JP2006073923A - SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 - Google Patents
SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006073923A JP2006073923A JP2004258179A JP2004258179A JP2006073923A JP 2006073923 A JP2006073923 A JP 2006073923A JP 2004258179 A JP2004258179 A JP 2004258179A JP 2004258179 A JP2004258179 A JP 2004258179A JP 2006073923 A JP2006073923 A JP 2006073923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sic
- semiconductor device
- impurity diffusion
- diffusion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 145
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 97
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 261
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 261
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 249
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 12
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0485—Ohmic electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 SiC基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 n型SiC基板1aの電極形成領域上に、該n型SiC基板1aの導電型と同一の導電型(n型)の不純物を有してなる不純物拡散源層2aを形成し、不純物拡散源層2a上に、Niなどの金属からなる金属層3を形成し、不純物拡散源層2a及び金属層3に対して焼鈍処理を施すことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 n型SiC基板1aの電極形成領域上に、該n型SiC基板1aの導電型と同一の導電型(n型)の不純物を有してなる不純物拡散源層2aを形成し、不純物拡散源層2a上に、Niなどの金属からなる金属層3を形成し、不純物拡散源層2a及び金属層3に対して焼鈍処理を施すことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法に関するものである。
炭化珪素(以下「SiC」と称する)は、シリコン半導体に比べて広いバンドギャップ及び高い最大電界強度を持ち、シリコン半導体よりもシリーズ抵抗分を下げられる特色を持つ。このため、SiCは、大電力、高耐圧の電力用デバイスへの応用が展開されている。しかしながら、SiCについての適切なオーミック電極構造はまだなく、高電圧下で大電流での駆動が可能なSiCからなる半導体素子の開発が期待されている。
また、従来においては、n型SiC半導体装置のオーミック電極において、SiC上にHf、Ta、Ti若しくはZrの窒化物の単体又は混合物からなる膜を配し、その膜上にHf、Ta、Zr、Ti、V若しくはWの単体又は混合物からなる金属を配したオーミック電極が考え出されている。この技術は、n型SiCに対して接触抵抗が低く、かつ高温環境下での安定性に優れたオーミック電極を得ようとするものである(例えば、特許文献1参照)。
特開平9−283738号公報
しかしながら、SiC基板上に金属の電極を形成しようとすると、バントギャップが広くなり、その金属に対して高電位障壁となるショットキー・バリアを形成してしまう。このショットキー・バリアにより、SiC基板と電極との間の抵抗が大きくなり、良好なオーミック電極を形成することが困難となる。
また、上記特許文献1に記載されているオーミック電極の製造方法では、SiC上にHf、Ta、Ti若しくはZrの窒化物を電子ビーム蒸着等で形成しなければならない。さらに、かかるオーミック電極を製造するには、上記窒化物上にHf、Ta、Ti若しくはZrからなる金属を形成し、不活性雰囲気又は真空中にて熱処理を行う必要がある。したがって、特許文献1記載のオーミック電極の製造方法では、多大かつ複雑な製造工程が必要になると共に、高価な製造装置が必要になるという問題点がある。また、特許文献1記載のオーミック電極は、SiC基板に対するオーミック電極としての低抵抗化が充分とはいえない。さらに、特許文献1では、n型SiC基板に対するオーミック電極のみ記載されており、p型SiC基板に対するオーミック電極については何ら開示していない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、SiC基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、n型SiC基板のみならずp型SiC基板に対しても、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、n型SiC基板のみならずp型SiC基板に対しても、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、SiC基板の電極形成領域上に、該SiC基板の導電型と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層を形成し、前記不純物拡散源層上に、金属からなる金属層を形成し、前記不純物拡散源層及び金属層に対して焼鈍処理を施すことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法において、前記SiC基板の導電型がn型であり、前記不純物拡散源層の不純物は、P、N、As、Sbのいずれかと、P、N、As、Sbにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法において、前記SiC基板の導電型がp型であり、前記不純物拡散源層の不純物は、B、Al、Ga、Inのいずれかと、B、Al、Ga、Inにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれかに記載のSiC半導体装置の製造方法において、前記金属層が、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方からなることを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれか一項に記載のSiC半導体装置の製造方法において、前記焼鈍処理が、該焼鈍処理によって、前記不純物拡散源層の不純物が前記SiC基板にドープされて、該SiC基板と前記金属層との間におけるバリア幅を所定値よりも狭くする温度で、行われることを特徴とする。