JP6433502B2 - プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法 - Google Patents
プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6433502B2 JP6433502B2 JP2016544755A JP2016544755A JP6433502B2 JP 6433502 B2 JP6433502 B2 JP 6433502B2 JP 2016544755 A JP2016544755 A JP 2016544755A JP 2016544755 A JP2016544755 A JP 2016544755A JP 6433502 B2 JP6433502 B2 JP 6433502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- plasma
- reaction vessel
- plasma reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 411
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 178
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32403—Treating multiple sides of workpieces, e.g. 3D workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
Description
Veff/VRF=es/(es+eg) (1),
によって計算され得る。
L2=2eseg/[ε0ωR□(es+eg)] (2)
によって与えられるスケールL上で指数関数的に減衰される。
当該方法は、補償電圧を前記第3電極に印加するステップを有し、この場合、前記補償電圧が、前記第1電極と前記第2電極との間に印加される前記RF電圧の差に対する位相とは逆であり、当該方法は、前記基板と前記第1電極又は第2電極との間のギャップ内にプラズマを発生させ、次いで当該プラズマを誘起させるステップを有することによって解決される。
Veff=(VRF−Vc)es/(es+eg) 方程式(3).
Vcに対して適切な値を選択することによって、実効電圧Veffは、VRFに等しくされ得る。実効電圧Veffが、VRFに等しいことを保証するVcに対して適切な値は、
Vc=−(eg/es)VRF 方程式(4),
として決定され得る。
2 第1電極、金属プレート
3 RF入口
4 ライナー
5 プラズマ、プラズマスラブ
6 プラズマ境界、プラズマシース
6′ プラズマシース
7 プラズマ境界、プラズマシース
8 第2電極、金属バックプレート、バック電極、背面電極アセンブリ、背面電極
9 コネクタ
10 凹部
11 基板
11a 非活性部分、非活性領域
11b 非活性部分、非活性領域
11c 活性部分、活性面、活性領域
12 第1隙間
13 基板キャリア、フレーム
13a 支持部材
13b 支持部材
13′ 端部接触部
14 搬送要素、基板ホルダ
15 導電線
16 第3電極、補償電極
17 給電線
18 補償装置
18a 補償装置
18b 補償装置
19 自己インダクタンスコイル
20 接続線
21 第2隙間
22 絶縁スペース要素、セラミック部材、セラミック保持ブロック、絶縁柱
23 絶縁スペース要素、セラミック部材、セラミック保持ブロック、絶縁柱
25′ ポスト
26 弁、フレーム
26′ 弁
27 ばね要素
28 機械式のアクチュエータ
30 真空チャンバ、外部の真空容積
32 プラズマ反応容積
33 電源、主発電機、RF電源
40a 上面
40b 下面
49 矢印
51 電力入力部、RF電力源
52 電力制御手段
61 孔
62 ギャップ
63 ガス供給部
64 導管
99 矢印、手段
100 プラズマコンデンサ処理反応容器、プラズマ反応陽気
101 真空容器
112 凹部
113 キャリア
601 第1部材、反応容器アセンブリ
602 第2部材、背面電極アセンブリ
602′ 背面電極アセンブリ
603 ハウジング
800 プラズマ反応容器
811 基板
811a 非活性部分
811b 非活性部分
811c 活性部分
813 基板キャリア
813a 支持部材
813b 支持部材
814 カットアウト部分
816 第3電極
821 プラズマ容積
900 プラズマ反応容器
902 背面電極アセンブリ
913 基板キャリア
914 カットアウト部分
916 第3電極
1000a〜d プラズマ反応容器
1011 基板
1013 基板キャリア
Claims (10)
- 真空チャンバと、
この真空チャンバ内の第1電極と、
この真空チャンバ内の、前記第1電極に対向し、この第1電極から離間された第2電極と、
反応性プロセスガスを前記真空チャンバ内に供給するための手段と、
その他方の電極が接地されている前記第1電極又は前記第2電極のうちの一方の電極に主RF電圧を印加するための、前記第1電極又は前記第2電極のうちの一方の電極に電気接続された電源と、
基板の上面及び下面の少なくとも一部が、プラズマ反応容器の任意の部分によって触れられず且つ前記プラズマに曝され得るように、前記第2電極に電気接触され且つ前記基板を保持するように構成されている、導電性の材料から成る基板キャリアとを有するプラズマ反応容器において、
前記プラズマ反応容器が、前記基板キャリアと前記第2電極との間に第3電極をさらに有し、前記第3電極が、前記第2電極から電気絶縁されていて、
前記第3電極及び前記基板キャリアは、この基板キャリアが基板を保持するときに、第1隙間が前記基板と前記第3電極との間に形成されているように配置されていることを特徴とするプラズマ反応容器。 - 前記プラズマ反応容器は、補償RF電圧を前記第3電極に供給するように構成された補償装置をさらに有し、前記補償RF電圧は、前記第1電極と前記第2電極とのRF電圧の差の変調相とは逆の変調相を有する請求項1に記載のプラズマ反応容器。
- 前記プラズマ反応容器は、前記第3電極と前記第2電極との間に第2隙間をさらに有し、この第2隙間は、前記第3電極を前記第2電極から電気絶縁する請求項1に記載のプラズマ反応容器。
- 前記補償装置は、RF信号を生成し得る電源を有し、前記第3電極は、給電線を通じて前記電源に電気接続されている請求項2に記載のプラズマ反応容器。
- 前記補償装置は、前記第2電極を前記第3電極に電気接続するための自己インダクタンスコイルを有する請求項2に記載のプラズマ反応容器。
- 前記プラズマ反応容器は、前記第3電極と前記第2電極との間に絶縁スペース要素をさらに有し、前記第2隙間の大きさが、絶縁柱の高さによって決定される請求項3に記載のプラズマ反応容器。
- 前記基板キャリアは、複数の前記基板を保持するように構成されている請求項1に記載のプラズマ反応容器。
- 複数のプラズマ反応容器のうちの少なくとも1つのプラズマ反応容器が、請求項1に記載のプラズマ反応容器である、これらのプラズマ反応容器から構成されるアセンブリにおいて、
それぞれのプラズマ反応容器が、真空経路を通じて結合されていて、
前記真空経路は、基板を通過させることを可能にするように構成されていて、
前記複数のプラズマ反応容器のうちの少なくとも1つのプラズマ反応容器が、プラズマを前記基板の上面で発生させるように構成されていて、前記複数のプラズマ反応容器のうちの少なくとも1つのプラズマ反応容器が、プラズマを前記基板の対向する下面で発生させるように構成されている当該アセンブリ。 - 1つおきのプラズマ反応容器が、プラズマを前記基板の上面上で発生させるように、プラズマ反応容器が構成されていて、それら以外のプラズマ反応容器が、前記基板の対向する下面でプラズマを発生させるように構成されている請求項8に記載のアセンブリ。
- 真空チャンバと、
この真空チャンバ内の第1電極と、
この真空チャンバ内の、前記第1電極に対向し、この第1電極から離間された第2電極と、
反応性プロセスガスを前記真空チャンバ内に供給するための手段と、
その他方の電極が接地されている前記第1電極又は前記第2電極のうちの一方の電極に主RF電圧を印加するための、前記第1電極又は前記第2電極のうちの一方の電極に電気接続された電源と、
基板の上面及び下面の少なくとも一部が、プラズマ反応容器の任意の部分によって触れられず且つ前記プラズマに曝され得るように、前記第2電極に電気接触され且つ前記基板を保持するように構成されている、導電性の材料から成る基板キャリアと、
前記基板キャリアと前記第2電極との間の第3電極とを有し、
前記第3電極が、前記第2電極から電気絶縁されていて、
前記第3電極及び前記基板キャリアは、この基板キャリアが前記基板を保持するときに、第1隙間が前記基板と前記第3電極との間に形成されているように配置されている、前記プラズマ反応容器を使用してプラズマ処理を実行するための方法において、
当該方法は、前記基板を保持するための前記基板キャリアを配置するステップと、
前記基板の上面又は下面を前記第1電極又は前記第2電極と一緒に整列させるように、前記基板キャリアを前記真空チャンバの内部に配置するステップと、
前記基板と前記第3電極との間に既定の値の第1隙間を設けるように、前記第3電極を移動するステップと、
プラズマ反応容積を設けるように、前記第2電極及び/又は第1電極を移動するステップと、
主RF電圧を前記第1電極又は前記第2電極のうちの一方の電極に印加し、当該他方の電極を接地するステップと、
補償電圧を前記第3電極に印加するステップを有し、前記補償電圧が、前記第1電極と前記第2電極との間に印加される前記RF電圧の差に対する位相とは逆であり、
前記基板と前記第1電極との間のギャップ内にプラズマを発生させるステップとを有する当該方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13186529.7A EP2854155B1 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Plasma reactor vessel and assembly, and a method of performing plasma processing |
EP13186529.7 | 2013-09-27 | ||
PCT/EP2014/070542 WO2015044295A1 (en) | 2013-09-27 | 2014-09-25 | Plasma reactor vessel and assembly, and a method of performing plasma processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016541101A JP2016541101A (ja) | 2016-12-28 |
JP6433502B2 true JP6433502B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=49237126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016544755A Active JP6433502B2 (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-25 | プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658159B2 (ja) |
EP (1) | EP2854155B1 (ja) |
JP (1) | JP6433502B2 (ja) |
KR (1) | KR102100315B1 (ja) |
CN (1) | CN105593968B (ja) |
HK (1) | HK1222475A1 (ja) |
MY (1) | MY178798A (ja) |
