JP3871607B2 - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、SiCを用いた半導体素子及びその製造方法に関し、特に半導体素子の電極構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の高速動作化及び高機能化を目指して、シリコン(珪素、Si)以外の半導体材料の研究、開発が世界的に進められている。
【0003】
炭化珪素(シリコンカーバイド、SiC)は、半導体素子の新材料の1つであり、Siに比べてバンドギャップが大きいことから、次世代のパワーデバイスや高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている材料である。この他にも、SiCを構成材料として用いたショットキーダイオード,MOSFET,バイポーラトランジスタなどの耐環境素子や、高速に動作し、且つ高利得のヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ(HBT)などの研究がなされており、これらの素子の動作が実際に確認されている。
【0004】
これらのSiCを用いた半導体素子(以下、「SiC半導体素子」と称する)の電極部は、SiC層の上にNi等からなるコンタクト電極を設け、その上にAl(アルミニウム),Mo(モリブデン),Ti(チタン)等からなる電極パッドを設けるか、電極に直接配線を接続するかどちらかの構造をとることが多い。
【0005】
例えば、SiCを用いたショットキーダイオードの場合は、基板の裏面上にNiからなるオーミック電極が、主面側にNiからなるショットキー電極が、それぞれ設けられている。電極のうちオーミック電極は、低抵抗であることが要求されるため、Niを基板に蒸着させた後に、シンター(熱アニーリング)処理を施すことにより形成される。このシンター処理により、基板のSiCと電極のNiが反応し、基板と電極との界面付近にNiシリサイドが形成されるので、接触抵抗を小さくすることができるのである。このとき、シンター処理の時間を長くすると、電極全体がシリサイド化されることもある。
【0006】
なお、例えばSiC半導体素子がMOSFETであるときには、ソース及びドレイン電極としてオーミック電極を設け、その上に直接配線を形成する。
【0007】
また、ショットキーダイオードなどの素子を集積したチップをパッケージに実装する際には、一般的に電極パッドをオーミック電極の上に設けてからパッケージにマウントする。これにより、電極パッドと半田材等とが均一に密着されて接触面積が増えるので抵抗を減らすことができる。また、電極パッドによりマウント時のストレスが緩和される。
【0008】
なお、SiC以外の従来の基板をマウントするための一般的な方法として、銀(Ag)ペーストをパッケージ側に付け、その上にチップを載せた後に150℃程度の低温ベークを行い硬化させる方法がある。また、PbSn半田,AgSn半田,AuSn半田などを用いて200℃〜300℃に温度を上げて半田を溶融させ、チップとパッケージとを密着させる方法等もある。例えば、基板の素材がSiである場合には、上述の方法でパッケージとチップが良好に接着される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、SiC半導体素子において、従来の電極部の構造では、電極と配線、または電極と電極パッドとの間で良好な接触を得ることが困難であった。その理由を以下に述べる。
【0010】
SiCは高耐圧性と大きい移動度とが特徴であるために、SiC半導体素子に高電圧下で大電流を流す場合があり、その際にSiを用いたチップに比べチップ温度が上昇する。上述のAgペーストを用いたマウント方法では、チップ温度が高温になると劣化を生じるので、SiC半導体素子を集積したチップでは、半田や金属バンプと電極パッドとの金属間結合を用いたマウント方法がとられる。
【0011】
一方、SiC半導体の、特にオーミック電極においては、電極となる金属膜を蒸着させた後にシンター(アニーリング)を施すため、電極の上面にまで金属炭化物,金属酸化物及び炭素などが生じてしまう。
【0012】
これらの金属炭化物及び金属酸化物は半田との密着性が非常に悪いので、上述の半田を用いたマウント方法では、マウント後にパッケージとチップとが剥離しやすくなる、という不具合が生じる。また、完全に剥離せず、部分的に密着している場合でも、電流集中が生じることなどにより素子実装後の放熱不良を起こしやすくなり、素子特性の劣化を招く。
【0013】
なお、金属炭化物が電極の上面に生じるのは、SiC中の炭素が非常に拡散しやすいためであり、SiC半導体素子に固有の現象である。
【0014】
このように、従来のSiC半導体素子においては、Siを用いた半導体素子とは異なり、電極と配線、または電極と電極パッドとの間の良好な接触を得るのが困難であったために、上述の不具合を招いていた。
【0015】
本発明の目的は、電極パッド及び配線と電極とを良好に接着させ、高電圧下で大電流での駆動が可能なSiCからなる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子は、SiC層と、上記SiC層の上に設けられたオーミック電極とを備えた半導体素子であって、上記オーミック電極の上面上に生じた、上記オーミック電極を構成する金属の炭化物または炭素粒子を除去する処理が施されてなる。
【0017】
