JPH10256184A - ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10256184A JPH10256184A JP5347797A JP5347797A JPH10256184A JP H10256184 A JPH10256184 A JP H10256184A JP 5347797 A JP5347797 A JP 5347797A JP 5347797 A JP5347797 A JP 5347797A JP H10256184 A JPH10256184 A JP H10256184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- type gan
- gan layer
- semiconductor
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーミック特性および半導体膜との付着性に
優れ、また、透光性電極として用いる場合にも付着性お
よび導通性に優れたｐ型窒化物半導体の電極を提供す
る。 【解決手段】 この発明のｐ型窒化物半導体の電極は、
例えば、青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮ層３上の透光性電極４
として形成されるものであり、オーミック接触を得るよ
うに形成されたパラジウム（Ｐｄ）と、その上面に形成
された金（Ａｕ）とから成っている。
優れ、また、透光性電極として用いる場合にも付着性お
よび導通性に優れたｐ型窒化物半導体の電極を提供す
る。 【解決手段】 この発明のｐ型窒化物半導体の電極は、
例えば、青色ＬＥＤのｐ−ＧａＮ層３上の透光性電極４
として形成されるものであり、オーミック接触を得るよ
うに形成されたパラジウム（Ｐｄ）と、その上面に形成
された金（Ａｕ）とから成っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐ型窒化物半導体
の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製
造方法に関する。
の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、
ＧａＮ）は、ｐ型の不純物（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂｅ，
Ｌｉ等）を添加すればｐ型半導体として機能し、ｎ型の
不純物（Ｓｉ，Ｓｎ，Ｇｅ等）を添加すればｎ型半導体
として機能するものであり、青色発光ダイオード、レー
ザーダイオード、或いは受光素子などの光デバイスの半
導体層として用いられている。
ＧａＮ）は、ｐ型の不純物（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂｅ，
Ｌｉ等）を添加すればｐ型半導体として機能し、ｎ型の
不純物（Ｓｉ，Ｓｎ，Ｇｅ等）を添加すればｎ型半導体
として機能するものであり、青色発光ダイオード、レー
ザーダイオード、或いは受光素子などの光デバイスの半
導体層として用いられている。
【０００３】これらの光デバイスでは、低電圧駆動化や
高輝度化といった点での性能向上が求められているが、
この要求を実現するには、半導体膜と金属膜との接触
（オーミック接触）の良好化が必要となる。従来は、ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体の電極として、ニッケル
（Ｎｉ）を用いるのが通例であった（例えば、特開平５
−２９１６２１号公報参照）。
高輝度化といった点での性能向上が求められているが、
この要求を実現するには、半導体膜と金属膜との接触
（オーミック接触）の良好化が必要となる。従来は、ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体の電極として、ニッケル
（Ｎｉ）を用いるのが通例であった（例えば、特開平５
−２９１６２１号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ニ
ッケル（Ｎｉ）を用いても理想的なオーミック特性は得
られないというのが実情である。図１（ｅ）乃至（ｈ）
は、サファイア基板上にｐ型ＧａＮ膜（正孔キャリア濃
度 ４×１０17ｃｍ-3）を形成し、このｐ型ＧａＮ膜上
にオーミック接触を得るためのＮｉ（膜厚０．１μｍ）
と、導電層としてのＡｕ（０．５μｍ）の積層膜を電極
として用いたときのＩ（電流）−Ｖ（電圧）特性を示し
たグラフである。これらのグラフにおいて、同図（ｅ）
は熱処理を行わない場合を示しており、同図（ｆ）は窒
素ガス雰囲気中で、４００℃および３分という条件で熱
処理を行った場合を、同図（ｇ）は窒素ガス雰囲気中
で、５００℃および３分という条件で熱処理を行った場
