としている。
図4は本発明に係る第一の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第一の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。
なお、蒸着後高温処理を行うことにより熱膨張率の違いにより引き起こされる応力の影響も無くなり密着力が高くなる。
図5は本発明に係る第二の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第二の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。
図6は本発明に係る第三の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第三の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。
2 グラファイト層
3 カーバイドを形成することが可能な金属層
4 カーバイド層
5 配線用金属膜
6 金属
7 金属シリサイドと金属カーバイドとグラファイトのいずれか複数を含む混合層
8 カーバイドを形成する金属としてTiを使用した膜
9 TiC
10 配線用Ni膜
11 配線用Au膜
12 オーミック電極用Ni
13 Niシリサイドとカーボンが混合した層
Claims (2)
- 真空中において、表面に、グラファイトを含むグラファイト層が形成されている炭化珪素基板上に、Ti膜およびNi膜を順次形成する第1の工程と、
前記第1の工程に引き続き真空中において、アニール処理をすることにより、前記グラファイト層とTi膜の間で反応させて、TiC層を前記炭化珪素基板と前記Ti膜との間に形成することにより、前記グラファイトを除去し、前記炭化珪素基板と前記TiC層の界面および前記TiC層と前記Ti膜の界面を結合させる第2の工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素基板への電極形成方法。 - 前記第1の工程において、前記Ni膜に引き続きAu膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。
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