これにより、オーミック電極の上面上の金属炭化物及び炭素粒子が除去されているので、例えばオーミック電極の上面上に配線または電極パッドを設ける場合、オーミック電極と該配線または該電極パッドとを良好に接着させることができる。そのため、接着部分の剥離に伴って起こる電界集中による放熱不良や、接続不良などの不具合を防ぐことができる。
【0018】
本発明の第2の半導体素子は、SiC層と、上記SiC層の上に設けられたオーミック電極と、上記オーミック電極の上に設けられ、第1の金属層を有する第1の電極パッドと、を備え、上記オーミック電極と上記第1の電極パッドとは、間に、上記オーミック電極を構成する金属の炭化物または炭素粒子が存在することなく接合されている。
【0019】
上記オーミック電極は、その上面上に生じた上記金属の酸化物を除去する処理をさらに施されていてもよい。
【0020】
上記オーミック電極と第1の電極パッドとは、間に上記金属の酸化物が存在することなく接合されていてもよい。
【0021】
上記オーミック電極は、主としてNiからなっていることにより、SiC層との接合部にNiシリサイドが形成されるので、接触抵抗が大きく低減される。
【0022】
上記オーミック電極の上に、第1の金属層を有する第1の電極パッドをさらに備えていてもよい。
【0023】
上記第1の金属層は、Tiを含んでいてもよい。
【0024】
上記第1の電極パッドは、上記第1の金属層の上に設けられ、かつ、Auを含む第2の金属層をさらに有していてもよい。
【0025】
上記オーミック電極の上にTi,Al,Cu及びWのうちの少なくとも1つからなる配線がさらに設けられていることにより、オーミック電極と配線との接触抵抗及び配線内部での抵抗が小さい半導体素子が実現される。なお、オーミック電極の上面上から金属炭化物や炭素粒子が除去されているので、オーミック電極と配線とが良好に接着され、接着部分での断線や接続不良による抵抗の増大を防ぐことができる。
【0026】
また、上記SiC層は、上記SiC基板と、上記SiC基板上に設けられたSiCからなるエピタキシャル成長層とから構成されており、上記エピタキシャル成長層の上に主として金属からなるショットキー電極をさらに備えていることにより、例えば、本発明の半導体素子を集積したチップを実装する際に、パッケージの端子と各電極とが良好に接着される。
【0027】
また、上記ショットキー電極がNiからなり、上記ショットキー電極の上に配置された第2の電極パッドを有し、上記第2の電極パッドは、Tiを含む第3の金属層と、上記第3の金属層の上に設けられたAuからなる第4の金属層とをさらに備えることにより、例えばショットキー電極を外部の端子に接続する際に、接触抵抗を低減することができる。また、ショットキー電極と第4の金属層との間にTiからなる第3の金属層が挟まれているため、第4の金属層に含まれるAuがショットキー電極に拡散し、電気的特性が変化することが防止されている。
【0028】
上記ショットキー電極がTiからなり、上記ショットキー電極の上に配置された第2の電極パッドを有し、上記第2の電極パッドは、Ptを含む第3の金属層と、上記第3の金属層の上に設けられたAuからなる第4の金属層とをさらに備えていてもよい。
【0029】
次に、本発明の半導体素子の製造方法は、SiC層と、上記SiC層の上に設けられ、主として金属からなるオーミック電極とを備えた半導体素子の製造方法であって、上記SiC層の上に上記電極を形成する工程(a)と、上記オーミック電極の上面上に生じた上記金属の炭化物または炭素粒子を除去する工程(b)とを含む。
【0030】
この方法により、上記工程(b)では、電極の上面上から上記金属の炭化物または炭素粒子が除去されているので、例えば電極上に配線や電極パッドを設ける場合に、電極と該配線及び該電極パッドとが良好に接着し、剥離が起こりにくくなる。この結果、動作時の接続不良及び放熱不良などの発生が抑制された、信頼性の高い半導体素子を製造することができる。
【0031】
また、上記工程(a)の後、上記工程(b)の前に、上記SiC層と上記電極とにシンター処理を行なうシンター処理工程をさらに含むことにより、例えば電極上に配線や電極パッドを設ける場合に、電極と該配線及び該電極パッドとが良好に接着し、剥離が起こりにくくなる。特に、シンター処理によりSiC層中の炭素がオーミック電極中に拡散し、オーミック電極の上面上で金属炭化物や炭素粒子が析出するため、該金属炭化物及び該炭素粒子を除去することで、接続不良及び放熱不良などの発生が顕著に抑制される。
【0032】
上記シンター処理工程によって上記電極の上面上に生じた上記金属の酸化物を除去する工程を有していてもよい。
【0033】
上記工程(b)では、プラズマエッチングによって上記金属の炭化物または炭素粒子を除去することにより、効果的に電極の上面上の炭化物及び炭素粒子を除去することができる。
【0034】
上記プラズマエッチングは、酸素ガスまたはアルゴンガスを含む雰囲気中で行なうことにより、より効果的に電極の上面上の炭化物及び炭素粒子を除去することができる。具体的には、酸素ガスを用いる場合は、炭素分をCOあるいはCO2 に変化させることにより除去することができる。アルゴンガスを用いる場合は、物理的に電極上面部をエッチングすることで炭素分や炭素等により変質した層を除去することができる。
【0035】
また、上記工程(b)では、アルゴンイオンミリングによって上記金属の炭化物及び炭素粒子を除去することもできる。この方法によっても、アルゴンガスを用いたプラズマエッチングと同様、物理的に電極上面部をエッチングすることで炭素分を除去することができる。
【0036】
上記工程(b)は、酸素ガス雰囲気中でプラズマエッチングを行なう工程(b1)と、上記工程(b1)により上記電極の表面に生じた上記金属の酸化物を除去する工程(b2)とを含むことにより、工程(b1)では金属炭化物などが除去され、工程(b2)では工程(b1)により生じた酸化物が除去されるので、電極パッドや配線と良好に接着できる電極を製造することが可能となる。
【0037】
上記工程(b2)は、不活性ガス雰囲気中で行うプラズマエッチングであることにより、効果的に電極表面の酸化物を除去することができる。
【0038】
また、上記工程(b2)は、ウェットエッチングであってもよい。
【0039】
あるいは、上記工程(b2)は、不活性原子のイオンビームによるイオンミリングであってもよい。
【0040】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態として、電極部分の構造を改良したSiCショットキーダイオードについて説明する。
【0041】
図1は、本実施形態に係るSiCショットキーダイオードの構造を示す断面図である。なお、以下の説明で、基板の主面とは、ショットキー電極側の面を指し、裏面とは、主面と対向する面、つまりオーミック電極側の面を指すものとする。
【0042】
図1に示すように、本実施形態のSiCショットキーダイオードは、n型のSiC基板1と、SiC基板1の主面上にエピタキシャル成長された厚さ10μmのSiC層2と、SiC層2の上に設けられ、Niからなる厚さ200nmのショットキー電極7と、ショットキー電極7の上に設けられた上面電極パッド4と、上面電極パッド4の上に設けられた厚さ0.5−3μmのAuからなるAuメッキ層11と、SiC層2のうちショットキー電極7の両側方の領域に設けられ、例えばp型のSiCからなるガードリング13と、ガードリング13の上に設けられたSiO2 膜12と、SiC基板1の裏面上に設けられたNiからなる厚さ200nmのオーミック電極3と、オーミック電極3の上に設けられた裏面電極パッド14とを備えている。
【0043】
また、上面電極パッド4は、ショットキー電極側から順に、厚さ50nmのTi(チタン)からなる第1のTi層9と、厚さ100nmのAu(金)からなる第1のAu層10とから構成されている。そして、裏面電極パッド14は、オーミック電極3の上に設けられた厚さ100nmのTiからなる第2のTi層5と、厚さ400nmのAuからなる第2のAu層6とから構成されている。なお、SiC層2には低濃度のn型不純物が含まれている。
【0044】
本実施形態のショットキーダイオードの最大の特徴は、オーミック電極3と裏面電極パッド14との接触面からNi炭化物やNi酸化物が除かれていることである。このため、オーミック電極3と裏面電極パッド14とが強固に接着しており、このショットキーダイオードを載せたチップ(またはウェハ)をパッケージにマウントした後に、チップがパッケージから剥離するのを防止することができる。この結果、実装後の本ショットキーダイオードでは、動作時の電界集中が抑制され、放熱不良などの不具合も抑制されている。
【0045】
また、本実施形態のショットキーダイオードにおいて、オーミック電極3の上に設けられた裏面電極パッド14は、実装の際にパッケージとチップとを良好に接着させるためのものである。具体的な構成としては、NiとAuとを直接接続すると剥離しやすくなるので、ショットキー電極7と第1のAu層10との間に第1のTi層9が設けられている。同様に、オーミック電極3と第2のAu層6との間に第2のTi層5が設けられている。このような電極構造により、本実施形態のショットキーダイオードにおいては、チップのパッケージからの剥離がさらに起こりにくくなっている。
【0046】
このように、本実施形態のショットキーダイオードは、チップのパッケージからの剥離が抑制され、信頼性が高くなっているので、SiC本来の特性を生かした、高電圧下で大電流による駆動を行なうことができる。
【0047】
また、上面電極パッド4の上に設けられたAuメッキ層11は、例えばチップの上部にワイヤを設ける際に、強度を保つためのものであり、上面電極パッド4はチップとAuメッキ層11との間の接着を良好に行なうためのものである。
【0048】
次に、本実施形態のショットキーダイオードの製造方法について説明する。
【0049】
図2(a)〜(d),図3(a)〜(c),図4(a)〜(c)及び図5(a)〜(c)は、本実施形態のショットキーダイオードの製造工程を示す断面図である。
【0050】
まず、図2(a)に示す工程で、n型のSiC基板1を準備し、SiC基板1の上に気相成長法(CVD法)により厚さ10μmのSiC層2をエピタキシャル成長する。次に、電子ビーム(EB)蒸着によりSiC基板1の裏面にNiを蒸着した後、基板を1000℃で5分間熱処理する。この熱処理により、SiC基板1とNiとが反応し、オーミック特性を有するオーミック電極3がSiC基板1の上に形成される。また、この熱処理により、オーミック電極3の表面部には、Ni酸化物,炭素粒子及びNi炭化物などが生じる。
【0051】
次に、図2(b)に示す工程で、SiC層2の上にSiO2 を堆積した後、パターニングして第1のSiO2 膜21を形成する。
【0052】
続いて、図2(c)に示す工程で、第1のSiO2 膜21をマスクとしてSiC層2にホウ素(B)イオンを注入し、ガードリング13を形成する。このガードリング13は、ショットキーダイオードの電流集中を防ぐために設けられる。
【0053】
次に、図2(d)に示す工程で、第1のSiO2 膜21を除去した後、基板上にSiC層を保護するためのSiO2 保護膜23を形成する。
