JP2006332358A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 グラファイト層の除去工程を行わなくても、密着性の高い配線用電極が形成できるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 グラファイト層５が形成される前に、予めＮｉ膜２の上にＮｉシリサイド膜３を形成する。このようにすれば、Ｎｉ膜２をシリサイド化したときに、グラファイト層５がＮｉシリサイド膜３と科学的に結合されるようにすることができる。これにより、グラファイト層５とＮｉシリサイド膜３とを高い密着強度で接合することができる。そして、グラファイト層５の表面にではなく、Ｎｉシリサイド膜３の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＮｉシリサイド膜３から剥離することもない。このため、グラファイト層５の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）で構成される半導体素子等とのオーミック接触が実現できるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法に関するものである。

ＳｉＣ半導体装置において、Ｎ型ＳｉＣとＰ型ＳｉＣの双方に対して低抵抗（電位障壁が小さな）接続となるオーミック電極を得るためには、ＳｉＣ上にＮｉを蒸着したのち、熱処理を行うというサリサイドプロセスを行い、ＳｉＣ上にＮｉシリサイド膜を形成すれば良いということが報告されている（例えば、非特許文献１参照）。

しかしながら、Ｎｉを熱処理してＮｉシリサイド膜を形成した場合、図５に示されるように、ＳｉＣＪ１上のＮｉシリサイド膜Ｊ２の表面にグラファイト層Ｊ３が形成される。このため、ボンディングや半田付けのための配線用電極Ｊ４をその上に形成したときに、グラファイト層Ｊ３によって配線用電極Ｊ４とＮｉシリサイド膜Ｊ２との密着性が低下し、配線用電極Ｊ４の剥がれを引き起こす要因となる。

このため、特許文献１において、Ｎｉシリサイド膜Ｊ２の表面に形成されたグラファイト層Ｊ３を酸素ガス（Ｏ₂）雰囲気または不活性ガス（Ａｒなど）雰囲気中でのプラズマプロセスにて除去し、配線用電極Ｊ４の剥がれを防止することが提案されている。
特開２００３−２４３３２３号公報 第５１回応用物理関係連合講演会講演予稿集（２００４年３月）、今井 聖支 他１名、２９ｐ−ＺＭ−１４「Ｎｉサリサイドプロセスを用いたｎ型およびｐ型ＳｉＣ同時コンタクト」

しかし、Ｏ₂プラズマでグラファイト層を除去すると、その下のＮｉシリサイド膜が酸化されてしまう。このＮｉ酸化物もまた、配線用電極の密着性低下を引き起こす要因となるものであるが、このＮｉ酸化物をウェットエッチングで除去することは困難である。

Ａｒプラズマでは、スパッタモードで除去するため、Ａｒイオンのエネルギーが高くなり、カーボン層のみでエッチングを止めることは困難となる。このため、Ｎｉシリサイド膜の喪失という問題を引き起こす。また、Ｎｉオーミック電極部だけ、選択的にエッチングすることが困難であるため、Ｎｉオーミック電極部以外にダメージを与えることとなる。また、選択的にエッチングを行えたとしても、レジストでのパターニングが必要となり、ＳｉＣ半導体装置の製造工数が増加する。

このため、グラファイト層の除去工程を行わないで密着性の高い配線用電極を形成する方法が必要である。

本発明は上記点に鑑みて、グラファイト層の除去工程を行わなくても、密着性の高い配線用電極が形成できるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、炭化珪素（１）の表面にＮｉ膜（２）を形成する工程と、Ｎｉ膜（２）の上に金属シリサイド膜（３）を形成する工程と、熱処理を行うことで、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成する工程と、金属シリサイド膜（３）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。

このように、グラファイト層（５）が形成される前に、予めＮｉ膜（２）の上に金属シリサイド膜（３）を形成しているため、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化したときに、グラファイト層（５）が金属シリサイド膜（３）と科学的に結合されるようにすることができる。

これにより、グラファイト層（５）と金属シリサイド膜（３）とを高い密着強度で接合することができる。そして、グラファイト層（５）の表面にではなく、金属シリサイド膜（３）の上に配線用電極（６）を形成することができるため、配線用電極（６）が金属シリサイド膜（３）から剥離することもない。このため、グラファイト層（５）の除去工程を行わなくても、配線用電極（６）の剥がれを防止することが可能となる。

例えば、金属シリサイド膜（３）としては、請求項２に示されるように、Ｎｉシリサイド膜、Ｗシリサイド膜、Ｃｏシリサイド膜、Ｃｒシリサイド膜、Ｍｏシリサイド膜、Ｔｉシリサイド膜、Ｐｔシリサイド膜、Ａｌシリサイド膜のいずれか１つもしくは複数の組み合わせを用いることができる。

