TW548691B - Substrate supporting table, method for manufacturing the same and processing apparatus - Google Patents
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Description
548691 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明說明（ 【技術領域】 本發明係有關於載置液晶顯示裝置（LCD)用之玻璃基 板等基板載置檯及其製造方法，且使用基板載置檯而對基 板進行乾式蝕刻等處理的處理裝置。 【技術背景】 例如於LCD製造處理步驟中，對於氖為被處理基板之 玻璃製LCD基板，多使用乾式蝕刻、濺鍍、CVD(化學氣相 成長）等電漿處理。 於如此的電漿處理中，例如於處理容器内配置一對平 行平板電極（上部及下部電極），於作為下部電極之支持器 (susceptor或稱載置檯）載置被處理基板。而將處理氣體導入 處理容器内，同時對電極之至少一側施加高頻而在電極間 形成高頻電場。藉著此高頻電場而形成處理氣體之電漿並 對被處理基板料電漿處理。此時被處理基板構成面接觸 於支持器表面的狀態。 然而，支持器之表面實際上係形成緩曲面，因此基板 與支持、之間產生部分性的微小間隙。另一方面，藉著重 複電漿處理而在支持器上蓄積附著物。 曰 此時如第8圖所示，附著物47係蓄積成為填埋被處理基 板G與支持器50之間隙狀態。因此於被處理基板g裹面產生 支持器5 0直接接觸的部分及藉由附著物4 7而接觸的部分。 亚因此等直接接觸的部分及藉由附著物4 7而接觸的部分之 熱傳導性的不同，而會有於被處理基板〇產生蝕刻不均（可 說是在被處理基板6混合著關率高的部分與低的部 裝」---*---訂---------· (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)
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4 °又’藉著如此附著物47的存
被支持器5〇吸著的情形。 ”自有被處理基板C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理：置，係二：特開:Μ— 172237號公報所揭示之電漿 部。但θ此壯、持為“式料台)上面設置例如圓錐狀多數凸 以八屬疋 支持器與突起部係呈-體物件。若是要 有：困Γ幾械加工將如此構成的凸部作成均-，在技術上 有，、困難，且花成本及時間。 =，特開_力簡號公報所揭示之靜電夾盤及其 ::法，係於覆蓋靜電電極之燒成陶兗絕緣層表面形成 狀圖案。 又，特開平8- 70034號公報所揭示之用以降低靜電力 之附有圖案的支持器，乃藉著光照蝕刻而在支持器表面形 成凹凸圖f。藉此可降低固著力，而於電漿處理後能容易 從支持器分離晶圓。 又特開平1 〇 — 340896號公報所揭示之電漿cvd裝置 用支持器及其製造方法，係將鋁或鋁合金製之支持器表面 予以噴丸（shot blast)處理而形成凹凸部。而且以化學研磨、 電解研磨或拋光（buff)研磨而去除所形成之凸部的急劇突 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 起部。 但是，此等習知技術均為平坦的凸部上部，故會有以 電聚處理所發生的塵埃易形成堆積的缺點。 【發明概要】 本發明以提供一種基板載置檯及其製造方法以及處理 裝置為課題’係能防止在基板載置檯表面蓄積附著物所產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 548691 A7 五、發明說明（ 生1 虫刻不均等處理不均，及基板被吸著於基板載置檯上等 不良情形，而能克服上述習知技術之缺點的基板載置擾及 其製造方法，以及提供使用如此構成之基板載置檯支持器 之處理裝置者。
為了解決上述課題’本發明之第1觀點係提供-種基板 载置接之製造方法，係具有於基材表面形成介電性材料膜 的步驟；及於前述介電性材料膜上藉由具有多數開口之開 板而k射陶& μ形成由陶究所構成之多數凸部的步驟 /攸同樣的觀點’更可提供—種基板載置檯之製造方法 係具有於基材上形成第】介電性材料膜的步驟；於前述第 1介電性材料膜上形成第2介電性材料膜的步驟；及於前述 第2介電性材料膜上藉由具有多數開口之開口板而炼射陶 克，以形成由陶究所構成之多數凸部的步驟。 本發明之第2觀點係提供-種基板載置檯，係具有基材 ’形成於前述基材上的介電性材料膜；及於前述介電性材 料膜上藉由熔射所形成之陶究所構成之多數凸部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從同樣的觀點，更可提供一種基板載置檯，係具有基 材’形成於前述基材上的第】介電性材料膜；形成在前述第 1介電材料膜上的導電層；形成在前述導電層上的第2介電 性材料膜；及於前述第2介電性材料獏上藉由炫射所形成之 陶究所構成之多數凸部。 本發明之第3觀點係提供一種處理裝置，係具有收容基 __容器4置於前述處理容器而可載置前述基板之 本紙張尺錢財國國家標準（CNS)A4規格（2l〇 X 297公髮） 548691 A7 B7 五 、發明說明（ 基板載置檯；對前述處理容器内供給處理氣體之氣 ==處理容器予以排氣之排氣機構心二 及”：二2材；形成於前述基材上的介電性材料膜； 多料膜上藉由溶射所形成之陶究所構成之
美板:tn:觀點’更可提供一種處理裝置，係具有收容 基板的處理谷器；設置於前述處理容器而可載置前述基板 之基板載置檯；對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供 給機構：及將前述處理容器予以排氣之排氣機構；且前述 基板載置檯料基材；形成於前述基材上的^介電性材料 I形成在前述“介電材料膜上的導電層；形成在前述導 電層上的第2介電性材料膜；及於前述第2介電性材料膜上 藉由熔射所形成之陶瓷所構成之多數凸部。 it 以上的情形係於介電性材料膜上溶射陶究而形成凸部 ’因此於基板載置檯能容易形成由陶究所構成之多數凸部 且能使該凸部一樣地分布。而此等凸部發揮間隔構件 (啊⑽)的魏，即使附著物蓄積在基板載置檯上亦使附著 物不易接觸被處理基板。因此可防止藉由附著物附著於基 板載置檯接觸被處理基板裹面的部分而造成的蝕刻不均^ 或1是被處理基板被基板載置檯吸著等不良情形。又，能容 易地製造上述那般的基板載置檯。 此h形下，以使上述基材或導電層作為靜電電極的功 能而可獲得具有靜電夾盤的基板載置檯。 又，本發明之第4觀點係提供一種處理裝置，係具有收 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 548691 A7
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容基板的處理容器；設置於前述處理容器而可載置前述基 板之基板載置檯；對前述處理容器内供給處理氣體之氣體 供給機構；及將前述處理容器予以排氣之排氣機構；且前 述基板載置檯具有矩形基材；及形成在前述基材上之多數 凸部丄且前述多數凸部係配置成構成在前述基材上正交拇 格而前述正交柵格之一側轴與前述基材另一邊所形成之角 度係超過0而在45。以下。 從同樣的觀點，更可提供一種處理裝置’係具有收容 基板的處理容器；設置於前述處理容器而可載置前述基板 之基板載置檯；對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供 給機構；及將前述處理容器予以排氣之排氣機構；且前述基板載置檯具有矩形基材；及形成在前述基材上以不規則 配置之多數凸部。 依據此等處理裝置能使形成在基板之電路圖案不重疊 方、凸°卩配置圖案，而能避免蝕刻不均等處理不均。 在上述任何構成中，前述凸部最好是在其上部與被處 理基板點接觸。以如此的構成狀態能使附著物所造成的 響變小。又’前述凸部的上部最好是僅由曲面構成。如此 -來因在凸部形成不存在角部(尖處)的狀態，故無突起被削 去而造成微粒的情形。【圖式之簡單說明】 广圖表示包含本發明之-實施樣態之支持器(基板載 置檯）的處理裝置之例子的電㈣刻裝置的斷面圖。 第2圖係用以說明第！圖之支持器之凸部的至形成方法 影 此 裝·」—.—訂---------___ (請先閱讀背面之注音J事項再填寫本頁)