WO (1) | WO2015044295A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210391146A1 (en) * | 2020-06-11 | 2021-12-16 | Applied Materials, Inc. | Rf frequency control and ground path return in semiconductor process chambers |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4969676A (en) | 1989-06-23 | 1990-11-13 | At&T Bell Laboratories | Air pressure pick-up tool |
JP2740284B2 (ja) | 1989-08-09 | 1998-04-15 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
JPH08505437A (ja) * | 1992-12-30 | 1996-06-11 | ナウチノ−プロイズボドストヴェノーエ・プレドプリェティエ・“ノヴァテク” | 下地の真空プラズマ処理のための装置 |
US6095084A (en) * | 1996-02-02 | 2000-08-01 | Applied Materials, Inc. | High density plasma process chamber |
JP3238082B2 (ja) * | 1996-05-16 | 2001-12-10 | シャープ株式会社 | 電子デバイス製造装置 |
US5981899A (en) * | 1997-01-17 | 1999-11-09 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled RF-plasma reactor |
DE69811511T2 (de) | 1997-03-21 | 2004-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi | Herstellungsverfahren für ein photovoltaisches bauelement |
JP3402129B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2003-04-28 | 松下電器産業株式会社 | 基板のドライエッチング装置 |
WO2002073654A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber support having dual electrodes |
DE10261362B8 (de) * | 2002-12-30 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat-Halter |
KR100897176B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2009-05-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 |
JP4756361B2 (ja) * | 2006-07-10 | 2011-08-24 | 株式会社デンソー | 回転力伝達装置 |
KR20080020722A (ko) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리 방법 |
JP4622972B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5349341B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-11-20 | ソースル シーオー エルティディー | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN101919041B (zh) * | 2008-01-16 | 2013-03-27 | 索绍股份有限公司 | 衬底固持器,衬底支撑设备,衬底处理设备以及使用所述衬底处理设备的衬底处理方法 |
US8357264B2 (en) * | 2008-05-29 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator |
US9887069B2 (en) * | 2008-12-19 | 2018-02-06 | Lam Research Corporation | Controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
KR101050463B1 (ko) * | 2009-05-07 | 2011-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
TWI485799B (zh) | 2009-12-10 | 2015-05-21 | Orbotech Lt Solar Llc | 自動排序之直線型處理裝置 |
JP5563347B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5719599B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5840095B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-01-06 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造装置、及び太陽電池の製造方法 |
JP2014532813A (ja) * | 2011-11-04 | 2014-12-08 | インテヴァック インコーポレイテッド | 線走査スパッタリングシステムおよび線走査スパッタリング方法 |
JP5996276B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-09-21 | 京セラ株式会社 | 静電チャック、吸着方法及び吸着装置 |
-
2013
- 2013-09-27 EP EP13186529.7A patent/EP2854155B1/en active Active
-
2014
- 2014-09-25 US US14/916,214 patent/US10658159B2/en active Active
- 2014-09-25 CN CN201480052606.8A patent/CN105593968B/zh active Active
- 2014-09-25 MY MYPI2016000470A patent/MY178798A/en unknown
- 2014-09-25 WO PCT/EP2014/070542 patent/WO2015044295A1/en active Application Filing
- 2014-09-25 KR KR1020167010241A patent/KR102100315B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-25 JP JP2016544755A patent/JP6433502B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-07 HK HK16110626.3A patent/HK1222475A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102100315B1 (ko) | 2020-04-14 |
JP2016541101A (ja) | 2016-12-28 |
US20160196959A1 (en) | 2016-07-07 |
WO2015044295A1 (en) | 2015-04-02 |
KR20160058894A (ko) | 2016-05-25 |
EP2854155B1 (en) | 2017-11-08 |
HK1222475A1 (zh) | 2017-06-30 |
MY178798A (en) | 2020-10-20 |
EP2854155A1 (en) | 2015-04-01 |
US10658159B2 (en) | 2020-05-19 |
CN105593968A (zh) | 2016-05-18 |
CN105593968B (zh) | 2017-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI449121B (zh) | 調節基板溫度之基板支撐件及其應用 | |
JP3199713U (ja) | 薄型基板のための携帯用静電チャックキャリア | |
TWI559425B (zh) | 垂直的整合製程腔室 | |
KR100272189B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR100636487B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법 | |
KR101593460B1 (ko) | 플라즈마 프로세스를 위한 접지 귀환 | |
KR101155837B1 (ko) | 기판 프로세싱용 에지 링 배열 | |
TWI744229B (zh) | 晶舟、晶圓處理裝置以及晶圓處理方法 | |
KR20120063484A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 가스 공급 기구 | |
TW201735215A (zh) | 靜電卡盤機構以及半導體加工裝置 | |
KR102015657B1 (ko) | 진공 처리 장치를 위한 접지 어셈블리 | |
US20210151302A1 (en) | Device for transporting a substrate, treatment device with a receiving plate adapted to a substrate carrier of a device of this kind, and method for processing a substrate using a device of this kind for the transport of a substrate, and treatment facility | |
US9011634B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP6433502B2 (ja) | プラズマ反応容器及び組立体並びにプラズマ処理を実行する方法 | |
TW201735091A (zh) | 具有多組四腔室的四腔室與工作台 | |
TWI455192B (zh) | 避免在pecvd製程腔壁上沉積薄膜的設備及方法 | |
TW202102066A (zh) | 接地帶組件 | |
KR20200130743A (ko) | 시일 표면을 갖는 정전 척 | |
KR20100008052A (ko) | 화학기상증착 장치 | |
KR101841034B1 (ko) | 프로세스 챔버가 구비된 플라즈마 장치 | |
US20220139758A1 (en) | Multi-wafer deposition tool for reducing residual deposition on transfer blades and methods of operating the same | |
JP2023112963A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2013187315A (ja) | インライン型プラズマcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6433502 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |