JP6579989B2

JP6579989B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法

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Inventors: 藤田　淳; 藤田　　淳
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Description

本発明は、半導体装置に関し、特にパワー半導体装置に関する。

電力制御を担うパワー半導体装置として、縦型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等が一般に知られている。例えば縦型のＭＯＳＦＥＴは、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有している。ソース電極及びゲート電極は、基板の表面に形成されている。ドレイン電極は、基板の裏面に形成されている。縦型のＭＯＳＦＥＴにおいては、ゲート電極に印加される信号をオンオフすることにより、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流がオンオフ制御される。

ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極は、モジュールとしての実装形態に合わせて各種の金属材料により形成されている。例えば、縦型のＭＯＳＦＥＴをはんだ接合やナノ銀粒子等の焼結金属を用いた接合によりモジュール化する場合、アルミニウム（Ａｌ）系の材料により形成したソース電極、ゲート電極及びドレイン電極に、蒸着法や無電解めっき法によりニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）膜が形成される。

基板の表面側には、セル構造が形成される。そのため、基板の表面側は、段差の大きい構造を有している。他方、基板の裏面側にはセル構造が形成されない。そのため、基板の裏面側は平坦である。これに起因して、基板表面に形成されるソース電極及びゲート電極と、基板裏面に形成されるドレイン電極は、同じＡｌ系の材料を用いて形成されたとしても、その最適な成膜条件は異なる。その結果、ソース電極及びゲート電極の膜質とドレイン電極の膜質は、異なったものとなる。

Ａｌ系の材料の表面に無電解Ｎｉめっきを行う場合、無電解Ｎｉめっきに先立って、Ａｌ系材料の表面に対して、ジンケート処理等の前処理が行われる。この前処理を裏面側に形成されるドレイン電極に合わせて最適化した場合、表面側に形成されるソース電極及びゲート電極に対するジンケート処理が不十分となる。その結果、無電解Ｎｉめっき膜の異常成長に伴う膜質や外観の不均一や無電解Ｎｉめっき膜の密着力不足が生じる。

他方、この前処理を表面側に形成されるソース電極及びゲート電極に合わせて最適化した場合、前処理の過程で裏面側に形成されるドレイン電極が過剰にエッチングされる。その結果、Ａｌ系材料で形成されたドレイン電極にＡｌの孔食が生じる。

このような問題に対処するために、例えば特許文献１（特許第５７０７７０９号公報）記載の構造が提案されている。特許文献１記載の半導体装置は、基板裏面側に形成されたＡｌ電極と、基板表面側に形成されたＡｌ電極とを有している。基板裏面側及び基板表面側のＡｌ電極上には、Ｎｉ膜がスパッタリング法により形成されている。スパッタリング法により形成されたＮｉ膜上には、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜が形成されている。

特許第５７０７７０９号公報

特許文献１記載の構造において、Ａｌ電極上にＮｉ膜を形成するためには、スパッタリングによりＮｉ膜を成膜したのち、そのスパッタリングにより形成したＮｉ膜をエッチングによりパターンニングする必要がある。しかしながら、基板表面側にはセル構造が形成されているため、段差が大きい。そのため、スパッタリングにより形成したＮｉ膜を残渣なくエッチングすることが困難である。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本発明は、エッチング残渣を抑制しつつ、電極の孔食を防止することができる半導体装置を提供する。

本発明の実施形態に係る半導体装置は、主表面と、主表面の反対側の面である裏面とを有している。主表面上には、第１の表面電極及び第２の表面電極が形成されている。裏面上には、裏面電極が形成されている。

第１の表面電極は、第１の層と、第１の層上に形成された第２の層と、第２の層上に形成された第３の層とを有している。第２の表面電極は、第４の層と、第４の層上に形成された第５の層とを有している。裏面電極は、第６の層と、第６の層上に形成された第７の層と、第７の層上に形成された第８の層とを有している。第２の層が第１の層上に形成され、第２の層上に第３の層が形成されている。第２の表面電極においては、第１の層上に第３の層が形成されている。第４の層は、第２の層及び第７の層と異なる材料を含有している。第３の層、第５の層及び第８の層は、同じ材料を含有する無電解めっき膜である。

本発明に係る半導体装置によると、エッチング残渣を抑制しつつ、電極の孔食を防止することができる。

第１の実施形態に係る半導体装置を用いたモジュールの断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の上面図である。図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置のソース電極周辺の全体構造を示す断面図である。図２のＶ−Ｖ断面における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の裏面電極周辺における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の基板工程における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の電極下地形成工程における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の孔食防止層形成工程における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の第１の保護膜形成工程における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の無電解めっき膜成長工程における断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置の第２の無電解めっき工程における断面図である。比較例に係る半導体装置におけるドレイン電極周辺の断面構造の模式図である。第２の実施形態に係る半導体装置の上面図である。図１４のＸＶ−ＸＶ断面における断面図である。第２の実施形態に係る半導体装置の第１の保護膜形成工程におけるソース電極周辺の断面図である。第２の実施形態に係る半導体装置の第２の保護膜形成工程におけるソース電極周辺の断面図である。第３の実施形態に係る半導体装置の上面図である。図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ断面における断面図である。第３の実施形態に係る半導体装置の第１の保護膜形成工程におけるソース電極周辺の断面図である。第３の実施形態に係る半導体装置の第３の保護膜形成工程におけるソース電極周辺の断面図である。

以下に、本発明の実施形態について図を参照して説明する。なお、各図中同一または相当部分には同一符号を付している。また、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。

（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置１を用いたモジュールの構造について説明する。

図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１を用いたモジュールの断面図である。図１に示すように、モジュールは、半導体装置１と、ベース板２と、引出電極３と、封止部材４とを有している。

半導体装置１は、例えば縦型のＭＯＳＦＥＴである。但し、半導体装置１はこれに限られない。半導体装置１は、例えばトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴであってもよい。半導体装置１は、基板１１を有している。基板１１には、例えば単結晶のシリコン（Ｓｉ）が用いられる。但し、基板１１に用いられる材料はこれに限られない。基板１１には、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）を用いることができる。基板１１は、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有している。

裏面１１ｂは、主表面１１ａの反対側の面である。基板１１の主表面１１ａ上には、第１の表面電極１２及び第２の表面電極１３が形成されている。基板１１の裏面１１ｂ上には、裏面電極１４が形成されている。後に詳述するように、第１の表面電極１２は、第１の層１２ａと、第２の層１２ｂと、第３の層１２ｃとを有している。第２の表面電極１３は、第４の層１３ａと、第５の層１３ｂとを有している。裏面電極１４は、第６の層１４ａと、第７の層１４ｂと、第８の層１４ｃとを有している。第１の実施形態に係る半導体装置１が縦型のＭＯＳＦＥＴの場合、第１の層１２ａはソース電極である。第１の実施形態に係る半導体装置１が縦型のＭＯＳＦＥＴの場合、第４の層１３ａはゲート電極である。第１の実施形態に係る半導体装置１が縦型のＭＯＳＦＥＴの場合、第６の層１４ａはドレイン電極である。以下においては、縦型のＭＯＳＦＥＴを第１の実施形態に係る半導体装置の例として説明する。

ベース板２は、主表面２ａ及び裏面２ｂとを有している。裏面２ｂは、主表面２ａの反対側の面である。ベース板２の主表面２ａ上には、導体パターン２１が形成されている。導体パターン２１には、例えば銅（Ｃｕ）が用いられる。導体パターン２１は、裏面電極１４と接合されている。導体パターン２１と裏面電極１４の接合には、第１の接合部材２２が用いられる。第１の接合部材２２は、例えばはんだである。

引出電極３には、例えばＣｕが用いられている。引出電極３は、第１の引出電極３１と、第２の引出電極３２と、第３の引出電極３３とを有している。第１の引出電極３１、第２の引出電極３２及び第３の引出電極３３の一方端は、封止部材４から外部に突出している。

第１の引出電極３１の他方端は、第１の表面電極１２に接合されている。第１の表面電極１２と第１の引出電極３１の接合には、第２の接合部材３４が用いられている。第２の接合部材３４は、例えばはんだである。

第２の引出電極３２の他方端は、導体パターン２１に接合されている。これにより、第２の引出電極３２は、裏面電極１４と電気的に接続されている。導体パターン２１と第２の引出電極３２の接合には、第３の接合部材３５が用いられている。第３の接合部材３５は、例えばはんだである。

第３の引出電極３３の他方端は、第２の表面電極１３と接合されている。第２の表面電極１３と第３の引出電極３３の接合には、第４の接合部材３６が用いられている。第４の接合部材３６は、例えば、ボンディングワイヤである。ボンディングワイヤに用いられる材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等である。

封止部材４は、半導体装置１、ベース板２及び引出電極３を封止している。封止部材４には、エポキシ樹脂等が用いられる。これにより、第１の表面電極１２、第２の表面電極１３及び裏面電極１４の間の電気的絶縁が確保される。また、これにより、半導体装置１が水分、衝撃等から保護される。

以下に、第１の実施形態に係る半導体装置１の構造について説明する。
図２は、第１の実施形態に係る半導体装置１の主表面１１ａ側の上面図である。図２に示すように、主表面１１ａ側の最外表面には、第１の保護膜１５ａが形成されている。第１の保護膜１５ａには、例えばポリイミドが用いられる。

第１の保護膜１５ａは、第１の開口１５ｂと第２の開口１５ｃとを有している。第１の開口１５ｂからは、第１の表面電極１２が露出している。第２の開口１５ｃからは、第２の表面電極１３が露出している。第１の表面電極１２には、第２の表面電極１３と比較して大きな電流が流れる。そのため、第１の表面電極１２は、第２の表面電極１３よりも面積が大きくなっていることが好ましい。

図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面領域におけるセル構造部の断面図である。図３は、第１の表面電極１２が形成されている領域における断面に対応している。図３に示すように、基板１１は、基板領域１１ｃと、エピタキシャル領域１１ｄと、ボディ領域１１ｅと、ソース領域１１ｆとを有している。

基板領域１１ｃは、裏面１１ｂに接して（図６参照）形成されている。エピタキシャル領域１１ｄは、基板領域１１ｃ上に形成されている。基板領域１１ｃ及びエピタキシャル領域１１ｄは、例えばｎ型の導電型を有している。なお、半導体装置１がＩＧＢＴである場合、基板領域１１ｃはｐ型の導電型を有している。基板領域１１ｃの不純物濃度は、エピタキシャル領域１１ｄの不純物濃度よりも高いことが好ましい。これにより、半導体装置１の耐圧を確保することができる。

ボディ領域１１ｅは、エピタキシャル領域１１ｄ中において、主表面１１ａに接して形成されている。ボディ領域１１ｅは、例えばｐ型の導電型を有している。ソース領域１１ｆは、ボディ領域１１ｅ中において主表面１１ａに接して形成されている。ソース領域１１ｆは、互いに間隔をあけて複数配置されている。ソース領域１１ｆは、例えばｎ型の導電型を有している。なお、半導体装置１がＩＧＢＴである場合、ソース領域１１ｆはコレクタ領域となる。

基板１１の主表面１１ａ上には、ゲート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６には、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ₂）が用いられる。ゲート絶縁膜中であって、ソース領域１１ｆ上には、開口１６ａが形成されている。開口１６ａからは、ソース領域１１ｆが露出している。

ゲート絶縁膜１６上には、ゲート１９が形成されている。ゲート１９は、ソース領域１１ｆの間に位置している。ゲート１９には、例えば不純物が導入された多結晶Ｓｉが用いられる。なお、ゲート１９は、図５に示されているゲートパッド１７と接続している。ゲートパッド１７は、ゲート１９と第２の表面電極１３（より具体的には、ゲート電極である第４の層１３ａ）との接続箇所である。

ゲート絶縁膜１６及びゲート１９上には、層間絶縁膜１８が形成されている。層間絶縁膜１８には、例えばＳｉＯ₂が用いられる。層間絶縁膜１８中であって、ソース領域１１ｆ上には、第１のコンタクトホール１８ａが形成されている。第１のコンタクトホール１８ａ及び開口１６ａを介して、ソース領域１１ｆが露出している。

ソース領域１１ｆ上及び層間絶縁膜１８上に、第１の表面電極１２が形成されている。第１の表面電極１２は、第１の層１２ａと、第２の層１２ｂと、第３の１２ｃとを有している。第１の表面電極１２は、さらに第９の層１２ｄを有していてもよい。第１の表面電極１２は、バリア層１２ｅをさらに有していてもよい。第１の表面電極１２は、さらに中間層を有していてもよい。なお、第１の実施形態に係る半導体装置１がＩＢＧＴである場合、第１の層１２ａはコレクタ電極となる。

ソース領域１１ｆ上には、第１の層１２ａが形成されている。第１の層１２ａは、例えばＡｌ系合金を含有するスパッタ膜である。好ましくは、第１の層１２ａは、例えば９５質量パーセント以上のＡｌを含有している層である。第１の層１２ａには、好ましくはＳｉが添加されていてもよい。

ソース領域１１ｆと第１の層１２ａの間に、バリア層１２ｅが形成されていてもよい。バリア層１２ｅには、例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）又はこれらの複合膜等が用いられる。バリア層１２ｅにより、ソース領域１１ｆと第１の表面電極１２の間の拡散及び層間絶縁膜１８と第１の表面電極１２の間の拡散が抑制されている。

第１の層１２ａ上には、第２の層１２ｂが形成されている。第２の層１２ｂは、例えばＮｉを含有するスパッタ膜である。

図４は、第１の表面電極１２周辺の全体構造を示す断面図であり、図３に示したセル構造部を含む素子幅全体の断面図である。図４に示すように、第１の層１２ａ上には、第２の層１２ｂの周囲に、第２の層１２ｂが形成されていない領域があってもよい。第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されていない領域上には、第１の保護膜１５ａが形成されていてもよい。第２の層１２ｂは、周縁において、膜厚が中央においてよりも薄くなる場合がある。そのため、第２の層１２ｂの周縁上には、第１の保護膜１５ａが形成されていてもよい。

第１の層１２ａと第２の層１２ｂの間に、中間層が形成されていてもよい。中間層は、例えばＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、ＴｉＮ又はこれらの複合膜である。中間層により、第１の層１２ａと第２の層１２ｂの密着性が向上する。

図３に示すように、第２の層１２ｂ上には、第３の層１２ｃが形成されている。第３の層１２ｃは、無電解めっき膜である。第３の層１２ｃは、例えば無電解Ｎｉめっきの層である。第３の層１２ｃ上には、第９の層１２ｄが形成されている。第９の層１２ｄは、例えば無電解Ａｕめっき層である。

図５は、図２のＶ−Ｖ断面における断面図である。図５は、第２の表面電極１３が形成されている領域における断面に対応している。図５に示すように、基板１１は、基板領域１１ｃと、エピタキシャル領域１１ｄとを有している。

基板１１の主表面１１ａには、ゲート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６上には、ゲートパッド１７が形成されている。ゲートパッド１７には、例えば不純物が導入された多結晶Ｓｉが用いられる。ゲート絶縁膜１６及びゲートパッド１７上には、層間絶縁膜１８が形成されている。層間絶縁膜１８中には、ゲートパッド１７上において、第２のコンタクトホール１８ｂが形成されている。層間絶縁膜１８上には、第１の保護膜１５ａが形成されている。

第２の開口１５ｃ及び第２のコンタクトホール１８ｂ中であって、ゲートパッド１７上には、第２の表面電極１３が形成されている。第２の表面電極１３は、第４の層１３ａと、第５の層１３ｂとを有している。第２の表面電極１３は、第１０の層１３ｃを有していてもよい。ゲートパッド１７上には、第４の層１３ａが形成されている。第４の層１３ａ上には、第５の層１３ｂが形成されている。第５の層１３ｂ上には、第１０の層１３ｃが形成されていてもよい。

第４の層１３ａは、第２の層１２ｂ及び第７の層１４ｂと異なる材料を含有している。第４の層１３ａは、好ましくは第１の層１２ａ及び第６の層１４ａと同じ材料を含有している。第４の層１３ａは、例えばＡｌ系合金である。好ましくは、第４の層１３ａは、９５質量パーセント以上のＡｌを含有している層である。第４の層１３ａは、好ましくはＳｉが添加されていてもよい。第５の層１３ｂは、第３の層１２ｃ及び第８の層１４ｃと同じ材料を含有する無電解めっき膜である。例えば無電解Ｎｉめっきの層である。第１０の層１３ｃは、例えば無電解Ａｕめっき層である。

図６は、裏面電極１４周辺の構造を拡大した断面図である。図６に示すように、基板１１の裏面１１ｂ側には、裏面電極１４が形成されている。裏面電極１４は、第６の層１４ａと、第７の層１４ｂと、第８の層１４ｃとを有している。裏面電極１４は、さらに第１１の層１４ｄを有していてもよい。裏面電極１４は、さらに中間層を有していてもよい。なお、半導体装置１がＩＧＢＴである場合、第６の層１４ａはエミッタ電極となっている。

基板領域１１ｃの裏面１１ｂ側は、ドレイン領域となっている。なお、半導体装置１がＩＧＢＴである場合、基板領域１１ｃはエミッタ領域となっている。基板領域１１ｃの裏面１１ｂ側に接して、第６の層１４ａが形成されている。第６の層１４ａは、基板１１がＳｉを用いて形成されている場合、例えば９５質量パーセント以上のＡｌを含有している層である。この場合、第４の層１３ａには、好ましくはＳｉが添加されていてもよい。基板１１がＳｉＣを用いて形成されている場合、第６の層１４ａは、例えばニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）である。

第６の層１４ａ上には、中間層が形成されている。中間層は、例えばチタン、ＴｉＮ又はこれらの複合膜である。中間層により、第６の層１４ａと第７の層１４ｂの密着性が向上する。

第６の層１４ａ上には、第７の層１４ｂが形成されている。第７の層１４ｂは、例えばＮｉを含有するスパッタ膜である。第７の層１４ｂ上には、第８の層１４ｃが形成されている。第８の層１４ｃは、無電解めっき膜である。第８の層１４ｃは、例えば無電解Ｎｉめっき膜である。第８の層１４ｃ上には、第１１の層１４ｄが形成されていてもよい。第１１の層１４ｄは、例えば無電解Ａｕめっき層である。

以下に、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程について説明する。
第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、基板工程Ｓ１と、電極下地形成工程Ｓ２と、孔食防止層形成工程Ｓ３と、第１の無電解めっき工程Ｓ４とを有する。

図７は、第１の実施形態に係る半導体装置１の基板工程Ｓ１における断面図である。図７（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図７（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域での断面に対応している。図７（Ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４周辺の断面に対応している。

図７（Ａ）ないし（Ｂ）に示すように、基板工程Ｓ１においては、基板１１と、ゲート絶縁膜１６と、ゲートパッド１７及びゲート１９と、層間絶縁膜１８とが形成される。基板１１、ゲート絶縁膜１６、ゲートパッド１７、ゲート１９及び層間絶縁膜１８の形成は、一般的な方法により形成される。

図８は、第１の実施形態に係る半導体装置１の電極下地形成工程Ｓ２における断面図である。図８（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図８（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域での断面に対応している。図８（Ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４周辺の断面に対応している。

図８（Ａ）に示すように、電極下地形成工程Ｓ２においては、基板１１の主表面１１ａ上の第１の表面電極１２が形成される領域に、第１の層１２ａが形成される。すなわち、電極下地形成工程Ｓ２においては、層間絶縁膜１８及びソース領域１１ｆ上に、第１の層１２ａが形成される。第１の層１２ａは、成膜工程Ｓ２１とパターンニング工程Ｓ２２とにより形成される。

成膜工程Ｓ２１は、例えばＡｌを含有する金属材料を、１ないし１０μｍ程度の厚さとなるまでスパッタリングすることにより行われる。

第１の表面電極１２が形成される領域においては、ソース領域１１ｆと層間絶縁膜の間に段差がある。この段差に対するスパッタリング膜の埋込性を改善するため、スパッタリング後に熱処理を行ってもよい。この熱処理は、例えば３５０℃ないし５００℃で行われる。また、この段差は、スパッタリング前に、タングステン（Ｗ）等を埋め込むことにより、平坦化してもよい。

パターンニング工程Ｓ２２においては、まず、成膜されたスパッタリング膜上にフォトレジストが塗布される。このフォトレジストは、例えばポジ型である。塗布されるフォトレジストの膜厚は、スパッタリング膜の段差を考慮して、３μｍないし１５μｍであることが好ましい。

次に、塗布されたフォトレジストに対して露光が行われる。露光は、スパッタリング膜をエッチングにより除去すべき領域に対して行われる。露光されていない部分のフォトレジストは、露光後に除去される。その後、残存したフォトレジストをマスクとして、スパッタリング膜のエッチングが行われる。このエッチングは、例えば硫酸、酢酸等を含む混酸を用いて行われる。スパッタリング膜にＳｉが含まれている場合、Ｓｉの残渣を除去するために、トリフルオロメタン（ＣＨＦ₃）等を用いたドライエッチングがさらに行われてもよい。

図８（Ｂ）に示すように、電極下地形成工程Ｓ２においては、基板１１の主表面１１ａ上の第２の表面電極１３が形成される領域に、第４の層１３ａが形成される。すなわち、電極下地形成工程Ｓ２においては、ゲートパッド１７上に、第４の層１３ａが形成される。第４の層１３ａの形成は、第１の層１２ａの形成と同様の方法により行われる。第４の層１３ａの形成は、第１の層１２ａの形成と同時に行われることが好ましい。

図８（Ｃ）に示すように、電極下地形成工程Ｓ２においては、基板１１の裏面１１ｂ上の裏面電極１４が形成される領域に、第６の層１４ａが形成される。すなわち、電極下地形成工程Ｓ２においては、基板領域１１ｃの裏面１１ｂ側のドレイン領域上に、第６の層１４ａが形成される。

第６の層１４ａの形成は、基板１１にＳｉが用いられている場合には、例えば、Ａｌを含有する金属材料をドレイン領域上にスパッタリングすることにより行われる。基板１１にＳｉＣが用いられている場合、まず、例えば、Ｎｉ、Ａｌをドレイン領域上にスパッタリングする。その後、熱処理を行うことによりＮｉ、Ａｌのスパッタリング膜と基板１１をシリサイド化反応させることにより、第６の層１４ａが形成される。

図９は、第１の実施形態に係る半導体装置１の孔食防止層形成工程Ｓ３における断面図である。図９（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図９（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４周辺の断面に対応している。なお、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域は、孔食防止層形成工程Ｓ３においては構造に変化がないため、図示は省略している。

孔食防止層形成工程Ｓ３においては、図９（Ａ）に示すように、第１の層１２ａ上に、第２の層１２ｂが形成される。なお、第１の層１２ａ上には、第２の層１２ｂの周囲に、第２の層１２ｂが形成されていない領域があってもよい。第２の層１２ｂは、好ましくは１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成される。

第２の層１２ｂは、好ましくはマスクスパッタ法又はリフトオフ法により形成される。なお、マスクスパッタ法とは、第２の層１２ｂを形成する領域に対応する開口を有するマスクを用いて、スパッタリングを行う方法である。また、リフトオフ法とは、第２の層１２ｂを形成する領域に開口を有するレジストをマスクとしてスパッタリングを行うとともに、スパッタリング後にマスクを除去する方法である。

孔食防止層形成工程Ｓ３においては、図９（Ｂ）に示すように、第６の層１４ａ上に、第７の層１４ｂが形成される。第７の層１４ｂは、例えばＮｉをスパッタリングすることにより形成される。

第１の無電解めっき工程Ｓ４は、第１の保護膜形成工程Ｓ４１と、前処理工程Ｓ４２と、無電解めっき膜成長工程Ｓ４３とを有している。

図１０は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の保護膜形成工程Ｓ４１における断面図である。図１０（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図１０（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域での断面に対応している。なお、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４が形成される領域には第１の保護膜１５ａが形成されないため、図示は省略している。

第１の保護膜形成工程Ｓ４１においては、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜１８上に第１の保護膜１５ａが形成される。第１の保護膜１５ａの形成においては、層間絶縁膜１８上に例えばポリイミドがディスペンスされる。ポリイミドは、第１の開口１５ｂ及び第２の開口１５ｃとなる箇所にはディスペンスされない。

ポリイミドは、第３の層１２ｃ及び第５の層１３ｂと同等以上の厚さとなるようにディスペンスされることが好ましい。具体的には、ポリイミドは５μｍないし１５μｍ程度の厚さとなるようにディスペンスされることが好ましい。ポリイミドがディスペンスされた後には、熱処理が行われる。これにより、ポリイミドが硬化し、第１の保護膜１５ａが形成される。

第１の保護膜１５ａの形成方法は、これに限られるものではない。例えば、感光性を有するポリイミドを全面塗布するとともに、塗布された感光性のポリイミドに対してフォトリソグラフィーを行うことにより、第１の開口１５ｂ及び第２の開口１５ｃを有するようにパターンニングしてもよい。

第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されていない領域には、第１の保護膜１５ａが形成されていてもよい。第２の層１２ｂは、周縁において、中央においてよりも膜厚が薄くなる傾向にある。そのため、好ましくは、第１の保護膜１５ａは、第２の層１２ｂの周縁上にも形成されていてもよい。

前処理工程Ｓ４２においては、第１の酸化膜除去処理工程Ｓ４２１と、ジンケート処理工程Ｓ４２２とが行われる。前処理工程Ｓ４２おいては、例えば第１の酸化膜除去処理工程Ｓ４２１が行われた後に、ジンケート処理工程Ｓ４２２が行われる。なお、第１の酸化膜除去処理工程Ｓ４２１は、後述するジンケート処理Ｓ４２２３に先立ち行われていればよい。

この前処理工程Ｓ４２を行うことにより、例えばＮｉを含有するスパッタ膜である第２の層１２ｂ及び第７の層１４ｂと、Ａｌを含有する第４の層１３ａの双方の上に、Ｎｉを含有する無電解めっき膜である第３の層１２ｃ、第５の層１３ｂ及び第８の層１４ｃを成長させることが可能となる。

第１の酸化膜除去処理工程Ｓ４２１においては、例えばＮｉを含有するスパッタ膜である第２の層１２ｂ及び第７の層１４ｂの表面の酸化膜が除去される。

ジンケート処理工程Ｓ４２２においては、脱脂処理Ｓ４２２１と、第２の酸化膜除去処理Ｓ４２２２と、ジンケート処理Ｓ４２２３が行われる。脱脂処理Ｓ４２２１により、第４の層１３ａ表面に付着している油脂が除去される。脱脂処理Ｓ４２２１が行われた後、第２の酸化膜除去処理Ｓ４２２２が行われる。これにより、第４の層１３ａ表面の酸化膜が除去される。

第２の酸化膜除去処理Ｓ４２２２が行われた後に、ジンケート処理Ｓ４２２３が行われる。ジンケート処理Ｓ４２２３により、第４の層１３ａの表面が亜鉛（Ｚｎ）により置換される。なお、脱脂処理Ｓ４２２１と、第２の酸化膜除去処理Ｓ４２２２と、ジンケート処理Ｓ４２２３とは、複数回繰り返してもよい。

図１１は、第１の実施形態に係る半導体装置１の無電解めっき膜成長工程Ｓ４３における断面図である。図１１（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図１１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域での断面に対応している。図１１（Ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４周辺の断面に対応している。

無電解めっき膜成長工程Ｓ４３においては、図１１（Ａ）ないし（Ｃ）に示すように、第２の層１２ｂ、第４の層１３ａ及び第７の層１４ｂ上に、第３の層１２ｃ、第５の層１３ｂ及び第８の層１４ｃがそれぞれ形成される。無電解めっき膜成長工程Ｓ４３においては、例えばＮｉの無電解めっきが行われる。

なお、第１の無電解めっき工程Ｓ４の後に、第２の無電解めっき工程Ｓ５がさらに行われてもよい。図１２は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の無電解めっき工程Ｓ５における断面図である。図１２（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２が形成される領域での断面に対応している。図１２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の第２の表面電極１３が形成される領域での断面に対応している。図１２（Ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置１の裏面電極１４周辺の断面に対応している。

第２の無電解めっき工程Ｓ５においては、図１２（Ａ）ないし図１２（Ｃ）に示すように、第３の層１２ｃ、第５の層１３ｂ及び第８の層１４ｃ上に、例えばＡｕを含有する第９の層１２ｄ、第１０の層１３ｃ及び第１１の層１４ｄがそれぞれ形成される。第９の層１２ｄ、第１０の層１３ｃ及び第１１の層１４ｄの形成は、例えば一般的な無電解Ａｕめっき法により行われる。

以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の効果について説明する。
比較例に係る半導体装置においては、第１の表面電極１２の第１の層１２ａ、第２の表面電極１３の第４の層１３ａ及び裏面電極１４の第６の層１４ａ上に、直接、第１の表面電極１２の第３の層１２ｃ、第２の表面電極１３の第５の層１３ｂ及び裏面電極１４の第８の層１４ｃが形成されている。

図１３は、比較例に係る半導体装置における裏面電極１４周辺の断面構造の模式図である。図１３に示すように、比較例に係る半導体装置においては、裏面電極１４の第６の層１４ａに孔食Ｖが発生している。

第１の表面電極１２の第１の層１２ａ及び第２の表面電極１３の第４の層１３ａと、裏面電極１４の第６の層１４ａは、同一の材料で形成されたとしても、膜質が異なっている。そのため、第１の表面電極１２の第１の層１２ａ及び第２の表面電極１３の第４の層１３ａの膜質に合わせてＮｉを含有する無電解めっき膜の形成条件を最適化すると、裏面電極１４の第６の層１４ａが過剰にエッチングされてしまうからである。

パワー半導体装置は、実使用時に高温となる。そのため、このような孔食Ｖが発生した場合、孔食Ｖから水分起因のアウトガスが発生してしまう。

他方、第１の表面電極１２の第１の層１２ａ及び裏面電極１４の第７の層１４ｂ上のみならず、第２の表面電極１３の第４の層１３ａ上にもＮｉを含有するスパッタ膜を形成する場合において、高段差を有する第１の表面電極１２の第１の層１２ａ上で、全面にＮｉをスパッタリングより成膜してフォトリソグラフィによるレジストマスクを用いてＮｉのパターンをエッチングにより形成する場合、Ｎｉの残渣が発生してしまう。

第１の実施形態に係る半導体装置１は、第１の表面電極１２の第１の層１２ａ及び裏面電極１４の第７の層１４ｂ上にはＮｉを含有するスパッタ膜が形成されているが、第２の表面電極１３の第４の層１３ａ上にはＮｉを含有するスパッタ膜が形成されていない。そのため、ジンケート処理するＡｌ表面の結晶性が１種類だけであるため、この表面に最適化したジンケート処理が可能となり、第１の実施形態に係る半導体装置１は、Ａｌの孔食Ｖの発生が抑制できる。また、Ｎｉ膜をフォトリソグラフィによるレジストマスクを用いてパターン形成していないため、Ｎｉ残渣の発生も抑制することができる。なお、図示していないが、第１の実施形態に係る半導体装置１の表面に温度測定のためのダイオード回路を形成する場合があるが、ダイオードのカソード電極表面にイオン化傾向の高い金属（例えば、Ａｌ）とし、アノード電極表面にイオン化傾向の低い金属（例えば、Ｎｉ）とすると、Ａｌ電極上に形成したＺｎ薄膜の溶出時に放出される電子がＡｌ電極表面でＮｉイオンに提供されず、ダイオード回路を通してカソード電極に移動し、カソード電極上でＮｉイオンに電子を供給し、Ｎｉが析出することがある。そのため、ダイオードを含む回路のカソード電極及びアノード電極は、同一材料とする必要がある。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について図を参照して説明する。なお、ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。

以下に、第２の実施形態に係る半導体装置１の構造について説明する。
図１４は、第２の実施形態に係る半導体装置１の上面図である。図１４に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置１は、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様に、主表面１１ａ側の最外表面に、第１の開口１５ｂと第２の開口１５ｃとを有する第１の保護膜１５ａが形成されている。

しかしながら、第２の実施形態に係る半導体装置１は、第１の開口１５ｂの内側にも第２の保護膜１５ｄが形成されている点において、第１の実施形態に係る半導体装置１と異なっている。

図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ断面における断面図である。図１５に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２は、第１の層１２ａと、第２の層１２ｂと、第３の層１２ｃと、第９の層１２ｄとを有している。

第１の層１２ａは、ソース領域１１ｆ上に形成されている。第１の層１２ａとソース領域１１ｆとの間には、バリア層１２ｅが形成されていてもよい。第１の層１２ａ上には、第２の層１２ｂが形成されている。但し、第１の層１２ａ上には、第２の層１２ｂの周囲に、第２の層１２ｂが形成されていない領域がある。第２の層１２ｂと第１の層１２ａの間には、中間層が形成されていてもよい。

第２の層１２ｂ上には、第３の層１２ｃが形成されている。また、第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されていない領域上にも、第３の層１２ｃが形成されている。第２の層１２ｂの周縁は、第１の実施形態に係る半導体装置１と異なり、第１の保護膜１５ａにより被覆されていない。第３の層１２ｃ上には、第９の層１２ｄが形成されている。

第９の層１２ｄ上に、第２の保護膜１５ｄが形成されている。第２の保護膜１５ｄは、第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されていない領域の上方に形成されている。第９の層１２ｄ上に形成された第２の保護膜１５ｄは、第３の開口１５ｅを有している。

第２の保護膜１５ｄには、例えばポリイミドが用いられる。第２の保護膜１５ｄは、３μｍ以上の厚さを有していればよい。第２の保護膜１５ｄは、５０μｍ以上の厚さを有していてもよい。好ましくは、第２の保護膜１５ｄは、５μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有している。第３の開口１５ｅは、はんだが漏れない程度の幅を有している。具体的には、第３の開口１５ｅは、１００μｍ以上の幅を有していることが好ましい。

第１の表面電極１２は、第３の開口１５ｅにおいて、例えばはんだにより、第１の引出電極３１と接合される。第３の開口１５ｅが設けられる領域は、平面視において、第２の層１２ｂが形成される領域に対応している。

以下に、第２の実施形態に係る半導体装置１の製造工程について説明する。
第２の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、第１の実施形態と同様に、基板工程Ｓ１と、電極下地形成工程Ｓ２と、第１の無電解めっき工程Ｓ４と、第２の無電解めっき工程Ｓ５とを有している。第２の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、基板工程Ｓ１、電極下地形成工程Ｓ２、孔食防止層形成工程Ｓ３及び第２の無電解めっき工程Ｓ５が、第１の実施形態と同様である。

第２の実施形態に係る半導体装置１の製造工程における第１の無電解めっき工程Ｓ４は、第１の保護膜形成工程Ｓ４１を除き、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程と同様である。図１６は、第２の実施形態に係る半導体装置１の第１の保護膜形成工程Ｓ４１における第１の表面電極１２周辺の断面図である。図１６に示すように、第２の実施形態における第１の保護膜形成工程Ｓ４１においては、第１の保護膜１５ａは、第２の層１２ｂ上には形成されない。

第２の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、第２の保護膜形成工程Ｓ６をさらに有している。図１７は、第２の実施形態に係る半導体装置１の第２の保護膜形成工程Ｓ６における第１の表面電極１２周辺の断面図である。第２の保護膜形成工程Ｓ６においては、図１７に示すように、第９の層１２ｄ上に第２の保護膜１５ｄが形成される。

第２の保護膜形成工程Ｓ６においては、ポリイミドは第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されない領域の上方にディスペンスされる。他方、第２の保護膜形成工程Ｓ６においては、ポリイミドは第３の開口１５ｅとなる部分にディスペンスされない。

その後、ディスペンスされたポリイミドが、熱処理により硬化される。なお、第２の保護膜１５ｄの形成方法はこれに限られるものではない。例えば、第２の保護膜１５ｄは、ポリイミドを第９の層１２ｄ上に全面塗布するとともに、露光及びエッチングにより第３の開口１５ｅとなる部分を除去することで形成してもよい。

以下に、第２の実施形態に係る半導体装置１の効果について説明する。
第１の引出電極３１と第１の表面電極１２の接合部の信頼性を確保するためには、第１の層１２ａに対する孔食Ｖの発生が、この接合部直下の領域において抑制されていればよい。また、第２の層１２ｂが形成されていない領域において第１の引出電極３１と第１の表面電極１２が接合されていると、第２の層１２ｂが形成されていない領域下の第１の層１２ａに過大な熱応力が生じる。

しかしながら、第２の実施形態に係る半導体装置１においては、第２の保護膜１５ｄが形成されることにより、第２の層１２ｂが形成されていない領域において第１の引出電極３１と第１の表面電極１２が接合されない。そのため、第２の実施形態に係る半導体装置１においても、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様の接合部の信頼性を確保することができる。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態について図を参照して説明する。なお、ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。

図１８は、第３の実施形態に係る半導体装置１の上面図である。図１８に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置１は、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様に、主表面１１ａ側の最外表面に、第１の開口１５ｂと第２の開口１５ｃとを有する第１の保護膜１５ａが形成されている。しかし、第３の実施形態に係る半導体装置１は、第１の開口１５ｂの内側にも第３の保護膜１５ｆが形成されている点において、第１の実施形態に係る半導体装置１と異なっている。

図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ断面における断面図である。図１９に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置１の第１の表面電極１２は、第１の層１２ａと、第２の層１２ｂと、第３の層１２ｃと、第９の層１２ｄとを有している。

第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されている領域には、第３の保護膜１５ｆが形成されている。第３の保護膜１５ｆは、第４の開口１５ｇを有している。第３の保護膜１５ｆには、例えばポリイミドが用いられる。第３の保護膜１５ｆは、３μｍ以上の厚さを有していればよい。第３の保護膜１５ｆは、５０μｍ以上の厚さを有していてもよい。好ましくは、第３の保護膜１５ｆの厚さは、５μｍ以上１０μｍ以下である。第４の開口１５ｇは、はんだが漏れない程度の幅を有している。具体的には、第４の開口１５ｇは、１００μｍ以上の幅を有していることが好ましい。第１の表面電極１２は、第４の開口１５ｇにおいて、例えばはんだにより、第１の引出電極３１と接合される。第４の開口１５ｇが設けられる領域は、平面視において、第２の層１２ｂが形成される領域に対応している。

第４の開口１５ｇが設けられている領域の内側では、第２の層１２ｂ上に、第３の層１２ｃが形成されている。第３の層１２ｃ上には、第９の層１２ｄが形成されている。

以下に、第３の実施形態に係る半導体装置１の製造工程について説明する。
第３の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、第１の実施形態と同様に、基板工程Ｓ１と、電極下地形成工程Ｓ２と、第１の無電解めっき工程Ｓ４と、第２の無電解めっき工程Ｓ５とを有している。第３の実施形態に係る半導体装置１の製造工程は、基板工程Ｓ１、電極下地形成工程Ｓ２、孔食防止層形成工程Ｓ３及び第２の無電解めっき工程Ｓ５が、第１の実施形態と同様である。

第３の実施形態に係る半導体装置１の製造工程における第１の無電解めっき工程Ｓ４は、第１の保護膜形成工程Ｓ４１を除き、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程と同様である。図２０は、第３の実施形態に係る半導体装置１の第１の保護膜形成工程Ｓ４１における第１の表面電極１２周辺の断面図である。図２０に示すように、第３の実施形態における第１の保護膜形成工程Ｓ４１においては、第１の保護膜１５ａは、第２の層１２ｂ上には形成されない。

第３の実施形態に係る半導体装置１の第１の無電解めっき工程Ｓ４は、第３の保護膜形成工程Ｓ４４をさらに有している。第３の保護膜形成工程Ｓ４４においては、第３の保護膜１５ｆが形成される。図２１は、第３の実施形態に係る半導体装置１の第３の保護膜形成工程Ｓ４４における第１の表面電極１２周辺の断面図である。第３の保護膜形成工程Ｓ４４においては、図２０に示すように、第１の層１２ａ上であって、第２の層１２ｂの周囲に第３の保護膜１５ｆが形成される。

第３の保護膜形成工程Ｓ４４においては、ポリイミドは、第１の層１２ａ上の第２の層１２ｂが形成されない領域にディスペンスされる。第３の保護膜形成工程Ｓ４４においては、ポリイミドは、第４の開口１５ｇとなる部分にはディスペンスされない。その後、ディスペンスされたポリイミドが、熱処理により硬化される。

なお、第３の保護膜１５ｆの形成方法はこれに限られるものではない。例えば、第３の保護膜１５ｆは、ポリイミドを第１の層１２ａ及び第２の層１２ｂ上に全面塗布するとともに、露光及びエッチングにより第４の開口１５ｇとなる部分を除去することで形成してもよい。

以下に、第３の実施形態に係る半導体装置１の効果について説明する。
第１の引出電極３１と第１の表面電極１２の接合部の信頼性を確保するためには、第１の層１２ａに対する孔食Ｖの発生が、この接合部直下の領域において抑制されていればよい。また、第２の層１２ｂが形成されていない領域において第１の引出電極３１と第１の表面電極１２が接合されていると、第２の層１２ｂが形成されていない領域下の第１の層１２ａに過大な熱応力が生じる。

しかしながら、第３の実施形態に係る半導体装置１においては、第３の保護膜１５ｆが形成されることにより、第２の層１２ｂが形成されていない領域において第１の引出電極３１と第１の表面電極１２が接合されない。そのため、第３の実施形態に係る半導体装置１においても、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様の接合部の信頼性を確保することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１半導体装置、１１基板、１１ａ主表面、１１ｂ裏面、１１ｃ基板領域、１１ｄエピタキシャル領域、１１ｅボディ領域、１１ｆソース領域、１２第１の表面電極、１２ａ第１の層、１２ｂ第２の層、１２ｃ第３の層、１２ｄ第９の層、１２ｅバリア層、１３第２の表面電極、１３ａ第４の層、１３ｂ第５の層、１３ｄ第１０の層、１４裏面電極、１４ａ第６の層、１４ｂ第７の層、１４ｃ第８の層、１４ｄ第１１の層、１５ａ第１の保護膜、１５ｂ第１の開口、１５ｃ第２の開口、１５ｄ第２の保護膜、１５ｅ第３の開口、１５ｆ第３の保護膜、１５ｇ第４の開口、１６ゲート絶縁膜、１６ａ開口、１７ゲートパッド、１８層間絶縁膜、１８ａ第１のコンタクトホール、１８ｂ第２のコンタクトホール、１９ゲート、２ベース板、２ａ主表面、２ｂ裏面、２１導体パターン、２２第１の接合部材、３引出電極、３１第１の引出電極、３２第２の引出電極、３３第３の引出電極、３４第２の接合部材、３５第３の接合部材、３６第４の接合部材、４封止部材、Ｓ１基板工程、Ｓ２電極下地形成工程、Ｓ３孔食防止層形成工程、Ｓ４第１の無電解めっき工程、Ｓ５第２の無電解めっき工程、Ｓ６第２の保護膜形成工程、Ｓ２１成膜工程、Ｓ２２パターンニング工程、Ｓ４１第１の保護膜形成工程、Ｓ４２前処理工程、Ｓ４３無電解めっき膜成長工程、Ｓ４４第３の保護膜形成工程、Ｓ４２１第１の酸化膜除去処理工程、Ｓ４２２ジンケート処理工程、Ｓ４２２１脱脂処理、Ｓ４２２２第２の酸化膜除去処理、Ｓ４２２３ジンケート処理、Ｖ孔食。

Claims

互いに間隔をあけて複数配置されたソース領域を含む主表面と、前記主表面の反対側の面である裏面とを有する基板と、
前記ソース領域の間において前記主表面上に形成されたゲートと、
前記主表面上に形成され、前記ゲートに接続されたゲートパッドと、
前記ゲートを覆うように前記主表面上に形成された第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層と、前記第２の層上に形成された第３の層とを有する第１の表面電極と、
前記ゲートパッド上に形成された第４の層と、前記第４の層上に形成された第５の層とを有する第２の表面電極と、
前記裏面上に形成され、第６の層と、前記第６の層上に形成された第７の層と、前記第７の層上に形成された第８の層とを有する裏面電極とを備え、
前記第４の層は、前記第２の層及び前記第７の層と異なる材料を含有しており、
前記第３の層、前記第５の層及び前記第８の層は、同じ材料を含有する無電解めっき膜である、半導体装置。
前記第２の表面電極は、前記第１の表面電極よりも面積が小さい、請求項１記載の半導体装置。
前記第１の層、前記第４の層及び前記第６の層は、アルミニウムを含有するスパッタ膜であり、
前記第２の層及び前記第７の層は、ニッケルを含有するスパッタ膜であり、
前記第３の層、前記第５の層及び前記第８の層は、ニッケルを含有する無電解めっき膜である、請求項１〜２のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記第１の表面電極において、前記第１の層上には、前記第２の層の周囲に前記第２の層が形成されていない領域があり、
前記第１の表面電極は、前記第２の層が形成されていない領域の上方に形成された保護膜を有している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記保護膜は、前記第１の層上に形成されている、請求項４記載の半導体装置。
前記保護膜は、前記第２の層上に形成されている、請求項４記載の半導体装置。
前記保護膜は、前記第３の層上に形成されている、請求項４記載の半導体装置。
前記第１の表面電極は、前記第３の層上に、第９の層を有しており、
前記第２の表面電極は、前記第６の層上に、第１０の層を有しており、
前記裏面電極は、前記第８の層上に、第１１の層を有している、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記第９の層、前記第１０の層及び前記第１１の層は、金を含有する無電解めっき膜である、請求項８記載の半導体装置。
互いに間隔をあけて複数配置されたソース領域を含む主表面と前記主表面の反対側の面である裏面とを有する基板において、前記主表面上の第１の表面電極が形成される領域における前記ソース領域の間にゲートを形成するとともに、前記主表面上の第２の電極が形成される領域に前記ゲートに接続されたゲートパッドを形成する工程と、
前記主表面上の前記第１の表面電極が形成される領域に前記ゲートを覆うように第１の層を形成する工程と、
前記ゲートパッド上に、アルミニウムを含有する第４の層を形成する工程と、
前記基板において、前記裏面上の裏面電極が形成される領域に、第６の層を形成する工程と、
前記第１の層上にニッケルを含有する第２の層を形成する工程と、
前記第６の層上にニッケルを含有する第７の層を形成する工程と、
前記第２の層及び前記第７の層の表面の酸化物を除去する工程と、
前記第４の層の表面の脱脂洗浄する工程と、
前記第４の層の表面の酸化物を除去する工程と、
前記第４の層の表面にジンケート処理を行う工程と、
前記第２の層上にニッケルを含有する無電解めっき膜である第３の層を形成し、前記第４の層上にニッケルを含有する無電解めっき膜である第５の層を形成し、前記第７の層上にニッケルを含有する無電解めっき膜である第８の層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
前記第４の層の表面の酸化物を除去する工程は、前記第２の層及び前記第７の層の表面の酸化物を除去する工程が行われた後に行われる、請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
前記第２の層及び前記第７の層を形成する工程は、スパッタリングを行う工程を含む、請求項１０〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２の層を形成する工程は、マスクスパッタリングを行う工程を含む、請求項１２記載の半導体装置の製造方法。