【0054】
次いで、図3(a)に示す工程で、フォトリソグラフィー処理及びバッファードフッ酸を用いたSiO2 保護膜23のエッチング処理を行って、SiC層2を露出させ、第2のSiO2 膜12を形成する。
【0055】
続いて、図3(b)に示す工程で、基板の主面側に厚さ約200nmのNiをEB蒸着する。その後、アセトン洗浄のリフトオフを行ない、SiC層2の露出面の上にショットキー電極7を形成する。次に、ショットキー電極7と基板との密着性を高めるために、300℃程度の熱処理を5分間行なう。
【0056】
次に、図3(c)に示す工程で、基板をバッファードフッ酸で洗浄し、露出しているショットキー電極7の下面に生じたNi酸化物を除去する。その後、EB蒸着により基板上に厚さ50nmのTi膜26を堆積し、次いでTi膜26の上に厚さ100nmのAu膜27を連続的に堆積する。
【0057】
次に、図4(a)に示す工程で、基板上にレジスト(図示せず)を塗布してフォトリソグラフィ処理を行い、ショットキー電極7に平面位置及びサイズを合わせたレジスト24を基板上に形成する。次いで、電着法により基板の主面側にAuメッキを施す。
【0058】
次に、図4(b)に示す工程で、レジスト24を除去することにより、厚さ1μmのAuメッキ層11を形成する。ここで、Auメッキ層11の厚さは0.5μm以上3μm以下とする。ただし、Auメッキ層11の厚さが3μmを越えても特に問題はない。
【0059】
次に、図4(c)に示す工程で、オーミック電極3上のNi酸化物をバッファードフッ酸で除去した後、O2 プラズマ25をSiC基板1の裏面側に照射する。O2プラズマ照射は、O2 流量を200mL/min、圧力を約1.3×102Pa(1Torr)とし、200Wで約20分間行なう。このとき、温度は特に設定しなくともよい。これにより、オーミック電極3形成時のシンター処理によりオーミック電極3の裏面上に生じたNi炭化物及び炭素を除去することができる。
【0060】
続いて、図5(a)に示す工程で、EB蒸着により、オーミック電極3の上に
厚さ100nmの第2のTi層5と、厚さ400nmの第2のAu層6とを順次形成する。なお、第2のTi層5と第2のAu層6とは、裏面電極パッド14を構成している。
【0061】
次に、図5(b)に示す工程で、第2のAu層6の上に、基板の裏面を保護するためのレジスト28を塗布する。
【0062】
続いて、図5(c)に示す工程で、王水を用いて、Au膜27をエッチングし、第1のAu層10を形成する。この時、Tiは王水によりエッチングされないので、Ti膜26はエッチストッパーとして機能するため、ショットキー電極7が腐食されることはない。また、Auメッキ層11も王水によりエッチングされるが、Au膜27に比べて膜厚が十分厚いため、Auメッキ層11の表層がエッチングされても問題にはならない。
【0063】
次に、基板を水洗後、バッファードフッ酸を用いてTi膜26をエッチングし、第1のTi層9を形成する。この際に、Tiのエッチングレートは速いため、バッファードフッ酸は、NH4F:HF:H2O=10:1:20の程度に薄めたものを用いるとよい。その後、SiC基板の裏面を保護していたレジスト28を除去する。なお、第1のAu層10と第1のTi層9とは上面電極パッド4を構成する。以上の方法により、本実施形態のショットキーダイオードが作製される。
【0064】
本実施形態のショットキーダイオードの製造方法において、図2(a)に示す工程でシンター処理をしているため、SiC基板1とNiとが反応し、Niシリサイド等が生成することにより、低抵抗なオーミック電極が形成される。しかも、シンター処理によってオーミック電極3の表面部に析出したNi炭化物や炭素をO2プラズマ処理により除去しているため、オーミック電極3と裏面電極パッド14との間の接着が良好となっている。なお、オーミック電極3の裏面上に析出したNi炭化物や炭素は、O2プラズマ照射によりCOやCO2となって除去される。
【0065】
このように、本実施形態の製造方法によれば、オーミック電極3と裏面電極パッド14との間の接着が良好となっているため、素子の載ったチップを実装する際にも電極とパッドとの間に剥離が生じることがない。そのため、本実施形態の製造方法によれば、SiCショットキーダイオードを製造する際の歩留まりを向上させることができる。
【0066】
また、本実施形態の方法によれば、O2プラズマ照射の前にバッファードフッ酸によってオーミック電極3上面に生じるNi酸化物を除去しているので、オーミック電極3と裏面電極パッド14との間の接着がさらに良好な素子を作製することが可能になっている。
【0067】
また、本実施形態のショットキーダイオードの製造方法において、Au膜27の下にエッチストッパーとして機能するTi膜26を設けているので、図5(c)に示す工程で、容易に上面電極パッド4を形成することができる。
【0068】
なお、本実施形態の製造方法においては、オーミック電極3上に析出した炭素または炭化物を除去するためにO2プラズマ照射を行ったが、これに代えて、Arプラズマ処理や、Arイオンミリングによる物理的なエッチングを用いてもよい。また、O2 プラズマ照射とArプラズマ処理,Arイオンミリングを併用すれば炭化物のみならず有機物や金属酸化物等も除去されるので、オーミック電極と電極パッドとの接着性をさらに向上させることができる。この場合には、析出した炭素及び炭化物を多く含むオーミック電極3の一部が除去されることになる。
【0069】
