JPH10335259A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH10335259A JPH10335259A JP14013697A JP14013697A JPH10335259A JP H10335259 A JPH10335259 A JP H10335259A JP 14013697 A JP14013697 A JP 14013697A JP 14013697 A JP14013697 A JP 14013697A JP H10335259 A JPH10335259 A JP H10335259A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電型の異なる半導体基板若しくは半導体層
にそれぞれ異なる電極を被着しなければならず、またボ
ンディングワイヤの接合不良が生じるという問題があっ
た。 【解決手段】 半導体基板若しくは半導体層１上に、複
数の金属材料を順次積層した電極を有する半導体装置で
あって、前記電極がクロム２、金ゲルマニウム３、クロ
ム４、及び金５を順次積層した構造にした。
にそれぞれ異なる電極を被着しなければならず、またボ
ンディングワイヤの接合不良が生じるという問題があっ
た。 【解決手段】 半導体基板若しくは半導体層１上に、複
数の金属材料を順次積層した電極を有する半導体装置で
あって、前記電極がクロム２、金ゲルマニウム３、クロ
ム４、及び金５を順次積層した構造にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に関し、特に化合物半導体を用いた発光ダイ
オードアレイなどの半導体装置およびその製造方法に関
する。
の製造方法に関し、特に化合物半導体を用いた発光ダイ
オードアレイなどの半導体装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体を用
いた半導体装置においては、それぞれの導電型に応じた
材料から成る電極が使われていた。例えばｐ型ガリウム
砒素では、金クロム（ＡｕＣｒ）などから成る電極が用
いられ、ｎ型ガリウム砒素では、金ゲルマニウム（Ａｕ
Ｇｅ）／ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）／金ゲルマニウ
ム或いは金ゲルマニウムインジウム（ＡｕＧｅＩｎ）な
どから成る電極が用いられている。これは、それぞれの
導電型の半導体基板若しくは半導体層とのコンタクト抵
抗を小さくしてオーミックコンタクトが得られるように
考慮されたものである。
来、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体を用
いた半導体装置においては、それぞれの導電型に応じた
材料から成る電極が使われていた。例えばｐ型ガリウム
砒素では、金クロム（ＡｕＣｒ）などから成る電極が用
いられ、ｎ型ガリウム砒素では、金ゲルマニウム（Ａｕ
Ｇｅ）／ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）／金ゲルマニウ
ム或いは金ゲルマニウムインジウム（ＡｕＧｅＩｎ）な
どから成る電極が用いられている。これは、それぞれの
導電型の半導体基板若しくは半導体層とのコンタクト抵
抗を小さくしてオーミックコンタクトが得られるように
考慮されたものである。
【０００３】ところが、半導体基板の同一面上に上述の
ような導電型によって構造が異なる電極を形成する場
合、電極材料の蒸着、マスク材料の塗布とパターニン
グ、電極材料のエッチングをそれぞれ二回行わなければ
ならず、製造工程が極めて煩雑になるという問題があっ
た。
ような導電型によって構造が異なる電極を形成する場
合、電極材料の蒸着、マスク材料の塗布とパターニン
グ、電極材料のエッチングをそれぞれ二回行わなければ
ならず、製造工程が極めて煩雑になるという問題があっ
た。
【０００４】また、それぞれの導電型の化合物半導体基
板若しくは化合物半導体層とオーミックコンタクトを得
ようとする場合、ゲルマニウム（Ｇｅ）で電極を形成す
ればよいことが知られているが、電極材料中にゲルマニ
ウムを添加して熱処理をすると、電極材料のゲルマニウ
ムや半導体材料のガリウムが電極の表面に析出して電極
表面が柔らかくなると共に、このゲルマニウムやガリウ
ムの一部が酸化されてボンディングワイヤを構成する材
料の濡れ性がわるくなり、ボンディングワイヤの接合不
良が発生するという問題があった。
板若しくは化合物半導体層とオーミックコンタクトを得
ようとする場合、ゲルマニウム（Ｇｅ）で電極を形成す
ればよいことが知られているが、電極材料中にゲルマニ
ウムを添加して熱処理をすると、電極材料のゲルマニウ
ムや半導体材料のガリウムが電極の表面に析出して電極