本紙張尺度刺+目目(210 X 297公釐） -I I I - 548691 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 的斷面圖。 第3圖表示表示附著物附著於本發明之支持 的斷面圖。 °。 狀心 第4圖表示設置靜電夾盤之其他實施樣態之支持 斷面圖。 °° 第5圖A表示之另外其他實施樣態之支持器的斷面圖。 第5圖B表示第5圖八所示之支持器的部分平面圖。 第6圖A表示其他實施樣態之支持器的斷面圖。 第6圖B表示第6圖A所示之支持器的部分平面圖。 第7圖表示第其他實施樣態之支持器的平面圖。 第8圖表示表示附著物附著於習知之支持器上之狀態 的斷面圖。 ^ 【發明之較佳實施樣態】 以下參照圖式來說明本發明之實施樣態。 第1圖表示設置本發明之作為基板載置檯之支持器的 處理裝置之實施樣態的電漿蝕刻裝置的斷面圖。如第1圖及 第3圖所不，具有支持器4、基材4a、設置在基材如上的介 電性材料膜6、及形成在介電性材料膜6上之多數凸部7。 凸部7乃一致地形成在介電性材料膜6上的基板G載置 領域，而構成基板G載置於此凸部7上。凸部7具有作為隔離 支持為4與基板G之間的間隔構件的功能。藉此能防止附著 於支持器4上的附著物對基板G造成不良影響。 各凸部7之高度最好為50〜ΙΟΟμη^。一旦考慮到附著於 支持器4上之附著物的量，則以將凸部7的高度設在5〇μηι以
Μ ί-------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五 、發明說明（7 ) 上的狀悲而能充分防止附著物對基板G造成不良影響。另一 方面’右疋而度超過100_的，貝丨^凸部7的強度會下降而合 造成降低基板刻率的問題，或是如將於後述之以； 而形成凸部7的情形下熔射時間變長等不良情形。又 饪度取好疋0.5〜lmm。各凸部7之間的間隔設成〇·5〜 為宜’最好是5〜1G_。凸部7之配置圖案無特別限 制可配置成例如交錯（staggerd)狀。 凸部7最好是至少將其上部形成半球狀等之曲面形狀 ’而使其與基板G成點接觸狀態。如此—來能使凸部7金基 板G之接觸部分極難附著附著物。另一方面，將凸部7的二 狀设成圓柱或角柱的情形下，上面為平面而會有附著物容 易附著於其上㈣缺點。 者物合 ^部7-般所知係以耐久性及耐腐姓性高之材料的陶 尤所構成。構成凸部7之陶变並不特別限^。之陶究並不特 二了 1」例如亦可為Sic之具有某種程度導電性 、材科凸邛7可藉由熔射而形成。 :電性材料膜6若是由介電性材料所構成的造，則不論 ^料，又不僅是高絕緣性材料，乃包含容許電荷移動之 2的導電性材料。如此的介電性材料則從耐久性及耐腐 ^硯點而論，以陶究構成者為宜。此情形下之陶究並 =別限定二與凸部7同樣地曲型上的例子可舉出A叫、 r2 3 Sl3N4等絕緣材料，然而，例 種程度導電性的材料。凸部 為Sl^、有某 j糟由丨谷射而形成。又，熔射 X 297公釐） 本紙張尺度_巾@ W?T^NS)A4 ^ (210 -10- 548691 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後亦可以研磨而將表面予以平滑化。 基材4a係用以支持介電性材料膜崎 碳等導電體所構成。 、3專金屬或 。其次說明以炫射將凸部7形成在介電性材料媒6的方法 凸部7亦可以機械加工及姓刻待其他方法來形成 ，此情形下會有技術上及成本上 ：、 態採用以下的方法。 哺0此本貫施樣 非接觸配置於介電性材料膜6上，即設置間隔而保持。因 此’可將間隔構件65載置於介電性材料膜6上而於其上载置 口板66。即，於開口板66與介電性材料膜6之間介在著間 ⑺構:6日5 ^隔構件65之材料最好是金屬或耐熱性樹脂。 =’右是附有接著層之耐熱性樹脂薄片的話，則因可接著 ::性材料膜6而最佳。間隔構件65具有比開口板⑼之上方 積（除外開口部）小的上方投影面積，相對於開口板Μ 之各開口乃具有對應比其外周緣更外側的形狀。開口板661 之基材例如可使用板厚Q3mm左右的金屬板，具體而言 可使用不銹鋼板。 藉由此開口板66而熔射上述陶瓷，於對應開口之介 /材料胰6上的部分形成凸部7。如此一來即能比較容易 成凸。卩7又，藉由具有如此多數開口之作為遮罩的開口 板6曰進仃射而能將凸部7之上部形狀作成曲面形狀。此乃 σ 7寻★於烙射之際開口的周邊部成為壁障而造成妨礙陶瓷
