JP6151089B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
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Description
まず、本発明の実施の形態1による半導体装置の構成について説明する。
図9は、本発明の実施の形態2による半導体装置1の裏面電極4部分の断面の一例を示す図である。
まず、本発明の実施の形態3による半導体装置の構成について説明する。
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に、第1金属電極、第2金属電極、および第3金属電極を順に積層して形成した金属電極と、
を備え、
前記第1金属電極は、TiまたはTi合金であり、
前記第2金属電極は、NiまたはNi合金であり、
前記第3金属電極は、Agと、Pd、Ni、Cu、Mg、Zn、Nd、Sn、およびBiのうちの少なくとも1以上との合金であり、
前記半導体基板と前記第1金属電極との間に第4金属電極をさらに備え、
前記第1金属電極は、Ti、V、Cr、Moのうちの少なくとも1以上を含み、
前記第4金属電極は、Al、またはAlと、SiおよびCuのうちのいずれか1以上との合金であり、
前記半導体基板はp型であり、
前記第3金属電極は、Agを主成分とする合金であることを特徴とする、半導体装置。 - 前記第3金属電極におけるSnの含有量は、0.1wt%から20wt%であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2金属電極と前記第3金属電極との間にAgからなる金属膜をさらに備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に、第1金属電極、第2金属電極、および第3金属電極を順に積層して形成した金属電極と、
を備え、
前記第1金属電極は、TiまたはTi合金であり、
前記第2金属電極は、NiまたはNi合金であり、
前記第3金属電極は、Agと、Pd、Ni、Cu、Mg、Zn、Nd、Sn、およびBiのうちの少なくとも1以上との合金であり、
前記半導体基板と前記第1金属電極との間に第4金属電極をさらに備え、
前記第1金属電極は、Ti、V、Cr、Moのうちの少なくとも1以上を含み、
前記第4金属電極は、Al、またはAlと、SiおよびCuのうちのいずれか1以上との合金であり、
前記半導体基板はp型であり、
前記第2金属電極と前記第3金属電極との間にAgからなる金属膜をさらに備えることを特徴とする、半導体装置。 - 前記金属電極は、前記半導体基板の表面および裏面上に設けられることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- (a)半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板上に、第1金属電極、第2金属電極、および第3金属電極を順に積層して金属電極を形成する工程と、
を備え、
前記工程(b)において、
前記第1金属電極は、TiまたはTi合金であり、
前記第2金属電極は、NiまたはNi合金であり、
前記第3金属電極は、Agと、Pd、Ni、Cu、Mg、Zn、Nd、Sn、およびBiのうちの少なくとも1以上との合金であり、
前記工程(b)において、
前記半導体基板と前記第1金属電極との間に第4金属電極をさらに形成し、
前記第1金属電極は、Ti、V、Cr、Moのうちの少なくとも1以上を含み、
前記第4金属電極は、Al、またはAlと、SiおよびCuのうちのいずれか1以上との合金であり、
前記半導体基板はp型であり、
前記第3金属電極は、Agを主成分とする合金であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)において、
前記第2金属電極と前記第3金属電極との間にAgからなる金属膜をさらに形成することを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板上に、第1金属電極、第2金属電極、および第3金属電極を順に積層して金属電極を形成する工程と、
を備え、
前記工程(b)において、
前記第1金属電極は、TiまたはTi合金であり、
前記第2金属電極は、NiまたはNi合金であり、
前記第3金属電極は、Agと、Pd、Ni、Cu、Mg、Zn、Nd、Sn、およびBiのうちの少なくとも1以上との合金であり、
前記工程(b)において、
前記半導体基板と前記第1金属電極との間に第4金属電極をさらに形成し、
前記第1金属電極は、Ti、V、Cr、Moのうちの少なくとも1以上を含み、
前記第4金属電極は、Al、またはAlと、SiおよびCuのうちのいずれか1以上との合金であり、
前記半導体基板はp型であり、
前記工程(b)において、
前記第2金属電極と前記第3金属電極との間にAgからなる金属膜をさらに形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)において、
前記金属電極は、前記半導体基板の表面および裏面上に形成されることを特徴とする、請求項6から8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - (c)前記金属電極と回路基板とを、はんだを介して接合する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項6から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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