表面が柔らかくなると共に、このゲルマニウムやガリウ
ムの一部が酸化されてボンディングワイヤを構成する材
料の濡れ性がわるくなり、ボンディングワイヤの接合不
良が発生するという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて発明されたものであり、導電型の異なる半導体領
域若しくは半導体層にそれぞれ異なる電極を形成しなけ
ればならないという従来装置の問題点を解消すると共
に、ボンディングワイヤの接合不良が生じるという従来
装置の問題点を解消した半導体装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
鑑みて発明されたものであり、導電型の異なる半導体領
域若しくは半導体層にそれぞれ異なる電極を形成しなけ
ればならないという従来装置の問題点を解消すると共
に、ボンディングワイヤの接合不良が生じるという従来
装置の問題点を解消した半導体装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置によれば、半導体基板若し
くは半導体層上に、複数の金属材料を順次積層した電極
を有する半導体装置において、前記電極をクロム、金ゲ
ルマニウム、クロム、及び金を順次積層した構造にし
た。
に、本発明に係る半導体装置によれば、半導体基板若し
くは半導体層上に、複数の金属材料を順次積層した電極
を有する半導体装置において、前記電極をクロム、金ゲ
ルマニウム、クロム、及び金を順次積層した構造にし
た。
【０００７】また、本発明に係る半導体装置によれば、
前記上層側クロムの膜厚が１００〜５００Åであること
が望ましい。
前記上層側クロムの膜厚が１００〜５００Åであること
が望ましい。
【０００８】さらに、本発明に係る半導体装置によれ
ば、前記下層側クロムの膜厚が１００〜６００Åであ
り、前記金ゲルマニウムの膜厚が７００Å以上であり、
前記金の膜厚が８０００Å以上であり、前記電極全体の
膜厚が１１５００Å以上であることが望ましい。
ば、前記下層側クロムの膜厚が１００〜６００Åであ
り、前記金ゲルマニウムの膜厚が７００Å以上であり、
前記金の膜厚が８０００Å以上であり、前記電極全体の
膜厚が１１５００Å以上であることが望ましい。
【０００９】さらに、本発明に係る半導体装置によれ
ば、前記半導体基板若しくは半導体層がガリウム砒素、
インジウムガリウム砒素、若しくはインジウムアルミニ
ウムガリウム砒素から成ることが望ましい。
ば、前記半導体基板若しくは半導体層がガリウム砒素、
インジウムガリウム砒素、若しくはインジウムアルミニ
ウムガリウム砒素から成ることが望ましい。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、半導体基板若しくは半導体層上に、複数の金
属材料を順次積層して焼鈍する半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体基板若しくは半導体層上に、クロ
ム、金ゲルマニウム、クロム、及び金を順次積層した後
に、３００〜３５０℃の温度で焼鈍する。
によれば、半導体基板若しくは半導体層上に、複数の金
属材料を順次積層して焼鈍する半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体基板若しくは半導体層上に、クロ
ム、金ゲルマニウム、クロム、及び金を順次積層した後
に、３００〜３５０℃の温度で焼鈍する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施形態を示す図であり、１は半導体基板若しくは半導
体層、２は全体としての電極、３はクロムから成る層、
４は金ゲルマニウムから成る層、５はクロムから成る
層、６は金から成る層である。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施形態を示す図であり、１は半導体基板若しくは半導
体層、２は全体としての電極、３はクロムから成る層、
４は金ゲルマニウムから成る層、５はクロムから成る
層、６は金から成る層である。
【００１２】半導体基板もしくは半導体層１は、ガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧ
ａＡｓ）、若しくはインジウムアルミニウムガリウム砒
素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導体から成る。
半導体層を形成する基板としては、化合物半導体に限ら
ず、シリコン基板やサファイア基板などであってもよ
い。
ム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムガリウム砒素（ＩｎＧ
ａＡｓ）、若しくはインジウムアルミニウムガリウム砒
素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導体から成る。
半導体層を形成する基板としては、化合物半導体に限ら
ず、シリコン基板やサファイア基板などであってもよ
い。
【００１３】電極２は、下層側クロム層３、金ゲルマニ
ウム層４、上層側クロム層５、および金層６で構成され
る。下層側クロム層３は、半導体基板もしくは半導体層
１と電極２との密着性を向上させるために設ける。この
下層側クロム層３は、１００Å以上の膜厚を有すること
が望ましく、半導体基板若しくは半導体層１と電極２と
のコンタクト抵抗（接触抵抗）、特にｎ型半導体層との
コンタクト抵抗を低減するために６００Å以下にするこ
とが望ましい。１００Å以下の厚みの場合、クロム層が
島状になって領域の全面には形成することが困難であ
る。この下層側クロム層３は、通常は３００Å程度の厚
みに形成される。
ウム層４、上層側クロム層５、および金層６で構成され
る。下層側クロム層３は、半導体基板もしくは半導体層
１と電極２との密着性を向上させるために設ける。この
下層側クロム層３は、１００Å以上の膜厚を有すること
が望ましく、半導体基板若しくは半導体層１と電極２と
のコンタクト抵抗（接触抵抗）、特にｎ型半導体層との
コンタクト抵抗を低減するために６００Å以下にするこ
とが望ましい。１００Å以下の厚みの場合、クロム層が
島状になって領域の全面には形成することが困難であ
る。この下層側クロム層３は、通常は３００Å程度の厚
みに形成される。
【００１４】金ゲルマニウム層４は、半導体基板若しく
は半導体層１とオーミックコンタクトをとるために設け
る。この金ゲルマニウム層４は、７００Å以上でできる
だけ薄いことが望ましい。この金ゲルマニウム層４は、
オーミックコンタクト層として機能するものであり、膜
厚が７００Å以下になるとオーミックコンタクトをとる
のが困難になる。一方、金ゲルマニウムは非常に高価な
合金であり、できるだけ薄い方が望ましい。通常は１０
００Å程度の厚みに形成される。上述のような化合物半
導体基板若しくは化合物半導体層１とオーミック接合す
る機能を果たすのは、ゲルマニウムであるが、ゲルマニ
ウムだけの場合は、硬度が小さく、しかも融点が高いた
めに、金との合金を用いる。この場合、Ａｕ：８８ｗｔ
％−Ｇｅ：１２ｗｔ％のものなどを好適に用いることが
できる。
は半導体層１とオーミックコンタクトをとるために設け
る。この金ゲルマニウム層４は、７００Å以上でできる
だけ薄いことが望ましい。この金ゲルマニウム層４は、
オーミックコンタクト層として機能するものであり、膜
厚が７００Å以下になるとオーミックコンタクトをとる
のが困難になる。一方、金ゲルマニウムは非常に高価な
合金であり、できるだけ薄い方が望ましい。通常は１０
００Å程度の厚みに形成される。上述のような化合物半
導体基板若しくは化合物半導体層１とオーミック接合す
る機能を果たすのは、ゲルマニウムであるが、ゲルマニ
ウムだけの場合は、硬度が小さく、しかも融点が高いた
めに、金との合金を用いる。この場合、Ａｕ：８８ｗｔ
％−Ｇｅ：１２ｗｔ％のものなどを好適に用いることが
できる。
【００１５】上層側クロム層５は、下層のゲルマニウム
や半導体材料のガリウムが電極２の表面に析出すること
を防止するために設けるものであり、１００〜５００Å
の厚みに形成することが望ましい。この上層側クロム層
５の膜厚が１００Å以下の場合、クロム層が島状になっ
て領域の全面には形成しにくく、ゲルマニウムやガリウ
ムの析出防止効果が充分でない。また、この上層側クロ
ム層５の膜厚が５００Å以上になると、半導体基板若し
くは半導体層１とのコンタクト抵抗、特にｎ半導体との
コンタクト抵抗が大きくなる。この上層側クロム層５
は、通常は３００Å程度の厚みに形成される。
や半導体材料のガリウムが電極２の表面に析出すること
を防止するために設けるものであり、１００〜５００Å
の厚みに形成することが望ましい。この上層側クロム層
５の膜厚が１００Å以下の場合、クロム層が島状になっ
て領域の全面には形成しにくく、ゲルマニウムやガリウ
ムの析出防止効果が充分でない。また、この上層側クロ
ム層５の膜厚が５００Å以上になると、半導体基板若し
くは半導体層１とのコンタクト抵抗、特にｎ半導体との
コンタクト抵抗が大きくなる。この上層側クロム層５
は、通常は３００Å程度の厚みに形成される。
【００１６】金層６は、電極２全体の配線抵抗を下げる
と共に、ボンディングワイヤを接合するために設けるも
のであり、８０００Å以上の厚みに形成することが望ま
しい。この金層６の厚みが８０００Å以下の場合、電極
２全体の配線抵抗が大きくなり、例えば発光ダイオード
アレイのカソード電極などに用いた場合は、配線抵抗に