訂 it 係 電 地
本紙張尺度適(21Q x 29 . 548691 A7 五、發明說明（ 朝向半徑方向外側擴散的原因。 藉由如此的構成，能將以炫射而形成之 希望的形狀。㈣後除掉開w及間隔構件65。成所 又，以陶究之炼射來形成凸部7之際，雖然會有 ’'u此㈣τ可㈣成凸部7之後施予封理 。以熔射來形成介電性材料膜6之際亦同。 处
又，若是介電性材料膜6之材f與凸部7的材質相_ 活’由於兩者係牢固地結合因此較佳。但是^在處理 溫度範圍内兩者的結合充分的話，則兩者的材質亦可不同 。又’以相同材料來構成凸部7及介電性材料膜6的情 ’能以熔射來連續地形成此等構成。 / 又，如第3圖所心於基材4樓介電性材料膜％之間設 置中間層5。中間層5係膨脹係數表示基材4樓介電性材料又 膜6之中間值的材料所構成，具有緩和基材㈣介電性材料 版6之熱膨脹差的功能。χ，亦可以強化基材⑽介電性材 _6之接合而設置。又’中間層5並非必要的構件，支持 器4之尺寸小的情形、或是溫度變化量小的情形，或是基材 4 a與介電性材料膜6之接合為牢固的情形下，亦可省略;間 層5。又，中間層5不限於一層而能設二層以上。 曰 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 此中間層5係以鋁構成基材4a而以陶瓷構成介電性材 料膜6的情形下，例如能以鎳及紅合金來構成。又 中間層5的形成方法。 ， 口夂第1圖所示之處理裝置藉著重複蝕刻處理而在如第3 圖所不支持為4之介電性材料膜6的表面蓄積從基板G蝕刻 本紙張尺度適用中國國豕標準（cns)a4規格⑵G X撕公爱） -12 548691 五、發明說明（ A7 之物質等附著物47。但是於本實施樣態凸部7達到作為介電 性材料膜6與基板G之間的間隔構件的功能，而使蓄積在支 持器4上之附者物難以接觸基板〇。如此一來，以在支持器4 上藉由附著物47而產生與基板G接觸的部分，而能防止產生 蝕刻不均或基板G吸著於支持器4等不良情形。 其次參照第1圖來說明使用上述構成之支持器4之本發 明的處理裝置。此處理裝置丨係進行LCD玻璃基板之一定處 理之I置的斷面圖，以容量結合型平行平板電漿蝕刻裝置 為例來構成。然而本發明之處理裝置並不僅限於電漿蝕刻 裝置者。 此電漿姓刻裝置1例如具有表面經耐酸鋁處理（氧極氧 化處理）之鋁所構成而形成角筒形狀的處理容器2。此處理 容器2内的底部設置著絕緣材所構成之角柱狀絕緣板3。此 絕緣板3之上設置著用以載置被處理基板2LCD玻璃基板g 之前述支持器4。又，設置覆蓋支持器4之基材如之外周與 上面周緣部（未設置中間層5及介電性材料膜6的部分）的絕 緣構件8。 支持器4連接用以供給高頻電力之供電線23。此供電線 23連接整流器24及高頻電源25。從高頻電源24對支持器4 供給例如13·56ΜΗζ之高頻電力。 支持器4的上方，肖此支持器4平行地對向而設置作為 上部電極功能的噴頭11。噴頭n被支撐在處理容器2的上部 而在内部具有空間12之同時，於與支持器4呈對向面形成 用以土出處理氣體之多數吐出孔i 3。此喷頭η接地而與支 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 548691 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11) 持為一同地構成一對的平行平板電極。 噴頭11的上面設置氣體導入口14,此氣體導入口 14連 接處理氣體供給管15。此處理氣體供給管15藉由闕16及質 量流量控制器17而連接處理氣體供給管18。從此處理氣體 供給管18供給用以餘刻之處理氣體。處理氣體可使用齒素 氣體、氧氣、氬氣等，通常在此領域使用的氣體。 處理容器2之側壁底部連接排氣管19，此排氣管19連接 排氣裝置20。排氣裝置2〇具有涡輪分子果等真空果 此 可構成將處理容器2内真空抽取至一定的減壓環境。又，處 理容器2之側壁設置基板搬入出口 21與用以開閉此基板搬 入出口21之閘閥22。以將此閘閥22設為開的狀態而構成能 將處理容器2與鄰接於此之加載互鎖（1〇acM〇ck)室（圖式未 顯示）之間搬送基板G。 