請求項３に記載の発明では、炭化珪素（１）の表面に厚さ５００ｎｍ以上となるＮｉ膜（２）を形成する工程と、熱処理を行うことで、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成することで、該Ｎｉシリサイド膜（４）の上にグラファイト層（５）が形成されると共に、該グラファイト層（５）の上にＮｉ膜（２）の一部が残された構造を形成する工程と、Ｎｉ膜（２）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。

このように、グラファイト層（５）が形成されてもその上にＮｉ膜（２）が残るように、最初からＮｉ膜（２）を厚く形成するようにしている。このため、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化したあとにも、グラファイト層（５）が残ったＮｉ層（２）と高い密着強度で接合された状態となるようにできる。そして、グラファイト層（５）の表面にではなく、Ｎｉ膜（２）の上に配線用電極（６）を形成することができるため、配線用電極（６）がＮｉ膜（２）から剥離することもない。このため、グラファイト層（５）の除去工程を行わなくても、配線用電極（６）の剥がれを防止することが可能となる。

請求項４に記載の発明では、炭化珪素（１）の表面にＮｉ膜（２）を形成する工程と、Ｎｉ膜（２）の上に被カーバイド金属膜（１０）を形成する工程と、熱処理を行うことで、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成すると共に、被カーバイド金属膜（１０）にて金属カーバイド膜（１１）を形成する工程と、金属カーバイド膜（１１）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。

このように、Ｎｉ膜（２）の上に被カーバイド金属膜（１０）を形成しておき、Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させる際に被カーバイド金属膜（１０）が形成されるようにしている。したがって、ワイヤボンディングやはんだ接合との接合性の良好な金属カーバイド膜（１１）の上に配線用電極（６）を形成することができるため、配線用電極（６）が金属カーバイド膜（１１）から剥離することもない。このため、グラファイト層の除去工程を行わなくても、配線用電極（６）の剥がれを防止することが可能となる。

例えば、請求項５に示されるように、被カーバイド金属膜（１０）として、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａのいずれか１つを用いることができる。

請求項６に記載の発明では、熱処理を９００℃以上で行うことを特徴としている。このように、熱処理を９００℃以上とすることで、ＳｉＣとのコンタクト抵抗低減と、配線用電極（６）の高密着性との両立を実現できる。

請求項７に記載の発明では、熱処理を急速熱処理装置にて行うことを特徴としている。このように、急速熱処理装置を用いて熱処理を行うことで、熱処理時間を短くできることから、グラファイト層（５）の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる。

請求項８に記載の発明では、配線用電極（６）の下層にＴｉもしくはＴｉ化合物を設ける工程を含み、該ＴｉもしくはＴｉ化合物に配線用電極（６）が接合されるようにすることを特徴としている。

このように、配線用電極（６）と下地となる膜との間にＴｉやＴｉ化合物が挟み込まれた構造となるようにすれば、より密着性を高めることも可能となる。

請求項９ないし１４に記載の発明は、上記請求項１ないし８に記載の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置の具体的な特徴を示したものである。これら各請求項に記載の構造により、配線用電極（６）が剥がれることが防止できる炭化珪素半導体装置とすることができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態が適用されたＳｉＣ半導体装置の製造方法について説明する。図１は、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示したものである。

まず、図１（ａ）に示されるように、ＳｉＣ１、例えば４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する。ここでいう基板は、すべてがＳｉＣ１で構成されているものであっても良いし、他の基板にＳｉＣ１が形成されたものであっても良い。

そして、ＳｉＣ１の表面にＮｉ膜２を例えば２００ｎｍ成膜したのち、Ｎｉシリサイド膜３を２００ｎｍ成膜する。このとき、Ｎｉ膜２およびＮｉシリサイド膜３に関しては、ＳｉＣ１のうちコンタクトを取りたい部分が一部のみである場合には、その一部にのみ残るようにパターニングされる場合もある。

この後、急速熱処理（ＲＴＡ：Rapid Thermal Anneal）装置を用いて、９００℃以上、例えば１０００℃で５分間の熱処理を行うというサリサイドプロセスを実施する。これにより、図１（ｂ）に示されるように、Ｎｉ層２がシリサイド化され、ＳｉＣ１の表面にＮｉシリサイド膜４が形成されると共に、このＮｉシリサイド膜４の上にグラファイト層５が形成される。

このとき、グラファイト層５は、上層に形成されているＮｉシリサイド膜３と科学的に結合することになる。このため、グラファイト層５とＮｉシリサイド膜３とは高い密着強度で接合される。

