CN102498558A - 双温度加热器 - Google Patents

双温度加热器 Download PDF

Info

Publication number
CN102498558A
CN102498558A CN2010800351351A CN201080035135A CN102498558A CN 102498558 A CN102498558 A CN 102498558A CN 2010800351351 A CN2010800351351 A CN 2010800351351A CN 201080035135 A CN201080035135 A CN 201080035135A CN 102498558 A CN102498558 A CN 102498558A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
finger
entad
end portion
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800351351A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102498558B (zh
Inventor
D·R·杜鲍斯
J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
S·巴录佳
G·巴拉苏布拉马尼恩
L·亚普
J·周
T·诺瓦克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN102498558A publication Critical patent/CN102498558A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102498558B publication Critical patent/CN102498558B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。

Description

双温度加热器
技术领域
本发明实施例大致是关于处理半导体基板的设备与方法。更明确地，本发明实施例是关于加热腔室中的基板的设备与方法。
背景技术
通常藉由两个相关且重要的因子(器件产量与拥有成本(CoO))来测量基板制造处理的效率。因为直接影响生产电子器件的成本并因此影响器件制造商于市场中的竞争力，这些因子是重要的。虽然CoO受到许多因子的影响，但CoO主要受到系统与腔室产量(或者每小时利用所欲处理序列处理的基板数目)的影响。
某些基板处理序列(诸如，化学气相沉积处理(CVD)或等离子体辅助化学气相沉积(PECVD))过程中，乐见在执行沉积处理之前预处理一基板。举例而言，某些预处理过程中，可在沉积处理之前利用退火处理加热基板至第一温度。沉积处理过程中，可加热基板至不同于第一温度的第二温度。对许多沉积处理而言，将基板置于包括加热器的基板支撑件上。此加热器被用来加热基板至第一温度与第二温度。第一温度与第二温度之间具有若干变动时(举例而言，第二温度高于第一温度时)，预处理与沉积处理之间具有耽搁时间以便可将加热器温度自第一温度加热至第二温度。此耽搁时间会使总的基板处理时间增大，相应地使器件产量减少。
因此，需要以具成本效益且准确的方式放置并加热处理腔室中的基板的设备与处理。
发明内容
本发明实施例大致是关于处理半导体基板的设备与方法。更明确地，本发明实施例是关于加热腔室中的基板的设备与方法。一实施例中，提供用于将基板放置于处理腔室中的设备。该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，该多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘，第一末端部分包括上端部分，该上端部分延伸高于基板支撑组件的支撑表面以可释放地接触基板的周围边缘；支撑耳部，该支撑耳部被置于上端部分上；及基板支撑凹槽，该基板支撑凹槽由支撑耳部与上端部分的交叉所形成，该基板支撑凹槽用以支撑基板。第一末端部分可移动于第一位置与第二位置之间。自第一位置移动至第二位置造成向心件释放基板的周围边缘，而自第二位置移动至第一位置造成向心件在朝向参照轴的方向中推动基板或配置向心件以支撑基板。
另一实施例中，提供让处理腔室中的基板朝向中心的方法。提供具有嵌入式加热器与适以接收基板的加热支撑表面的基板支撑件。提供多个沿着中心为实质垂直于支撑表面的参照轴的圆圈而放置的向心件。各个向心件包括配置成接触基板的周围边缘的末端部分，而末端部分可朝向与远离参照轴径向地移动。支撑耳部被置于末端部分上，且基板支撑凹槽形成于支撑耳部与末端部分的交叉处，以在与基板支撑件的支撑表面相隔一距离处支撑基板。基板被置于多个向心件各自的支撑耳部上。在基板的第一处理温度下，于基板上执行预处理。自支撑耳部移除基板。各个向心件的末端部分可向外与远离参照轴径向地移动。基板被置于基板支撑件上，其中基板与向心件并不接触。各个向心件的末端部分径向地向内移动以接触基板的周围边缘好让基板朝向中心。用向心件的末端部分放置该基板。在基板的第二处理温度下，于基板上执行沉积处理，其中第一处理温度不同于第二处理温度。
附图说明
为了更详细地了解本发明的上述特征，可参照实施例(某些描绘于附图中)来理解本发明简短概述于上的特定描述。然而，需注意附图仅描绘本发明的典型实施例而因此不被视为本发明的范围的限制因素，因为本发明可允许其他等效实施例。
图1是根据本文所述实施例的PECVD系统的一实施例的示意横剖面图；
图2A是图1的向心指状件被置于支撑位置的一实施例的部分放大横剖面图；
图2B是图1的向心指状件被置于向心位置的一实施例的部分放大横剖面图；
图2C是图1的向心指状件被置于分离位置的一实施例的部分放大横剖面图；
图3A是利用三个向心指状件来支撑基板的向心机构的一实施例的简化顶视图；
图3B是利用三个向心指状件来让基板朝向中心的向心机构的一实施例的简化顶视图；
图4是显示具有偏心式加重部分的向心指状件的一实施例的横剖面图；
图5A是描述向心指状件被置于支撑位置的一实施例的部分横剖面图；
图5B是描述向心指状件被置于向心位置的一实施例的部分横剖面图；
图5C是描述向心指状件被置于分离位置的一实施例的部分横剖面图；
图6是描述向心指状件的一实施例的部分横剖面图；及
图7是描述向心指状件的一实施例的部分横剖面图。
为了促进理解，尽可能应用相同的元件符号来标示图中相同的元件。预期一实施例揭露的元件与特征可有利地用于其他实施例而不需特别详述。
具体实施方式
本文所述实施例关于加热及让基板朝向中心的设备与方法，其可适用于多种配置成在基板上应用不同半导体处理的腔室系统。虽然示范性描述的实施例是用于沉积腔室，某些实施例可适用于其他需要加热及让基板朝向中心的处理腔室类型。实施例包括(但不限于)负载锁定腔室、测试腔室、沉积腔室、蚀刻腔室与热处理腔室。
图1是具有向心机构140的PECVD系统100的一实施例的示意横剖面图。系统100包括耦接至气源104的处理腔室102。处理腔室102具有部分地界定处理容积110的壁106与底部108。可透过壁106中形成的端口101进入处理容积110，端口101可使基板112更容易地移入和移出处理腔室102。可由单块的铝或其他与处理相容的材料来制造壁106与底部108。壁106支撑盖组件114。可藉由真空泵116排空处理腔室102。
可将温度受控的基板支撑组件120置于处理腔室102中心。支撑组件120可在处理过程中支撑基板112。一实施例中，支撑组件120包括支撑基座122(由铝制成)，支撑基座122可密封住至少一个嵌入式加热器103，嵌入式加热器103用以可控制地加热支撑组件120与置于支撑组件120上的基板112至预定温度。一实施例中，取决于即将沉积的材料的沉积处理参数，支撑组件120可操作以维持基板112在约摄氏150度(℃)至约摄氏1,000度(℃)之间的温度。一实施例中，在预处理(例如，退火处理)过程中，支撑组件可操作以维持基板112在约摄氏250度(℃)至约摄氏270度(℃)之间的温度。一实施例中，在沉积处理过程中，支撑组件可操作以维持基板112在约摄氏350度(℃)至约摄氏400度(℃)之间的温度。
支撑组件120可具有上支撑表面124与下表面126。上支撑表面124支撑基板112。下表面126可具有与其耦接的杆128。杆128将支撑组件120耦接至举升系统131，举升系统131在升高的处理位置与下降的位置之间垂直地移动支撑组件120，下降的位置可促进传送基板至处理腔室102与传送基板离开处理腔室102。杆128额外地提供用于净化气体的导管以及支撑组件120与系统100的其余部件之间的电与温度监控导线。波纹管130可耦接于杆128以及处理腔室102的底部108之间。波纹管130在处理容积110以及处理腔室102外的大气之间提供真空密封，同时促进支撑组件120的垂直移动。
为了促进基板112的传送，支撑基座122亦包括多个开口133，举升销132通过开口而可移动地架设。举升销132可用以在第一位置与第二位置之间移动。图1所示的第一位置可让基板112坐落于支撑基座122的上支撑表面124上。第二位置(未显示)举起基板112高于支撑基座122，以致可将基板112传送至通过端口101进来的基板操作机器人。藉由连接至致动器136的可移动板134驱动举升销132的向上/向下移动。
支撑基座122可电接地，以致功率源138供应至气体分配板组件141(位于盖组件114与支撑基座122的间)或者位于腔室的盖组件中或附近的其他电极的RF功率可激发支撑基座122与分配板组件141之间的处理容积110中存在的气体。来自功率源138的RF功率可经选择，以符合基板112的尺寸好驱动化学气相沉积处理。
支撑组件120更包括向心机构140，向心机构140可用以相对垂直于支撑基座122的基板支撑面的垂直参照轴Z让基板112朝向中心。向心机构140亦可在平行于支撑基座122的表面且相隔一距离处支撑基板112。向心机构140包括三或多个置于支撑基座122的周边的可移动向心指状件或构件142及置于指状件142下方的相对板144。各个指状件142透过轴146而枢轴旋转地架设于支撑基座122上。相对板144与支撑基座122可相对地移动，以致相对板144可接触并枢轴旋转处于分离位置中的指状件142，并与向心位置或支撑位置中的指状件142分隔。
一实施例中，相对板144是固定的，而支撑基座122与相对板144之间的相对移动是因为支撑基座122的垂直移动而造成的。当没有基板112被置于支撑基座122上时，指状件142啮合于支撑位置以支撑基板112(如图2A所示)。当基板112被置于支撑基座122上时，指状件142在支撑组件120位于升高的位置时啮合基板的周围边缘112以让基板112朝向中心(如图1与图2B所示)，指状件142在支撑组件120位于下降的位置时脱离基板的周围边缘112(如图2C所示)。向心机构140与其操作的进一步细节于后文中讨论。
处理腔室102可额外地包括外围的遮蔽框架150。遮蔽框架150经放置以避免基板112的边缘、支撑组件120与向心机构140等处发生沉积，以减少处理腔室102中的成片剥落与微粒污染。
盖组件114提供处理容积110的上边界。可移除或打开盖组件114以检修处理腔室102。一实施例中，盖组件114可由铝所制成。
盖组件114可包括入口端口160，气源104提供的处理气体可经由入口端口160导入处理腔室102。气体分配板组件141可耦接至盖组件114的内侧。气体分配板组件141包括环形底板162，该环形底板162具有位于中间的阻隔板164及面板(或喷头)166。阻隔板164提供均匀的气体分配到面板166的背侧。来自入口端口160的处理气体进入环形底板162与阻隔板164之间部分界定的第一中空容积168，并接着流过多个形成于阻隔板164中的通道170进入阻隔板164与面板166之间的第二容积172。处理气体接着由第二容积172通过多个形成于面板166中的通道174进入处理容积110。透过绝缘材料176隔离面板166。环形底板162、阻隔板164与面板166可由不锈钢、铝、电镀铝、镍、或任何其他RF导电材料所构成。
功率源138施加射频(RF)偏压电位至环形底板162以促进在面板166与支撑基座122之间产生等离子体。功率源138可包括能够在约13.56MHz下产生RF功率的高频率RF功率源(「HFRF功率源」)或在约300kHz下产生RF功率的低频率RF功率源(「LFRF功率源」)。LFRF功率源提供低频率生产与固定匹配元件。HFRF功率源经设计以与固定匹配一起使用，并调控输送至负载的功率，消除了关于向前与反射功率的问题。
如图1所示，控制器180可与基板处理系统的不同部件相接并控制这些不同部件。控制器180可包括中央处理单元(CPU)182、支援电路184与存储器186。
藉由输送装置(可能为机器人或其他传送机构)(未显示)将基板112传送至腔室102中的举升销132，并接着藉由向下移动举升销132而将基板112置于支撑组件120的上支撑表面124上。如下所述，接着操作向心机构140以相对于参照轴Z让基板112朝向中心。
一实施例中，一或多个温度传感器190经放置以监控基板112背侧的温度。一实施例中，一或多个温度传感器190(例如，光纤温度传感器)耦接至控制器180以提供指示基板112背侧的温度分布的度量。一实施例中，一或多个温度传感器190提供的数据可反馈地用来控制嵌入式加热器103的温度。一实施例中，一或多个温度传感器被置于支撑基座中。
一实施例中，可透过一或多个连接至净化气源194的净化气体入口192提供净化气体至基板112的背侧。流向基板112背侧的净化气体有助于避免基板112由向心机构140支撑时，基板112背侧上的沉积所造成的微粒污染。净化气体亦可作为温度控制的一形式以冷却基板112的背侧。一实施例中，可依照一或多个温度传感器190提供的数据来控制净化气体的流动。
图2A是图1的向心指状件142在支撑位置中的一实施例的部分放大横剖面图。如图2A所示，支撑位置中，基板112坐落于向心指状件142上。当坐落于向心指状件142上时，基板112与支撑组件144的表面相隔距离「A」而放置。基板112与支撑基座122的上支撑表面124之间的距离「A」经选择，以致基板112与加热器103之间的热阻抗可在升高的基板112上产生不同于基板坐落于支撑组件122的上支撑表面124上时的温度，而不需改变加热器103的设定温度。不需改变加热器103的设定温度而改变基板112的温度的能力可接连地执行处理步骤，而不需等待处理步骤之间的加热器提高温度或降低温度的耽误时间。因而，导致总的基板处理时间减少了，并相应地提高了器件产量。
可由单一件或由多个元件部分的组合来形成向心指状件142。用于指状件142的材料可包括氮化铝、氧化铝、陶瓷材料与相似材料或其的组合，该材料的热膨胀系数低且可耐受腔室102中的处理环境。指状件142透过轴146而枢轴旋转地架设于自支撑基座122的下表面126突出的连接块290上，且指状件142通过支撑基座122的周围区域中的狭缝292。指状件142的上端部分294延伸高于支撑基座122的支撑表面124，以可释放地接触支撑基座122的支撑表面124。支撑基板112的支撑耳部298被置于指状件142的上端部分294上。基板支撑凹槽299形成于支撑耳部298与上端部分294交叉处。指状件142的下端部分296被放置成偏离上述轴146。加重下端部分296以藉由重力作用使指状件142偏置至一个接触支撑基座122的支撑表面124的位置。如图所示，一实施例中，当指状件142不接触相对板144时(藉由移动支撑组件120向上而达成)，施加于下端部分296上的重力作用G因此造成指状件142围绕轴146而枢轴地转动，以致上端部分294径向向内移动以接触支撑基座122的支撑表面124。如图3A与图3B进一步所述，三或多个指状件242沿着基板212周边而均匀地分布，并协调移动以支撑基板112。
图2B是描述一向心指状件142于向心位置中的部分放大横剖面图。如图2B所示，一实施例中，当指状件142不接触相对板144时(藉由移动支撑组件120向上而达成)，施加于下端部分296上的重力作用G因此造成指状件142围绕轴146而枢轴地旋转，以致上端部分294径向向内移动以接触并在朝向参照轴Z的方向中施加位移力量F于基板的周围边缘112。值得注意的是，上端部分294的厚度可经设计而稍微高于基板112的顶表面。当上端部分294施加位移力量F时，可藉此避免基板的周围边缘112滑动于上端部分294上方。
为了释放基板112，图2C是描述向心指状件142在分离位置中的部分放大横剖面图。支撑基座122可向下移动以便推动指状件142的下端部分296接触且抵靠相对板144，相对板144抵销作用于下端部分296的重力作用。因此，造成指状件142在相反方向中枢轴地旋转以致上端部分294移开而不接触基板的周围边缘112。
如上方所述，向心机构140的结构因此藉由利用重力作用来偏置各个向心指状件142而能够自动地支撑基板112。支撑组件120上的向心指状件142位置可取决于朝向中心的基板的轮廓外形。
图3A是一实施例的简化顶视图，其中三个向心指状件142可用来在与支撑基座122相隔一距离处支撑圆形基板112。三个向心指状件142围绕以参照轴Z为中心的圆形而有规律地分散开。各个指状件的各个支撑耳部298及上端部分294的组合形成了用于支撑圆形基板112的边缘的穴部(pocket)。未显示的其他实施例中，可以不同配置来f放置更多的向心指状件以支撑其他不同轮廓形状的基板。
图3B是一实施例的简化顶视图，其中向心机构140利用三个向心指状件让基板112朝向中心。三个向心指状件142围绕以参照轴Z为中心的圆形而有规则地分散开，而各个指状件142能够施加径向位移力量F让圆形基板112朝向中心。未显示的其他实施例中，可以不同配置来放置更多的向心指状件以让其他不同轮廓形状的基板朝向中心。
为了有效地让基板112朝向中心，各个向心指状件142亦需要施加足够量的位移力量F以移动基板112，这与加重(weighted)下端部分296所包含的质量相关。一实施方式中，包含的质量可在约10克至约500克之间的范围中。可执行不同方式而于下端部分296中包括适当质量，例如藉由形成较大尺寸的厚重下端部分296。
图4描述了不同的实施例，其中较高质量密度的嵌入式固体材料402可用来形成向心指状件242的加重下端部分296。举例而言，在指状件142中嵌入固体材料402的方法可包括在固体材料402周围烧结用于制造指状件142的陶瓷材料。固体材料402可为钼或其他质量密度高于用于形成指状件142的周围材料的适当材料。加重下端部分296的尺寸受到限制的实施方式中，利用质量密度较高的嵌入式材料402可有效地提高加重下端部分296的重量而无须增加尺寸。
虽然上述实施例描述某些实施与操作向心机制的特定方式，但可想象有许多变化。举例而言，描述于下文的替代实施例中，可以其他构造来完成各个向心指状件。
图5A-5C是描述向心指状件542的另一实施例的部分横剖面图。向心指状件542透过轴546而枢轴旋转地架设至托架543，托架543自支撑基座122的外边界延伸出来。支撑基座122的支撑表面可小于基板112的表面积，以致置于支撑基座122上的基板112的周围部分没有支撑接触。如同上述实施例，指状件542包括当指状件置于向心位置时(如图5B所示)适以接触基板的周围边缘112的上端部分594及当指状件542置于支撑位置中时(如图5A所示)支撑基板的支撑耳部598。指状件542更包括加重下端部分596，当指状件542置于支撑位置中时，加重下端部分596偏离上述轴546以使指状件542偏置到一个抵靠着支撑基座122的表面的位置。当指状件542置于向心位置中时，加重下端部分596亦使指状件542偏置成抵靠着基板的周围边缘112。此外，指状件542包括末端分叉590，该末端分叉590相对于轴546置于下端部分596的对面，且置于相对板544下方。如图5A所示，为了支撑基板112，向心指状件542的下端部分596承受重力作用G，这使指状件542偏置并造成上端部分594接触支撑基座122的表面。如图5B所示，为了让基板112朝向中心，向心指状件542的下端部分596承受重力作用G，这使指状件542偏置并造成上端部分594施加位移力量F于基板的周围边缘112上。
如图5C所示，为了自基板的周围边缘112或支撑基座122的表面分离上端部分594，可向上移动支撑组件120以致末端分叉590接触相对板544。当支撑组件120相对于相对板544更向上移动时，可克服下端部分596上的重力作用而让指状件542围绕轴546而旋转以自基板的周围边缘112分离上端部分594。一实施例中，可在处理过程中朝向中心之后释放指状件542，因此可避免上端部分594上发生不欲的沉积，并减少因为指状件542存在的处理不均匀性。值得注意的是，可取代相对于相对板544而移动带有指状件542的支撑组件120，替代实施例可设计相对板544可相对于支撑组件120移动以接触末端分叉590并造成自基板112分离上端部分594。
图6是描述向心指状件642的另一变化实施例的部分横剖面图。如同先前实施例，向心指状件642透过轴646而枢轴旋转地架设于支撑基座122上。向心指状件642包括：上端部分694；支撑耳部698，适以支撑基板112；及加重下端部分696，偏离上述轴646以在重力作用下使指状件642偏置。然而，与先前实施例不同的是，下端部分696相对于轴646的偏心性被配置成使指状件642偏置到一个自基板112分离上端部分694的位置。为了将向心指状件642置于支撑位置中，耦接至伺服电动机或步进马达652与控制器654的相对板650受控地移动以与指状件642交互作用。更明确地，相对板650向上移动以推动下端部分696，并造成指状件642围绕轴646而枢轴旋转并离开偏置位置。控制器654自马达652接收操作信号653，并因此发出控制信号至马达652以控制马达652的输出。相对板650的受控向上移动范围因此造成上端部分694的受控位移，以移动并支撑基板112。
在向心指状件642处于向心位置的实施例中，支撑耳部698接触基板的周围边缘112，而加重下端部分696在重力作用下自轴646偏心地移动以使指状件642偏置。
一实施例中，控制器654利用操作信号653来监控各个向心指状件642让基板朝向中心所施加的力量。一实施例中，操作信号653可为马达652的扭矩。当操作信号653(例如，马达652的扭矩)达到关键值时，可适当地让基板朝向中心，而关键值代表施加至朝向中心的基板的力量达到预定量。控制器654接着停止马达652以避免过度的朝向中心作用，因此可避免伤害基板。
为了自基板112分离上端部分694，相对板650向下移动，这造成指状件642在施加于加重下端部分696的重力作用下回到偏置的位置。
图7是描述向心指状件742的又一实施例的部分横剖面图。向心指状件742被形成为弹性件(例如，狭长陶瓷弹簧)，该弹性件具有第一端752及第二端754，该第一端752被固定地架设于与支撑基座122分隔的框架748上，该第二端754通过支撑基座122中形成的开口756而延伸高于支撑基座122。第二端754包括支撑突出部758，以在向心指状件742处于支撑位置中时支撑基板112。一实施例中，为了相对于参照轴Z让基板112朝向中心，使指状件742偏置以在朝向参照轴Z的方向中推动基板的周围边缘112。为了让指状件742不与基板112接触，可控制地移动相对致动器760以与指状件742交互作用。致动器760可接触指状件742，并推动指状件742，因而让指状件742偏离其偏置位置以离开基板112。
处理：
本文亦提供让处理腔室中的基板朝向中心的方法。虽然参照图2A-2C而描述，但应理解这些方法可适用于任何牵涉于加热且让基板朝向中心的处理系统。
一实施例中，提供一具有嵌入式加热器103以及适以接收基板112的加热支撑表面124的基板支撑组件120。提供多个沿着以参照轴「Z」为中心的圆圈而放置的向心件142，参照轴「Z」实质垂直于支撑表面124。各个向心件142包括配置成接触基板112的周围边缘的末端部分294，且该末端部分294可朝向与远离参照轴「Z」而径向地移动。支撑耳部298被置于末端部分294上，且基板支撑凹槽299形成于支撑耳部298与末端部分294的交叉处，用以在与基板支撑组件120的支撑表面124相隔距离「A」处支撑基板112。一实施例中，加热支撑表面124与基板112之间的距离「A」经选择，以致不须改变加热器103的设定温度，加热支撑表面124与基板112之间的热阻抗可在基板112上产生不同的温度。
一实施例中，基板112被置于多个向心件142各自的支撑耳部298上。一实施例中，各个多个向心件142的各个支撑耳部298以及上端部分294的组合形成了用于支撑圆形基板112的边缘的穴部，而基板112被置于穴部中。
一实施例中，在基板112的第一处理温度下，于基板112上执行预处理。一实施例中，预处理为退火处理。一实施例中，在约250℃与约270℃之间的基板温度下执行退火处理。
一实施例中，在预处理之后，自支撑耳部298移除基板112。移动各个向心件142的末端部分294径向向外与远离参照轴「Z」。基板112被置于基板支撑组件120上，其中基板112与向心件142并不接触。移动各个向心件142的末端部分294径向向内以接触基板的周围边缘112，好让基板112朝向中心。利用向心件142的末端部分294让基板112朝向中心。
一实施例中，让基板112朝向中心之后，在基板的第二处理温度下，于基板112上执行沉积处理，其中第一处理温度不同于第二处理温度。一实施例中，第二处理温度在约350℃与约400℃之间。
一实施例中，对于预处理与沉积处理这两者，加热器103的设定温度是相同的。一实施例中，加热器103的设定温度与沉积处理的温度是相同的。一实施例中，加热器103的设定温度在约350℃与约400℃之间。
虽然上述针对本发明的实施例，但可在不悖离本发明的基本范围下设计出本发明的其他与更多实施例，而本发明的范围由权利要求书所界定。

Claims (15)

1.一种用于将基板放置在处理腔室中的设备，包括：
基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收该基板的支撑表面；及
多个向心指状件，该多个向心指状件用以在平行于该支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并用以相对一实质垂直于该支撑表面的参照轴让该基板朝向中心，其中多个向心指状件沿着该支撑表面的周边而被可移动地放置，且多个向心指状件中的每一个包括：
第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘，该第一末端部分包括：
上端部分，该上端部分延伸高于该基板支撑组件的支撑表面以可释放地接触该基板的周围边缘；
支撑耳部，该支撑耳部被置于该上端部分上；及
基板支撑凹槽，由该支撑耳部与该上端部分的交叉形成该基板支撑凹槽，该基板支撑凹槽用以支撑该基板，其中该第一末端部分可在第一位置与第二位置之间移动，自该第一位置移动至该第二位置造成该向心指状件释放该基板的周围边缘，而自该第二位置移动至该第一位置造成该向心指状件在一朝向该参照轴的方向中推动该基板或者放置该向心指状件以支撑该基板。
2.如权利要求1所述的设备，其中该基板支撑组件密封住至少一个嵌入式加热器，该至少一个嵌入式加热器用以可控制地将该基板支撑组件以及置于该基板支撑组件上的基板加热至一预定温度。
3.如权利要求1所述的设备，更包括外围的遮蔽框架，该外围的遮蔽框架被放置成避免在该基板的周围边缘、该支撑组件与多个向心指状件上发生沉积，以降低该处理腔室中的成片剥落与微粒污染。
4.如权利要求2所述的设备，更包括：
光纤温度传感器，该光纤温度传感器用以提供用于指示该基板的背侧的温度分布的度量，其中，该光纤温度传感器被置于该基板支撑组件中。
5.如权利要求2所述的设备，更包括：
一或多个净化气体入口，该一或多个净化气体入口与净化气源耦接以供应净化气体至该基板的背侧，以避免该基板被该向心指状件支撑时在该基板的背侧上的沉积所造成的微粒污染，其中，该一或多个净化气体入口被置于该基板支撑组件中。
6.如权利要求1所述的设备，更包括一相对件，该相对件用以与该多个向心指状件中的每一个交互作用以移动该第一末端部分。
7.如权利要求6所述的设备，其中该相对件被配置成使该多个向心指状件中的每一个的第一末端部分朝向该第二位置移动，而该多个向心指状件中的每一个独立地偏向该第一位置，而来自该多个向心指状件的偏置力量的组合相对于该参照轴让该基板朝向中心。
8.如权利要求7所述的设备，其中这些向心指状件中的每一个更包括：
加重部分，该加重部分偏离用于将向心指状件枢轴旋转地架设到基板支撑组件的轴，其中该第一末端部分与该加重部分被置于该轴的相对侧，且该加重部分被配置成使该向心指状件偏置到该第一位置。
9.如权利要求8所述的设备，更包括一控制器，该控制器配置成监控与该相对件的可移动件耦接的马达的操作信号，其中该相对件被配置成移动该多个向心指状件中的每一个的第一末端部分朝向该第一位置，而该控制器被配置成藉由监控该马达的操作信号来确定朝向中心作用的结束时间点。
10.如权利要求1所述的设备，其中这些向心指状件中的每一个是由包括下列的材料所构成：陶瓷材料、氮化铝、氧化铝、铝、与上述材料的组合。
11.一种让处理腔室中的基板朝向中心的方法，包括：
提供基板支撑件，该基板支撑件具有嵌入式加热器以及适以接收基板的加热支撑表面；
提供多个向心指状件，该多个向心指状件沿着以实质垂直于该支撑表面的参照轴为中心的圆形而放置，每个向心指状件包括：
末端部分，该末端部分配置成接触该基板的周围边缘，且该末端部分可朝向与远离该参照轴而径向地移动；
支撑耳部，该支撑耳部被置于该末端部分上；及
基板支撑凹槽，该基板支撑凹槽形成于该支撑耳部与该末端部分的交叉处，该基板支撑凹槽用以在与该基板支撑组件的支撑表面相隔一距离处支撑该基板；
将该基板置于该多个向心指状件中的每一个的支撑耳部上；
在该基板的第一处理温度下，于该基板上执行一预处理；
自该支撑耳部移除该基板；
移动每个向心指状件的末端部分径向向外并远离该参照轴；
将该基板置于该基板支撑件上，其中该基板与这些向心指状件并不接触；
移动每个向心指状件的末端部分径向向内，以接触该基板的周围边缘好让该基板朝向中心；
用这些向心指状件的末端部分来放置该基板；及
在该基板的第二处理温度下，于该基板上执行一沉积处理，其中该第一处理温度不同于该第二处理温度。
12.如权利要求11所述的方法，其中该加热支撑表面与该基板之间的距离经选择，以致该加热支撑表面与该基板之间的热阻抗在该基板上产生一不同的温度而不需改变该加热器的设定温度。
13.如权利要求11所述的方法，其中移动每个向心指状件的末端部分的步骤包括围绕一架设于该基板支撑组件上的轴而枢轴地旋转每个向心指状件。
14.如权利要求11所述的方法，其中移动每个向心指状件的末端部分径向向内的步骤包括释放一偏心地耦接至该向心指状件的加重部分，而移动每个向心指状件的末端部分径向向外的步骤包括用一相对件举起该加重部分。
15.如权利要求11所述的方法，其中移动每个向心指状件的末端部分径向向内的步骤包括：
利用一相对件让该向心指状件自该轴枢轴地旋转，而移动每个向心指状件的末端部分径向向外的步骤包括自该相对件释放该向心指状件；
监控一驱动该相对件的马达的操作信号，其中该操作信号对应于自该向心指状件施加至该基板的向心力量；及
当该向心力量达到一关键值时，停止该相对件。
CN201080035135.1A 2009-08-07 2010-07-26 将基板放置在处理腔室中的设备和让处理腔室中的基板朝向中心的方法 Active CN102498558B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US23217209P 2009-08-07 2009-08-07