合を、同図（ｈ）は窒素ガス雰囲気中で、６００℃およ
び３分という条件で熱処理を行った場合をそれぞれ示し
ている。
ッケル（Ｎｉ）を用いても理想的なオーミック特性は得
られないというのが実情である。図１（ｅ）乃至（ｈ）
は、サファイア基板上にｐ型ＧａＮ膜（正孔キャリア濃
度 ４×１０17ｃｍ-3）を形成し、このｐ型ＧａＮ膜上
にオーミック接触を得るためのＮｉ（膜厚０．１μｍ）
と、導電層としてのＡｕ（０．５μｍ）の積層膜を電極
として用いたときのＩ（電流）−Ｖ（電圧）特性を示し
たグラフである。これらのグラフにおいて、同図（ｅ）
は熱処理を行わない場合を示しており、同図（ｆ）は窒
素ガス雰囲気中で、４００℃および３分という条件で熱
処理を行った場合を、同図（ｇ）は窒素ガス雰囲気中
で、５００℃および３分という条件で熱処理を行った場
合を、同図（ｈ）は窒素ガス雰囲気中で、６００℃およ
び３分という条件で熱処理を行った場合をそれぞれ示し
ている。
【０００５】これらＩ−Ｖ特性のグラフから分かるよう
に、低電流域では直線性に不良が生じており、４００℃
或いは５００℃の条件のときに、幾分、低電流域での直
線性に改善が見られる程度である。また、電極に求めら
れる特性として、半導体膜との付着性があるが、ニッケ
ル（Ｎｉ）単独構造の電極（膜厚０．１μｍ）では、付
着不良が生じることが知られている。
に、低電流域では直線性に不良が生じており、４００℃
或いは５００℃の条件のときに、幾分、低電流域での直
線性に改善が見られる程度である。また、電極に求めら
れる特性として、半導体膜との付着性があるが、ニッケ
ル（Ｎｉ）単独構造の電極（膜厚０．１μｍ）では、付
着不良が生じることが知られている。
【０００６】また、上述したＡｕとＮｉから成る電極
を、透光性電極（薄膜電極）として用いる場合もある。
ｐ型ＧａＮ膜上にＮｉ（膜厚２０Å）とＡｕ（４０Å）
の積層膜（Ｎｉがオーミック層として形成されている）
を電極として用いたときの、導通性および付着力につい
て実験を行った。この結果を下記の表１に示す。
を、透光性電極（薄膜電極）として用いる場合もある。
ｐ型ＧａＮ膜上にＮｉ（膜厚２０Å）とＡｕ（４０Å）
の積層膜（Ｎｉがオーミック層として形成されている）
を電極として用いたときの、導通性および付着力につい
て実験を行った。この結果を下記の表１に示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】なお、付着力は、粘着性シートを電極に張
りつけてその剥がれをチェックした結果であり、少しで
も剥がれが生じたときには△を付し、全く剥がれが生じ
なかった場合に○を付している。また、導通性は、４端
子法で２点間のＩ−Ｖ特性を調べた結果であり、電極面
内で数箇所を測定し、全てが良好であったものに○を付
し、ばらつきがあったものには△を付している。
りつけてその剥がれをチェックした結果であり、少しで
も剥がれが生じたときには△を付し、全く剥がれが生じ
なかった場合に○を付している。また、導通性は、４端
子法で２点間のＩ−Ｖ特性を調べた結果であり、電極面
内で数箇所を測定し、全てが良好であったものに○を付
し、ばらつきがあったものには△を付している。
【０００９】上記の表１から分かるように、ＮｉとＡｕ
の積層膜を電極とするのでは、付着力と導通性を共に満
足することが困難である。なお、この電極において５０
０℃以上の熱処理を行った場合に導通性に不具合が生じ
るのは、Ａｕがボールアップするためである。
の積層膜を電極とするのでは、付着力と導通性を共に満
足することが困難である。なお、この電極において５０
０℃以上の熱処理を行った場合に導通性に不具合が生じ
るのは、Ａｕがボールアップするためである。
【００１０】この発明は、上記の事情に鑑み、オーミッ
ク特性および半導体膜との付着性に優れ、また、透光性
電極として用いる場合にも付着性および導通性に優れた
ｐ型窒化物半導体の電極およびこの電極を有する半導体
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
ク特性および半導体膜との付着性に優れ、また、透光性
電極として用いる場合にも付着性および導通性に優れた
ｐ型窒化物半導体の電極およびこの電極を有する半導体
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明のｐ型窒化物半
導体の電極は、パラジウム（Ｐｄ）から成ることを特徴
とする。また、オーミック層を成すパラジウム（Ｐｄ）
層と、その上面に形成されたパラジウム以外の金属層と
から成ることを特徴とする。
導体の電極は、パラジウム（Ｐｄ）から成ることを特徴
とする。また、オーミック層を成すパラジウム（Ｐｄ）
層と、その上面に形成されたパラジウム以外の金属層と
から成ることを特徴とする。
【００１２】また、この発明の半導体素子は、上述した
ｐ型窒化物半導体の電極を有することを特徴とする。