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項6に記載の発明は、SiC基板と、該SiC基板上に形成されたオーミック電極とを有するSiC半導体装置であって、前記オーミック電極は、前記SiC基板の導電型と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層と、該不純物拡散源層上に積層された金属からなる金属層とを有してなることを特徴とするSiC半導体装置である。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載のSiC半導体装置において、前記SiC基板の導電型がn型であり、前記不純物拡散源層の不純物は、P、N、As、Sbのいずれかと、P、N、As、Sbにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であり、前記金属層は、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方であることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載のSiC半導体装置において、前記SiC基板の導電型がp型であり、前記不純物拡散源層の不純物は、B、Al、Ga、Inのいずれかと、B、Al、Ga、Inにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であり、前記金属層は、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方であることを特徴とする。
本発明によれば、SiC基板上に、そのSiC基板と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層を形成し、その不純物拡散源層上に金属層を形成し、焼鈍処理を施す。この焼鈍により、不純物拡散源層の不純物がSiC基板へ高濃度に導入される。すると、金属層からなる電極とSiC基板とのバリア幅(バンドギャップ)が狭まる。バリア幅が狭くなると、トンネル電流をより多く流すことができる。したがって本発明は、SiC基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成することができる。また、本発明は、n型SiC基板のみならずp型SiC基板に対しても、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成することができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。SiC半導体装置10Aは、n型SiC基板1aと、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有して構成されている。不純物拡散源層2a及び金属層3は、オーミック電極をなしている。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。SiC半導体装置10Aは、n型SiC基板1aと、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有して構成されている。不純物拡散源層2a及び金属層3は、オーミック電極をなしている。
不純物拡散源層2aは、n型SiC基板1aの電極形成領域上に形成されている。そして、不純物拡散源層2aは、n型の不純物を有してなるものである。不純物拡散源層2aの不純物としては、例えば、P、N、As、Sbのいずれかとすることができる。また、不純物拡散源層2aの不純物としては、P、N、As、Sbのうちの2つ以上の化合物であってもよい。また不純物拡散源層2aは、上記不純物のみからなるものとしてもよい。
金属層3は、不純物拡散源層2a上に形成されており、金属からなる層である。金属層3は、例えばNiで構成する。また、金属層3は、NiからなるNi層を含む複数の金属層が積層された多層金属層としてもよい。また、金属層3は、W、Coなどで構成されているものとしてもよい。金属層3は、不純物拡散源層2aと共にオーミック電極をなしており、その電極としての厚さがあり、電極材料としての取り扱いし易さを有するものとする。
次に、本実施形態に係るSiC半導体装置10Aの製造方法について図1を参照して説明する。先ず、n型SiC基板1aを用意する。このn型SiC基板1aの電極形成領域側の面は、n型SiC基板1aの反りを低減するために、鏡面加工されていることとしてもよい。
次いで、n型SiC基板1aの電極形成領域に、不純物拡散源層2aを形成する。この不純物拡散源層2aの形成では、例えば、化学気相成長法(CVD法)、スピンコートなどの塗布・コーティング法、物理気相成長法などを用いることができる。物理気相成長法としては、スパッタリング法、電子ビーム(EB)蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。
次いで、不純物拡散源層2a上に、金属層3(例えばNi)を形成する。この金属層3の形成は、物理気相成長法を用いて行うことができ、化学気相成長法又は塗布・コーティング法などで行ってもよい。
次いで、不純物拡散源層2a及び金属層3に対して焼鈍(アニール)を施す。この焼鈍は、不純物拡散源層2aの不純物がn型SiC基板1aに充分にドープされて、n型SiC基板1aと金属層3(不純物拡散源層2aを含む)との間におけるバリア幅を所定値よりも狭くする温度で、行う。この焼鈍としては、例えば960℃から1200℃の範囲で、且つ2分から30分間の加熱とする。この焼鈍により、SiC半導体装置10Aが完成する。