そして、図１（ｃ）に示されるように、Ｎｉシリサイド膜３の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極６を形成する。この後の工程に関しては図示していないが、層間絶縁膜形成工程等を経て、配線用電極６にワイヤボンディングもしくははんだ接合などを行うことでＳｉＣ半導体装置が完成する。

以上説明したＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、グラファイト層５が形成される前に、予めＮｉ膜２の上にＮｉシリサイド膜３を形成しているため、Ｎｉ膜２をシリサイド化したときに、グラファイト層５がＮｉシリサイド膜３と科学的に結合されるようにすることができる。

これにより、グラファイト層５とＮｉシリサイド膜３とを高い密着強度で接合することができる。そして、グラファイト層５の表面にではなく、Ｎｉシリサイド膜３の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＮｉシリサイド膜３から剥離することもない。このため、グラファイト層５の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。

なお、上記のように、熱処理をＲＴＡ装置で行ったが、このようなＲＴＡ装置を用いれば、熱処理時間を短くできることから、グラファイト層５の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる。また、熱処理を９００℃以上という高い温度で行うことができ、ＳｉＣ１とのコンタクト抵抗低減と配線用電極の高密着性との両立を実現することができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。図２は、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示したものである。

まず、上記第１実施形態と同様、図２（ａ）に示されるように、ＳｉＣ１、例えば４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する。

そして、ＳｉＣ１の表面にＮｉ膜２を例えば５００ｎｍ以上の膜厚で成膜する。このとき、Ｎｉ膜２に関しては、ＳｉＣ１のうちコンタクトを取りたい部分が一部のみである場合には、その一部にのみ残るようにパターニングされる場合もある。

この後、ＲＴＡ装置を用いて、９００℃以上、例えば１０００℃で１分間の熱処理を行うというサリサイドプロセスを実施する。これにより、図２（ｂ）に示されるように、Ｎｉ層２がシリサイド化され、ＳｉＣ１の表面にＮｉシリサイド膜４が形成されると共に、このＮｉシリサイド膜４の上にグラファイト層５が形成される。

このとき、Ｎｉ層２が５００ｎｍという厚い膜厚とされているため、Ｎｉ層２がシリサイド化されても部分的なものとなり、サリサイドプロセスを経てからも、グラファイト層５の上層にＮｉ層２が残った状態となる。また、このグラファイト層５と上層に残ったＮｉ層２とは、高い密着強度で接合された状態となる。

そして、図２（ｃ）に示されるように、残ったＮｉ膜２の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極６を形成する。この後の工程に関しては図示していないが、層間絶縁膜形成工程等を経て、配線用電極６にワイヤボンディングもしくははんだ接合などを行うことでＳｉＣ半導体装置が完成する。

以上説明したＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、グラファイト層５が形成されてもその上にＮｉ膜２が残るように、最初からＮｉ膜２を厚く形成するようにしている。このため、Ｎｉ膜２をシリサイド化したあとにも、グラファイト層５が残ったＮｉ層２と高い密着強度で接合された状態となるようにできる。そして、グラファイト層５の表面にではなく、Ｎｉ膜２の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＮｉ膜２から剥離することもない。このため、グラファイト層５の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。

なお、本実施形態でも、第１実施形態と同様に、熱処理をＲＴＡ装置で行ったが、このようなＲＴＡ装置を用いれば、熱処理時間を短くできることから、グラファイト層５の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる。また、熱処理を９００℃以上という高い温度で行うことで、ＳｉＣ１とのコンタクト抵抗低減と配線用電極の高密着性との両立を実現することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。図３は、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示したものである。

まず、上記第１実施形態と同様、図３（ａ）に示されるように、ＳｉＣ１、例えば４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する。

そして、ＳｉＣ１の表面にＮｉ膜２を例えば２００ｎｍ以上の膜厚で成膜したのち、さらにＮｉ膜２の表面に被カーバイド金属膜に相当するＴｉ膜１０を成膜する。このとき、Ｎｉ膜２およびＴｉ膜１０に関しては、ＳｉＣ１のうちコンタクトを取りたい部分が一部のみである場合には、その一部にのみ残るようにパターニングされる場合もある。

この後、ＲＴＡ装置を用いて、９００℃以上、例えば１０００℃で５分間の熱処理を行うというサリサイドプロセスを実施する。これにより、図３（ｂ）に示されるように、Ｎｉ層２がシリサイド化され、ＳｉＣ１の表面にＮｉシリサイド膜４が形成されると共に、このＮｉシリサイド膜４が形成される際に生成されるグラファイトがＴｉ膜１０と反応してＴｉカーバイド膜１１が形成される。

そして、図３（ｃ）に示されるように、Ｔｉカーバイド膜１１の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極６を形成する。この後の工程に関しては図示していないが、層間絶縁膜形成工程等を経て、配線用電極６にワイヤボンディングもしくははんだ接合などを行うことでＳｉＣ半導体装置が完成する。

以上説明したＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、Ｎｉ膜２の上に被カーバイド金属膜となるＴｉ膜１０を形成しておき、Ｎｉ膜２をシリサイド化させる際にＴｉ膜１０にてＴｉカーバイド膜１１が形成されるようにしている。したがって、ワイヤボンディングやはんだ接合との接合性の良好なＴｉカーバイド膜１１の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＴｉカーバイド膜１１から剥離することもない。このため、グラファイト層の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。

なお、本実施形態でも、第１、第２実施形態と同様に、熱処理をＲＴＡ装置で行ったが、このようなＲＴＡ装置を用いれば、熱処理時間を短くできることから、グラファイト層５の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる。また、熱処理を９００℃以上という高い温度で行うことで、ＳｉＣ１とのコンタクト抵抗低減と配線用電極の高密着性との両立を実現することができる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。図４は、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示したものである。

まず、上記第１実施形態と同様、図４（ａ）に示されるように、ＳｉＣ１、例えば４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する。

そして、ＳｉＣ１の表面にＮｉ膜２を例えば２００ｎｍ以上の膜厚で成膜する。このとき、Ｎｉ膜２に関しては、ＳｉＣ１のうちコンタクトを取りたい部分が一部のみである場合には、その一部にのみ残るようにパターニングされる場合もある。

この後、ＲＴＡ装置を用いて、９００℃以下、例えば９００℃で５分間の熱処理を行うというサリサイドプロセスを実施する。これにより、図４（ｂ）に示されるように、Ｎｉ層２がシリサイド化され、ＳｉＣ１の表面にＮｉシリサイド膜４が形成される。このとき、サリサイドプロセスでの熱処理を９００℃以下という低温度で行うようにしているため、Ｎｉシリサイド膜４の上層にグラファイト層が形成されず、Ｎｉ層２が残るか、もしくはすべてＮｉシリサイド膜４となる。

そして、図４（ｃ）に示されるように、残ったＮｉ層２（もしくはＮｉシリサイド膜４）の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極６を形成する。この後の工程に関しては図示していないが、層間絶縁膜形成工程等を経て、配線用電極６にワイヤボンディングもしくははんだ接合などを行うことでＳｉＣ半導体装置が完成する。

以上説明したＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、Ｎｉシリサイド膜４の上層にグラファイト層が形成されず、Ｎｉ膜２もしくはＮｉシリサイド膜４の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＮｉ層２もしくはＮｉシリサイド膜４から剥離することもない。このため、グラファイト層の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。

なお、本実施形態でも、第１〜３実施形態と同様に、熱処理をＲＴＡ装置で行ったが、このようなＲＴＡ装置を用いれば、熱処理時間を短くできることから、グラファイト層５の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる。

（他の実施形態）
上記各実施形態において、ＳｉＣ１の結晶構造が４Ｈである場合を例に挙げて説明したが、ＳｉＣ１の結晶構造は４Ｈに限らず、他の構造、例えば６Ｈや３Ｃであっても構わない。

また、上記各実施形態において、配線用電極６がＡｌで形成される場合を例に挙げて説明したが、これも単なる一例であり、他の金属、例えばＴｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ａｕ、ＡｌＳｉ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｎなどであっても良いし、これらの任意の組み合わせからなる積層膜であっても構わない。

なお、配線用電極６の下層に、Ｔｉ、ＴｉＮなどのＴｉ化合物を形成し、Ｎｉシリサイド膜３等と配線用電極６との間にＴｉやＴｉ化合物が挟み込まれた構造となるようにすれば、より密着性を高めることも可能となる。

上記第１実施形態では、金属シリサイド膜としてＮｉシリサイド膜３を形成した場合を例に挙げて説明したが、これも単なる一例であり、Ｎｉシリサイド膜３に代えて、Ｗシリサイド膜、Ｃｏシリサイド膜、Ｃｒシリサイド膜、Ｍｏシリサイド膜、Ｔｉシリサイド膜、Ｐｔシリサイド膜、Ａｌシリサイド膜のいずれか１つもしくは複数の組み合わせを金属シリサイド膜として用いても良い。

上記第３実施形態では、被カーバイド金属膜としてＴｉ膜１０を用い、カーバイド金属膜がＴｉカーバイド膜１１で構成される場合を例に挙げて説明したが、これも単なる一例であり、Ｔｉに代えて、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａのいずれかを用いることができる。