ｐ型窒化物半導体の電極を有することを特徴とする。
【００１３】また、この発明の半導体素子の製造方法
は、ｐ型窒化物半導体上にパラジウム（Ｐｄ）を成膜
し、熱処理を行わずに次工程に進むことを特徴とする。
かかる方法であれば、熱処理が不要であるために当該半
導体素子の製造の容易化を図ることができる。なお、ｐ
型窒化物半導体上にパラジウム（Ｐｄ）を成膜し、窒素
ガス又は不活性ガス中で熱処理を行った後に次工程に進
むようにしてもよい。
は、ｐ型窒化物半導体上にパラジウム（Ｐｄ）を成膜
し、熱処理を行わずに次工程に進むことを特徴とする。
かかる方法であれば、熱処理が不要であるために当該半
導体素子の製造の容易化を図ることができる。なお、ｐ
型窒化物半導体上にパラジウム（Ｐｄ）を成膜し、窒素
ガス又は不活性ガス中で熱処理を行った後に次工程に進
むようにしてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１５】図１（ａ）乃至（ｄ）は、サファイア基板
上に成長させたｐ型ＧａＮ（正孔キャリア濃度＝４×１
０17ｃｍ-3）膜上に、オーミック接触をとるためのパラ
ジウム（Ｐｄ）を膜厚０．３μｍで形成し、このパラジ
ウム層上に金（Ａｕ）を膜厚０．３μｍで形成した積層
型の電極についてＩ−Ｖ特性を調べた結果を示したグラ
フであり、熱処理をしない場合を同図（ａ）に、熱処理
をした場合を同図（ｂ）乃至同図（ｄ）にそれぞれ示し
ている。熱処理は、窒素（Ｎ2 ）雰囲気中で３分間行う
こととし、同図（ｂ）は４００℃の条件下で、同図
（ｃ）は５００℃の条件下で、同図（ｄ）は６００℃の
条件下で行った場合をそれぞれ示している。なお、これ
らのグラフにおいて、Ｘ＝２Ｖ／ＤＩＶ、Ｙ＝０．５ｍ
Ａ／ＤＩＶとしている。
上に成長させたｐ型ＧａＮ（正孔キャリア濃度＝４×１
０17ｃｍ-3）膜上に、オーミック接触をとるためのパラ
ジウム（Ｐｄ）を膜厚０．３μｍで形成し、このパラジ
ウム層上に金（Ａｕ）を膜厚０．３μｍで形成した積層
型の電極についてＩ−Ｖ特性を調べた結果を示したグラ
フであり、熱処理をしない場合を同図（ａ）に、熱処理
をした場合を同図（ｂ）乃至同図（ｄ）にそれぞれ示し
ている。熱処理は、窒素（Ｎ2 ）雰囲気中で３分間行う
こととし、同図（ｂ）は４００℃の条件下で、同図
（ｃ）は５００℃の条件下で、同図（ｄ）は６００℃の
条件下で行った場合をそれぞれ示している。なお、これ
らのグラフにおいて、Ｘ＝２Ｖ／ＤＩＶ、Ｙ＝０．５ｍ
Ａ／ＤＩＶとしている。
【００１６】これらのグラフから分かるように、この発
明にかかる電極は、図１（ｅ）乃至（ｈ）で挙げた従来
のＡｕ／Ｎｉ／（ｐ−ＧａＮ）の電極構造に比べ、全て
の条件下において、Ｉ−Ｖ特性がその直線性に優れてい
ることが分かる。なお、図には示していないが、６００
℃で１０分を越える熱処理を行うと、Ｉ−Ｖ特性の直線
性が劣化する傾向が見られた。従って、当該熱処理条件
は、６００℃を上回る場合には１０分以内とするのが望
ましい。
明にかかる電極は、図１（ｅ）乃至（ｈ）で挙げた従来
のＡｕ／Ｎｉ／（ｐ−ＧａＮ）の電極構造に比べ、全て
の条件下において、Ｉ−Ｖ特性がその直線性に優れてい
ることが分かる。なお、図には示していないが、６００
℃で１０分を越える熱処理を行うと、Ｉ−Ｖ特性の直線
性が劣化する傾向が見られた。従って、当該熱処理条件
は、６００℃を上回る場合には１０分以内とするのが望
ましい。
【００１７】次に、窒化ガリウム系化合物半導体の電極
を、透光性電極（薄膜電極）として用いる場合について
説明する。ｐ型ＧａＮ膜上にＰｄ（膜厚２０Å）とＡｕ
（４０Å）の積層膜（Ｐｄがオーミック層として形成さ
れている）を電極として用いたときの、導通性および付
着力について実験を行った。この結果を下記の表２に示
す。
を、透光性電極（薄膜電極）として用いる場合について
説明する。ｐ型ＧａＮ膜上にＰｄ（膜厚２０Å）とＡｕ
（４０Å）の積層膜（Ｐｄがオーミック層として形成さ
れている）を電極として用いたときの、導通性および付
着力について実験を行った。この結果を下記の表２に示
す。
【００１８】
【表２】
【００１９】なお、付着力は、粘着性シートを電極に張
りつけてその剥がれをチェックした結果であり、少しで
も剥がれが生じたときには△を付し、全く剥がれが生じ
なかった場合に○を付している。また、導通性は、４端
子法で２点間のＩ−Ｖ特性を調べた結果であり、電極面
内で数箇所を測定し、全てが良好であったものに○を付
し、ばらつきがあったものには△を付している。
りつけてその剥がれをチェックした結果であり、少しで
も剥がれが生じたときには△を付し、全く剥がれが生じ
なかった場合に○を付している。また、導通性は、４端
子法で２点間のＩ−Ｖ特性を調べた結果であり、電極面
内で数箇所を測定し、全てが良好であったものに○を付
し、ばらつきがあったものには△を付している。
【００２０】上記の表２から分かるように、この発明に
かかる電極の方が、表１に示した従来のＡｕ／Ｎｉ／
（ｐ型ＧａＮ）から成る電極構造よりも、全ての条件下
において、付着力および導通性の両面で優れている。な
お、この電極において５００℃以上の熱処理を行った場
合でも導通性に不具合が生じないのは、ＡｕとＰｄとの
濡れ性が良好であり、Ａｕがボールアップしないためと
考えられる。
かかる電極の方が、表１に示した従来のＡｕ／Ｎｉ／
（ｐ型ＧａＮ）から成る電極構造よりも、全ての条件下
において、付着力および導通性の両面で優れている。な
お、この電極において５００℃以上の熱処理を行った場
合でも導通性に不具合が生じないのは、ＡｕとＰｄとの
濡れ性が良好であり、Ａｕがボールアップしないためと
考えられる。
【００２１】前述した図１の結果、及び、上記表２の結
果から、この発明にかかる電極にあっては、温度の影響
を受けにくいものであるということが分かる。このこと
は、当該電極の形成後に熱処理が必要となる工程、例え
ば、ｐ電極となるこの発明の電極の形成後にｎ電極を形
成してその熱処理を行う場合や、保護膜のベーキング処
理等が必要となる工程などを問題なく採用できることを
意味し、当該電極を用いる半導体素子の製造工程に大き
な融通性をもたらすことになる。また、当該電極を用い
る半導体素子が、例えば自動車のエンジン回りなどの高
温部分に用いられる場合でも、この高温によっては電極
特性を劣化させることがないという優れた利点がある。
果から、この発明にかかる電極にあっては、温度の影響
を受けにくいものであるということが分かる。このこと
は、当該電極の形成後に熱処理が必要となる工程、例え
ば、ｐ電極となるこの発明の電極の形成後にｎ電極を形
成してその熱処理を行う場合や、保護膜のベーキング処
理等が必要となる工程などを問題なく採用できることを
意味し、当該電極を用いる半導体素子の製造工程に大き
な融通性をもたらすことになる。また、当該電極を用い
る半導体素子が、例えば自動車のエンジン回りなどの高
温部分に用いられる場合でも、この高温によっては電極
特性を劣化させることがないという優れた利点がある。
【００２２】図２は、上述したＡｕ／Ｐｄ／（ｐ型Ｇａ
Ｎ）の電極構造を薄膜電極として採用した青色ＬＥＤチ
ップの製造の各工程における縦断側面図である。以下、
図２を用いてこのチップの製造方法を説明する。
Ｎ）の電極構造を薄膜電極として採用した青色ＬＥＤチ
ップの製造の各工程における縦断側面図である。以下、
図２を用いてこのチップの製造方法を説明する。
【００２３】同図（ａ）に示すように、サファイア基板
１上にｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３をＭＯＣＶＤ法
により形成する。そして、メサエッチングによりｐ型Ｇ
ａＮ層３等の一部を除去し、ｎ−ＧａＮ層２の一部を露
出する。なお、ｎ型ＧａＮ層２とｐ型ＧａＮ層３との間
には、発光層１０が形成されている。
１上にｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３をＭＯＣＶＤ法
により形成する。そして、メサエッチングによりｐ型Ｇ
ａＮ層３等の一部を除去し、ｎ−ＧａＮ層２の一部を露
出する。なお、ｎ型ＧａＮ層２とｐ型ＧａＮ層３との間
には、発光層１０が形成されている。
【００２４】次に、同図（ｂ）に示すように、発光観測
面側となるｐ型ＧａＮ層３のほぼ全面に、Ｐｄ（膜厚２
０Å）とＡｕ（４０Å）の積層膜から成る透光性電極４
を電子ビーム蒸着などの方法により形成する。Ｐｄの成
膜においては、成膜温度を室温、真空度を２〜５×１０
-6Ｔｏｒｒ、成膜速度を１０Å／秒以下とした条件で行
った。そして、この透光性電極４の形成においては、熱
処理は行わずに、次の同図（ｃ）に示す工程に進む。
面側となるｐ型ＧａＮ層３のほぼ全面に、Ｐｄ（膜厚２
０Å）とＡｕ（４０Å）の積層膜から成る透光性電極４
を電子ビーム蒸着などの方法により形成する。Ｐｄの成
膜においては、成膜温度を室温、真空度を２〜５×１０
-6Ｔｏｒｒ、成膜速度を１０Å／秒以下とした条件で行
った。そして、この透光性電極４の形成においては、熱
処理は行わずに、次の同図（ｃ）に示す工程に進む。
【００２５】同図（ｃ）に示すように、ｎ型ＧａＮ層２
の表面に膜厚約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と膜厚５００
ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を積層したｎ電極５を電子
ビーム蒸着などにより形成する。そして、約６００℃の
温度で３分の熱処理（アロイ）を行い、ｎ電極５のオー
ミック接触をとる。この熱処理では、既に形成した透光
性電極４の導通性や付着力が損なわれることはない（表
２参照）。なお、熱処理においては、窒素ガスの流量を
１．０リットル／分とした。