なお、O2 プラズマ照射によってオーミック電極3のごく表面には金属酸化物が形成される。この金属酸化物を残したままTi層5、Au層6を堆積した場合、金属酸化物は抵抗成分となるので該金属酸化物を除去することが好ましい。除去する方法としては例えばアルゴンやキセノンといった不活性ガスのプラズマ中に短時間さらしたり、あるいは同様な不活性な原子のイオンビームによってイオンミリングすればよい。あるいは極めて低濃度に希釈したフッ酸などで極めて短時間ウェットエッチングしてもよい。
【0070】
また、本実施形態の製造方法においては、オーミック電極側にのみプラズマ照射を行ったが、ショットキー電極側にもプラズマ照射してもよい。これにより、ショットキー電極と上面電極パッドとの接着をより確実にすることができる。
【0071】
なお、本実施形態においては、各金属層を形成する際にEB蒸着法を用いたが、スパッタ法によりこれらの層を形成してもよい。
【0072】
また、本実施形態のショットキーダイオードにおいて、ショットキー電極及びオーミック電極の材料として共にNiを用いたが、導電性の良好なAlNi合金などを代わりに用いることができる。
【0073】
また、本実施形態のショットキーダイオードにおいて、ショットキー電極及びオーミック電極の上にTi層を設けたが、これに代えてAl層,Mo層,Cr(クロム)層あるいはPd(パラジウム)層を設けてもよい。特に、Cr,Pd及びAlなどはTiと同様Auとの密着が良いので好ましく用いられる。
【0074】
なお、本実施形態のショットキーダイオードのオーミック電極側の構造は、縦型及び横型のMISFETのソース・ドレイン電極など、あらゆる素子のオーミック電極に応用することができる。また、O2 プラズマ照射によりオーミック電極裏面の炭化物を除去する方法も、オーミック電極を有するあらゆるSiC素子に適用することができる。
【0075】
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態として、第1の実施形態と比べてショットキー電極側の構成のみが異なるショットキーダイオードについて説明する。
【0076】
図6は、本実施形態に係るSiCショットキーダイオードの構造を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態のSiCショットキーダイオードは、n型のSiC基板31と、SiC基板31の主面上にエピタキシャル成長された厚さ10μmのSiC層32と、SiC層32の上に設けられ、Tiからなる厚さ200nmのショットキー電極37と、ショットキー電極37の上に設けられた上面電極パッド38と、SiC層32のうち、ショットキー電極37の両側方の領域に設けられ、例えばp型のSiCからなるガードリング42と、ガードリング42の上に設けられたSiO2 膜41と、SiC基板31の裏面上に設けられたNiからなる厚さ200nmのオーミック電極33と、オーミック電極33の上に設けられた裏面電極パッド34とを備えている。
【0077】
また、上面電極パッド38は、ショットキー電極側から順に、厚さ100nmのPt(白金)からなるPt層39と、厚さ300nmのAu(金)からなる第1のAu層40とから構成されている。そして、裏面電極パッド34は、オーミック電極33の上に設けられた厚さ100nmのTiからなるTi層35と、厚さ400nmのAuからなる第2のAu層36とから構成されている。なお、SiC層32には低濃度のn型不純物が含まれている。
【0078】
以上のように、本実施形態のショットキーダイオードは、ショットキー電極の材料がTiである点、ショットキー電極の上にAu層の代わりPt層が設けられている点が、第1の実施形態のショットキーダイオードと異なっている。
【0079】
一般に、TiとAuとが直接接触している場合に高熱がかかると、AuがTi中に拡散する傾向がある。これに対し、AuとPtとはそれぞれ互いに混合しにくい。
【0080】
本実施形態のショットキーダイオードにおいては、Tiからなるショットキー電極37と第1のAu層40との間にPt層39が挟まれているため、高電圧下での駆動により素子が高温になっても、上面電極パッド38中のAuがショットキー電極37やSiC層32に拡散することがない。そのため、本実施形態のショットキーダイオードでは、Auの拡散による特性の変化が抑制されている。
【0081】
また、本実施形態のショットキーダイオードは、第1の実施形態と同様、オーミック電極33と裏面電極パッド34との接触面からNi炭化物やNi酸化物が除かれていることである。このため、オーミック電極33と裏面電極パッド34とが強固に接着しており、このショットキーダイオードを載せたチップ(またはウェハ)をパッケージにマウントする際に、チップとパッケージとを良好に接着させることができる。
【0082】
次に、本実施形態のショットキーダイオードの製造方法を説明する。
【0083】
図7(a)〜(c)は、本実施形態のショットキーダイオードの製造工程を示す断面図である。
【0084】
まず、図7(a)に示す工程で、SiC基板31の裏面上にNiからなるオーミック電極33を形成する。ここで、オーミック接触をとるために基板をシンター処理するため、オーミック電極33の表面部にはNi炭化物や、Ni酸化物及び析出した炭素などが見られる。
【0085】
次いで、SiC基板31上に厚さ10μmのSiC層32をエピタキシャル成長により形成した後、ホウ素イオンを注入してSiC層32の一部にガードリング42を形成する。次いで、ガードリング42の上にSiO2 膜41を形成する。
【0086】
なお、ここまでの工程は、第1の実施形態と同様である。
【0087】
次に、図7(b)に示す工程で、SiO2 膜41の上にレジスト(図示せず)を形成後、基板の主面側に厚さ200nmのTiをEB蒸着する。続いて、基板の主面側に厚さ100nmのPt膜と、厚さ300nmのAu膜をEB蒸着する。その後、アセトン洗浄のリフトオフを行って、Tiからなるショットキー電極37と、Pt層39と、第1のAu層40とを同時に形成する。なお、Pt層39と第1のAu層40とは上面電極パッド38を構成する。
【0088】
次に、図7(c)に示す工程で、基板の上面上に設けたパッド形成用のレジストを除去した後、基板の上面上にエッチングに対する保護膜を形成する。続いて、バッファードフッ酸を用いてオーミック電極33の裏面上に生じたNi酸化物を除去する。次に、O2プラズマ照射を行ない、オーミック電極33の裏面上のNi炭化物及び炭素を除去する。ここで、O2プラズマ照射は、O2流量を200mL/min、圧力を約1.3×102Pa(1Torr)とし、200Wで約20分間行なう。温度は特に調節しなくてもよい。
【0089】
なお、O2 プラズマ照射によってオーミック電極33のごく表面には金属酸化物が形成される。この金属酸化物を残したままTi層5、Au層6を堆積した場合、金属酸化物は抵抗成分となるので除去することが好ましい。除去する方法としては例えばアルゴンやキセノンといった不活性ガスのプラズマ中に短時間さらしたり、あるいは同様な不活性な原子のイオンビームによってイオンミリングすればよい。あるいは極めて低濃度に希釈したフッ酸などで極めて短時間ウェットエッチングしてもよい。
【0090】
続いて、オーミック電極33にTi及びAuを順次EB蒸着し、厚さ100nmのTi層35と、厚さ400nmの第2のAu層36とを形成する。その後、基板の上面上の保護膜を除去する。なお、Ti層35と第2のAu層36とは裏面電極パッド34を構成している。
【0091】
以上の方法により、本実施形態のショットキーダイオードが作製される。
【0092】
なお、本実施形態のショットキーダイオードにおいて、上面電極パッド38の上にメッキ法などにより設けられた、厚さ0.5−3μm程度のAu層を設けてもよい。
【0093】
なお、本実施形態のショットキーダイオードにおいても、O2 プラズマ照射に代えてArプラズマ処理やArイオンミリングを行ってもよい。
【0094】
なお、本実施形態のショットキーダイオードにおいて、オーミック電極33側
のTi層35と第2のAu層36との間にPt層を挟んでもよい。
【0095】
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態として、SiCを用いたMOSFETについて説明する。
【0096】
図8は、本実施形態のMOSFETの構成を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態のMOSFETは、n型不純物を含むSiC基板51と、SiC基板51にp型不純物イオンを注入して設けられたP型領域52と、P型領域52の上に設けられたSiO2 からなるゲート絶縁膜56と、ゲート絶縁膜56の上に設けられたゲート電極55と、P型領域52のうち、ゲート電極55の両側方に位置する領域に設けられ、高濃度のn型不純物を含むソース領域53及びドレイン領域59と、ソース領域54及びドレイン領域59の上にそれぞれ設けられたソース電極54及びドレイン電極60と、基板上に設けられた絶縁体からなる層間絶縁膜57と、層間絶縁膜57上に設けられ、層間絶縁膜57を貫通してソース電極54,ドレイン電極60及びゲート電極55に至る配線58とを備えている。また、ソース電極54,ドレイン電極60及びゲート電極55は共にNiからなっている。そして、SiC基板51とソース電極54,SiC基板51とドレイン電極60の接触はいずれもオーミック接触となっている。
【0097】
本実施形態のMOSFETの特徴は、ソース電極54及びドレイン電極60の上面上に生じるNi酸化物、Ni炭化物及び炭素粒子が除去されていることにある。配線として一般に用いられるTi,Al,Cu,W(タングステン)などの金属は、Ni炭化物や炭素が析出した表面とは接着しにくくなる。そのため、本実施形態のMOSFETにおいては、配線とソース電極54及びドレイン電極60との間の接着が強固となり、剥離を生じるおそれがない。従って、素子を実装する際に、素子の上方にワイヤー等を設けても、断線や接続不良及び抵抗の増大を起こすことがほとんどなくなる。
【0098】
また、素子を集積化する際に、オーミック電極が多層化されることがある。そのような場合には、本実施形態のように、電極パッドを設けずに電極の上に直接配線を設ける構造が用いられる。本実施形態のMOSFETによれば、ソース電極54及びドレイン電極60と配線とが強固に接着されているので、素子が積層された場合にも、種々の応力による断線及び接続不良のリスクが低減される。
【0099】
次に、本実施形態のMOSFETの製造方法を簡単に説明する。
【0100】
図9(a)〜(c)は、本実施形態のMOSFETの製造工程を示す断面図である。
【0101】
まず、図9(a)に示す工程で、n型のSiC基板51にp型の不純物イオンを注入してSiC基板51内にP型領域52を設ける。次いで、マスクを用いたn型不純物のイオン注入により、P型領域52内にn型不純物を高濃度で含むソース領域53及びドレイン領域59を形成する。
【0102】
次に、図9(b)に示す工程で、EB蒸着などにより、ソース領域53及びドレイン領域59の上にNiからなるソース電極54及びドレイン電極60をそれぞれ形成する。その後、基板を600−1100℃でシンター処理し、ソース電極54及びドレイン電極60をオーミック電極にする。シンター処理の際に、SiC基板51中の炭素が拡散するため、ソース電極54及びドレイン電極60の表面部には、炭素粒子やNi炭化物、Ni酸化物などが析出する。
【0103】
次に、ソース電極54及びドレイン電極60を除く基板上に保護膜を形成した後、基板をバッファードフッ酸によりエッチングしてソース電極54及びドレイン電極60の上面上のNi酸化物を除去する。続いて、基板の上面側にO2 プラズマ照射を行ない、ソース電極54及びドレイン電極60の上面上の炭素粒子やNi炭化物等を除去する。
【0104】
なお、O2 プラズマ照射によってソース電極54およびドレイン電極60のごく表面には金属酸化物が形成される。この金属酸化物を残したままTi層5、Au層6を堆積した場合、金属酸化物は抵抗成分となるので除去することが好ましい。除去する方法としては例えばアルゴンやキセノンといった不活性ガスのプラズマ中に短時間さらしたり、あるいは同様な不活性な原子のイオンビームによってイオンミリングすればよい。あるいは極めて低濃度に希釈したフッ酸などで極めて短時間ウェットエッチングしてもよい。
【0105】
次いで、公知の方法により、SiC基板51のうち、ソース領域53とドレイン領域59との間の領域上に、SiO2 からなるゲート絶縁膜56及びゲート電極55を順次形成する。
【0106】
次に、図9(c)に示す工程で、基板上にSiO2を堆積して層間絶縁膜57を形成した後、層間絶縁膜57をエッチングしてソース電極54、ドレイン電極60及びゲート電極55に至るコンタクトホールを開口する。次に、該コンタクトホールをTi,Al,Cu,Wなどの金属で埋めて配線58を形成する。以上の方法により、本実施形態のMOSFETが作製される。
【0107】
本実施形態の製造方法によれば、図9(b)に示す工程でO2 プラズマ照射を行っているため、ソース電極54及びドレイン電極60の上面上の炭素粒子やNi炭化物等が除去されており、ソース電極54及びドレイン電極60と配線との間の接着が強固になっている。また、本実施形態においては、O2 プラズマ照射の前あるいは後に不活性ガスのプラズマエッチング、イオンミリングまたはウェットエッチングによりソース電極54及びドレイン電極60上のNi酸化物も除去されており、上記電極と配線との接着がさらに強固になっている。
【0108】
そのため、本素子の上方にワイヤー等を設けても、断線や接続不良及び抵抗の増大といった不具合がほとんど発生しない。すなわち、本実施形態の方法によれば、動作信頼性が高いMOSFETを製造することができ、同時に歩留まりも向上させることができる。
【0109】
なお、本実施形態ではMOSFETの例について説明したが、バイポーラトランジスタやMESFETなど、オーミック電極を備えたSiC素子であれば、シンター処理の後にO2 プラズマ照射を行なうことにより、素子の動作信頼性の向上、製造時の歩留まりの向上などの効果が得られる。
【0110】
なお、本実施形態のMOSFETでは、各電極の材料としてNiが用いられたが、これに限らず、AlNi合金など、低抵抗の金属を電極の材料として用いても同様の効果がある。
【0111】
【発明の効果】
本発明の半導体素子の方法によれば、オーミック電極の形成後にO2 プラズマ照射を行なうので、オーミック電極と電極パッド、あるいはオーミック電極と配線とが良好に接着された半導体素子を製造することができる。そのため、本発明の半導体素子によれば、オーミック電極部分での抵抗の増加や接続不良が抑えられ、高電圧下で大電流による駆動が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの構造を示す断面図である。
【図2】 (a)〜(d)は、本発明の第1の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの製造工程のうち、SiO2 保護膜を形成するまでの工程を示す断面図である。
【図3】 (a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの製造工程のうち、Au膜を形成するまでの工程を示す断面図である。
【図4】 (a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの製造工程のうち、O2 プラズマ照射を行なうまでの工程を示す断面図である。
【図5】 (a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの製造工程のうち、Auメッキ層を形成するまでの工程を示す断面図である。
【図6】 本発明の第2の実施形態に係るSiCショットキーダイオードの構造を示す断面図である。
【図7】 (a)〜(c)は、本発明の第2の実施形態に係るショットキーダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図8】 本発明の第3の実施形態に係るMOSFETの構造を示す断面図である。
【図9】 (a)〜(c)は、本発明の第3の実施形態に係るMOSFETの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1,31,51 SiC基板
2,32 SiC層
3,33 オーミック電極
4,38 上面電極パッド
5 第2のTi層
6 第2のAu層
7,37 ショットキー電極
9 第1のTi層
10 第1のAu層
11 Auメッキ層
