JP2011176183A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011176183A JP2011176183A JP2010039950A JP2010039950A JP2011176183A JP 2011176183 A JP2011176183 A JP 2011176183A JP 2010039950 A JP2010039950 A JP 2010039950A JP 2010039950 A JP2010039950 A JP 2010039950A JP 2011176183 A JP2011176183 A JP 2011176183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- ohmic electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 39
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 35
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0485—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 オーミック電極は、鉄(Fe)を主成分とするFe系電極層を含んでいる。Fe系電極層は、オーステナイトもしくはマルテンサイトを少なくともその一部に有しているため、カーボンを固溶して取り込むことができる。Fe系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがSiC半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してSiC半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。
【選択図】 図1
Description
SiC + 2Ni → Ni2Si + C … (1)
図6は、半導体装置500の断面を模式的に示す図である。半導体装置500は、ダイオードであって、SiC半導体基板50は、SiCを材料とするN型の基板層501と、基板層501の表面に積層され、SiCを材料とするN型のエピタキシャル層502と、エピタキシャル層502の表面に設けられたP−層508とを備えている。P−層508は、周辺耐圧構造として設けられたJTE(Junction Terminal Extension)構造である。
直径φ=100mm、厚さ:350μmの4H−SiCのN型の半導体ウェハは、裏面側が(000−1)面となっている。この半導体ウェハの表面に、N型のエピタキシャル層(不純物濃度:5×1015cm−3、層厚さ:10μm)を成膜し、図6に示すSiC半導体基板50の素子構造を形成した。エピタキシャル層の表面に、Alイオン注入およびアニール処理を行って、周辺耐圧構造であるP−層508となる半導体層を形成した。P−層508となる半導体層は、P−型のJTE構造(不純物濃度:1×1019cm−3、幅:50μm、深さ:1μm)として形成した。
まず、図7に示すように、原料ウェハ60の裏面に、Ni層611、Fe層612、Ni層613の順序で、それぞれ電極層を成膜し、オーミック電極層610とした。成膜方法としては蒸着法を用い、Ni層611を50nm、Fe層612を100nm、Ni層613を50nm成膜した。
高真空のファーネスアニーリング装置で、オーミック電極のシンター処理工程を行った。シンター処理は、常圧のAr雰囲気下、1000℃のシンター処理温度で30分間行った。昇温速度は100℃/minとし、降温速度は100℃/minとした。
次に、原料ウェハの表面側(層間絶縁膜が形成されている側)に、120℃で蒸着法を用いて、Mo層を100nm成膜した。さらに、成膜したMo層のうち、エッチングしない部分のMo層の表面に、パターニングされたフォトレジストを形成した。次に、リン酸/硝酸/酢酸溶液を用いて、Mo層の一部をエッチングによって除去した。これによって、図8に示すように、表面電極504となるMo電極層620を形成した。
次の接合電極形成工程では、図9に示すように、各接合電極505,507を形成する。まず、スパッタによって、原料ウェハの表面側に、Al層を4μmの厚さに形成した。さらに、成膜したAl層のうち、エッチングしない部分のAl層の表面に、パターニングされたフォトレジストを形成した。次に、リン酸/硝酸/酢酸溶液を用いて、Al層の一部をエッチングによって除去した。これによって、表面接合電極505となるAl電極層を形成した。次に、スパッタ法によって、原料ウェハの裏面側から順に、Ti層を100nm、Ni層を100nm、Au層を50nm形成し、裏面接合電極507となるTi/Ni/Au積層電極層を形成した。
さらに、ダイシング等を行って、チップサイズが6mm×6mmで、アクティブサイズが5.5mm×5.5mmのダイオードを製造した。これによって、図6に示すような半導体装置500を製造した。
比較例では、オーミック電極の成膜工程において、実施例1と異なっており、その他は実施例1と同様である。比較例では、オーミック電極として、原料ウェハ60の裏面に接するNi層を成膜し、オーミック電極層とした。成膜方法としては蒸着法を用い、Ni層は、100nm成膜した。
実施例1の製造方法によって製造した半導体装置を用いて、裏面側(オーミック電極が形成されている側)のコンタクト抵抗を測定したところ、コンタクト抵抗は、5×10−5Ω/cm2であった。また、裏面接合電極(Ti/Ni/Au積層電極層)に対してピーリング試験を実施したところ、裏面接合電極が剥離しないことを確認できた。
100 Fe−Ni電極層
110 Fe系電極層
111 Fe層
112 Ni層
120 オーミック電極
121 電極層
122 Fe系電極層
500 半導体装置
501 基板層
502 エピタキシャル層
504 表面電極
505 表面接合電極
506 裏面電極
507 裏面接合電極
508 P−層
510 層間絶縁膜
512 コンタクトホール
Claims (5)
- 炭化ケイ素を材料とする半導体基板と、
半導体基板にオーミック接合するオーミック電極とを備えた半導体装置であって、
オーミック電極は、鉄(Fe)を主成分とし、オーステナイトもしくはマルテンサイトを少なくともその一部に含むFe系電極層を含んでいる、半導体装置。 - Fe系電極層は、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)、プラチナ(Pt)からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- オーミック電極の半導体基板に接する層は、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、シリコン(Si)の合金層である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 炭化ケイ素を材料とする半導体ウェハにオーミック電極を構成する電極層を成膜する成膜工程と、
成膜した電極層をシンター処理するシンター処理工程とを含んでいる半導体装置の製造方法であって、
成膜工程で成膜される電極層は、鉄(Fe)を主成分とするFe含有層を含んでおり、
シンター処理工程は、Fe含有層がオーステナイトとなる温度領域内の温度でシンター処理を行う、半導体装置の製造方法。 - 成膜工程では、半導体ウェハに接する側から順に、ニッケル(Ni)層、鉄(Fe)層、ニッケル(Ni)層を積層して、オーミック電極を構成する電極層を成膜する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039950A JP2011176183A (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039950A JP2011176183A (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011176183A true JP2011176183A (ja) | 2011-09-08 |
Family
ID=44688772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010039950A Pending JP2011176183A (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011176183A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013171902A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2013211503A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス |
WO2013190901A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2014060804A2 (en) | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Toyota Motor Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129929A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Hitachi Ltd | 熱間圧延用作業ロールの製造法 |
JPH09223795A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-26 | Mitsuteru Kimura | Mosゲートショットキー障壁トランジスタ |
JP2000101100A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006032458A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006032456A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JP2006073923A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 |
JP2009280901A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-12-03 | Alstom Technology Ltd | 耐クリープ性鋼 |
JP2011035194A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体装置 |
-
2010
- 2010-02-25 JP JP2010039950A patent/JP2011176183A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129929A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Hitachi Ltd | 熱間圧延用作業ロールの製造法 |
JPH09223795A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-26 | Mitsuteru Kimura | Mosゲートショットキー障壁トランジスタ |
JP2000101100A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006032458A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006032456A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JP2006073923A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 |
JP2009280901A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-12-03 | Alstom Technology Ltd | 耐クリープ性鋼 |
JP2011035194A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013171902A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス及びその製造方法 |
US9159792B2 (en) | 2012-02-20 | 2015-10-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | SiC semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013211503A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス |
WO2013190901A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2014003252A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8866156B2 (en) | 2012-06-21 | 2014-10-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
WO2014060804A2 (en) | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Toyota Motor Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
US9607836B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-03-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9129939B2 (en) | SiC semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US10600921B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP4140648B2 (ja) | SiC半導体用オーミック電極、SiC半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2010021136A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2013084620A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP2698807A1 (en) | Method for producing silicon carbide semiconductor device | |
WO2013150889A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6112699B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び該方法により製造された炭化珪素半導体装置 | |
JP2007335431A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPWO2008018342A1 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 | |
WO2011099338A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9269579B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP2011176183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6160541B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4091931B2 (ja) | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | |
JP2016178336A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6648574B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2009076874A (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP4038498B2 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
JP6808952B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2006332230A (ja) | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 | |
JP5709333B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5419922B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016039210A (ja) | Iii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP2008227405A (ja) | n型4H−SiC基板上にオーミック電極を形成する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20120723 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20120711 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140603 |