其次說明如此構成之電漿蝕刻裝置丨之處理動作。 首先，作為被處理體之基板G於開放閘閥22之後，藉由 基板搬入出口 21從圖式未顯示之加載互鎖室搬入處理容器 2内。被搬入的基板G載置於形成在支持器4上的凸部了上。 此情形下之基板G的交接係藉由插通支持器销部而設置成 可向上方大出之幵降銷（圖式未顯示）來進行。其後關閉問闕 22而藉著排氣裝置2G將處理容器2内真空抽取至一定的真 空度。 … 之後開放閥16而-邊從處理氣體供給源18將處理氣體 以質量流量控制器17而調整其流量，一邊透過處理氣體供 給们5、氣體導入口 14而導入噴頭u之内部空間12。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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段部101而能抑制熱傳導媒體朝向比支持器100更外側領域 擴散。此段部101上面的高度設定在凸部7的高度以上。 第6圖A及第6圖B所示之支持器100,，具有比上述段部 101之寬度更大的段部101’，同時沿著該段部1〇1，上面中央 而設置溝部102。此情形下，傳熱媒體流路99之吹出口在溝 部102底面開口。又，適當地形成用以連通段部1〇1，之内側 與溝部102内部之缺陷部103。以此構成亦能抑制熱傳導媒 體朝向支持器以外的領域擴散。 又，第5圖A〜第6圖B中的支持器亦如上述可設置靜電 央盤。 第7圖所示之支持器100”之平面形狀為矩形，配置成多 數凸部7構成正交柵格狀態。而設定正交栅格之一側的軸丫 與支持器101”之一邊所形成之角度θ超過〇。而45。以下。 於玻璃基板等之矩形基板，半導體電路圖案被曝光而 以I虫刻使該半導體電路圖案顯像。於此半導體電路圖案與 矩形基板之各邊平行地配置源線、閘線。一旦支持器之某 凸部配置與一定電路圖案重疊時，則在該部分會發生接觸 異常而有熱傳導或電場變動以致於會產生蝕刻不均之虞。 此支持杰100”之凸部的配置係用以抑制那般蚀刻不均的發 生者。又，從如此地抑制姓刻不均的觀點而論，即使並非 正父柵格而將凸部7不規則地配置者亦可。對於抑制如此的 钱刻不均的支持器可採用第5圖A〜第6圖b的構成。 具備有具有第5圖〜第7圖所示之傳熱媒體流路99的支 持器的處理裝置，其傳熱媒體流路99連接於連接於氮氣氣 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548691 A7 B7 五、發明說明（ 15 部 智 慧 員 工 消 費 合 1 體源等傳熱媒體以外的點乃與第i圖所示之處理裝置相同。 又，本發明並不僅限於以上所說明之實施樣態。例如 本發明之處理裝置例取例電漿钱刻裝置來說明，惟，並不 限：姓刻裝置，乃可應用於灰化、㈣成膜等其他電漿處 理，置。又’雖然取例說明對下部電極施加高頻電力之脱 形態之容量結合型裝置，然而，亦可為對上部電極供 =力的型態’且不限於容量結合型而可為誘導結合型的 衣。又’被處理基板不限於LCD破璃基板 體晶圓。 ）J马半V 【元件標號對照】 1 處理裝置 2 處理容器 3 角柱狀絕緣板 4 支持器 4a 基材 5 中間層 6 介電性材料膜 6’第2介電性材料膜 7 凸部 7’ 凸部 11 噴頭 12 空間 13 吐出孔 14 氣體導入口 15 處理氣體供給管 16 閥 質量流量控制器 8 處理氣體供給管
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 29?公髮 -18 548691 A7 _B7 五、發明說明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19 排氣管 20 排氣裝置 21 基板搬入出口 22 閘閥 23 供電線 24 整流器 25 南頻電源 31 第1介電性材料膜 32 導電層 47 附著物 50 支持器 65 間隔構件 66 開口板 99 傳熱媒體流路 100 支持器 101 段部 102 溝部 103 缺陷部 19 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝 _ ϋ ..
-ti ϋ ϋ 一一口τ I ·_>1 1 ϋ n ϋ— i_i I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- 548691 0^888 abcd 曰期：一種基板載置檯之製造方法，具有·· 申請專利範圍 第91助69號專利巾請案申請專利範圍修正本j 於基材表面形成介電性材料膜的步驟；及 ^前述介電性材料膜上藉由具❹數開口之心板而 熔射陶究’以形成由陶究所構成之多數凸部的步驟。 2. 如申請專利範圍第】項之基板载置檯之製造方法，盆中更 具有在前述基材與前述介電性材料膜之間形成 中間層的步驟。< 3. 如申請專利範圍第1項之基板載置檯之製造方法，兑中护 成剛述凸部的步驟係在將前述開口板於前述介電性膜 上配置間隔而保持的狀態下進行。 、 如申《月專利乾圍第3項之基板載置檯之製造方法， 形成前述凸部的步驟中，將前述開口板於前述介電性材料 膜上配置間隔而保持的狀態，係將對應前述開口板之:！ 的外周緣更外側的間隔構件介在前述開口板 ^ 材料膜之間而形成。 寬性 5. —種基板載置檯之製造方法，具有： 於基材上形成第1介電性材料膜的步驟； 驟；Γ述第1介電性材料獏上形成第2介電性材料膜的步 於前述第2介電性枯料膜上藉由具有多數開口 板而炼射陶究，以形成由陶竟所構成之多數凸j 6. 如申請專利範圍第5項之基板載置掩之製造方法，=更 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) π 寫太 本紙張尺度適用中國國家標準（^JS)A4規;fF (2i〇x 297^y 548691 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 具有在前述基材與前述介電性材料膜之間形成一層以上之 中間層的步驟。 7. 如申請專利範圍第5項之基板載置檯之製造方法，其中形 成前述凸部的步驟係在將前述開口板於前述第2介電性材 料膜上配置間隔而保持的狀態下進行。 8. 如申請專利範圍第7項之基板載置檯之製造方法，其中於 形成前述凸部的步驟中，將前述開口板於前述第2介電性 材料膜上配置間隔而保持的狀態，係將對應前述開口板之 開口的外周緣更夕卜側的間隔構件介在前述開口板與前述第 2介電性材料膜之間而形成。 9. 如申請專利範圍第5項之基板載置檯之製造方法，其中更 具有在形成前述凸部之步驟之前，在前述第2介電性材料 膜上形成一層以上之被覆層的步驟。 10. —種基板載置檯，具有： 基材； 形成於前述基材上的介電性材料膜；及 於前述介電性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所構成 之多數凸部。 11. 如申請專利範圍第10項之基板載置檯，其中前述基材係作 為靜電夾盤之靜電電極的功能。 12. 如申請專利範圍第10項之基板載置檯，其中前述凸部之高 度為50〜ΙΟΟμηι。 13. 如申請專利範圍第10項之基板載置檯，其中前述凸部之上 部僅由曲面所構成。 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂--------- ♦ - (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548691 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8t、申請專利範圍 14. 一種基板載置檯，具有： 基材； 形成於前述基材上的第1介電性材料膜； 形成在前述第1介電材料膜上的導電層； 形成在前述導電層上的第2介電性材料膜；及 於前述第2介電性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所 構成之多數凸部。 15. 如申請專利範圍第14項之基板載置檯，其中前述導電層係 作為靜電夾盤之.靜電電極的功能。 16. 如申請專利範圍第14項之基板載置檯，其中前述凸部之上 部僅由曲面所構成。 Π.如申請專利範圍第14項之基板載置檯，其中前述凸部之高 度為50〜ΙΟΟμηι。 18. —種基板處理裝置，具有·· 收容基板的處理容器； 設置於前述處理容器而可載置前述基板之基板載置檯； 對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供給機構；及 將前述處理容器予以排氣之排氣機構， 且前述基板載置檯具有： 基材； 形成於前述基材上的介電性材料膜；及 於前述介電性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所構成 之多數凸部。 19. 一種基板處理裝置，具有： (請先閱讀背面之注意事項寫本頁)一-°J* -22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 548691 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 收容基板的處理容器； 設置於前述處理容器而可載置前述基板之基板載置檯; 對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供給機構；及 將前述處理容器予以排氣之排氣機構， 且前述基板載置檯具有： 基材； 形成於前述基材上的第1介電性材料膜； 形成在前述第1介電材料膜上的導電層； 形成在前述.