US61/232,172 2009-08-07
PCT/US2010/043274 WO2011017060A2 (en) 2009-08-07 2010-07-26 Dual temperature heater

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102498558A true CN102498558A (zh) 2012-06-13
CN102498558B CN102498558B (zh) 2016-03-30

Family

ID=43535135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080035135.1A Active CN102498558B (zh) 2009-08-07 2010-07-26 将基板放置在处理腔室中的设备和让处理腔室中的基板朝向中心的方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20110034034A1 (zh)
JP (1) JP5902085B2 (zh)
KR (1) KR101681897B1 (zh)
CN (1) CN102498558B (zh)
TW (1) TWI520259B (zh)
WO (1) WO2011017060A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113366145A (zh) * 2019-01-31 2021-09-07 朗姆研究公司 具有可调式气体出口的喷头
WO2022082207A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
WO2024045252A1 (zh) * 2022-09-02 2024-03-07 台湾积体电路制造股份有限公司 承载装置和晶圆冷却系统

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110136347A1 (en) * 2009-10-21 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Point-of-use silylamine generation
US9948214B2 (en) * 2012-04-26 2018-04-17 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
WO2014158370A2 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Temperature measurement in multi-zone heater
US20150211114A1 (en) * 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
US9719629B2 (en) * 2014-04-08 2017-08-01 Plansee Se Supporting system for a heating element and heating system
CN105225995B (zh) * 2014-06-30 2018-03-09 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片传输装置和工艺腔室
JP6456712B2 (ja) * 2015-02-16 2019-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板保持機構及びこれを用いた基板処理装置
US10631370B2 (en) * 2015-10-30 2020-04-21 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus, method for producing the same, and heater including shaft
KR20170138052A (ko) * 2016-06-06 2017-12-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 최적의 박막 증착 또는 에칭 프로세스들을 위한 특성들을 갖는 정전 척
JP6713863B2 (ja) * 2016-07-13 2020-06-24 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置
US10559488B2 (en) * 2016-08-10 2020-02-11 Veeco Precision Surface Processing Llc Two-level tape frame rinse assembly
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
WO2019181500A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 日本碍子株式会社 マルチゾーンヒータ
JP7058209B2 (ja) * 2018-11-21 2022-04-21 株式会社荏原製作所 基板ホルダに基板を保持させる方法
KR102195920B1 (ko) 2018-11-30 2020-12-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2021024638A1 (ja) * 2019-08-08 2021-02-11 京セラ株式会社 クランプ用治具および洗浄装置
US11981998B2 (en) * 2019-11-04 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for substrate support temperature control
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
WO2024112616A1 (en) * 2022-11-22 2024-05-30 Lam Research Corporation Post-placement wafer-centering systems for semiconductor processing tools

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5954072A (en) * 1997-01-24 1999-09-21 Tokyo Electron Limited Rotary processing apparatus
JPH11297802A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置
JP2003100851A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置および真空処理方法
US20040194706A1 (en) * 2002-12-20 2004-10-07 Shulin Wang Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
JP2008177507A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Ulvac Japan Ltd 基板アライメント装置
WO2009009606A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
JPH07102372A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Nissin Electric Co Ltd 被処理物の真空処理方法及び装置
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
JPH1140656A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP3661138B2 (ja) * 1998-04-04 2005-06-15 東京エレクトロン株式会社 アライメント高速処理機構
US6146463A (en) * 1998-06-12 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning a substrate on a support member
US6167893B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-02 Novellus Systems, Inc. Dynamic chuck for semiconductor wafer or other substrate
TW452917B (en) 1999-10-29 2001-09-01 Winbond Electronics Corp Holder
US6478924B1 (en) * 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
JP2001274226A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Sony Corp ウェーハ支持装置
US6986636B2 (en) * 2000-06-09 2006-01-17 Brooks Automation, Inc. Device for positioning disk-shaped objects
JP3897344B2 (ja) * 2002-08-23 2007-03-22 株式会社オングストロームテクノロジーズ チャッキング状態検出方法及びプラズマ処理装置
US7350315B2 (en) 2003-12-22 2008-04-01 Lam Research Corporation Edge wheel dry manifold
US20050160992A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Applied Materials, Inc. Substrate gripping apparatus
US20060157998A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Elik Gershenzon Contamination-free edge gripping mechanism and method for loading/unloading and transferring flat objects
JP2006310709A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Hitachi Plant Technologies Ltd 半導体ウェハ保持装置及び方法
JP2007102372A (ja) 2005-09-30 2007-04-19 Toshiba Corp 紙葉類処理装置
JP4873129B2 (ja) * 2006-02-16 2012-02-08 株式会社安川電機 基板把持装置
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
JP2008047588A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8951351B2 (en) 2006-09-15 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced backside deposition and defects
JP4819010B2 (ja) * 2007-09-04 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理方法および記憶媒体
US7649729B2 (en) * 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US8382180B2 (en) * 2007-10-31 2013-02-26 Applied Material, Inc. Advanced FI blade for high temperature extraction
JP5486238B2 (ja) 2009-08-17 2014-05-07 日本電信電話株式会社 微細構造体形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5954072A (en) * 1997-01-24 1999-09-21 Tokyo Electron Limited Rotary processing apparatus
JPH11297802A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置
JP2003100851A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置および真空処理方法
US20040194706A1 (en) * 2002-12-20 2004-10-07 Shulin Wang Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
JP2008177507A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Ulvac Japan Ltd 基板アライメント装置
WO2009009606A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113366145A (zh) * 2019-01-31 2021-09-07 朗姆研究公司 具有可调式气体出口的喷头
WO2022082207A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
US11495483B2 (en) 2020-10-15 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
WO2024045252A1 (zh) * 2022-09-02 2024-03-07 台湾积体电路制造股份有限公司 承载装置和晶圆冷却系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP5902085B2 (ja) 2016-04-13
US20110034034A1 (en) 2011-02-10
KR20120048672A (ko) 2012-05-15
CN102498558B (zh) 2016-03-30
WO2011017060A2 (en) 2011-02-10
TWI520259B (zh) 2016-02-01
JP2013502052A (ja) 2013-01-17
US20160093521A1 (en) 2016-03-31
US10325799B2 (en) 2019-06-18
US11133210B2 (en) 2021-09-28
US20190304825A1 (en) 2019-10-03
KR101681897B1 (ko) 2016-12-05
WO2011017060A3 (en) 2011-05-19
TW201110266A (en) 2011-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102498558A (zh) 双温度加热器
US7922440B2 (en) Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber
CN112251734B (zh) 衬底基座
JP4209057B2 (ja) セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
CN106133873B (zh) 在半导体腔室中的晶片旋转
US8529701B2 (en) Substrate processing apparatus
US20150376786A1 (en) Apparatus And Methods For Carousel Atomic Layer Deposition
JP6564946B2 (ja) プラズマ処理装置
CN105702617A (zh) 承载环结构及包含该承载环结构的室系统
JP2017135366A (ja) ウエハ裏面における堆積の低減のための可変温度ハードウェアおよび方法
JP5548163B2 (ja) 基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN101523357A (zh) 等离子腔室中用于基板夹持的设备与方法
JP5204721B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
CN109023310B (zh) 用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备
TWI823158B (zh) 用於提供對稱射頻返回路徑的預裝載碗機構
KR20070117312A (ko) 발열수단을 가지는 트레이 및 이를 이용하는 기판처리장치
US20180286710A1 (en) Ceramic heater
KR20120103060A (ko) 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치
JP6433502B2 (ja) プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法
KR20080030713A (ko) 기판 가공 장치
WO2022221103A1 (en) Electrostatic chuck with mesas
WO2022076740A1 (en) Heated substrate support to minimize heat loss and improve uniformity
JPH11102903A (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant