JP5876065B2

JP5876065B2 - 真空処理装置

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Publication number: JP5876065B2
Application number: JP2013538535A
Authority: JP
Inventors: 美紀大森; 治憲岩井; 勇一立野; 昌司久保
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2011-10-13
Filing date: 2012-10-09
Publication date: 2016-03-02
Anticipated expiration: 2032-10-09
Also published as: TW201341581A; TWI575103B; CN103930985B; US20140216332A1; CN103930985A; JPWO2013054776A1; WO2013054776A1

Description

本発明は、真空処理装置に関する。

図７は従来の真空処理装置１００の内部構成図である。
この真空処理装置１００は真空槽１１１を有している。真空槽１１１内には載置台１２１が配置され、載置台１２１に設けられた貫通孔１２４には昇降ピン１２７が挿入されている。

昇降装置１２８を動作させて、昇降ピン１２７を上昇させると、載置台１２１上の基板１３１は昇降ピン１２７の上端に載せられて、載置台１２１の載置面から離間される。昇降ピン１２７を下降させると、昇降ピン１２７上の基板１３１は下降して載置台１２１の載置面に接触し、載置面に載置される。符号１１７は載置台１２１上の基板１３１を加熱するヒーターである。

真空排気装置１１５により真空槽１１１内を真空排気しながら、ガス放出装置１１４から真空槽１１１内にガスを放出させると、放出されたガスの一部は基板１３１の裏面と載置台１２１の載置面との間の隙間を通って貫通孔１２４の内側に流入してしまう。

その結果、載置台１２１の載置面のうち貫通孔１２４の周囲ではガス流が乱れて、基板１３１の表面に形成される膜の膜厚が薄くなるという問題があった。
また、貫通孔１２４の内側に流入したガスが貫通孔１２４の内壁面に付着して、パーティクル源になるという問題があった。

特開２００１−１９９７９１号公報

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、昇降ピンが挿入された載置台の貫通孔にガスが流入することを防ぐことができる真空処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、真空槽と、上方に向けられ、前記真空槽内に配置された台載置面に基板が載置される載置台と、前記台載置面に設けられた窪みと、前記載置台に設けられ、前記窪みの内部表面に開口が露出する貫通孔と、前記貫通孔に挿入された昇降ピンと、前記昇降ピンを昇降移動させる昇降装置と、前記昇降ピンの上端に設けられ、前記昇降装置による前記昇降ピンの昇降移動によって、前記窪みの内部の位置と、前記窪みよりも上方の位置との間で昇降移動可能な蓋部材と、を有し、前記窪みの内部表面には、前記開口を環状に取り囲む環状のシール部材が設けられ、前記昇降ピンの下降移動によって、前記蓋部材は、前記蓋部材の裏面と前記窪みの内部表面とが前記シール部材と接触し、前記シール部材が押圧されて変形し、前記蓋部材は、前記蓋部材と前記シール部材が接触する部分と、前記窪みの内部表面と前記シール部材が接触する部分とが、前記開口をそれぞれ環状に取り囲んだ状態で、前記窪みの内部に配置される真空処理装置であって、弾性部材を有し、前記昇降ピンを下降させ、前記シール部材が押圧されるときに、前記弾性部材は圧縮変形され、前記弾性部材の前記圧縮変形を復元させる力によって、前記シール部材は押圧される真空処理装置である。
本発明は、前記蓋部材の裏面と前記窪みの内部表面とは、前記窪みと前記蓋部材とが前記シール部材に接触する位置よりも、上方で環状に接触するように構成された真空処理装置である。
本発明は、前記窪みの内部表面のうち、前記開口を環状に取り囲む部分である底面を有し、前記シール部材は前記底面に配置され、前記シール部材は前記蓋部材の裏面と接触する真空処理装置である。
本発明は、緩衝部材を有し、前記昇降ピンが上昇すると前記蓋部材は、前記緩衝部材を介して前記昇降ピンによって上方に移動される真空処理装置である。
本発明は、前記窪みの側面は上方に向けられた傾斜にされた真空処理装置である。
本発明は、前記蓋部材の材質は前記載置台の材質と同じである真空処理装置である。