導電層上的第2介電性材料膜；及 於前述第2介電性材料膜上藉由熔射所形成之陶瓷所 構成之多數凸部。 20. —種基板處理裝置，具有： 收容基板的處理容器； 設置於前述處理容器而可載置前述基板之基板載置檯; 對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供給機構；及 將前述處理容器予以排氣之排氣機構， 且前述基板載置檯具有： 矩形的基材；及 形成在前述基材上之多數凸部， 且前述多數凸部係配置成構成在前述基材上正交柵格 而前述正交拇格之一側轴與前述基材另一邊所形成之角度 係超過0°而在45°以下。 21. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中前述凸部具 有與前述基板點接觸的形狀。 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項 -------訂---------線』 , - 寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548691 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 22. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面具有作為複數吹出口而開口的傳熱媒體流路。 23. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面設置包圍前述吹出口之外側而具有前述凸部高 度以上高度的段部。 24. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面設置沿著該外緣部而具有比前述凸段高度以上 的段部，於前述段部上面形成與比該段部更内側之領域連 通的溝部，並於前述溝部配置前述吹出口。 25. —種基板處理裝置，具有： 收容基板的處理容器； 設置於前述處理容器而可載置前述基板之基板載置檯； 對前述處理容器内供給處理氣體之氣體供給機構；及 將前述處理容器予以排氣之排氣機構， 且前述基板載置檯具有： 矩形的基材；及 形成在前述基材上以不規則配置之多數凸部。 26. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中前述凸部具 有與前述基板點接觸的形狀。 27. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面具有作為複數吹出口而開口的傳熱媒體流路。 28. 如申請專利範圍第27項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面設置包圍前述吹出口之外側而具有前述凸部高 度以上高度的段部。 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笈） (請先閱讀背面之注意事項 1m;寫本頁) ·11111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548691'申請專利範圍 士申。月專利祀圍第27項之基板處理裝置，其中前述基板載 置檯之表面設置沿著該外緣·具有比前述凸段高度 二’於前述段部上面形成與比該段部 : 通的溝部，並於前述溝部配置前述吹出口。 又項域連 (請先閱讀背面之注音？事項 .11 βϋτ 本 Ϊ .線·丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W x 29f^ —25 -
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032712 | 2001-02-08 | ||
| JP2001393918A JP3626933B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-12-26 | 基板載置台の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW548691B true TW548691B (en) | 2003-08-21 |
Family
ID=26609147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091102269A TW548691B (en) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | Substrate supporting table, method for manufacturing the same and processing apparatus |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20020134511A1 (zh) |
| JP (1) | JP3626933B2 (zh) |
| KR (1) | KR20020066198A (zh) |
| TW (1) | TW548691B (zh) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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