の表面に膜厚約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と膜厚５００
ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を積層したｎ電極５を電子
ビーム蒸着などにより形成する。そして、約６００℃の
温度で３分の熱処理（アロイ）を行い、ｎ電極５のオー
ミック接触をとる。この熱処理では、既に形成した透光
性電極４の導通性や付着力が損なわれることはない（表
２参照）。なお、熱処理においては、窒素ガスの流量を
１．０リットル／分とした。
【００２６】その後、同図（ｄ）に示すように、ＳｉＯ
2 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＮ等からなる保護膜６を、流動性
塗布膜をスピンコートした後にベーキングすることで形
成し、同図（ｅ）に示すように、保護膜６の両電極部分
を開口した後、膜厚約３０ｎｍのニッケル（Ｎｉ）と膜
厚約５００ｎｍの金（Ａｕ）からなるパッド電極７．８
を設ける。これにより、青色ＬＥＤチップが得られるこ
とになる。
2 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＮ等からなる保護膜６を、流動性
塗布膜をスピンコートした後にベーキングすることで形
成し、同図（ｅ）に示すように、保護膜６の両電極部分
を開口した後、膜厚約３０ｎｍのニッケル（Ｎｉ）と膜
厚約５００ｎｍの金（Ａｕ）からなるパッド電極７．８
を設ける。これにより、青色ＬＥＤチップが得られるこ
とになる。
【００２７】なお、以上の説明では、窒化ガリウム系化
合物半導体として、ＧａＮを示したが、これに限らず、
例えば、ＧａX Ａｌ1-X Ｎ（ただし、０≦Ｘ≦１）、或
いはＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ（ただし、０≦Ｘ≦１、
０≦Ｙ≦１）なども含まれるものである。勿論、かかる
式から分かるようにＧａが無い場合の窒化物でもよいも
のである。また、ＡｕとＰｄから成る積層タイプの電極
を示したが、当該Ａｕ以外の金属を用いることも可能で
ある。更に、これら積層膜から成る電極に限らず、Ｐｄ
のみからなる電極でもよいものである。なお、ｐ型Ｇａ
Ｎ層上に膜厚０．３μｍのＰｄからなる単独膜を形成し
てそのＩ−Ｖ特性を調べたところ、図１（ａ）乃至
（ｄ）と同様の良好な結果が得られた。
合物半導体として、ＧａＮを示したが、これに限らず、
例えば、ＧａX Ａｌ1-X Ｎ（ただし、０≦Ｘ≦１）、或
いはＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ（ただし、０≦Ｘ≦１、
０≦Ｙ≦１）なども含まれるものである。勿論、かかる
式から分かるようにＧａが無い場合の窒化物でもよいも
のである。また、ＡｕとＰｄから成る積層タイプの電極
を示したが、当該Ａｕ以外の金属を用いることも可能で
ある。更に、これら積層膜から成る電極に限らず、Ｐｄ
のみからなる電極でもよいものである。なお、ｐ型Ｇａ
Ｎ層上に膜厚０．３μｍのＰｄからなる単独膜を形成し
てそのＩ−Ｖ特性を調べたところ、図１（ａ）乃至
（ｄ）と同様の良好な結果が得られた。
【００２８】また、当該電極が用いられる半導体素子と
して青色ＬＥＤチップを示したが、これに限らず、フォ
トトランジスタ（特に、短波長用）や半導体レーザなど
の光デバイスにも用いることができるものであり、更
に、これらの光デバイスの他、ＦＥＴ、パイホーラトラ
ンジスタ、ダイオードなどのデバイス（特に、高温環境
下用）にも適用することが可能である。
して青色ＬＥＤチップを示したが、これに限らず、フォ
トトランジスタ（特に、短波長用）や半導体レーザなど
の光デバイスにも用いることができるものであり、更
に、これらの光デバイスの他、ＦＥＴ、パイホーラトラ
ンジスタ、ダイオードなどのデバイス（特に、高温環境
下用）にも適用することが可能である。
【００２９】また、上述した製造例では、Ｐｄから成る
ｐ電極の形成において熱処理を行わないことにして半導
体素子の製造の容易化を図ったが、熱処理を行うように
してもかまわないものである。この場合、Ｐｄの腐食や
酸化防止のため、窒素ガス又は不活性ガス中で熱処理を
行うのが望ましい。また、Ｐｄから成る透光性電極を例
示したが、Ｐｄから成る厚膜電極としてもよいことは勿
論であり、この厚膜電極を得るには、例えば、電子ビー
ム蒸着法を用い、成膜温度を室温、真空度を２〜５×１
０-6Ｔｏｒｒ、成膜速度を１０〜２０Å／秒の条件とす
る製造例が挙げられる。
ｐ電極の形成において熱処理を行わないことにして半導
体素子の製造の容易化を図ったが、熱処理を行うように
してもかまわないものである。この場合、Ｐｄの腐食や
酸化防止のため、窒素ガス又は不活性ガス中で熱処理を
行うのが望ましい。また、Ｐｄから成る透光性電極を例
示したが、Ｐｄから成る厚膜電極としてもよいことは勿
論であり、この厚膜電極を得るには、例えば、電子ビー
ム蒸着法を用い、成膜温度を室温、真空度を２〜５×１
０-6Ｔｏｒｒ、成膜速度を１０〜２０Å／秒の条件とす
る製造例が挙げられる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、オーミック特性および半導体膜との付着性に優れ、
また、透光性電極として用いる場合にも付着性および導
通性に優れた電極を提供できる。また、温度の影響を受
けにくいため、当該電極を用いるデバイスの製造工程の
融通性に優れており、更に、高温の環境下で用いられる
デバイスの電極としても有用であるという効果も併せて
奏する。
ば、オーミック特性および半導体膜との付着性に優れ、
また、透光性電極として用いる場合にも付着性および導
通性に優れた電極を提供できる。また、温度の影響を受
けにくいため、当該電極を用いるデバイスの製造工程の
融通性に優れており、更に、高温の環境下で用いられる
デバイスの電極としても有用であるという効果も併せて
奏する。
【図１】同図（ａ）乃至同図（ｄ）は、この発明のＡｕ
／Ｐｄ／（ｐ型ＧａＮ）構造の電極のＩ−Ｖ特性を示す
グラフであり、同図（ｅ）乃至同図（ｈ）は、従来のＡ
ｕ／Ｎｉ／（ｐ型ＧａＮ）構造の電極のＩ−Ｖ特性を示
すグラフである。
／Ｐｄ／（ｐ型ＧａＮ）構造の電極のＩ−Ｖ特性を示す
グラフであり、同図（ｅ）乃至同図（ｈ）は、従来のＡ
ｕ／Ｎｉ／（ｐ型ＧａＮ）構造の電極のＩ−Ｖ特性を示
すグラフである。
【図２】この発明のＡｕ／Ｐｄ／（ｐ型ＧａＮ）構造の
電極を有する青色ＬＥＤの製造の各工程を示す縦断側面
図である。
電極を有する青色ＬＥＤの製造の各工程を示す縦断側面
図である。
１ サファイア基板 ２ ｎ−ＧａＮ層 ３ ｐ−ＧａＮ層 ４ Ａｕ／Ｐｄ／（ｐ型ＧａＮ）構造の透光性電極 ５ ｎ電極 ６ 保護膜 ７，８パッド電極 １０ 発光層
Claims (5)
- 【請求項１】 パラジウム（Ｐｄ）から成るｐ型窒化物
半導体の電極。 - 【請求項２】 オーミック層を成すパラジウム（Ｐｄ）
層と、その上面に形成されたパラジウム以外の金属層と
から成るｐ型窒化物半導体の電極。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
のｐ型窒化物半導体の電極を有する半導体素子。 - 【請求項４】 ｐ型窒化物半導体上に請求項１又は請求
項２の電極を形成し、熱処理を行わずに次工程に進むこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 ｐ型窒化物半導体上に請求項１又は請求
項２の電極を形成し、窒素ガス又は不活性ガス中で熱処
理を行った後に次工程に進むことを特徴とする半導体素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347797A JPH10256184A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347797A JPH10256184A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256184A true JPH10256184A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12943942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347797A Pending JPH10256184A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256184A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340797A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | 透光性正極 |
| JP2006013474A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2006013475A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | 正極構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US7875896B2 (en) | 2004-04-28 | 2011-01-25 | Showa Denko K.K. | Transparent positive electrode |
| US8049243B2 (en) | 2004-05-26 | 2011-11-01 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP5347797A patent/JPH10256184A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340797A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | 透光性正極 |
| US7875896B2 (en) | 2004-04-28 | 2011-01-25 | Showa Denko K.K. | Transparent positive electrode |
| JP2006013474A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2006013475A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | 正極構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US8049243B2 (en) | 2004-05-26 | 2011-11-01 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3462720B2 (ja) | ｎ型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法 | |
| EP1810351B1 (en) | Gan compound semiconductor light emitting element | |
| JP2778349B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極 | |
| US7391061B2 (en) | Light emitting diode with thermal spreading layer | |
| TWI260099B (en) | Positive electrode structure and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device | |
| WO2003023838A1 (fr) | Electrode n pour element a semiconducteur a compose realise a base de nitrure du groupe iii | |
| JP3807020B2 (ja) | 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法 | |
| KR100571816B1 (ko) | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP5471485B2 (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子のパッド電極の製造方法 | |
| CN103069587A (zh) | 具有欧姆电极结构体的半导体发光元件及制造此的方法 | |
| JP2001250985A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| KR101203137B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP5287837B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 | |
| JPH10256184A (ja) | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 | |
| US8000364B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP3239350B2 (ja) | ｎ型窒化物半導体層の電極 | |
| JP2005203765A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 | |
| KR100293467B1 (ko) | 청색발광소자및그제조방법 | |
| JPH10242517A (ja) | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法 | |
| JP3187284B2 (ja) | ｎ型窒化物半導体層の電極 | |
| KR101115571B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| KR101077772B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JP3624781B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |