CN105593968B - 等离子体反应器容器和组件、和执行等离子体处理的方法 - Google Patents

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Abstract

等离子体反应器容器包括真空腔室；在真空腔室中的第一电极；在真空腔室中、与第一电极相对并且与第一电极间隔的第二电极；电连接至第一或第二电极的其中之一的电源；包括导电材料的基板载体，基板载体配置为与第二电极电接触并且保持基板，使得基板的上表面和下表面的至少大部分未被等离子体反应器的任何部分触摸并且可以暴露于等离子体；其中，反应器容器还包括第三电极，第三电极包括在基板载体与第二电极之间，其中第三电极与所述第二电极电绝缘；以及其中第三电极和基板载体布置为使得，在基板载体保持基板时，第一隙距包括在基板与第三电极之间。还提供了对应组件以及用于执行等离子体处理的方法。

Description

等离子体反应器容器和组件、和执行等离子体处理的方法
技术领域
本发明涉及能够用于对基板执行等离子体沉积的等离子体反应器容器，等离子体反应器容器包括三个电极以及基板载体，基板载体配置为保持基板，以使得基板上和下表面的大部分保持未被基板载体或者等离子体反应器容器的任何其他部分触摸。还提供了等离子体反应器组件和执行等离子体处理的方法。
背景技术
图1图示常规的等离子体电容器处理反应器100。第一平面电极包括面对基板11的金属板2。第一电极2经由入口3被馈送有RF电压，并且被接地衬里4包围。现代的PECVD反应器将其工艺气体递送通过第一电极，如由分布的箭头99表示的。平行板电容器的第二电极为金属背板8，在其上，基板11放置为通过它的面1与第二电极8接触。如图1所示，基板11可以插入在背板8中提供的凹陷10中，使得基板11的所暴露的表面11’保持与暴露于等离子体5的背板8的表面明显平面连续性。凹陷10允许保持等离子体边界没有几何台阶，虽然在许多PECVD处理工具中，基板仅仅平放在有时称为感受器（在其被提供有热量时）或夹盘（在其迫使晶片变平时）的平坦的背板上。背板8经由连接器9电连接至地。RF入口3和连接器9可以颠倒。实际上，在确保电极2、8之间的电势差的条件下，存在关于在电极2、8两者上馈送RF功率的地方的自由度。对于大多数常规的等离子体处理，所递送的RF功率处于13.56MHz的标准频率，但存在对于基于硅的PECVD使用更高频率（比如说高达100MHz）的趋势。等离子体5由低压背景气的电离小部分制成。对于PECVD沉积来说，该等离子体由反应气体制成。等离子体5位于等离子体电容器间隙的中心区。大致上，在称为等离子体电势（其本身为DC分量和RF分量的叠加）的单个给定电压下，等离子体厚板（slab）5可以认为是导电块。在等离子体边界6、7或鞘内，等离子体自由电子密度急剧下降并且，在第一次序处（at firstorder），等离子体边界6、7可以认为是由RF电流以电容方式跨过的空的非导电层。在经典设计中，基板11正放置为与背板8接触并且基板1的背面与背板电极8之间的间隔实质上为零。辛亏该接触，基板11的RF电压基本上与背板8的相邻表面上的电压相同。其在此暗示，与跨基板的RF电流相关联的额外阻抗实际上可忽略。在间隔界面1处的该机械接触提供了设定在鞘6的边界处的电压的良好连续性。然而，由于该接触，基板背面实际上在若干区域与背板8摩擦接触。
因为器件性能对于界面污染的敏感性，标准处理技术在于在基板进入低压工艺系统的加载锁定之前，仔细地清洗该基板（湿法工艺）。在大气传输期间，基板可以通过如在US496976中描述的无接触拾取装置利用伯努力（Bernoulli）效应来处理，或者通过仅在位于基板的恰好的边缘上的有限区域中（接触区域对于有源器件是禁止的）抓取基板来处理。在基板处于低压处理设备内部时并且在其暴露于RF等离子体时，标准实践是将基板放置在金属对面板上以便仔细地设定基板背面的电压。实际上，在等离子体电容器中，RF电流横向流至平行的电极平面并且必须提供接地电极和用于RF电流横穿基板的返回路径。困难之处在于，基板背面表面与对面板之间的物理接触足以污染基板，从而传输化学污染物或颗粒。该污染物可以危害基板背面的任何进一步的处理。在这一点上，存在两个选项，第一个是在涂覆一面之后将基板拿回到大气、翻转基板、彻底清洗背面并且再次加载在低压系统中以进一步处理基板的另一面。由于真空处理具有与在加载锁定操作加上加热/冷却和除气中所消耗的时间有关的显著进入成本，这样具有两次在真空系统中通过的工艺顺序意味着高生产成本。第二个解决方案在于接受背面污染的风险以及可能降级的器件性能。在晶片顶面上的沉积同时将其放置在背板上之后，生产工具的内部处理系统翻转晶片并且继续对于晶片的另一面的工艺。这是如EP2333814中描述的工艺顺序。应注意，翻转诸如薄硅晶片的易碎材料切片在破损的概率方面是相当危险的。该破损风险的主要原因之一是由于缺少大气振动阻尼。
US5066340和US6207890中公开了异质结单元的制造。基本上，异质结单元的制造工艺开始于薄的良好质量的晶体或多晶体硅晶片。晶片可以适度掺杂。为了将其转变为光电二极管，沉积非晶硅层，其中在一面上p掺杂（硼掺杂）而在相对面上n掺杂（磷掺杂）。结果，从硅晶片生长出光伏异质结单元。在PECVD生长之后，晶片的初始粗糙表面（opensurface）深深地嵌入器件结构的核心中。由此，容易理解，该器件对于最初附着于晶片表面的任何缺陷或杂质非常敏感。在基于晶体硅的晶片的涂覆之前，非常重要的是，晶片表面被极其好地清洗。该清洗在湿法清洗顺序的结束处并入基于氢氟酸暴露的所谓的蚀刻/钝化工艺。已知基于HF的蚀刻去除了晶片的氧化表面并且留下清洁的和完美组织的硅晶体的氢饱和表面。已知该基于氢的钝化在清洁空气中继续存在数分钟。之后很快地，硅再次氧化，和/或化学吸附在半导体表面上并入气体杂质。这是因为恰好在最后的蚀刻湿法清洗之后，硅基板应该被快速地引入在加载锁定中并且保持在清洁的真空机器内部。
如果硅晶片被引入真空系统中并且保持平放在基板支架或静电夹盘上，其将与其支撑物物理和化学接触。因为与其支撑物的该物理和化学接触，存在硅晶片的表面污染的重大风险。此外，如果晶片两面上的所有工艺在一个真空序列中完成，则它是有利的；否则，如果晶片的一面被涂覆，在基板被拿回到空气时，另一面的蚀刻清洗钝化将受损并且将不得不再次执行（其具有通过湿法蚀刻已经涂覆的晶片面而损坏的风险）。
我们在此将论述相当直接的解决方案，其在于保持基板的背面与作为背板的第二电极之间的隙距。图2a图示等离子体反应器的一部分，其包括在基板11与背电极8之间的第一隙距12并且其中基板11保持在基板载体13中与电极8电接触。在该配置中，基板背面仅经由与基板载体13的边缘接触13'来与电极8机械接触。然而，基板11的主体与面对其背面的电极8处于电容关系中。基板上表面暴露于包括等离子体鞘6的等离子体5。在该配置中，横向流动的RF电流首先跨过作为真空电容器的等离子体鞘6，随后跨过基板11。这是，对于跨过基板11的RF电流的电阻（或电容阻抗）被忽略。RF电流还必须跨过由第一隙距12构成的额外的电容器，或者可能地，在基板中水平地流动。
图2b表示图2a中示出的等离子体反应器的等效RF电路。在该等效电路中，等离子体鞘6’和第一隙距12分别由电容器Cs和Cg描述。沿着基板11的表面的电流运输由欧姆平方表达的方块电阻R□描述。等离子体RF电势由传导线15表示。接触电阻Rc表示在边缘13'处基板11与基板载体13之间的电接触。由于基板保持方案布置为最小化恰好在晶片边缘处的接触表面，合理的是假设Rc非常大并且仅RF电流的可忽略的小部分流经接触点，因此大致上，我们可以考虑基板为浮置的。在这样的情况下，跨基板前方的等离子体鞘6'的驱动电压Veff与等离子体5和15与地8和13之间可用的全RF电压差VRF之比可以经由等式（1）计算为在经典电容分压器中：
Veff / VRF =es / (es + eg) (1)，
其中，es为等离子体鞘6’的等效厚度并且eg为第一隙距12的宽度。
在典型的RF处理中，等离子体es通常被包括在1 mm与4 mm之间。如果eg为1 mm，则比率Veff/VRF从80%改变到50%。在沿着表面从电极8前方的鞘6（经由导电基板载体13）移动至基板前方的鞘6’时沿着等离子体鞘的电压在驱动RF电压幅度中经历显著下降，因此等离子体显著不均匀。
如果基板11与框架13之间的接触点足以收集显著部分的RF电流，则基板的水平导电性可以由于方块电阻导致的某一阻尼沿着基板传输RF电压。这样的传输可以由电报员的等式（telegrapher's equation）描述，其中电压的横向扰动由等式（2）给出的比例L指数地阻尼：
L² = 2 es eg / [ε0 ω R□ (es + eg)] (2)。
筛选长度L是关于其RF电压将从管脚侧接触改变至等式（1）的浮置情况的距离的估计。其可以针对典型的等离子体处理条件估计，13，56MHz的频率、2mm的鞘厚度以及1mm的第一隙距12。该按比例缩放长度对于10 Ω的基板方块电阻为大约40 cm，对于100Ω为13cm以及对于1000Ω为4 cm。在从10至1000 Ω方块电阻的基板导电性的大范围中，筛选长度绝不显著大于所感兴趣的基板的大小；因此，在任何情况下，基板的水平导电性不能平衡跨基板的中心与边缘之间的等离子体鞘的RF电压。
结果是在第一隙距12存在于基板与背电极之间时，在基板前方的等离子体鞘6'中的RF电压由于与鞘组合以创建电容分压器的第一隙距而显著减小。相邻的等离子体区具有跨其鞘6的全RF电压。在此回想的是，在标准的等离子体电容器中，RF鞘电压提供用于等离子体的驱动能量，并且所得到的等离子体密度按照该RF电压的平方缩放。如我们已经估计的，在存在第一隙距的情况下，RF电压比率Veff/VRF减少至80%或更小，这意味着，在基板的接地边缘与中心区之间，等离子体产生密度从100%变化至64%或更小。随着等离子体中的电子扩散，该等离子体功率不均匀性将横向涂抹并且工艺不均匀性将从基板边缘朝向晶片中心区伸展。
总而言之，基板后面存在隙距的最明显的结果之一是差的工艺均匀性。在一些情况下，该RF鞘电压变化具有甚至更猛烈的缺陷。特别是对于基于硅烷的PECVD工艺，较强的边缘等离子体将诱发局部过度等离子体尘埃形成的早期触发。笼罩在局部鞘中的尘埃的捕获将甚至进一步恶化等离子体均匀性。
US2013112546公开了具有处理腔室的溅射系统，该处理腔室具有入口端口和出口端口，并且溅射靶位于处理腔室的壁上。其还公开了经由真空通道连接的多个处理腔室。
US2008061041公开了等离子体处理设备，其包括第一电极、第二电极，被提供以便经由工件面对第一电极以使得第二电极与工件之间形成空间、将气体供应至空间中的气体供应单元、具有电源的电路，其跨第一和第二电极施加高频电压以使得供应至空间中的气体转变为等离子体、以及支撑单元，其支撑工件的第二区域的至少一部分以使得工件与第一电极间隔分开一距离，在所述距离处在跨第一和第二电极施加高频电压时第一区域与第一电极之间不发生放电。
US2009294062公开了利用源和偏置RF功率发生器的等离子体反应器，通过补偿另一发生器中的调制，等离子体针对源或偏置功率发生器的输出的设计瞬变进行稳定。
US2010282709公开了基板等离子体处理设备，用于对有机发光器件的电极表面进行等离子体处理。基板等离子体处理设备可以调整第一电极与基板之间的距离并且调整第二电极与基板之间的距离。
KR20080020722公开了等离子体处理设备，其被提供用于通过对基板的整个表面生成高放电效应来改进等离子体处理工艺的均匀性。等离子体处理工艺在处理腔室中执行。上电极和下电极安装在工艺腔室中，彼此面对。气体供应部件以如下方式供应工艺气体：从加载在上电极和下电极之间的基板周围的横向表面朝向基板的中心诱导工艺气体流。
发明内容
本发明的目的在于排除或减轻以上提及的缺点中的至少一些。
本发明的一个目的在于在单个真空序列中执行基板的两面的RF处理。
本发明另一目的在于消除由于基板的有源区域上的摩擦或接触导致的污染，在基板表面与背电极接触时可能发生该污染。
另一目的在于避免由基板与背板电极之间的机械空隙诱发的不均匀性。
本发明的另一目的在于避免在真空下机械地翻转基板。在真空下基板的机械翻转意味着晶片破损的风险。
本发明通过提供等离子体反应器容器来实现这些目的，其中基板的有源部分保持未被基板支架或等离子体反应器容器的任何其他部分（诸如等离子体反应器容器中的电极）触摸。
本发明借助于等离子体反应器容器来实现这些目的，其包括：真空腔室；在所述真空腔室中的第一电极；在所述真空腔室中、与所述第一电极相对并且与所述第一电极间隔的第二电极；用于在所述真空腔室中提供等离子体的装置；电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源，用于将主RF电压施加至所述第一和第二电极的其中之一，另一电极接地；包括导电材料的基板载体，所述基板载体配置为与所述第二电极电接触并且保持基板，使得所述基板的上表面和下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且可以暴露于所述等离子体；其中，所述反应器容器还包括第三电极，所述第三电极包括在所述基板载体与所述第二电极之间，其中所述第三电极与所述第二电极电绝缘；以及其中所述第三电极布置为使得，在所述基板载体保持基板时，第一隙距包括在所述基板与所述第三电极之间。
等离子体反应器容器内第三电极的位置和/或基板载体的位置可以是可调整的，使得第三电极与由基板支架保持的基板之间的第一隙距的大小可以是可调整的。在基板的表面处的等离子体电压可以由第一隙距的量值来确定。等离子体反应器容器内第三电极的位置和/或基板载体的位置可以调整以在基板的表面处提供预定义的等离子体电压。
优选地，基板载体配置为在基板的周边保持基板。基板载体可以配置为在基板的周边保持基板，使得基板的上表面和下表面完全暴露，或者使得基板的上表面和下表面的至少大部分暴露。在后者配置中，基板的上表面和下表面的所述至少大部分未被基板载体和/或等离子体反应器容器的任何部分触摸。优选地，基板载体配置为保持基板，使得上和下表面的有源区域未与基板载体接触。在此，有源区域对应于器件将进行沉积的表面。优选地，基板载体配置为仅在基板的非有源部分内保持基板。非有源部分可以包括在基板表面的周边0.5mm至2mm，或者2mm至3mm，或者0.5mm至10mm的距离。
本发明的有利实施例的又另一目的在于使用补偿RF电压，以在单个真空序列中暴露基板的上和下表面两者，而无需翻转基板和/或无需触摸基板的两面的有源区域。为了实现该目的，等离子体反应器容器可以包括补偿装置，其配置为向第三电极提供补偿RF电压，补偿RF电压具有与第一和第二电极之间的RF电压差分的调制相位相反的调制相位。补偿RF电压的幅度可以调整，使得基板的表面处的等离子体电压的幅度可以基本上等于所述第一或第二电极的其中之一处的电压的幅度。
第三电极与基板之间的第一隙距基本上具有恒定厚度，该距离包括在0.5mm与3mm之间。优选地，第一隙距小于2mm。最优选地，间隙大约为1mm。
本发明提供一种包括多个等离子体反应器容器的组件，所述多个等离子体反应器容器中的至少一个为根据上述等离子体反应器容器之一的等离子体反应器容器，其中多个等离子体反应器容器中的每一个经由真空通道连接，其中所述真空通道配置为允许基板通过，并且其中所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的上表面处提供等离子体，所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的相对的下表面处提供等离子体。应理解，上表面为基板的第一表面而下表面为基板的与第一表面相对的第二表面。因此，上和下表面可以落在与图3的实施例描述的相同的水平平面上，或者可以落在相同的垂直平面上，或者可以落在水平与垂直平面之间的任何平面上。
本发明还涉及在其上表面和下表面两者上具有有源区域的基板的低压处理。基板通常用于制成电子、光学、机电或电化学组件。在大多数实施例中，优选的是，使用非导电基板。还优选的是，基板具有平面轮廓。可以在本发明中使用的基板的示例包括电介质基板，诸如用于触摸屏显示器的薄玻璃基板或者用于功率二极管或异质结硅太阳电池单元的半导体晶片。
本发明的目标在于提供对基板均匀地执行等离子体处理而无需触摸基板的有源区域的方法。还优选的是，在单个真空序列工艺中，基板的另一面完全被处理。
该目标借助于用于使用反应器执行等离子体处理的方法来实现，该方法包括以下步骤：布置基板载体以保持基板；将保持基板的基板载体引入真空腔室内；在所述真空腔室内定位所述基板载体，以便使所述基板的上表面或下表面与所述第一和/或第二电极对准；移动所述第三电极以在所述基板与所述第三电极之间提供具有预定义值的第一隙距；将主RF电压施加至所述第一或第二电极的其中之一并且将另一个电极接地；将补偿电压施加至所述第三电极，其中所述补偿电压在相位上与施加在所述第一电极或第二电极之间的所述RF电压差分相反；在所述基板与所述第一电极或第二电极之间的间隙中提供等离子体；以及然后点燃所述等离子体。
本发明的其他可选特征在本申请的从属权利要求中给出。
附图说明
借助于仅作为示例给出并且由附图图示的本发明的实施例的描述，将更好地理解本发明，在所述附图中：
图1图示常规的等离子体电容器处理反应器；
图2图示常规的等离子体反应器的一部分（图2a），其包括在基板后面提供第一空隙的凹进处以及等效RF电路（图2b）；
图3示出根据本发明实施例的反应器容器的横截面视图；
图4a和b图示用于在图3的反应器容器中使用的补偿装置的可能配置；
图5a和b图示基板载体如何能够定位在图3的反应器容器中；
图6a-c示出在用于连续涂覆基板的两面的连续工艺位置的基板和载体组件；
图7a-c示出根据本发明进一步实施例的连同第二和第三电极组件的载体和基板组件的透视图和横截面视图；
图8a-c示出用于在根据本发明的反应器容器中使用的基板载体的各种配置；以及
图9图示根据本发明的另外的方面的加工线形式的系统组件的小部分。
具体实施方式
图3示出根据实施例的等离子体反应器容器100的横截面视图。
等离子体反应器容器100包括封闭在真空容器101中的真空腔室30；反应器接地壁100内的等离子体反应器容积32，在反应器容积32中的第一电极2；在真空腔室30中、与第一电极2相对、面对反应器容积32并且与第一电极2间隔的第二电极8。
电源33电连接至第一电极2，用于将主RF电压施加至第一电极2，以便向等离子体反应器容积32中的等离子体馈电。第二电极8接地。应理解，在另一实施例中，电源33可以电连接至第二电极8，并且第一电极2可以接地。
包括导电材料的基板载体13进一步被提供在等离子体反应器容器100中。基板载体13配置为使得其可以在基板载体13位于真空腔室30中时与第二电极8电连接。图3中图示的基板载体13示出为保持基板11，诸如晶片。基板载体13配置为可从真空腔室30移除，以允许基板11安装在基板载体13上。基板载体13保持至少一个基板11，使得基板11的上表面40a以及相对的下表面40b的至少大部分未被基板载体13或者等离子体反应器100的任何其他部分触摸。在图3中图示的示例中，基板载体13包括基板11安置于其上的支撑部件13a、13b；支撑部件13a、13b的长度使得它们仅沿着基板11的非有源部分11a、11b延伸；因此，基板11的有源部分11c保持未被支撑部件13a、13b或者等离子体反应器100的任何其他部分触摸。应注意，基板11的有源部分11c是基板的暴露于等离子体5的部分，而基板的非有源部分11a、11b是基板11的与基板载体13接触的部分。
在变体中，支撑部件13a、13b还接触基板11的上表面，使得它们仅沿着基板11的非有源部分11a、11b延伸。应理解，在另一实施例中，基板载体13可以仅在基板周边保持基板11，使得基板11的整个上表面和下表面40a、40b保持未被基板载体13触摸。
反应器容器100还包括位于基板载体13与第二电极8之间的第三电极16；第三电极16的这样的定位确保了第三电极16位于基板11与第二电极8之间。第三电极16和基板载体13定位为使得在第三电极16与基板11之间存在第一隙距12。第一隙距12确保了基板11未被第三电极16触摸。第一隙距12可以在0.5mm与3mm之间；优选地，小于2mm；并且最优选地，大约1mm。优选地，反应器容器100包括第三电极16的位置经由其可以调整的装置（未表示），以使得用户可以选择并且提供基板11与第三电极16之间任何期望的第一隙距12。
基板载体13可以配置为使得第一隙距12沿着基板11的整个表面保持恒定。例如，在基板11非常薄并且由于重力而弯曲的情况下，电极16可以被弄弯以遵循所弯曲的基板11的形状，从而保持第一隙距12恒定。
基板载体13可以进一步这样布置以便在基板11保持在基板载体13中时最小化基板载体13与基板表面之间的相交处可能的几何形状不连续性。例如，支撑部件13a、13b可以配置为使得基板11的有源表面11c与基板载体13齐平（参见图3）。在未表示的变体中，基板载体13可以包括朝向基板11收窄的对称地逐渐变窄的边缘。在该后者的配置中，基板载体13与基板11之间的相交部可以包括台阶。
有利地，由于基板载体13仅在基板11的非有源区域11a、11b处触摸基板11，并且由于在第三电极16与基板11之间存在第一隙距12，基板11的有源区域11c保持未被等离子体反应器100的任何部分触摸。因此，基板11的有源区域11c可以维持未被污染。
在实施例中，真空容器101还包括肯定会将基板载体13以例如由箭头49指示的方向引入真空容器101中的阀门26。基板载体13可以插入在反应器本体100与第二电极8之间。真空容器101还可以包括例如与阀门26相对的另一阀门26'，以便允许基板载体13在该另一端退出真空容器101。
在实施例中，补偿装置18通过馈送线17电连接至第三电极16。应理解，补偿装置18可以采取任何合适的配置；示例配置将稍后进行更详细论述。对于该示例，补偿装置18可以认为是简单的RF电压源。
补偿装置18配置为使得其可以向第三电极16提供补偿RF电压Vc，补偿RF电压具有与在第一电极2和第二电极8之间的RF电压差分的调制相位相反的调制相位。在第二电极8接地的情况下，RF电压差分等于由电源33施加至第一电极2的主RF电压。
补偿装置18还借助于另一连接器线20直接电连接至第二电极8，或者间接电连接至与电极8接触的金属部分；因此补偿装置18电连接在第二电极8与第三电极16之间。结果，为了第三电极16被提供有补偿RF电压Vc，补偿装置18必须向第三电极16提供补偿RF电压Vc，该补偿RF电压Vc的相位和幅度被调整以使得基板11的电压通过电容效应取得与第二电极8上的电压值相同的值。
第三电极16进一步借助于诸如陶瓷保持柱的绝缘间隔元件22、23与所述第二电极8电绝缘。陶瓷部分22、23限定在第三电极16与第二电极8之间的第二隙距21。陶瓷保持块22、23可以由不同尺寸的陶瓷保持块替代以便使用户能够调整第二隙距21的大小。应理解，除了陶瓷保持块22、23以外的其他装置可以用于将第三电极16与第二电极8电绝缘。此外，可以提供用于调整第二隙距21的大小的其他装置。在实施例中，第二电极8包括凹进处112。第二隙距21可以配置为通过提供具有合适大小的凹进处的第二电极8以及提供具有合适尺寸的陶瓷保持块22、23而具有预定义大小。
在实施例中，反应器容器100包括适于将第二电极8和第三电极16（背板组件）相对于外壳603移动的机械致动器（由图3和5中的数字28示出）。该移动允许在背板组件被降低时向真空腔室30开放等离子体反应器容积32并且在背板组件向上移动时将其关闭。
如可以在图5a和5b最好地看见的，反应器容器100划分为第一和第二部分601、602。第一部分601包括位于外壳100内的第一电极2。第二部分602包括由陶瓷保持块22、23分开的第二电极8和第三电极16。例如通过使用致动器28，第一或第二部分601、602可相对于另一部分移动。基板载体13位于第一和第二部分601、602之间。优选地，基板载体13借助于机器人运输在箭头49的方向上移动到位置中。第一和第二部分601、602布置为使得它们均与基板载体13邻接，从而第一和第二部分601、602和基板载体13限定等离子体反应器容积32。具体地，第一和第二部分601、602布置为使得外壳100与基板载体13邻接并且使得第二电极8与基板载体13邻接。在外壳100与基板载体13邻接时，基板载体13可以夹紧在背板组件8与外壳603之间。在未表示的变体中，基板载体13在被夹紧时可以在箭头49的方向上移动。
应理解，在替换实施例中，第一和第二部分601、602可以布置为使得它们不与基板载体13邻接。在该情况下，第一和第二部分601、602布置为使得在第一和第二部分601、602中的每一个与基板载体13之间存在间隙。该间隙可以用于供应气体或者从反应容器100提取气体。在这样的配置中，第二电极8与外壳603之间的电接触可以包括将外壳603电连接至第二电极8的柔性带（未示出）。
在实践中，反应容器100的第二部分602可以朝向反应容器100的第一部分601移动；或者在替换实施例中，反应容器100的第一部分601可以朝向反应容器100的第二部分602移动；或者第一和第二部分601、602两者可以朝向彼此移动；以便将基板载体13夹在第一和第二部分601、602之间，从而限定其中施加反应工艺以形成等离子体反应器容积32的等离子体腔室。
如在图5a和5b以及在图6a、6b和6c中图示的，在使用期间，反应容器100的第一和第二部分601、602移动分离。基板11被提供在基板载体13上并且基板载体13位于反应容器100的第一和第二部分601、602之间。图6a至6b图示基板载体13在腔室32中的定位，所述腔室32布置为用于涂覆基板11的上面。基板载体13沿着水平定位（图5a中的箭头49），使得其在第一电极2下方并且在第二和第三电极8、16之下对准并且优选处于中心。
应理解，基板载体13可以使用任何合适定位装置（例如使用在定位基板载体13时将便于用户的链条、滑架或运输叉车（未示出））手动或自动地定位。在定位基板载体13时，这些传输元件14可以由用户握持，或者可替换地，传输元件14可以连接至链条，该链条由致动器或其他自动驱动运输装置驱动以允许基板载体13的自动定位。
一旦基板载体13定位为使得其在第一电极2下方并且在第二和第三电极8、16之下对准并且优选处于中心，反应容器100的第二部分602就朝向第一部分601移动，以便将基板载体13夹在第一和第二部分601、602之间，从而限定等离子体限制于其中的半密封等离子体反应容积32。具体地，基板载体13夹在第二电极8与第一电极2容纳于其中的外壳603之间。由于基板载体13包括导电材料，外壳603因此借助于基板载体13电连接至第二电极8。
已定位的第一和第二部分601、602然后优选在完整等离子体工艺序列期间紧固。
具有反应容器100的相对于彼此移动的第一和第二部分601、602的优点在于，第一和第二部分601、602可以移动以机械地接触基板载体13和第二电极8，从而精确限定预定义的第一隙距12。此外，将第一和第二部分601、602移动到一起闭合了等离子体反应器容积32，从而允许其以等离子体盒方式操作。而且，在第一和第二部分601、602已经移动到一起以夹基板载体13并且接触第二电极8时，这确保了反应容器100、基板载体13以及背板8全部电接地。
在图6a、6b和6c中图示的示例中，定位装置可以包括机械地连接至基板载体13以及定位装置的固定部分26的弹簧元件27（由片弹簧表示）。固定部分示出为框架26。弹簧元件27允许基板支架14在由第二电极8传输的力下移动并且垂直地调整。在第一和第二部分601、602移动分离时，弹簧元件27还将基板载体13维持在第一部分601与第二部分602之间的中心位置。图6c表示颠倒的图6a和6b的反应器容器100。图6c的配置可以用于将基板11的下表面40b（参见图3）暴露于等离子体。
应注意，陶瓷保持块22、23的高度以及凹进处112的深度选择为使得在第一和第二部分601、602被一起带至真空腔室30时，第一隙距12等于预定义值。
接下来，如图6b和6c所示，等离子体5被提供至等离子体腔室32中。电源33用于将主RF电压施加至第一电极2；该主RF电压对等离子体反应器容积32中的等离子体15充电，其引起基板11的上表面40a（参见图3）上的等离子体沉积。所充电的等离子体5通过电容效应在基板11的上表面40a上感生电压。
同时，电源33用于将主RF电压施加至第一电极2，补偿装置18被操作用于向第三电极16提供补偿RF电压Vc。补偿RF电压Vc的幅度在主RF电压的10至100%之间，但补偿RF电压Vc的相位与第一和第二电极2和8之间的电压差分的相位相反。
在主RF电压施加至第一电极2以及补偿电压施加至第三电极16的情况下，真空腔室30中的等离子体5然后被点燃并且发生基板11上的等离子体沉积。
补偿RF电压Vc通过电容效应在基板11的下表面40b上感生电压，该电压抵消了基板11的上表面40a上由充电的等离子体5感生的电压。基板11的下表面40b上感生的电压抵消掉由隙距12引入的串联电容的效应。结果，基板11的上表面40a将具有所得到的电势，其跨越基板的上表面40a是恒定并且等于相邻的第二电极8的电势。由于跨越基板11的上表面40a的电势是恒定的，将发生跨越上表面40a均匀分布的等离子体沉积。
例如，假定第二电极8接地（零电压）并且由电源33递送在第一电极2上的驱动RF电压为V0，并且等离子体5与第二电极8之间的RF电压为VRF，并且还假定等离子体为准对称的，则RF等离子体电压VRF将近似为VRF=V0/2，跨越鞘6的RF电压的良好估计（参见图1-3）。由补偿装置18提供给第三电极16的补偿RF电压为Vc。基板11的上表面40a处的有效电压Veff则为：
Veff = (VRF – Vc)es / (es + eg) 等式（3）
通过为Vc选择合适的值，有效电压Veff可以成为等于VRF。确保有效电压Veff等于VRF的Vc的合适值可以确定为：
Vc = -(eg/es) VRF 等式（4）
其中eg为基板11与第三电极16之间的第一隙距12，并且es为等离子体鞘6的厚度。
负号指示相位将与VRF的相位相反。
回想鞘厚度在1与3mm之间变动，对于1mm的第一隙距12，补偿电压将在RF电压VRF的33%至100%之间，或者对于2mm的第一隙距12，在66%至200%之间。由于RF电压VRF近似为驱动RF电压V0的一半，当第一隙距12保持在1与2mm之间时，补偿电压Vc将在由电源33递送的主RF电压的16%至100%之间变动。
因此，用于第三电极的补偿电压Vc将保持在主RF电压的级（order）或小于主RF电压，优选为大约其三分之一。
如所提及的，补偿装置18可以采取任何合适的配置。图4a和4b中分别示出两个不同的合适补偿装置18a、18b的示例。补偿装置18a、18b中的每一个以不同方式将补偿RF电压Vc提供至第三电极16。
补偿装置18a基本上由将第二电极8电连接至第三电极16的自感线圈19制成。图4a中还图示表示从基板11通过补偿装置18a至第三电极16的等效电路。等效电路包括电容Cg，其为第三电极16与计及第一隙距12的基板之间的电容；以及计及电极16与封闭的第二电极8之间的互电容的电容Cb，其包括第二隙距21的电容的贡献加上第三电极周边以及陶瓷间隔元件22、23两者的贡献。容易得出，这样的将基板13连接至第二电极8的阻抗系统在满足以下条件时的谐振处具有零的净阻抗：
L (Cg + Cb)²=1 等式（5），
其中为谐振频率。
基板13与电极8之间的零阻抗意味着两个部分处于相同RF电压。因此，通过提供具有合适自感L的自感线圈19，其中等于RF频率，自感线圈19将补偿由基板11与第三电极16之间的第一隙距12引起的电容Cg。具体地，通过提供具有等于1/ (Cg + Cb) ²的自感L的自感线圈19, 其中为驱动RF频率，自感线圈19将提供合适的补偿电压，用于消除由基板11与第三电极16之间的第一隙距12引起的电容Cg的串联阻抗效应。
补偿装置18a的优点之一是配置的简单性；补偿装置18a包括可以例如使用带状线技术制作得紧凑的简单的自感线圈19。
图4b图示补偿装置18的另外的示例。图5b中示出的补偿装置18b是对基于来自主发生器33的RF功率入口的自感的替换。补偿装置18b包括RF功率入口51，其中从RF供应33提取RF功率的小部分，以及非常类似于经典的RF匹配盒中找到的电路的各种可调整电路。其包括电压控制装置52，电压控制装置52可以用于调整从RF电源51输出的RF电压。其还包括用于反转和调整经由线23馈送至第三电极16的RF功率的相位的装置，如这可以用经典变压器完成。
为了补偿系统的合适调整，无论其是作为18a的自感还是作为18b的辅助匹配盒，都建议校准补偿电压的相位和幅度。它的好的部分可以通过以下来完成：校准，利用金属块制作等离子体的实体模型，其中自由间隔模拟鞘并且作为基板的实体模型，绝缘平面承载在其上的金属化垫。然后，RF探头可以拾取金属垫与相邻电极8之间的电压差分。调整存在于将探头差分信号调零。该技术显然足以调整Vc的幅度和相位（例如以调整L的值）。以后可以完成利用真实等离子体以及均匀性测量的微调。
应理解，补偿装置18可以采取除了图4a和4b中示出的配置以外的任何其它合适的配置。例如，各种电路（无源或有源）能够向第三电极16提供补偿RF电压Vc。这些各种电路可以配置为允许调整补偿RF电压Vc的幅度和相位两者。然而，不管其配置，补偿装置18可以配置为使得其可以向第三电极16提供使得基板11和相邻的第二电极8具有相同RF电压的补偿RF电压Vc。
在上面的反应器容器100的示例中，基板载体13示出为配置为在单个第三电极16上方保持单个基板11。图7a至7c图示根据本发明另外的实施例的不同载体13以及对应的背板组件602。反应器组件601的上部与图5a中的相同，其具有许多与图3中示出的等离子体反应器容器100相同的特征并且类似特征被授予相同附图标记。然而，基板载体813可以保持四个基板并且下方的背板组件602’可以适于特别是具有多个基板之下的多个补偿电极16的该修改的几何形状。
在图7中，基板载体813包括导电材料并且配置为使得其可以在基板载体813位于真空腔室30中时与第二电极8电连接。图7a中图示的基板载体813示出为保持四个基板811，诸如四个晶片。基板载体813配置为可从真空腔室30移除，以允许基板811安装在基板载体813上。基板载体813保持基板811中的每一个，使得每个基板811的上表面40a和相对的下表面40b的至少大部分未被基板载体813或者等离子体反应器100的任何其他部分触摸。在图7a中图示的示例中，基板载体813包括四个切除部分814，切除部分中的每一个优选具有大于基板811的面积的面积并且其可以容纳基板811。基板811中的每一个保持在切除部分814中的方式类似于针对图3中的个别基板所描述的方式，其具有仅恰好在待沉积的器件是非有源的边缘处与基板接触的支撑物。如图7b所示，基板载体813包括支撑部件813a、813b，其延伸到切除部分814中。基板811安置在这些支撑部件813a、813b上；支撑部件813a、813b的长度为使得它们仅沿着每个基板811的非有源部分811a、811b延伸。因此，每个基板811的有源部分811c保持未被支撑部件813a、813b或者等离子体反应器800的任何其他部分触摸。应理解，在替换实施例中，基板载体813将不包括支撑部件813a、813b并且切除部分814均可以具有比基板811的面积略微小的面积，以使得每个基板可以直接安置在对应的切除部分814上方的基板载体813上。此外，在该情况下，最优选的是，基板载体813仅接触每个基板811的非有源部分811a、811b。
在图7a和7b中，对应的背板组件602'还包括四个第三电极816，其对应于在基板载体813中提供的四个切除部分814。四个第三电极816中的每一个电连接至补偿装置。四个第三电极816中的每一个位于基板载体813与第二电极8之间并且基板载体813可以布置为使得其切除部分814中的每一个在对应的第三电极816之上对准。因此，由基板载体813保持的每个基板811可以在对应的第三电极816之上对准。如在等离子体反应器容器100中的情况，第三电极816中的每一个定位为使得每个第三电极816与基板811之间存在第一隙距12。第一隙距12确保每个基板811未被其对应的第三电极816触摸。优选地，每个基板811与其对应的第三电极816之间的第一隙距12为大约1mm。
在图7b中，第二电极8还包括定位为朝向第二电极8的中心的柱体25'。在使用期间，在基板载体813开始与第二电极8电接触时，基板载体813的中心将安置在柱体25'上。柱体25'将向基板载体813提供结构支撑，以便防止基板811在它自己的重量下弯曲。这确保了基板811中的每一个与其对应的第三电极816之间维持均匀距离。
虽然基板载体813示出为包括四个切除部分814以及对应的四个第三电极816，但是应理解，基板载体813可以包括任何数量的切除部分814以及对应的任何数量的第三电极816。
图7c图示用于容纳多个基板的载体的更简单的设计。在该情况下，第三电极16是单块板，其覆盖整个基板面积以及基板载体的相邻部分，诸如13a和13b。该设计由于其简单性而是优选的，只要能够保持基板载体13的平面性。
例如，图8c图示其中具有基板载体913的等离子体反应器容器900的横截面视图，该基板载体913包括四个切除部分914，所述切除部分中的每一个可以容纳基板。代替提供对应数量的第三电极，反应器容器900包括单个第三电极916，其足够大以在全部四个切除部分914之下延伸。该单个第三电极916电连接至补偿装置18。如果载体913和背板组件902两者的机械平面度足以保证全部基板811之下的第一隙距12的良好控制，则该设计是足够的。
安装和运行等离子体工艺要求改变等离子体反应器容器内部的气体压力，首先安装工艺压力，然后在工艺结束时泵出。在压力改变期间，存在一个或多个基板的上表面和下表面之间瞬变压力差分发展的危险；瞬变压力差分可能导致非常薄的基板的扭曲。基板可能弯曲到其触摸等离子体反应器容器中的第三电极的程度。或者其可能破裂。因此，期望的是，限制基板的上表面和下表面之间的压力差分。
为了处理该问题，有利的是允许等离子体容器反应器内面对基板的上表面和下表面的两个容积之间的气体连通；例如在图8a中图示的实施例中，因为基板载体913中的切除部分914的面积配置为大于基板911，所以在每个基板911的周边与基板载体813的限定切除部分的部分之间提供间隙62。最优选地，切除部分914的面积为使得间隙62等于或小于1mm，优选大约0.8mm。间隙62将许可气体在等离子体容器反应器中面对基板的上表面和下表面的容积之间通过。因此，在等离子体容器反应器中上表面和下表面占据的区域之间将不存在压力差分。
图8b中图示替换解决方案。在图8b中，基板载体913包括切除部分，其未针对基板911的周边处的气体提供足够连通。为了允许气体在等离子体容器反应器中面对基板的上表面和下表面的两个容积之间交换，基板载体913包括多个孔61，其允许气体通过基板载体913并且因此允许气体在等离子体容器反应器中上表面和下表面占据的区域之间交换。优选地，所述孔中的每一个的直径小于1mm。优选地，多于三十个孔61被提供在基板载体913中。
在一个或多个基板的上表面和下表面处保持相同压力并且处理一个面40a上反应位置处基板的暴露表面意味着基板后面的容积封闭在组件902中并且由载体913覆盖以及一个或多个基板911形成与来自等离子体容积30的激活的气体扩散连通的闭合容积。此外，在一些特定的PECVD工艺中，周围环境气体可以包含不稳定的种类，其导致由基板的下表面的气相进行的二次污染；这通常可能发生在掺杂层沉积工艺中。
为了限制这样的二次污染，可以提供导管64，其布置为跨越一个或多个基板的下表面40b提供不活泼气体的流动，如图8c所示。在图8c中示出的示例中，导管64通过第二电极8。气体供应63连接至导管64，并且其提供通过导管并且跨越一个或多个基板的下表面40b流动的不活泼气体。不活泼气体的流动将限制工艺气体在一个或多个基板的下表面40b上的累积并且也将清洗下表面40b下方的区域。
应注意，在等离子体反应器容器内处理大气露出将导致一个或多个基板的下表面40b的二次污染的伪沉积风险时（如它将是在利用氢化硼的PECVD工艺期间的情况），仅需要不活泼气体在一个或多个基板的下表面40b上方的流动。对于等离子体反应器容器可以不要求气体供应63和导管64的情况，替代地，等离子体容积821可以要么停留在静态容积中，要么允许与外部真空容积30连通。
典型地，上述等离子体反应器容器中的任何一个可以用于形成生产组件。图9图示根据本发明的组件的示例；该组件限定包括四个真空容器1000a-d的生产线。基板1011连续地运输至四个等离子体反应容器1000a-d中的每一个。容器中的两个被表示为配备有PECVD反应器，具有向下涂覆基板的反应器的容器1000a，具有涂覆基板的另一面（即向上）的反应器的下一个容器1000c。典型地，基板1011借助于滑架或一些其他合适的自动运输装置，根据箭头100ab-bc-cd连续地运输至容器1000a-d中的每一个。
在图9的示例中，四个容器1000a-d串联放置，如它将在经典的直列式真空处理系统中。专业人士将容易理解，在群集型处理系统架构中可以设计连续处理的相同概念。在图9中，反应器1000c具有如下配置，其是前述等离子体反应容器1000b的配置的倒置。换言之，在第一等离子体反应容器1000b中，第二和第三电极8、16位于基板1011的下表面40b下方，并且第一电极2位于基板1011的上表面40a上方。在沿着生产线的第二等离子体反应容器1000b中，第二和第三电极8、16位于基板1011的上表面40a上方，并且第一电极2位于基板1011的下表面40b下方。由于连续等离子体反应容器的颠倒配置，等离子体沉积将发生在生产线中的第一等离子体反应容器1000a的上表面40a上；在生产线中的第二等离子体反应容器1000b的下表面40b上；生产线中的第三等离子体反应容器1000c的上表面40a上；以及最后在生产线中的第四等离子体反应容器1000d的下表面40b上。应注意，看见第一基板10011预先定位在腔室1000b的反应器中，而涂覆生产序列中的先前基板被看见预先定位在下一个腔室1000c中。
组件不限于图9的示例性配置，而是还可以包括容器的任何组合，以便能够执行任何任意序列的工艺。例如，组件可以包括不同于四个的数量的容器。多个容器可以布置为使得基板1011在从一个容器运输至另一容器时可以以工艺步骤的任何可能的组合来处理。例如，基板1011可以连续地向上和向下处理，若干次向上（或向下）并然后向下（或向上）。例如，基板1011可以连续地运输至包括表示为配备有PECVD反应器的等离子体反应容器1000b-c（具有向下涂覆基板的反应器的容器1000b，具有涂覆基板的另一面（即向上）的反应器的下一个容器1000c）的连续工艺模块。典型地，基板1011借助于滑架或一些其他合适的自动运输装置，连续地运输至容器1000a-d中的每一个。多个容器也可以布置为使得工艺步骤的组合包括PECVD工艺步骤与其他工艺步骤（诸如加载锁定、加热、冷却、基板翻转、等离子体蚀刻、等离子体清洁，以及诸如蒸发或溅射和反应溅射的PVD沉积）的组合。
作为对于上述生产线的替换，等离子体反应容器1000a-d中的每一个可以具有所有相同的配置，并且可以提供用于翻转基板1011的装置。用于翻转基板1011的装置将被操作用于在连续等离子体反应容器1000a-d之间翻转基板1011，使得在沿着生产线的每一个等离子体反应容器1000a-d处，等离子体沉积可以连续地发生在基板1011的上表面和下表面40a、40b上。