12 第2のSiO2 膜
14,34 裏面電極パッド
21 第1のSiO2 膜
23 SiO2 保護膜
24 レジスト
26 Ti膜
27 Au膜
35 Ti層
36 第2のAu層
39 Pt層
40 Au層
41 SiO2 膜
42 ガードリング
52 p型領域
53 ソース領域
54 ソース電極
55 ゲート電極
56 ゲート絶縁膜
57 層間絶縁膜
58 配線
59 ドレイン領域
60 ドレイン電極
Claims (22)
- SiC層と、
上記SiC層の上に設けられたオーミック電極と
を備えた半導体素子であって、
上記オーミック電極の上面上に生じた、上記オーミック電極を構成する金属の炭化物または炭素粒子を除去する処理が施されてなる半導体素子。 - SiC層と、
上記SiC層の上に設けられたオーミック電極と、
上記オーミック電極の上に設けられ、第1の金属層を有する第1の電極パッドと、
を備え、
上記オーミック電極と上記第1の電極パッドとは、間に、上記オーミック電極を構成する金属の炭化物または炭素粒子が存在することなく接合されている半導体素子。 - 上記オーミック電極は、その上面上に生じた上記金属の酸化物を除去する処理をさらに施されている請求項1に記載の半導体素子。
- 上記オーミック電極と第1の電極パッドとは、間に上記金属の酸化物が存在することなく接合されている請求項2に記載の半導体素子。
- 上記オーミック電極は、主としてNiからなる請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 上記オーミック電極の上に、第1の金属層を有する第1の電極パッドをさらに備えている請求項1に記載の半導体素子。
- 上記第1の金属層は、Tiを含む請求項2または6に記載の半導体素子。
- 上記第1の電極パッドは、
上記第1の金属層の上に設けられ、かつ、Auを含む第2の金属層をさらに有する請求項7に記載の半導体素子。 - 上記オーミック電極の上にTi、Al、Cu及びWのうちの少なくとも1つからなる配線がさらに設けられている請求項8に記載の半導体素子。
- 上記SiC層は、上記SiC基板と、上記SiC基板上に設けられたSiCからなるエピタキシャル成長層とから構成されており、
上記エピタキシャル成長層の上に金属からなるショットキー電極をさらに備えている請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 上記ショットキー電極がNiからなり、
上記ショットキー電極の上に配置された第2の電極パッドを有し、
上記第2の電極パッドは、
Tiを含む第3の金属層と、
上記第3の金属層の上に設けられたAuからなる第4の金属層とをさらに備える請求項10に記載の半導体素子。 - 上記ショットキー電極がTiからなり、
上記ショットキー電極の上に配置された第2の電極パッドを有し、
上記第2の電極パッドは、
Ptを含む第3の金属層と、
上記第3の金属層の上に設けられたAuからなる第4の金属層とをさらに備える請求項10に記載の半導体素子。 - SiC層と、上記SiC層の上に設けられ、主として金属からなるオーミック電極とを備えた半導体素子の製造方法であって、
上記SiC層の上に上記電極を形成する工程(a)と、
上記オーミック電極の上面上に生じた上記金属の炭化物または炭素粒子を除去する工程(b)とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 上記工程(a)の後、上記工程(b)の前に、上記SiC層と上記電極とにシンター処理を行なうシンター処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記シンター処理工程によって上記電極の上面上に生じた上記金属の酸化物を除去する工程を有する請求項14に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記工程(b)では、プラズマエッチングによって上記金属の炭化物または炭素粒子を除去することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記プラズマエッチングは、酸素ガスまたはアルゴンガスを含む雰囲気中で行なうことを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記工程(b)では、アルゴンイオンミリングによって上記金属の炭化物または炭素粒子を除去することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記工程(b)は、
酸素ガス雰囲気中でプラズマエッチングを行なう工程(b1)と、
上記工程(b1)により上記電極の表面に生じた上記金属の酸化物を除去する工程(b2)と
を含むことを特徴とする請求項13〜18に記載の半導体素子の製造方法。 - 上記工程(b2)は、不活性ガス雰囲気中で行うプラズマエッチングであることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記工程(b2)は、ウェットエッチングであることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。
- 上記工程(b2)は、不活性原子のイオンビームによるイオンミリングであることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の製造方法。
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