本発明の第１実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の第３実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の第４実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す断面図である。 従来の炭化珪素半導体装置の断面図である。

符号の説明

１…ＳｉＣ、２…Ｎｉ膜、３…Ｎｉシリサイド膜（金属シリサイド膜）、４…Ｎｉシリサイド膜、５…グラファイト層、６…配線用電極、１０…Ｔｉ膜（被カーバイド金属膜）、１１…Ｔｉカーバイド膜（金属カーバイド膜）。

Claims (14)

1. 炭化珪素（１）の表面にＮｉ膜（２）を形成する工程と、
   前記Ｎｉ膜（２）の上に金属シリサイド膜（３）を形成する工程と、
   熱処理を行うことで、前記Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、前記炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成する工程と、
   前記金属シリサイド膜（３）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
2. 前記金属シリサイド膜（３）を形成する工程では、前記金属シリサイド膜（３）として、Ｎｉシリサイド膜、Ｗシリサイド膜、Ｃｏシリサイド膜、Ｃｒシリサイド膜、Ｍｏシリサイド膜、Ｔｉシリサイド膜、Ｐｔシリサイド膜、Ａｌシリサイド膜のいずれか１つもしくは複数の組み合わせを形成することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
3. 炭化珪素（１）の表面に厚さ５００ｎｍ以上となるＮｉ膜（２）を形成する工程と、
   熱処理を行うことで、前記Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、前記炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成することで、該Ｎｉシリサイド膜（４）の上にグラファイト層（５）が形成されると共に、該グラファイト層（５）の上に前記Ｎｉ膜（２）の一部が残された構造を形成する工程と、
   前記Ｎｉ膜（２）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
4. 炭化珪素（１）の表面にＮｉ膜（２）を形成する工程と、
   前記Ｎｉ膜（２）の上に被カーバイド金属膜（１０）を形成する工程と、
   熱処理を行うことで、前記Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ、前記炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成すると共に、前記被カーバイド金属膜（１０）にて金属カーバイド膜（１１）を形成する工程と、
   前記金属カーバイド膜（１１）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
5. 前記被カーバイド金属膜（１０）を形成する工程では、前記被カーバイド金属膜（１０）として、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａのいずれか１つを形成するものであることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
6. 前記熱処理を９００℃以上で行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
7. 前記熱処理を急速熱処理装置にて行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
8. 前記配線用電極（６）の下層にＴｉもしくはＴｉ化合物を設ける工程を含み、該ＴｉもしくはＴｉ化合物に前記配線用電極（６）が接合されるようにすることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
9. 炭化珪素（１）が含まれる基板と、
   前記炭化珪素（１）の表面に形成されたＮｉシリサイド膜（４）と、
   前記Ｎｉシリサイド膜（４）の上に形成されたグラファイト層（５）と、
   前記グラファイト層（５）の上に形成された金属シリサイド膜（３）と、
   前記金属シリサイド膜（３）の上に形成された配線用電極（６）とを有していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
10. 前記金属シリサイド膜（３）は、Ｎｉシリサイド膜、Ｗシリサイド膜、Ｃｏシリサイド膜、Ｃｒシリサイド膜、Ｍｏシリサイド膜、Ｔｉシリサイド膜、Ｐｔシリサイド膜、Ａｌシリサイド膜のいずれか１つもしくは複数の組み合わせであることを特徴とする請求項９に記載の炭化珪素半導体装置。
11. 炭化珪素（１）が含まれる基板と、
    前記炭化珪素（１）の表面に形成されたＮｉシリサイド膜（４）と、
    前記Ｎｉシリサイド膜（４）の上に形成されたＮｉ膜（２）と、
    前記Ｎｉ膜（２）の上に形成された配線用電極（６）とを有していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
12. 炭化珪素（１）が含まれる基板と、
    前記炭化珪素（１）の表面に形成されたＮｉシリサイド膜（４）と、
    前記Ｎｉシリサイド膜（４）の上に形成された金属カーバイド膜（１１）と、
    前記金属カーバイド膜（１１）の上に形成された配線用電極（６）とを有していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
13. 前記金属カーバイド膜（１１）は、Ｔｉカーバイド、Ｗカーバイド、Ｍｏカーバイド、Ｔａカーバイドのいずれか１つであることを特徴とする請求項１２に記載の炭化珪素半導体装置。
14. 前記配線用電極（６）の下層にＴｉもしくはＴｉ化合物が設けられており、該ＴｉもしくはＴｉ化合物に前記配線用電極（６）が接合されるようにすることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
    

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