应注意，最优选的是，借助于基板1011可以沿着其通过的真空通道连接四个等离子体反应容器1000a-d中的每一个。以该方式，基板可以在其在四个等离子体反应容器1000a-d之间通过时维持在真空环境中。典型地，基板（或一组基板）将保持在单个基板载体1013中并且保持基板1011的基板载体将连续通过至四个反应容器1000a-d。
本发明的概念处理基板的两面应对光电器件的活动做出贡献的特定器件。例如，本发明可以用于制造异质结电池单元或者制造功率整流器中。

Claims (14)

1.等离子体反应器容器，包括：
真空腔室；
在所述真空腔室中的第一电极；
在所述真空腔室中、与所述第一电极相对并且与所述第一电极间隔的第二电极；
用于在所述真空腔室中提供反应工艺气体的装置；
电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源，用于将主RF电压施加至所述第一和第二电极的其中之一，另一电极接地；
包括导电材料的基板载体，所述基板载体配置为与所述第二电极电接触并且保持基板，使得所述基板的上表面的至少大部分和所述基板的下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且能够暴露于等离子体；
所述反应器容器还包括第三电极，所述第三电极位于所述基板载体与所述第二电极之间，其中所述第三电极与所述第二电极电绝缘；以及
其中所述第三电极和所述基板载体布置为使得，在所述第三电极与被所述基板载体保持的基板之间存在第一隙距。
2.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，还包括配置为将补偿RF电压提供至所述第三电极的补偿装置，所述补偿RF电压具有与所述第一电极和所述第二电极之间的RF电压差的调制相位相反的调制相位。
3.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，其中，所述第三电极与基板之间的所述第一隙距在0.5mm与3mm之间。
4.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，还包括所述第三电极与所述第二电极之间的第二隙距，所述第二隙距将所述第三电极与所述第二电极电绝缘。
5.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，
其中所述补偿装置包括能够生成RF信号的电压源，并且所述第三电极经由馈送线电连接至所述电压源。
6.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，
其中所述补偿装置包括将所述第二电极电连接至所述第三电极的自感线圈。
7.根据权利要求4所述的等离子体反应器容器，
还包括所述第三电极与所述第二电极之间的绝缘间隔元件，所述第二隙距的量值由所述绝缘间隔元件的高度确定。
8.根据权利要求7所述的等离子体反应器容器，
其中，所述绝缘间隔元件包括陶瓷块。
9.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，
其中，所述基板载体配置为保持多个所述基板。
10.根据权利要求9所述的等离子体反应器容器，
其中，所述基板载体包括多个切除部分，每个切除部分适于容纳基板。
11.根据权利要求10所述的等离子体反应器容器，
所述反应器容器包括多个所述第三电极，所述多个第三电极中的每一个与所述基板载体中对应的切除部分对准。
12.一种包括多个等离子体反应器容器的组件，所述多个等离子体反应器容器中的至少一个为根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，其中所述多个等离子体反应器容器中的每一个经由真空通道连接，其中所述真空通道配置为允许基板通过，并且其中所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的上表面处提供等离子体，所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的相对的下表面处提供等离子体。
13.根据权利要求12所述的组件，其中，所述等离子体反应器容器配置为使得每两个等离子体反应器容器中的一个在所述基板的所述上表面上提供等离子体，并且所述每两个等离子体反应器容器中的另一个配置为在所述基板的相对的下表面处提供等离子体。
14.一种用于使用等离子体反应器容器执行等离子体处理的方法，所述等离子体反应器容器包括真空腔室；在所述真空腔室中的第一电极；在所述真空腔室中、与所述第一电极相对并且与所述第一电极间隔的第二电极；用于在所述真空腔室中提供反应工艺气体的装置；电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源，用于将主RF电压施加至所述第一和第二电极的其中之一，另一电极接地；包括导电材料的基板载体，所述基板载体配置为与所述第二电极电接触并且保持基板，使得所述基板的上表面的至少大部分和所述基板的下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且能够暴露于等离子体；位于所述基板载体与所述第二电极之间的第三电极，所述第三电极与所述第二电极电绝缘；以及所述第三电极和所述基板载体布置为使得，在所述第三电极与被所述基板载体保持的基板之间存在第一隙距；
所述方法包括：
将基板载体布置为保持基板；
在所述真空腔室内定位所述基板载体，使得所述基板的上表面或下表面与所述第一或第二电极对准；
移动所述第三电极以在所述基板与所述第三电极之间提供具有预定义值的第一隙距；
移动所述第二和/或第一电极，以便提供等离子体反应器容积；
将主RF电压施加至所述第一或第二电极的其中之一并且将另一电极接地；
将补偿电压施加至所述第三电极，其中所述补偿电压在相位上与施加在所述第一电极和所述第二电极之间的主RF电压差相反；以及
在所述基板与所述第一电极之间的间隙中提供等离子体，然后点燃所述等离子体。
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