図3は、SiC半導体装置10Aにおける上記焼鈍(不純物拡散)によるバリア幅の短縮効果を示す概念図である。すなわち、図3は、金属層3(例えばNi)側とn型SiC基板1a側との間に形成されるショットキー・バリアのバリア幅B1,B2について示している。図3(a)は、焼鈍前におけるショットキー・バリアのバリア幅B1を示している。焼鈍前においては、バリア幅B1が大きいので、金属層3とn型SiC基板1a間において電子の移動e1がほとんど生じず、トンネル電流がほとんど流れない。したがって、焼鈍前は、金属層3とn型SiC基板1a間の抵抗が大きくオーミック接触とはならない。
図3(b)は、焼鈍後におけるショットキー・バリアのバリア幅B2を示している。焼鈍により、金属層3とn型SiC基板1a間のショットキー・バリアのバリア幅B2が、焼鈍前のバリア幅B1と比べて、大幅に小さくなっている。これは、焼鈍により、不純物拡散源層2aの不純物がn型SiC基板1aに拡散し、n型SiC基板1aにおける不純物拡散源層2aの近傍の不純物濃度が上昇したからである。このバリア幅の短縮により、金属層3とn型SiC基板1a間において電子の移動e2がし易くなり、トンネル電流が流れやすい状態となる。したがって、焼鈍後は、金属層3とn型SiC基板1a間において、抵抗が充分に小さくなり、良好なオーミック接触となる。
これらにより、本実施形態のSiC半導体装置10A及びその製造方法によれば、n型SiC基板1a上に、そのn型SiC基板1aと同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層2aを形成し、その不純物拡散源層2a上に金属層3を形成し、焼鈍処理を施す。そこで、本実施形態によれば、簡便な製造工程を用いて、n型SiC基板1aと金属層3間において、トンネル電流を大量に流すことができ、低抵抗で良好なオーミック接触を、容易に得ることができる。
(第2実施形態)
図2は、本発明の第2実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図2おいて、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置10Bと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、SiC基板の導電型がp型である点と、不純物拡散源層の不純物の導電型がp型である点である。
図2は、本発明の第2実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図2おいて、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置10Bと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、SiC基板の導電型がp型である点と、不純物拡散源層の不純物の導電型がp型である点である。
すなわち、SiC半導体装置10Bは、p型SiC基板1bと、不純物拡散源層2bと、金属層3とを有して構成されている。不純物拡散源層2bは、p型SiC基板1bの電極形成領域上に形成されている。そして、不純物拡散源層2bは、p型の不純物を有してなるものである。不純物拡散源層2bの不純物としては、例えば、B、Al、Ga、Inのいずれかとすることができる。また、不純物拡散源像2bの不純物としては、B、Al、Ga、Inのうちの2つ以上の化合物であってもよい。金属層3は、不純物拡散源層2b上に形成されており、第1実施形態の金属層3と同一のものとする。
本実施形態に係るSiC半導体装置10Bは、第1実施形態のSiC半導体装置10Aの製造方法と同様にして製造することができる。すなわち、p型SiC基板1b上に不純物拡散源層2bを堆積させ、その不純物拡散源層2b上に金属層3を堆積させる。この堆積は、第1実施形態における不純物拡散源層2a及び金属層3の堆積方法と同様にして行うことができる。その後、不純物拡散源層2b及び金属層3に対して焼鈍処理を施す。
この焼鈍処理は、不純物拡散源層2bの不純物がp型SiC基板1bに充分にドープされて、p型SiC基板1bと金属層3(不純物拡散源層2aを含む)との間におけるバリア幅を所定値よりも狭くする温度で、行う。この焼鈍としては、例えば960℃から1200℃の範囲で、且つ2分から30分間の加熱とする。この焼鈍により、SiC半導体装置10Bが完成する。そして、上記焼鈍により、第1実施形態と同様に、図3に示すように、金属層3(例えばNi)側とp型SiC基板1b側との間に形成されるショットキー・バリアのバリア幅が短縮される。
これらにより、本実施形態のSiC半導体装置10B及びその製造方法によれば、簡便な製造工程を用いて、p型SiC基板1bと金属層3間において、低抵抗で良好なオーミック接触を、容易に得ることができる。
(第3実施形態)
図4は、本発明の第3実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図4において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Aと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、金属層3の構造とその金属層3の製造方法である。その他の構成及び製造方法は第1実施形態のSiC半導体装置10Aと同様である。以下、具体的に説明する。
図4は、本発明の第3実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図4において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Aと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、金属層3の構造とその金属層3の製造方法である。その他の構成及び製造方法は第1実施形態のSiC半導体装置10Aと同様である。以下、具体的に説明する。
本SiC半導体装置20Aは、n型SiC基板1aと、不純物拡散源層2aと、金属層3’とを有して構成されている。ここで、n型SiC基板1a及び不純物拡散源層2aは、それぞれ第1実施形態のn型SiC基板1a及び不純物拡散源層2aと同一のものとする。
金属層3’は、不純物拡散源層2a上に形成されてなる第1の貴金属膜3aと、第1の貴金属膜3a上に形成されてなる耐熱金属膜3bと、耐熱金属膜3b上に形成されてなる第2の貴金属膜3cとを有して構成されている。