シール部材に蓋部材が接触することによりシール部材の内側の空間と外側の空間とが分離されるので、シール部材の内側の貫通孔の内側には、シール部材の外側のガスが流入せず、貫通孔の内側は清浄に保たれ、パーティクルの発生が防止される。
ガスの流れが重要な成膜プロセス（例えばＡＬＤ）に用いる場合には、貫通孔の内側にガスが流入しないため、貫通孔の周囲のガス流の乱れを防ぐことができ、載置台上の基板に形成される膜の膜厚分布を改善できる。

本発明の真空処理装置の内部構成図図１の符号Ａで示した部分の拡大図弾性部材が圧縮され、蓋部材がシール部材に押しつけられた状態を説明するための図基板が蓋部材に載せられて、載置台の載置面から離間された状態を説明するための図弾性部材の配置の別例を説明するための図載置台のＢ−Ｂ線切断断面図従来の真空処理装置の内部構成図

＜真空処理装置の構造＞
本発明の真空処理装置の構造の一例を説明する。
図１は真空処理装置１０の内部構成図である。

真空処理装置１０は、真空槽１１と、載置台２１とを有している。
載置台２１は、基板を配置できる台載置面３５を有しており、ここでは台載置面３５は水平にされ、上方に向けられて真空槽１１の内部に位置するようにされている。台載置面３５には、凹部である窪み２２が一乃至複数個形成されている。
載置台２１の台載置面３５の位置には、窪み２２と同数の貫通孔２４が形成されており、各窪み２２の内部表面には、一個の貫通孔２４の上端の開口２３が位置するようにされている。ここでは、各貫通孔２４は鉛直に配置されている。
図１の状態では、各窪み２２の内部に蓋部材２６がそれぞれ配置されている。以下、各窪み２２や蓋部材２６等の部材は同じ部材なので、一個の窪み２２と蓋部材２６について説明する。
貫通孔２４内には、昇降ピン２７が配置されており、その下部は、昇降装置２８に取り付けられ、昇降移動ができるようにされている。昇降ピン２７を上昇させると、昇降ピン２７の上端は蓋部材２６の底面に当接され、蓋部材２６は持ち上げられて、窪み２２内から窪み２２よりも上部に移動されるようになっている。
図１の符号３１は基板を示しており、基板３１は台載置面３５の上に配置されている。蓋部材２６が持ち上げられるときは、蓋部材２６と一緒に基板３１も持ち上げられる。

ここでは載置台２１の材質はアルミニウムであり、昇降ピン２７の材質はステンレス鋼である。
昇降装置２８はここではモーターであり、昇降ピン２７の下端に接続され、昇降ピン２７に動力を伝達して、昇降ピン２７を上下移動できるように構成されている。

図６は載置台２１のＢ−Ｂ線切断断面図である。昇降ピン２７の外周側面と貫通孔２４の内周側面との間には隙間が設けられている。図１を参照し、昇降ピン２７が上下移動するときに、昇降ピン２７の外周側面と貫通孔２４の内周側面とが擦れることはなく、ダストが発生しないようになっている。

図２は図１の符号Ａで示した部分の拡大図である。
本実施形態では、載置台２１の窪み２２は平面状の底面３７を有しており、貫通孔２４の開口２３は窪み２２の底面の中央に露出されている。

蓋部材２６の外部表面のうち、上方に向けられた蓋部載置面３６と、蓋部載置面３６の反対側の面になる当接面３８とは、平面状に形成され、台載置面３５と平行になるようにされており、当接面３８のうち貫通孔２４と対面する部分に、筒形状の筒部４１が、当接面３８の下方に向けて突出して設けられている。
筒部４１の水平方向の大きさは、貫通孔２４の水平方向の大きさよりも小さくされており、蓋部材２６が窪み２２内に配置された状態では、筒部４１は、開口２３から貫通孔２４の内側に挿入される。

筒部４１は内部が中空であり、その底面には、昇降ピン２７よりも大径の小孔が形成されている。
昇降ピン２７は、軸部４５と、膨出部４７とを有している。昇降ピン２７は、軸部４５が小孔に挿通されており、軸部４５の上端は、筒部４１の内部中空部分に位置するようにされている。符号４２は、筒部４１の底面のうちの小孔の周囲の部分である縁部である。
筒部４１の中空部分には、円形に巻かれた螺旋状のバネから成る弾性部材４３が配置されている。ここでは、バネの径は小孔の径よりも大径であり、バネは、中心軸線を小孔の中心軸線と一致させて縁部４２上に乗せられている。
軸部４５は、このバネの中心軸線にそって小孔とバネとに挿通されており、従って、弾性部材４３は、軸部４５によって貫通されている。
膨出部４７は、バネの径よりも大径であり、軸部４５が弾性部材４３を貫通した状態で、軸部４５の上端に取り付けられている。
つまり、昇降ピン２７の上端には膨出部４７が配置されており、膨出部４７は筒部４１の内側に挿入されており、膨出部４７の下方に弾性部材４３が配置された状態で、筒部４１の下端は縁部４２により蓋されていることになる。弾性部材４３の上端は膨出部４７と接触し、下端は縁部４２と接触しており、すなわち昇降ピン２７と蓋部材２６とは弾性部材４３を介して接続されている。

ここでは蓋部材２６は緩衝部材４４を有している。
緩衝部材４４は、筒部４１の中空内部に配置され、蓋部材２６の裏面である当接面３８に固定されており、昇降ピン２７は、上端の膨出部４７が緩衝部材４４に接触するようにされている。

緩衝部材４４は耐摩耗性のある材質から成り、ここではポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂である。緩衝部材４４により、当接面３８や昇降ピン２７の上端が摩耗することが防止されている。
昇降ピン２７が緩衝部材４４に接触した状態から昇降ピン２７を下降させると、昇降ピン２７は、緩衝部材４４と離間する。
弾性部材４３は、膨出部４７と縁部４２とで挟まれており、その状態で昇降ピン２７が下降して、膨出部４７と縁部４２との間の距離が短くなると、弾性部材４３は圧縮されると共に、縁部４２を下向きに押圧する。
このとき、蓋部材２６の外部表面のうち、上方に向けられた蓋部載置面３６は、台載置面３５と互いに平行になるようにされている。

他方、その状態から昇降ピン２７を上昇させると、昇降ピン２７の上端は筒部４１の内側に露出する蓋部材２６の裏面に当接され、蓋部材２６は昇降ピン２７から上方に押圧されて上昇するようになっている。
図４は上昇し、蓋部材２６が台載置面３５よりも上方に持ち上げられた状態を示している。このように蓋部材２６が上方に移動したときも、蓋部材２６の蓋部載置面３６と台載置面３５とは平行になるようにされている。台載置面３５は水平にされており、台載置面３５の上に基板３１が配置された状態で、昇降ピン２７によって蓋部材２６を上昇させると、台載置面３５に配置された基板３１は蓋部材２６に載せられて、水平な姿勢で台載置面３５から離間される。
上昇した昇降ピン２７を下降させると、蓋部材２６は昇降ピン２７と一緒に下降され、蓋部材２６は窪み２２の内部に配置され、蓋部材２６上に載せられた基板３１は載置台２１の台載置面３５に接触して、台載置面３５上に載置されるようになっている。その状態は図１に示されている。

本発明の真空処理装置１０では、載置台２１の窪み２２の内部に開口２３を環状に取り囲む環状のシール部材２５が配置されており、昇降ピン２７の降下によって窪み２２内に配置された状態の蓋部材２６とシール部材２５とは接触する。接触部分は環状であり、開口２３を取り囲む。
このとき、窪み２２とシール部材２５との間の接触部分も環状であり、開口２３を環状に取り囲む。
このとき、蓋部材２６とシール部材２５との間の接触部分の位置と、窪み２２の内面とシール部材２５との間の接触部分の位置よりも上方位置で、蓋部材２６の表面と窪み２２とが接触する。
なお、この実施例では、シール部材２５は、載置台２１の窪み２２の底面３７のうち、蓋部材２６の裏面と対面する部分に、中心軸線を開口２３の中心軸線と一致させて、開口２３の周囲を取り囲んで配置されている。このシール部材２５の材質はここではフッ素ゴムであるが、他の圧縮変形可能な材料も用いることもできる。

昇降ピン２７を下降させると、蓋部材２６は下降して、蓋部材２６の裏面はシール部材２５に環状に接触する。次いで、昇降ピン２７をさらに下降させて、蓋部材２６を下降させると、図３に示すように、蓋部材２６の当接面３８を含む裏面はシール部材２５に押しつけられて、シール部材２５は押圧されて変形する。ここでは、当接面３８がシール部材２５に押し付けられる。
シール部材２５は、窪み２２の底面３７や側面３０を含む窪み２２の内面と、蓋部材２６の当接面３８を含む蓋部材２６の裏面に、それぞれ環状に密着して、シール部材２５のリングの内側の空間と外側の空間とが分離され、すなわち貫通孔２４の内部の空間は、真空槽１１の内部の台載置面３５上の空間から分離される。
本実施形態では、蓋部材２６と昇降ピン２７とは弾性部材４３を介して接続されており、蓋部材２６の裏面がシール部材２５を押圧していない状態から、昇降ピン２７が下降してシール部材２５を押圧すると、弾性部材４３も押圧して変形（ここでは圧縮）される。圧縮変形した弾性部材４３の内部には、押圧が解除されたときに元の状態に戻ろうとする復元力が生じている。従って、昇降ピン２７の下降が停止し、昇降ピン２７に押圧を終了させても、昇降ピン２７を停止させた状態で復元力が発生していると、シール部材２５は、弾性部材４３の復元力によって押圧される状態が維持される。

昇降ピン２７を過剰に下降させた場合は、弾性部材４３が変形することにより、蓋部材２６と載置台２１とが衝突して破損するおそれがなく、昇降装置２８の出力制御が容易になっている。

なお、上述の説明では、昇降ピン２７を下降させると、弾性部材４３は圧縮されるように構成されていたが、昇降ピン２７を下降させると、弾性部材４３は変形され、復元力により、蓋部材２６が下方に押圧されるならば、図５に示すように、蓋部材２６の裏面と昇降ピン２７の上端との間に弾性部材４３が配置され、昇降ピン２７を下降させると、弾性部材４３が伸張されて、蓋部材２６を下向きに牽引する復元力が生じるように構成してもよい。ただし、図５に示すような構造では、昇降ピン２７を上昇させたときに、弾性部材４３が圧縮され、蓋部材２６に振動が生じるおそれがあるため、図２に示すような構造の方が好ましい。

本実施形態では、台載置面３５に露出する窪み２２の開口である縁部分は窪み２２の底面３７より大きく、窪み２２の側面３０は上方に向けられるように傾斜されている。
蓋部材２６の蓋部載置面３６は、蓋部載置面３６の裏面となる当接面３８よりも大きく形成されており、蓋部材２６の側面２９は下方を向いて傾斜されている。
窪み２２の側面３０の形状は無底筒状形状であり、蓋部材２６の側面２９の形状も無底筒状形状であり、各無底筒状形状を合同にすれば、窪み２２内に蓋部材２６が配置されたときに、窪み２２の側面３０と蓋部材２６の側面２９とを密着させることができる。
但し、本実施例では、当接面３８と窪み２２の底面との間にはシール部材２５が位置しているから、押圧変形されたシール部材２５の厚みがゼロにならない場合は、合同にしたときの蓋部材２６の側面２９の無底筒状形状の下端部を、鉛直方向に、押圧変形されたシール部材２５の厚み以上削除し、当接面３８と、窪み２２の底面３７とが、非接触の状態で、当接面３８と底面３７とがシール部材２５に接触しながら、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とを接触させることができる。
また、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とを接触させて蓋部材２６を窪み２２内に配置したときに、当接面３８が、台載置面３５よりも上方に確実に突き出されないようにするために、合同にしたときの蓋部材２６の側面２９の無底筒状形状の上端部を、鉛直方向に少距離分だけ削除することもできる。
窪み２２の側面３０の無底筒状形状と合同のときの、蓋部材２６の側面２９の無底筒状形状の下端部が削除されると、蓋部材２６の裏面は窪み２２の底面より大きく、かつ窪み２２の上端部である縁部分より小さくなる。

なお、昇降ピン２７の軸部４５の太さと膨出部４７の太さは、貫通孔２４の太さよりも細く形成されており、貫通孔２４の内周側面と昇降ピン２７の外周側面との間には隙間が形成されている。従って、貫通孔２４の中心軸線と昇降ピン２７の中心軸線とが一致していない場合でも、貫通孔２４の内周面と非接触な状態で、軸部４５は貫通孔２４内を昇降移動し、蓋部材２６が下降する。
その場合は、蓋部載置面３６が台載置面３５よりも上方に位置する状態で、蓋部材２６の側面２９の一部が、窪み２２の側面３０に接触し、更に昇降ピン２７が降下すると、窪み２２の側面３０に沿って滑落して、蓋部材２６は開口２３を蓋する位置に自然に配置されるようになっている。

昇降ピン２７を下降させると、蓋部材２６の裏面はシール部材２５と環状に密着し、かつ窪み２２の底面とは離間した状態で、蓋部材２６の側面２９は窪み２２の側面３０に環状に接触するように構成されている。蓋部材２６の側面２９が窪み２２の側面３０に環状に接触すると、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０との間の隙間からガスが流入することが抑制される。

本実施形態では、載置台２１の台載置面３５とは逆の裏面にはヒーター１７が接触して配置され、ヒーター１７が発熱すると熱伝導により載置台２１が加熱され、載置台２１上の基板３１が加熱されるようになっている。

蓋部材２６の材質は載置台２１の材質と同じであり、ここではアルミニウムである。ヒーター１７により載置台２１が加熱されると、蓋部材２６と載置台２１とは一緒に昇温して温度分布に差が生じず、載置台２１上の基板３１は均一に加熱されるようになっている。

＜真空処理装置の使用方法＞
上述の真空処理装置１０を使用した真空処理方法を、ＡＬＤ工程によるアルミナ膜の形成方法を一例に説明する。

真空槽１１に真空排気装置１５を接続し、真空排気装置１５により真空槽１１内を真空排気して真空雰囲気を形成する。以後、真空排気装置１５による真空排気を継続して、真空槽１１内の真空雰囲気を維持する。

昇降ピン２７を上昇させて、蓋部材２６を上昇させ、蓋部材２６の表面を載置台２１の台載置面３５より上方に位置させておく。
真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽１１内に基板３１を搬入し、蓋部材２６上に載せる。
昇降ピン２７を下降させて、蓋部材２６と基板３１とを一緒に下降させ、基板３１を載置台２１の台載置面３５に接触させ、台載置面３５に載置させる。

このとき、蓋部材２６の裏面はシール部材２５に接触し、シール部材２５は変形して蓋部材２６の裏面に環状に密着し、貫通孔２４の内側の空間と外側の空間とが分離される。
また、蓋部材２６の裏面と窪み２２の底面とは離間した状態で、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とは環状に接触する。

ヒーター１７をここでは１２０℃に発熱させる。ヒーター１７からの熱伝導により載置台２１は加熱され、載置台２１からの熱伝導又は熱輻射により蓋部材２６は加熱され、載置台２１と蓋部材２６とからの熱伝導又は熱輻射により基板３１は加熱される。
蓋部材２６は載置台２１と同じ部材であり、蓋部材２６と載置台２１との間に温度差は生じず、載置台２１上の基板３１に加熱ムラは生じない。

真空槽１１にガス放出装置１４を接続し、真空槽１１内に原料ガス（ここではトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス）を放出させると、放出された原料ガスは加熱された基板３１表面に到達して吸着され、基板３１表面に原料ガスの原子層が形成される。基板３１表面に吸着されなかった原料ガスは真空排気装置１５により真空槽１１の外側に真空排気される。
原料ガスの原子層を形成したのち、原料ガスの供給を停止し、真空槽１１内に真空雰囲気を形成する。

次いで、ガス放出装置１４から原料ガスと反応する反応ガス（ここでは水蒸気）を放出させると、放出された反応ガスは加熱された基板３１表面に到達して、原料ガスの原子層と反応し、基板３１表面には反応生成物（ここではアルミナ）の薄膜が形成される。反応しなかった反応ガスと、反応により生じた副生成物ガス（ここではメタン）とは、真空排気装置１５により真空槽１１の外側に真空排気される。
反応生成物の薄膜を形成したのち、反応ガスの供給を停止し、真空槽１１内に真空雰囲気を形成する。

本発明の真空処理装置１０では、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とは環状に接触されており、基板３１の裏面と載置台２１の台載置面３５との間の隙間に回り込んだ原料ガス又は反応ガスが、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０との間の隙間に流入することが抑制され、すなわち載置台２１の台載置面３５のうち貫通孔２４の周囲でガスの流れに変化が生じることはない。従って、基板３１に形成される反応生成物の膜の膜厚分布が均一になる。

また、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とが環状に接触していても、ガスの一部は接触部分の隙間に入り込んでしまうが、本発明の真空処理装置１０では、シール部材２５により貫通孔２４の内側の空間と外側の空間とが分離されており、ガスが貫通孔２４の内側の空間に流れ込むことはない。従って、貫通孔２４の内周側面に反応生成物が析出してパーティクル源になることはない。

原料ガスの供給と反応ガスの供給とを順に繰り返して、基板３１表面に反応生成物の薄膜を積層させる。
所望の厚みの膜を形成した後、原料ガスと反応ガスの供給を停止した状態で、昇降ピン２７を上昇させて、蓋部材２６を上昇させ、基板３１を蓋部材２６に載せて、載置台２１の台載置面３５から離間させる。次いで、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、蓋部材２６上の基板３１を真空槽１１の外側に搬出する。

なお、上述の説明では真空処理方法としてＡＬＤ工程を一例に説明したが、本発明の真空処理装置１０はＡＬＤ工程に用いる場合に限定されず、ガスエッチング工程等の他の真空処理方法に用いることもできる。
上記例では、窪み２２は平坦な底面３７を有していたが、底面は湾曲していても良いし、底面を有しておらず、窪み２２の内部表面に開口２３を取り囲んで蓋部材２６と環状に接触できるシール部材を有していれば、窪み２２の内部表面は、側面３０と開口２３とによって構成されていてもよい。
また、上記例では、蓋部材２６と窪み２２とを縦方向に切断したときの蓋部材２６の側面２９の形状と、窪み２２の側面３０の形状とは、直線状であったが、蓋部材２６の側面２９と窪み２２の側面３０とが接触できれば、湾曲していたり、折線状になっていてもよい。
また、上記緩衝部材４４は、蓋部材２６に取り付けられていたが、膨出部４７上に固定し、緩衝部材４４が軸部４５の昇降移動と共に昇降移動するようにしてもよい。
上記実施例では、シール部材２５は窪み２２内に設けられていたが、蓋部材２６に設けて、蓋部材２６と一緒に昇降移動し、降下したときに、蓋部材２６と窪み２２の底面３７などの底面又は側面と接触し、蓋部材２６とシール部材２５との間の接触部分と、窪み２２とシール部材２５との間の接触部分とが、開口２３を環状に取り囲むようになればよい。

１０……真空処理装置
１１……真空槽
２１……載置台
２２……窪み
２３……開口
２４……貫通孔
２５……シール部材
２６……蓋部材
２７……昇降ピン
２８……昇降装置
３１……基板
３５……台載置面
４３……弾性部材

Claims

真空槽と、
上方に向けられ、前記真空槽内に配置された台載置面に基板が載置される載置台と、
前記台載置面に設けられた窪みと、
前記載置台に設けられ、前記窪みの内部表面に開口が露出する貫通孔と、
前記貫通孔に挿入された昇降ピンと、
前記昇降ピンを昇降移動させる昇降装置と、
前記昇降ピンの上端に設けられ、前記昇降装置による前記昇降ピンの昇降移動によって、前記窪みの内部の位置と、前記窪みよりも上方の位置との間で昇降移動可能な蓋部材と、
を有し、
前記窪みの内部表面には、前記開口を環状に取り囲む環状のシール部材が設けられ、
前記昇降ピンの下降移動によって、前記蓋部材は、前記蓋部材の裏面と前記窪みの内部表面とが前記シール部材と接触し、前記シール部材が押圧されて変形し、
前記蓋部材は、前記蓋部材と前記シール部材が接触する部分と、前記窪みの内部表面と前記シール部材が接触する部分とが、前記開口をそれぞれ環状に取り囲んだ状態で、前記窪みの内部に配置される真空処理装置であって、
弾性部材を有し、
前記昇降ピンを下降させ、前記シール部材が押圧されるときに、前記弾性部材は圧縮変形され、
前記弾性部材の前記圧縮変形を復元させる力によって、前記シール部材は押圧される真空処理装置。
前記蓋部材の裏面と前記窪みの内部表面とは、前記窪みと前記蓋部材とが前記シール部材に接触する位置よりも、上方で環状に接触するように構成された請求項１記載の真空処理装置。
前記窪みの内部表面のうち、前記開口を環状に取り囲む部分である底面を有し、前記シール部材は前記底面に配置され、前記シール部材は前記蓋部材の裏面と接触する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
緩衝部材を有し、
前記昇降ピンが上昇すると前記蓋部材は、前記緩衝部材を介して前記昇降ピンによって上方に移動される請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の真空処理装置。
前記窪みの側面は上方に向けられた傾斜にされた請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の真空処理装置。
前記蓋部材の材質は前記載置台の材質と同じである請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の真空処理装置。