よる電圧降下で発光素子毎の発光強度にばらつきが発生
する。なお、この金層６は厚くても５００００Å程度に
形成すれば充分であり、それ以上厚くしても相応の効果
はない。通常は８５００Å程度の厚みに形成される。
と共に、ボンディングワイヤを接合するために設けるも
のであり、８０００Å以上の厚みに形成することが望ま
しい。この金層６の厚みが８０００Å以下の場合、電極
２全体の配線抵抗が大きくなり、例えば発光ダイオード
アレイのカソード電極などに用いた場合は、配線抵抗に
よる電圧降下で発光素子毎の発光強度にばらつきが発生
する。なお、この金層６は厚くても５００００Å程度に
形成すれば充分であり、それ以上厚くしても相応の効果
はない。通常は８５００Å程度の厚みに形成される。
【００１７】半導体基板若しくは半導体層１が形成され
た基板を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に保持された高真空槽
内に設置して、クロム、金ゲルマニウム、および金を蒸
発源として、下層側クロム層３、金ゲルマニウム層４、
上層側クロム層５、および金層６を順次堆積させる。こ
の場合、蒸発源の蒸発方式としては、抵抗加熱法、電子
ビーム加熱法、レーザービーム加熱法、高周波加熱法、
フラッシュ蒸発法などのいずれでもよい。
た基板を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に保持された高真空槽
内に設置して、クロム、金ゲルマニウム、および金を蒸
発源として、下層側クロム層３、金ゲルマニウム層４、
上層側クロム層５、および金層６を順次堆積させる。こ
の場合、蒸発源の蒸発方式としては、抵抗加熱法、電子
ビーム加熱法、レーザービーム加熱法、高周波加熱法、
フラッシュ蒸発法などのいずれでもよい。
【００１８】次に、各金属層３〜６の密着性を良好にす
ると共に、オーミックコンタクトを得るために、３００
〜３５０℃の温度で焼鈍する。この温度が３００℃以下
の場合、ゲルマニウムの拡散が不十分で半導体基板もし
くは半導体層１と電極２とのオーミックコンタクトが得
られず、３５０℃以上の場合、半導体材料のガリウムや
電極材料のゲルマニウムが電極２の表面に析出して、電
極２が軟化すると共に、ガリウムやゲルマニウムが酸化
されてボンディングワイヤの構成材料の濡れ性が悪くな
り、ボンディング性が低下する。
ると共に、オーミックコンタクトを得るために、３００
〜３５０℃の温度で焼鈍する。この温度が３００℃以下
の場合、ゲルマニウムの拡散が不十分で半導体基板もし
くは半導体層１と電極２とのオーミックコンタクトが得
られず、３５０℃以上の場合、半導体材料のガリウムや
電極材料のゲルマニウムが電極２の表面に析出して、電
極２が軟化すると共に、ガリウムやゲルマニウムが酸化
されてボンディングワイヤの構成材料の濡れ性が悪くな
り、ボンディング性が低下する。
【００１９】最後に、フォトリソグラフィ法やリフトオ
フ法で所定の電極形状にパターニングして完成する。
フ法で所定の電極形状にパターニングして完成する。
【００２０】−実験例１− ガリウム砒素から成る半導体基板１上に、シリコン（Ｓ
ｉ）を２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ-3含有したｎ型半導
体層と亜鉛（Ｚｎ）を１×１０19ａｔｏｍ・ｃｍ含有し
たｐ型半導体層を形成し、このｎ型半導体層とｐ型半導
体層に下層側クロム層３、金ゲルマニウム層４、および
金層６を６００Å、８５００Å、および８５００Åの厚
みにそれぞれ形成すると共に、上層側クロム層５の厚み
を種々変更してコンタクト抵抗を測定した。なお、コン
タクト面積は２００μｍ2 である。その結果を図２に示
す。図２から明らかなように、上層側クロム層５の膜厚
が４８０Åの場合、コンタクト抵抗はほぼ９Ω（ｎ側）
と６Ω（ｐ側）であったものが、上層側クロム層５の膜
厚が５００Å以上になると、ｐ側は４．５Ωでほぼ横ば
いであったものが、ｎ側は２８Ωとなり、上層側クロム
層５の膜厚が５００Åを越えると急激にコンタクト抵抗
が大きくなることがわかった。したがって、上層側クロ
ム層５の膜厚は５００Å以下であることが望ましい。
ｉ）を２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ-3含有したｎ型半導
体層と亜鉛（Ｚｎ）を１×１０19ａｔｏｍ・ｃｍ含有し
たｐ型半導体層を形成し、このｎ型半導体層とｐ型半導
体層に下層側クロム層３、金ゲルマニウム層４、および
金層６を６００Å、８５００Å、および８５００Åの厚
みにそれぞれ形成すると共に、上層側クロム層５の厚み
を種々変更してコンタクト抵抗を測定した。なお、コン
タクト面積は２００μｍ2 である。その結果を図２に示
す。図２から明らかなように、上層側クロム層５の膜厚
が４８０Åの場合、コンタクト抵抗はほぼ９Ω（ｎ側）
と６Ω（ｐ側）であったものが、上層側クロム層５の膜
厚が５００Å以上になると、ｐ側は４．５Ωでほぼ横ば
いであったものが、ｎ側は２８Ωとなり、上層側クロム
層５の膜厚が５００Åを越えると急激にコンタクト抵抗
が大きくなることがわかった。したがって、上層側クロ
ム層５の膜厚は５００Å以下であることが望ましい。
【００２１】−実験例２− 実験例１と同一条件でｎ型半導体層とｐ型半導体層を形
成すると共に、下層側クロム層３、金ゲルマニウム層
４、上層側クロム層５をそれぞれ３００Å、１０００
Å、３００Åの厚みに形成すると共に、金層６の厚みを
種々変更して、電極２全体の厚みが図３に示す値になる
ように形成して電極２の配線抵抗を測定した。なお、電
極２の線幅は２０μｍで、長さは５．４ｍｍである。こ
の線幅と長さは、６００ｄｐｉの発光ダイオードを形成
する場合の一般的な値である。その結果を図３に示す。
成すると共に、下層側クロム層３、金ゲルマニウム層
４、上層側クロム層５をそれぞれ３００Å、１０００
Å、３００Åの厚みに形成すると共に、金層６の厚みを
種々変更して、電極２全体の厚みが図３に示す値になる
ように形成して電極２の配線抵抗を測定した。なお、電
極２の線幅は２０μｍで、長さは５．４ｍｍである。こ
の線幅と長さは、６００ｄｐｉの発光ダイオードを形成
する場合の一般的な値である。その結果を図３に示す。
【００２２】図３から明らかなように、電極２の厚みが
８０００Åの場合はその配線抵抗は６７Ωで、１０００
０Åの場合は５８Ωで、１１５００Åの場合は５０Ωに
なり、それ以上の膜厚になると変化がほぼなくなること
がわかった。したがって、６００ｄｐｉの発光ダイオー
ドを形成する場合、電極２の膜厚は全体で１１５００Å
以上が望ましいことがわかった。
８０００Åの場合はその配線抵抗は６７Ωで、１０００
０Åの場合は５８Ωで、１１５００Åの場合は５０Ωに
なり、それ以上の膜厚になると変化がほぼなくなること
がわかった。したがって、６００ｄｐｉの発光ダイオー
ドを形成する場合、電極２の膜厚は全体で１１５００Å
以上が望ましいことがわかった。
【００２３】−実験例３− 実験例１と同一の条件でｎ型半導体層とｐ型半導体層を
形成すると共に、下層側クロム層、金ゲルマニウム層
４、上層側クロム層５、および金層６をそれぞれ２００
Å、１０００Å、１００Å、および１００００Åの膜厚
に形成すると共に、焼鈍の温度を４００℃×２０分、３
５０℃×２０分、３１５℃×２０分、３００℃×２０
分、２８５℃×２０分に設定して、線径２５μｍの純金
細線から成るボンディングワイヤでボンディングを行っ
て、このワイヤーに引っ張り荷重をかけるボンディング
性試験を行った。
形成すると共に、下層側クロム層、金ゲルマニウム層
４、上層側クロム層５、および金層６をそれぞれ２００
Å、１０００Å、１００Å、および１００００Åの膜厚
に形成すると共に、焼鈍の温度を４００℃×２０分、３
５０℃×２０分、３１５℃×２０分、３００℃×２０
分、２８５℃×２０分に設定して、線径２５μｍの純金
細線から成るボンディングワイヤでボンディングを行っ
て、このワイヤーに引っ張り荷重をかけるボンディング
性試験を行った。
【００２４】その結果、焼鈍温度が４００℃×２０分の
ときは、ワイヤーボンディング直後にワイヤーが剥がれ
る欠陥が生じ、３５０℃×２０分のときは７ｇの荷重で
ワイヤーがボンド部分から切断したもののワイヤボンデ
ィング性はほぼ良好で、３１５℃×２０分のときは１０
ｇの荷重でワイヤーがボンド部分から切断したものワイ
ヤボンディング性は良好であった。したがって、焼鈍は
３５０℃以下の温度で行うことが望ましいことがわかっ
た。
ときは、ワイヤーボンディング直後にワイヤーが剥がれ
る欠陥が生じ、３５０℃×２０分のときは７ｇの荷重で
ワイヤーがボンド部分から切断したもののワイヤボンデ
ィング性はほぼ良好で、３１５℃×２０分のときは１０
ｇの荷重でワイヤーがボンド部分から切断したものワイ
ヤボンディング性は良好であった。したがって、焼鈍は
３５０℃以下の温度で行うことが望ましいことがわかっ
た。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体装置
によれば、電極をクロム、金ゲルマニウム、クロム、お
よび金を順次積層した構造にしたことから、ｐ型半導体
層とｎ型半導体層の双方と良好なオーミックコンタクト
が得られる電極になると共に、ボンディングワイヤーの
接合強度も向上し、配線抵抗の小さい電極となる。
によれば、電極をクロム、金ゲルマニウム、クロム、お
よび金を順次積層した構造にしたことから、ｐ型半導体
層とｎ型半導体層の双方と良好なオーミックコンタクト
が得られる電極になると共に、ボンディングワイヤーの
接合強度も向上し、配線抵抗の小さい電極となる。
【００２６】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、半導体基板若しくは半導体層上に、クロム、
金ゲルマニウム、クロム、および金を順次積層して、３
００〜３５０℃の温度で焼鈍することから、ｐ型半導体
層とｎ型半導体層の双方に良好なオーミックコンタクト
が得られる電極になると共に、ボンディングワイヤーの
接合強度も向上し、配線抵抗の小さい電極となる。
によれば、半導体基板若しくは半導体層上に、クロム、
金ゲルマニウム、クロム、および金を順次積層して、３
００〜３５０℃の温度で焼鈍することから、ｐ型半導体
層とｎ型半導体層の双方に良好なオーミックコンタクト
が得られる電極になると共に、ボンディングワイヤーの
接合強度も向上し、配線抵抗の小さい電極となる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す図
である。
である。
【図２】本発明に係る半導体装置における上層側クロム
層の膜厚とコンタクト抵抗との関係を示す図である。
層の膜厚とコンタクト抵抗との関係を示す図である。
【図３】本発明に係る半導体装置における金層の膜厚と
配線抵抗との関係を示す図である。
配線抵抗との関係を示す図である。
１………半導体基板若しくは半導体層、２………下層側
クロム層、３………金ゲルマニウム層、４………上層側
クロム層、５………金層
クロム層、３………金ゲルマニウム層、４………上層側
クロム層、５………金層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板若しくは半導体層上に、複数
の金属材料を順次積層した電極を有する半導体装置にお
いて、前記電極をクロム、金ゲルマニウム、クロム、及
び金を順次積層した構造にしたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 前記上層側クロムの膜厚が１００〜５０
０Åであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記下層側クロムの膜厚が１００〜６０
０Åであり、前記金ゲルマニウムの膜厚が７００Å以上
であり、前記金の膜厚が８０００Å以上であり、前記電
極全体の膜厚が１１５００Å以上であることを特徴とす
る請求項１および請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体基板若しくは半導体層がガリ
ウム砒素、インジウムガリウム砒素、若しくはインジウ
ムアルミニウムガリウム砒素から成ることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 半導体基板若しくは半導体層上に、複数
の金属材料を順次積層して焼鈍する半導体装置の製造方
法において、前記半導体基板若しくは半導体層上に、ク
ロム、金ゲルマニウム、クロム、及び金を順次積層した
後、３００〜３５０℃の温度で焼鈍することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013697A JP3363343B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013697A JP3363343B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335259A true JPH10335259A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3363343B2 JP3363343B2 (ja) | 2003-01-08 |
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|---|---|---|---|
| JP14013697A Expired - Fee Related JP3363343B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3363343B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP14013697A patent/JP3363343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109682A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
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