第1の貴金属膜3aは、長周期型の周期表における1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなるものとする。すなわち、第1の貴金属膜3aは、Cu、Ag、Au、Co、Ni、Rh、Pd、Ir、Ptのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば、第1の貴金属膜3aとしては、Ni、Au、Pt、Irのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして、第1の貴金属膜3aとしては、特にNi又はNi−Cu合金膜が好ましい。
耐熱金属膜3bとしては、炭素と結合して導電性炭化物を形成する金属元素及びそれらの合金を適用する。そこで、耐熱金属膜3bは、長周期型の周期表における4a族と5a族と6a族と7a族と8族のFe列とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなるものとする。すなわち、耐熱金属膜3bは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Osのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば、耐熱金属膜3bとしては、Ti、Cr、Mo、W、Feのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして、耐熱金属膜3bとしては、例えばTiを適用する。
第2の貴金属膜3cは、長周期型の周期表における1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなるものとする。すなわち、第2の貴金属膜3cは、Cu、Ag、Au、Co、Ni、Rh、Pd、Ir、Ptのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば第2の貴金属膜3cとしては、Ni、Au、Pt、Irのいずれか1つ、これらの2つ以上からなる合金、又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして、第2の貴金属膜3cとしては、例えばNi又はNi−Cu合金膜を適用する。
次に、SiC半導体装置20Aの製造方法例について図4を参照して説明する。n型SiC基板1a上に、不純物拡散源2aを第1実施形態と同様にして堆積する。次いで、不純物拡散源層2a上に、Ni膜又はNi−Cu合金膜を蒸着することで、第1の貴金属膜3aを形成する。次いで、第1の貴金属膜3a上に、Tiを蒸着することで、耐熱金属膜3bを形成する。次いで、耐熱金属膜3b上に、Ni膜又はNi−Cu合金膜を蒸着することで、第2の貴金属膜3cを形成する。次いで、この状態において、960℃から1000℃までの範囲で加熱処理(焼鈍)する。この加熱処理としては、例えば真空中において1000℃で2分間の加熱処理を行う。これにより、不純物拡散源層2aの不純物がn型SiC基板1aに拡散すると共に、第1の貴金属膜3a、耐熱金属膜3b及び第2の貴金属膜3cは金属層3’となって、n型SiC基板1aと確実にオーミック接触し、図4に示すSiC半導体素子20Aが完成する。
これらにより、本実施形態のSiC半導体装置20A及びその製造方法によれば、金属層3’をなす第1の貴金属膜3a、耐熱金属膜3b及び第2の貴金属膜3cとn型SiC基板1aとが確実にかつ良好にオーミック接触する構造とすることができる。
また、本実施形態によれば、焼鈍処理において、n型SiC基板1aと第1の貴金属膜3a(例えばNi)とが、{SiC+Ni → Ni−Si化合物+C(炭素)}というように化学反応して、炭素が発生しても、その炭素と耐熱金属膜3b(例えばTi)とが結合して導電性炭化物となる。したがって、本実施形態によれば、製造工程において黒鉛を生じさせず、クリーンルームの汚染を回避でき、n型SiC基板1aに対して、より良好なオーミック接触を得ることができる。
さらに、本実施形態によれば、第2の貴金属膜3cを金属層3’の最表面層としているので、金属層3’に酸が侵入することを第2の貴金属膜3cにより大幅に低減でき、金属層3’が腐食することを回避できる。また、本実施形態は、第1実施形態のSiC半導体装置10Aについて、金属層3を第1の貴金属膜3a、耐熱金属膜3b及び第2の貴金属膜3cの多層金属層にしたものである。本実施形態の変形例としては、第2実施形態のSiC半導体装置10Bについて、金属層3を第1の貴金属膜3a、耐熱金属膜3b及び第2の貴金属膜3cの多層金属層にしたものを挙げることができる。
(第4実施形態)
図5は、本発明の第4実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図5において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Bと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、n型SiC基板1aと不純物拡散源層2aとの間に、エピタキシャル層(n++型SiC)11が設けられている点である。したがって、不純物拡散源層2a及び金属層3からなるオーミック電極は、そのエピタキシャル層11上に設けられている。本SiC半導体装置20Bは、n型SiC基板1aと、エピタキシャル層11と、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有する。
図5は、本発明の第4実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図5において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Bと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、n型SiC基板1aと不純物拡散源層2aとの間に、エピタキシャル層(n++型SiC)11が設けられている点である。したがって、不純物拡散源層2a及び金属層3からなるオーミック電極は、そのエピタキシャル層11上に設けられている。本SiC半導体装置20Bは、n型SiC基板1aと、エピタキシャル層11と、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有する。
エピタキシャル層11は、エピタキシャル法で形成されたものである。そして、エピタキシャル層11は、n型SiC基板1aよりも高濃度に不純物を含んだn型の低抵抗SiCである。これにより、エピタキシャル層11の比抵抗[Ω−cm]は、n型SiC基板1aの比抵抗[Ω−cm]よりも小さい。エピタキシャル層11の不純物濃度は、例えば8×1018〜7×1020[cm―3]の範囲とする。これは、良好なオーミック接触の形成と製造上の制限とによるものである。
エピタキシャル層11の不純物(固溶限)としては、例えば、N(窒素)、P(燐)、As(砒素)、Sb(アンチモン)などが挙げられる。これらのN、P、As、Sbを合わせてエピタキシャル法を行うことで、非常に高い不純物濃度を得ることができ、エピタキシャル層11の比抵抗をより低減することができる。これは、SiCの不純物濃度を上げるほど、そのSiCの比抵抗[Ω−cm]が低くなるからである。エピタキシャル層11の不純物濃度は、例えばN:6.5×1020[cm―3]と、P:4.8×1018[cm―3]と、As:5×1016[cm―3]と、Sb:8.0×1016[cm―3]とを合わせたものとする。
さらに、エピタキシャル層11は、エピタキシャル層11自身及びn型SiC基板1aなどで「反り」が生じることを回避するために、なるべく薄いことが好ましい。エピタキシャル層11の厚みは、例えば0.01μm〜50μmまでの範囲とする。また、製造容易性の観点などから、エピタキシャル層11の厚みは0.1μm〜1μmまでの範囲としてもよい。
次に、SiC半導体装置20Bの製造方法について説明する。先ず、n型SiC基板1の電極形成面に、エピタキシャル層11をエピタキシャル法で形成する。次いで、エピタキシャル層11の電極形成領域に、不純物拡散源層2aをCVD法などで堆積する。次いで、不純物拡散源層2a上に、金属層3(例えばNi)をCVD法などで堆積する。
次いで、不純物拡散源層2a及び金属膜3に対して第1実施形態と同様に焼鈍を施す。これにより、不純物拡散源層2aの不純物がエピタキシャル層11に導入されると共に、エピタキシャル層11と不純物拡散源層2aとの間に、シリサイド層(図示せず)が形成される。そして、シリサイド層、不純物拡散源層2a及び金属層3は、エピタキシャル層11にオーミック接触した電極となり、SiC半導体装置20Bが完成する。
これらにより、本実施形態のSiC半導体装置20B及びその製造方法によれば、n型SiC基板1a上に、不純物濃度の高く比抵抗の小さいエピタキシャル層11を形成し、このエピタキシャル層11上にオーミック電極(不純物拡散源層2a及び金属層3)を形成している。したがって、本実施形態は、簡便な製造工程を用いて、n型SiC基板1aと金属層3間において、さらに低抵抗で良好なオーミック接触を、容易に得ることができる。また、本実施形態によれば、n型SiC基板1aの反りの発生を抑えながら、良好なオーミック接触を得ることができる。
また、本SiC半導体装置20Bでは、イオン注入ではなく、エピタキシャル法によって不純物濃度の高いエピタキシャル層11を形成している。これにより、本実施形態によれば、所望の不純物濃度及び厚みをもつエピタキシャル層11を簡便に形成することができる。また本実施形態では、イオン注入欠陥が残留することもないので、簡便に且つ効果的に、n型SiC基板1a上に低抵抗なオーミック接触を得ることができる。
また、本実施形態は、第1実施形態のSiC半導体装置10Aについて、n型SiC基板1aと不純物拡散源層2aとの間にエピタキシャル層11を配置したものである。本実施形態の変形例としては、第2実施形態のSiC半導体装置10Bについて、p型SiC基板1bと不純物拡散源層2bとの間にエピタキシャル層11を配置したものを挙げることができる。
(第5実施形態)
図6は、本発明の第5実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図6において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Cと第1実施形態のSiC半導体装置10との相違点は、n型SiC基板1a’の電極形成領域が凸凹Gに荒らされている点である。したがって、不純物拡散源層2a及び金属層3からなるオーミック電極は、凸凹Gに荒らされたn型SiC基板1a’の電極形成領域上に設けられている。本SiC半導体装置20Cは、n型SiC基板1a’と、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有する。
図6は、本発明の第5実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図6において、図1に示すSiC半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置20Cと第1実施形態のSiC半導体装置10との相違点は、n型SiC基板1a’の電極形成領域が凸凹Gに荒らされている点である。したがって、不純物拡散源層2a及び金属層3からなるオーミック電極は、凸凹Gに荒らされたn型SiC基板1a’の電極形成領域上に設けられている。本SiC半導体装置20Cは、n型SiC基板1a’と、不純物拡散源層2aと、金属層3とを有する。
次に、SiC半導体装置20Cの製造方法について説明する。先ず、n型SiC基板1a’を用意する。次いで、n型SiC基板1a’の電極形成領域側の面について、所定の粗さに荒らし、凸凹Gを形成する。この荒らす工程は、サンドブラスト、グラインディング、ラッピング、レーザー照射のいずれかを用いて行う。また、荒らす工程は、n型SiC基板1a’の電極形成領域側の面に熱酸化膜を形成し、その後、熱酸化膜を除去することで、行ってもよい。
次いで、凸凹Gに荒らされたn型SiC基板1a’の電極形成領域に不純物拡散源層2aを形成し、不純物拡散源層2a上に金属膜3を形成する。これらの不純物拡散源層2a及び金属膜3の形成は、第1実施形態の製造方法と同様に、蒸着などで行う。次いで、不純物拡散源層2a及び金属膜3に対して、第1実施形態と同様に焼鈍を施す。これにより不純物拡散源層2aの不純物がn型SiC基板1a’に導入されると共に、n型SiC基板1a’と不純物拡散源層2aとの間に、シリサイド層(図示せず)が形成される。そして、シリサイド層、不純物拡散源層2a及び金属層3は、n型SiC基板1a’にオーミック接触した電極となり、SiC半導体装置20Cが完成する。
これらにより、本実施形態のSiC半導体装置20C及びその製造方法によれば、焼鈍時に不純物をn型SiC基板1a’に導入すると共に、n型SiC基板1a’の凸凹Gな面に電極(不純物拡散源層2a及び金属層3)を形成している。したがって、本実施形態によれば、n型SiC基板1a’に対してさらに低抵抗で良好なオーミック接触を得ることができる。
また、本実施形態の製造方法においては、上記「荒らす工程」の前に、n型SiC基板1a’にデバイスを形成する工程を行うことが好ましい。このようにすると、荒らす工程又は電極を形成する工程によって汚染が発生する前に、n型SiC基板1a’にデバイスを形成でき、デバイス形成時の汚染防止及び素子へのダメージ付与の回避とn型SiC基板1a’に対する電極のオーミック接触向上とを図ることが容易にできる。
また、本実施形態は、第1実施形態のSiC半導体装置10Aについて、n型SiC基板1aの電極形成領域を荒らし、その荒れた面上に不純物拡散源層2a及び金属層3を形成したものである。本実施形態の変形例としては、第2実施形態のSiC半導体装置10Bについて、p型SiC基板1bの電極形成領域を荒らし、その荒れた面上に不純物拡散源層2b及び金属層3を形成したものを挙げることができる。
(応用例)
次に、上記実施形態の応用例について図7及び図8を参照して説明する。
図7は、上記実施形態のSiC半導体装置10A,10B,20A,20B,20Cを構成要素としたSiCショットキーダイオードの基本的な構造を示す断面図である。本SiCショットキーダイオード30は、n+型SiC層31と、n−型SiC層32と、p型SiC層33と、裏面オーミック電極34と、半田接合用金属35と、絶縁物36と、ショットキー電極37と、引出し電極38とを有して構成されている。
次に、上記実施形態の応用例について図7及び図8を参照して説明する。
図7は、上記実施形態のSiC半導体装置10A,10B,20A,20B,20Cを構成要素としたSiCショットキーダイオードの基本的な構造を示す断面図である。本SiCショットキーダイオード30は、n+型SiC層31と、n−型SiC層32と、p型SiC層33と、裏面オーミック電極34と、半田接合用金属35と、絶縁物36と、ショットキー電極37と、引出し電極38とを有して構成されている。
ここで、裏面オーミック電極34は、第1から第5実施形態の不純物拡散源層2a,2bと金属層3,3’とシリサイド層とで構成されているものとする。n+型SiC層31は、第1から第5実施形態のn型SiC基板1a,1a’(又はp型SiC基板1b)に相当するものである。すなわち、n+型SiC層31は、高濃度に不純物を含んだn型の低抵抗SiCである。n−型SiC層32は、n+型SiC層31の表面に形成されており、低濃度に不純物を含んだn型の高抵抗SiCである。p型SiC層33は、n−型SiC層32の表面にリング形状に形成されており、Al又はBをイオン注入した後、1500℃以上に加熱して形成することができる。
裏面オーミック電極34は、n+型SiC層31の裏面に形成されており、上記第1から第5実施形態のいずれかの電極で構成されている。なお、第2実施形態の電極を適用する場合は、n+型SiC層31、n−型SiC層32及びp型SiC層33の導電型を逆の導電型にする。第1実施形態を適用する場合は、例えば、n+型SiC層31の裏面に、不純物拡散源層2aと金属層3とを積層し、これを焼鈍したものを、裏面オーミック電極34とする。半田接合用金属35は、裏面オーミック電極34の裏面に形成されており、例えば3層膜とする。この3層膜は、例えば、n+型SiC層31側から順に、Ti又はCr、Ni又はNi−Cu合金、Ag又はAuとする。
絶縁物36は、n−型SiC層32の表面の一部上及びp型SiC層33の表面の一部上にリング形状に形成されており、リング形状のp型SiC層33の外周縁上に配置されている。そして、絶縁物36は、酸化珪素、窒化珪素又はポリイミドなどからなる。ショットキー電極37は、n−型SiC層32の表面の一部上、p型SiC層33の表面の一部上及び絶縁物36上に渡って形成されている。そして、ショットキー電極37は、Ti、Mo、Niなどからなる。引出し電極38は、ショットキー電極38上に形成されており、Al、Ni、Auなどからなる。
図8は、上記実施形態のSiC半導体装置10A,10B,20A,20B,20Cを構成要素としたSiCショットキーダイオードの他の例を示す断面図である。本SiCショットキーダイオード40は、n+型SiC層41と、n−型SiC層42と、p型SiC層43と、裏面オーミック電極44と、半田接合用金属45と、絶縁物46と、ショットキー電極47と、引出し電極48とを有して構成されている。
本SiCショットキーダイオード40では、絶縁物46、ショットキー電極47及び引出し電極48の形状・配置が図7に示すSiCショットキーダイオード30の絶縁物36、ショットキー電極37及び引出し電極38の形状・配置と異なっている。SiCショットキーダイオード40におけるその他の構成は、SiCショットキーダイオード30と同一とすることができる。すなわち、n+型SiC層41がn+型SiC層31に対応し、n−型SiC層42がn−型SiC層32に対応し、p型SiC層43がp型SiC層33に対応し、裏面オーミック電極44が裏面オーミック電極34に対応し、半田接合用金属45が半田接合金属35に対応し、絶縁物46が絶縁膜36に対応し、ショットキー電極47がショットキー電極37に対応し、引出し電極48が引出し電極38に対応する。そして、裏面オーミック電極44は、裏面オーミック電極34と同様に、上記第1から第5実施形態のいずれかの電極で構成されている。
次に、SiCショットキーダイオード40の製造方法について、図9から図13を参照して説明する。図9から図13はSiCショットキーダイオード40の製造工程を示す断面図である。先ず、図9に示すように、先ず、シリーズ抵抗を下げる低抵抗のn+型SiC層41の表面に、耐圧を確保するのに必要な不純物濃度と厚さとを持つ高抵抗のn−型SiC層42を形成する。
次いで、図10に示すように、n−型SiC層42にAl(又はBなど)をイオン注入し、その後1500℃以上の熱処理を施すことで、p型SiC43を形成する。このp型SiC43の形成は、具体的には次のように行う。先ず、n−型SiC層42の表面に、SiO2をCVDによって堆積する。次いで、写真工程により、SiO2上にフォトレジストを形成し、そのフォトレジストにおけるp型SiC43の形成位置に対応する部分を除去する。この状態でSiO2をエッチングすることにより、SiO2におけるp型SiC43の形成位置に対応する部分を除去し、その部分のn−型SiC層42を露出させる。その後、残りのフォトレジストを除去する。その後、n−型SiC層42の露出部位からそのn−型SiC層42の中に、例えばAlをイオン注入する。その後、注入された不純物を活性化するために、1500℃以上の熱処理を施す。この熱処理により、p型SiC43が完成する。
次いで、図11に示すように、n+型SiC層41の裏面に、裏面オーミック電極44を形成する。この裏面オーミック電極44が第1から第5実施形態の電極(すなわち、不純物拡散源層2a,2bと金属層3,3’の積層構造とシリサイド層)に該当するものである。裏面オーミック電極44の形成は、具体的には次のように行う。
先ず、全体的に酸化し、表面、裏面及び側面に酸化膜43bを設ける。その後、n+型SiC層41の裏面の酸化膜だけ除去する。その後、例えば図1に示す第1実施形態の製造方法を用いて、n+型SiC層41の裏面に、不純物拡散源層2aを堆積し、その不純物拡散源層2a上に金属層3(Ni膜)を堆積する。その後、真空中において1000℃で加熱処理する。これにより、不純物拡散源層2aからn+型SiC層41へ不純物が導入され、n+型SiC層41の裏面に対して確実に且つ良好にオーミック接触する裏面オーミック電極44が完成する。
次いで、図12に示すように、絶縁物46、ショットキー電極47及び引出電極48を形成する。具体的には先ず、前工程により形成され、n−型SiC層42の表面及び側面などにまだ残っている酸化膜43bを除去する。その後、n−型SiC層42及びp型SiC層43の表面全体に、ショットキー電極47としてTiをスパッタリング法にて堆積する。そして、ショットキー電極47をパターニングして、n−型SiC層42及びp型SiC層43の表面における外縁近傍の一部を露出させる。その後、ショットキー電極47上と、n−型SiC層42及びp型SiC層43の表面における露出部上とに、全体的にAlを堆積する。そのAlの外縁近傍を除去するようにパターニングして引出し電極48とする。その後、n−型SiC層42、p型SiC層43及び引出し電極48の表面全体に、ポリイミドなどの絶縁物を堆積し、その絶縁物の中央領域について除去するパターニングをすることで絶縁物46を形成する。このパターニングで引出し電極48が露出する。
次いで、図13に示すように、半田接合用金属45を形成する。例えば、裏面オーミック電極44の裏面全体に、その裏面オーミック電極44側からみてTi膜45a、Ni膜45b、Ag膜45cの順に積層された3層膜を形成することで、半田接合用金属45とする。これらにより、SiCショットキーダイオード40が完成する。
これらにより、SiCショットキーダイオード30,40によれば、裏面オーミック電極34,44に、第1から第5実施形態のいずれかの電極を適用しているので、簡便な製造工程により、裏面オーミック電極34,44とn+型SiC層31,41とが確実にかつ良好にオーミック接触する構造とすることができる。そこで、SiCショットキーダイオード30,40は、従来のSiCショットーダイオードと比較して、製造が容易であって、簡便に高性能化を図ることができる。ここで、高性能化としては、オン抵抗の低減及び高速動作化などが挙げられる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
本発明に係るSiC半導体装置及びその製造方法は、SiCショットキーダイオードのみならず、MOSFET、バイポーラトランジスタ、SIT、サイリスタ、IGBTなどの各種半導体装置のオーミック電極に適用することができる。
1a,1a’…n型SiC基板、1b…p型SiC基板、2a,2b…不純物拡散源層、3,3’…金属層、10A,10B,20A,20B,20C…SiC半導体装置
Claims (8)
- SiC基板の電極形成領域上に、該SiC基板の導電型と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層を形成し、
前記不純物拡散源層上に、金属からなる金属層を形成し、
前記不純物拡散源層及び金属層に対して焼鈍処理を施すことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。 - 前記SiC基板の導電型は、n型であり、
前記不純物拡散源層の不純物は、P、N、As、Sbのいずれかと、P、N、As、Sbにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であることを特徴とする請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記SiC基板の導電型は、p型であり、
前記不純物拡散源層の不純物は、B、Al、Ga、Inのいずれかと、B、Al、Ga、Inにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であることを特徴とする請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法。 - 前記金属層は、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記焼鈍処理は、該焼鈍処理によって、前記不純物拡散源層の不純物が前記SiC基板にドープされて、該SiC基板と前記金属層との間におけるバリア幅を所定値よりも狭くする温度で、行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のSiC半導体装置の製造方法。
- SiC基板と、該SiC基板上に形成されたオーミック電極とを有するSiC半導体装置であって、
前記オーミック電極は、前記SiC基板の導電型と同一の導電型の不純物を有してなる不純物拡散源層と、該不純物拡散源層上に積層された金属からなる金属層とを有してなることを特徴とするSiC半導体装置。 - 前記SiC基板の導電型は、n型であり、
前記不純物拡散源層の不純物は、P、N、As、Sbのいずれかと、P、N、As、Sbにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であり、
前記金属層は、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方であることを特徴とする請求項6に記載のSiC半導体装置。 - 前記SiC基板の導電型は、p型であり、
前記不純物拡散源層の不純物は、B、Al、Ga、Inのいずれかと、B、Al、Ga、Inにおける2つ以上の化合物と、のうちの一方であり、
前記金属層は、Niからなる層と、Ni層を含む複数の金属層が積層された多層金属層と、のうちの一方であることを特徴とする請求項6に記載のSiC半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004258179A JP2006073923A (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004258179A JP2006073923A (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006073923A true JP2006073923A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36154183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004258179A Pending JP2006073923A (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006073923A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227319A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2011176183A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012186324A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013214657A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2014171439A1 (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-23 | 住友電気工業株式会社 | はんだ付半導体デバイス、実装はんだ付半導体デバイス、ならびにはんだ付半導体デバイスの製造方法および実装方法 |
-
2004
- 2004-09-06 JP JP2004258179A patent/JP2006073923A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227319A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2011176183A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012186324A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013214657A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8941122B2 (en) | 2012-04-03 | 2015-01-27 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9263267B2 (en) | 2012-04-03 | 2016-02-16 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2014171439A1 (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-23 | 住友電気工業株式会社 | はんだ付半導体デバイス、実装はんだ付半導体デバイス、ならびにはんだ付半導体デバイスの製造方法および実装方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9240451B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device | |
JP4140648B2 (ja) | SiC半導体用オーミック電極、SiC半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4594113B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6477106B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5427980B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5408248B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006041248A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2021044272A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4091931B2 (ja) | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | |
JP4087365B2 (ja) | SiC半導体装置の製造方法 | |
JP5014749B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4087368B2 (ja) | SiC半導体装置の製造方法 | |
JP4038499B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6648574B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2006073923A (ja) | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | |
JP4038498B2 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
JP5469068B2 (ja) | バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6395299B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子及び炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
WO2022215471A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6686581B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP2006073922A (ja) | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | |
JP5633328B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3788228B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
JP3289550B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5037095B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080311 |