JP5252856B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、裏面電極を形成する前の工程において、基板の表面に回路素子を備えているために、上記温度域による加熱で回路素子等に変化や破損が生じることが問題となっていた。
このため、通常、WSS(Wafer Support System)等の基板にガラスや樹脂からなる支持部材を設けて搬送するようにしているが、このWSSの場合半導体基板と支持部材との間に接着剤を使用するが、この接着剤には耐熱温度の制限があるため、上記のような温度にて加熱することが困難であるという問題があった。
しかしながら、前記ニッケルシリサイド層には、温度によって、高い応力が発生することがあり剥がれやすく、しかも、Ni層に積層されるTi層が、高抵抗のNiTi合金となるという問題があった。
本発明の半導体基板の製造方法は、請求項1に記載の通り、半導体基板の表面に回路素子を備え、裏面に積層構造の電極を備えた半導体基板の製造方法であって、前記半導体基板としてSiを主体とする基板を使用し、前記基板の裏面に、厚さ10nm〜50nmの第1のNi層、厚さ100nm〜300nmのTi層、厚さ100nm〜800nmの第2のNi層及びAu層を順に積層した後、100℃以上200℃以下で加熱処理することにより前記基板上にニッケルシリサイド層を形成することを特徴とする。
また、請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の半導体基板の製造方法において、前記基板の裏面に、厚さ10nm〜100nmのTi層を積層した後、前記第1のNi層を積層することを特徴とする。
また、本発明の半導体基板の製造方法によれば、低温においてニッケルシリサイド層を形成することができる。その結果、基板の薄型化による搬送の際の補強支持部材に接着剤を使用して接着した場合であっても、高温のために接着剤が剥離することがない。また、高抵抗のNiTi合金層が形成することがない。
前記多層電極は、Siを主体とする基板の裏面側に少なくともNi層を積層した後に、100℃以上300℃以下で加熱処理することにより基板上にニッケルシリサイド層を形成したものである。これにより、ニッケルシリサイド層の基板とは反対側にNi層を残すことができ、その上に金属層を積層する際に密着力を高めることができる。また、本発明のNi層を残存させたニッケルシリサイド層に対して、同じ膜厚でニッケルシリサイド層を形成した場合と比べると抵抗値を下げることができる。前記温度域とした理由は、100℃未満であると、ニッケルシリサイド層が形成されず、300℃を超えると、Ni層上に積層される金属層と反応して高い抵抗値の合金層が形成されるとともに、Ni層の応力が大きくなり、膜剥がれが発生するからである。
具体的には、前記Si基板の裏面側の多層電極の構造の例を挙げると、例えば、第1のNi層、Ti層、第2のNi層及びAu層の順に積層した構造とすることができる。また、各層の膜厚として、前記第1のNi層の厚さを10nm〜50nm、Ti層を厚さ100nm〜200nm、前記第2のNi層の厚さを100nm〜800nmとすることができる。
また、前記Siを主体とする半導体基板の裏面側に、第1層として厚さ10nm〜100nmのTi層を積層した後にNi層を積層してもよい。Ni層がTi層を突き抜けてニッケルシリサイド層を形成してオーミックコンタクトが得られるからである。尚、Ti層の厚さが10nm未満であるとバリアメタルとしての効果が低くなり、100nmを超えるとニッケルシリサイド層が形成されないためである。
尚、上記した各層は、スパッタ又は蒸着により形成することができるが、スパッタの場合、蒸着にくらべ緻密な膜が形成されやすく、その為に高い応力が生じるため、密着力を高めることが可能な本発明は、スパッタにより各層を形成する場合により有効である。
本実施例において使用する装置の概略構成は、図3に示すように、Siを主体とし、その表面に電子回路を形成した半導体基板を搬送するための移載機2と、半導体基板の裏面に成膜するための搬送室3とを備えている。搬送室3内には、半導体基板を載置するためのロボットアーム等が配置され、搬送室3の半導体基板を、ICPプラズマ等により半導体基板の裏面の自然酸化膜を除去するためのエッチングソース5、Ti及びAuを成膜するためのマルチカソード6、Niを成膜するためのシングルカソード7、半導体基板を加熱するためのランプを備えたロード・アンロード室8に搬送できるようになっている。
前記装置において、直径150mm、厚さ625μmの円形状の半導体基板を移載機2から搬送室3内に搬送し、エッチングソース5により半導体基板の裏面についた自然酸化膜を除去する。次に、シングルカソード7により、第1のNi層を10nm成膜し、マルチカソード6により、Ti層を200nm成膜し、シングルカソード7により第2のNi層を400nm成膜し、マルチカソード6により、Au層を30nm成膜して、図4に示す積層構造体とした。そして、ロード・アンロード室8において、半導体基板を200℃で20分間加熱して、半導体基板上にニッケルシリサイド層を形成した。
実施例1で使用した装置により、直径150mm、厚さ625mmの円形状の半導体基板を移載機2から搬送室3内に搬送し、エッチングソース5により半導体基板の裏面についた自然酸化膜を除去する。次に、マルチカソード6により、Ti層を10nm成膜し、シングルカソード7により第2のNi層を400nm成膜し、マルチカソード6により、Au層を30nm成膜した。そして、ロード・アンロード室8において、半導体基板を300℃で20分間加熱して、半導体基板上にニッケルシリサイド層を形成した。
加熱処理をしなかったこと以外は実施例1と同様にして半導体基板を作成した。
450℃で加熱処理した以外は実施例1と同様にして半導体基板を作成した。
図5〜図7から、実施例1及び参考例では電圧−電流の直線性があり、即ち、半導体基板とオーミックコンタクトしており、コンタクト抵抗についても、実施例1では15.2Ω/cm2、参考例では0.186Ω/cm2と低い値が得られた。これに対して、比較例1では、実施例1及び参考例と比べて、電流値が低く、直線性が得られておらず、半導体基板とオーミックコンタクトしていないと考えられる。
3 搬送室
5 エッチングソース
6 マルチカソード
7 シングルカソード
8 ロード・アンロード室
Claims (2)
- 半導体基板の表面に回路素子を備え、裏面に積層構造の電極を備えた半導体基板の製造方法であって、前記半導体基板としてSiを主体とする基板を使用し、前記基板の裏面に、厚さ10nm〜50nmの第1のNi層、厚さ100nm〜300nmのTi層、厚さ100nm〜800nmの第2のNi層及びAu層を順に積層した後、100℃以上200℃以下で加熱処理することにより前記基板上にニッケルシリサイド層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
- 前記基板の裏面に、厚さ10nm〜100nmのTi層を積層した後、前記第1のNi層を積層することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
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