JP2001274226A - ウェーハ支持装置 - Google Patents

ウェーハ支持装置

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JP2001274226A
JP2001274226A JP2000089481A JP2000089481A JP2001274226A JP 2001274226 A JP2001274226 A JP 2001274226A JP 2000089481 A JP2000089481 A JP 2000089481A JP 2000089481 A JP2000089481 A JP 2000089481A JP 2001274226 A JP2001274226 A JP 2001274226A
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leaf spring
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support block
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Katsumi Nishikawa
勝己 西川
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 常に適正なクランプ圧で支持し、ウェーハの
割れや欠けなどを防止できるウェーハ支持装置を提供す
ること。 【解決手段】 支持ブロック13の開口部14の内方へ
突出してウェーハWの周縁部に当接する複数の爪部21
をそれぞれ、ウェーハWへの押圧方向に沿って弾性変形
可能な板ばね部材22を介して上記開口部14の周縁に
設ける。載台12上に載置されたウェーハWはベローズ
16の延伸により載台12とともに上昇し、板ばね部材
22を変形させながら爪部21により押圧作用を受け
る。したがって、ウェーハWに作用する過荷重は板ばね
部材22の弾性変形により低減され、周縁部の割れや欠
けの発生が防止される。また、板ばね部材22から押圧
力でウェーハWのクランプ圧が決定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置等
の半導体製造装置用のウェーハ支持装置に関し、更に詳
しくは、常に適正なクランプ圧でウェーハを支持可能な
ウェーハ支持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来技術として、例えば図5に
示すものがある。従来のウェーハ支持装置1は、ウェー
ハWが載置される載台2と、この載台2の上方に位置す
る支持ブロック3とを備え、支持ブロック3には、ウェ
ーハWの被処理面(図中上面)を外部へ露出する開口部
4を有し、この開口部4の周縁からウェーハWの周縁部
に向かって突出する環状の支持部5が設けられている。
載台2の下面には、配管7を介しての圧縮空気の供給、
排気によって伸縮するベローズ6が取り付けられ、当該
ベローズ6の伸縮により、載台2が支持ブロック3に対
して昇降駆動される。
【0003】ウェーハWを支持するときは、図5に示す
状態からベローズ6へ圧縮空気を導入し、支持ブロック
3と一体的な補助部材8を貫通するガイドロッド9のガ
イド作用を得ながら載台2を上昇させる。そして図6に
示すように、載台2の上に載置されたウェーハWの周縁
部全体に支持ブロック3の支持部5を当接させて載台2
の上昇駆動を停止させ、上記圧縮空気の空気圧で定まる
クランプ圧でもってウェーハWを支持する。又、ウェー
ハWの支持作用の解除は、ベローズ6内の圧縮空気を排
気し、ガイドロッド9を復帰位置へ戻す戻しばね10の
付勢力でもって載台2を図5に示す位置へ戻すことによ
り行われる。
【0004】このように構成される従来のウェーハ支持
装置1は、例えば、支持ブロック3の開口部4を介し
て、ウェーハWの被処理面に対して図示しないイオン源
から所定のイオンを注入する、イオン注入装置のエンド
ステーションとして用いられる。
【0005】従来のウェーハ支持装置1は以上のように
構成されるが、上述のように載台2の上昇駆動の上限
を、ウェーハWの周縁部と支持ブロック3の支持部5と
の当接により決定するとともに、ウェーハWのクランプ
圧をベローズ6内の空気圧により定めるようにしている
ため、ベローズ6内へ供給される圧縮空気の圧力の変動
や、ウェーハWの裏面への異物の付着、更には支持部5
の先端の摩耗や変形が生じると、ウェーハWのクランプ
時(支持部5との当接時)にウェーハWに対してダメー
ジを与え、ウェーハWの割れや欠けなどが発生するおそ
れがある。また、このとき発生したウェーハWの破片が
原因で、設備故障やダストを引き起こし、プロセス上、
大きな問題となるおそれがある。
【0006】したがって、真空チャンバ内にあるこのよ
うなウェーハ支持装置1は、ウェーハWに加わる実際の
クランプ圧を知るのが難しいため、上記圧縮空気の圧力
変動や支持部の変形、摩耗を定期的に且つ厳密に、点検
管理しなければならない。
【0007】以上のような問題点を解決する手段とし
て、特開平9-70825 号公報には、ウェーハの周縁部全体
を支持する環状の支持部材と支持ブロックとの間に複数
のコイルばねを介在させ、ウェーハのクランプ時に上記
支持部材を介して上記コイルばねを弾性変形させて、こ
のときの弾性力でもってウェーハを支持する構成が開示
されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に記載の構成
によれば、上記コイルばねの弾性変形によりウェーハへ
の過荷重を吸収しウェーハの割れや欠けを回避できる点
では効果的ではあるが、上述した従来のウェーハ支持装
置1と同様に、当該支持部材が環状に一体的に構成され
ているために、例えばウェーハ裏面に異物が付着してい
たり、支持部材の一部に大きな変形や摩耗が生じていた
りすると、ウェーハ全周に対して均等なクランプ圧を付
与することができず、ウェーハを適正に支持できないお
それがある。すなわち、クランプ圧の不足によるウェー
ハの支持機構からの脱落や、ウェーハ上において過度な
クランプ圧が生じる部位の割れや欠けが引き起こされる
おそれがある。
【0009】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ウェ
ーハを常に適切なクランプ圧でもって支持し、ウェーハ
の脱落や割れ、欠けの発生を防止することができるウェ
ーハ支持装置を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
当たり、本発明は、ウェーハの周縁部を支持する支持部
を、支持ブロックの開口部の内方へ突出してウェーハの
周縁部の複数箇所に当接する複数の爪部から構成し、こ
れら爪部をそれぞれ、ウェーハへの押圧方向に沿って弾
性変形可能な板ばね部材を介して上記開口部の周縁に設
けたことを特徴としている。
【0011】したがって、各々の爪部は他の爪部と常に
独立した状態でウェーハに当接し、各々の板ばねの変形
量に応じた弾性力を付与するので、全体的に均等なクラ
ンプ圧でウェーハを支持することが可能となる。これに
より、載台に対するウェーハの脱落や過度なクランプ圧
の付与によるウェーハの割れや欠けが防止される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。本実施の形態では、本発明
をイオン注入装置におけるウェーハの支持装置に適用し
た例について説明する。
【0013】図1から図3は、本発明の実施の形態によ
るウェーハ支持装置を示している。ウェーハ支持装置1
1は、ウェーハWが載置される載台12と、この載台1
2の上方に位置する支持ブロック13とを備えている。
支持ブロック13には、ウェーハWの被処理面(図中上
面)を外部へ露出する開口部14を有し、この開口部1
4の周縁から後述するような構成でウェーハWの周縁部
を支持する支持部が設けられている。
【0014】載台12の下面には、配管17を介しての
圧縮空気の供給、排気によって伸縮するベローズ16が
取り付けられ、当該ベローズ16の伸縮により、載台1
2が支持ブロック13及びベローズ16の下端が固定さ
れる静止部30に対して昇降駆動される。載台12の昇
降移動は、一端が載台12の下面に固着され、ネジ孔2
9(図3参照)を介して支持ブロック13と一体化され
た補助部材18を貫通する複数本のガイドロッド19の
ガイド作用の下で行われる。これらガイドロッド19の
他端部に形成されるフランジ部19aと補助部材18と
の間には戻しばね20がそれぞれ配置され、載台12の
下降作用をこれら戻しばね20の付勢力で得るようにし
ている。
【0015】本発明に係る支持部は、支持ブロック13
の開口部14の周縁に沿って等間隔に4箇所配置され、
ウェーハWの周縁上に当接する爪部21と、この爪部2
1と支持ブロック13との間を連結する板ばね部材22
と、この板ばね部材22と支持ブロック13との間に配
置されるコイルばね25とを備えている。
【0016】爪部21は例えばアルミニウム合金から成
り、板ばね部材22に対してネジ部材23で固定され
る。板ばね部材22は例えば板厚0.2mm 程度(図中やや
誇張して示す。)のステンレス鋼からなる。支持ブロッ
ク13の下面には、図2に明示するように開口部14か
ら外方に向かって第1、第2及び第3の段部13a、1
3b、13cが形成され、板ばね部材22は、第2の段
部13bに対して一対のネジ部材24、24で固定され
る。
【0017】コイルばね25は、支持ブロック13の第
1の段部13aに形成された凹所13dの底部に一端が
支持され、他端が板ばね部材22の上面に支持されるこ
とにより、板ばね部材22の上方(第1の段部13a
側)への弾性変形に対向して、付勢力を付与する。この
コイルばね25は、板ばね部材22によるウェーハWの
押圧作用を補助するために配置される。板ばね部材22
の下面の一部は、ネジ部材27(図3参照)により支持
ブロック13の第3の段部13cに固定される保護用の
カバー部材26により覆われる。
【0018】図1に示す状態において、図示しない搬送
アームを介してウェーハWが載台12と支持ブロック1
3との間に搬送され、載台12上に載置される。次い
で、図示しない圧縮空気源より圧縮空気を配管17を介
してベローズ16内に供給し、ベローズ16の延伸作用
により載台12を上昇させる。載台12の上昇により、
ウェーハWの周縁部に爪部21が各々当接し、板ばね部
材22を上方に弾性変形させながらベローズ16が伸び
切る位置で載台12の上昇が停止する。このとき、図2
に示すように、ウェーハWの周縁部は、載台12の辺縁
部12aと各々の爪部21との間に挟持され、板ばね部
材22の変形量及びコイルばね25の変形量に応じた弾
性力でもって押圧される。これにより、ウェーハWが載
台12上で支持される。
【0019】したがって、本実施の形態によれば、載台
12側からウェーハWに対して過荷重が加わっても上記
板ばね部材22の変形作用でウェーハWに与えるダメー
ジを低減でき、ウェーハWの割れや欠けが防止される。
また、上記のように載台12の上限位置をベローズ16
が伸び切る位置に設定し、ウェーハのクランプ圧を板ば
ね部材22からの押圧力のみで決定することにより、ベ
ローズ16に導入される圧縮空気の空気圧を専ら載台1
2の上昇駆動にのみ用いるようにして、従来のような当
該空気圧の厳重な管理又は監視負担をなくすことができ
る。
【0020】また、本実施の形態では、ウェーハWを支
持する支持部を独立した複数の爪部21で構成したの
で、たとえ、ウェーハWの裏面に異物が付着していた
り、変形あるいは摩耗が大きい爪部が一部に含まれてい
ても、ウェーハWに対する押圧力を爪部21間で影響し
合うことなく、全体として適正な押圧力で確実にウェー
ハWを支持することができる。
【0021】上記のウェーハ支持装置11では、図4に
模式的に示すように補助部材18に設けられる回動軸2
8の周りに、支持ブロック13、載台12、ベローズ1
6等と共に、ウェーハWをその被処理面が水平面と垂直
となる位置に回動し、この状態で上記開口部14を介し
てウェーハWの被処理面にイオンが注入される。
【0022】なお、このとき、ウェーハWが載台12に
対して移動しない大きさのクランプ圧でもってウェーハ
Wが支持され、このようなクランプ圧を付与できるよう
に上記板ばね部材22の厚さ又は材質が決定されてい
る。
【0023】そこで本実施の形態によれば、ウェーハW
を複数の爪部で支持し、ウェーハWとの接触面積を小さ
くしているので、ダストの発生機会を少なくできるとと
もにウェーハWの被処理面積を大きくとることができ、
半導体装置の生産コストあるいは材料コストの低減を図
ることが可能となる。
【0024】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0025】例えば以上の実施の形態では、爪部21を
支持ブロック13の開口部14周縁に沿って等間隔に4
箇所配置したが、これに限られず、ウェーハWの大きさ
等に応じてその配置位置あるいは配置個数を変更しても
よい。また、板ばね部材22の補助用としてコイルばね
25を配置したが、板ばね部材22単独で実施すること
も可能である。
【0026】また、以上の実施の形態では、本発明のウ
ェーハ支持装置を半導体製造用イオン注入装置に用いた
例を説明したが、イオンミリング装置などのウェーハ支
持装置としても本発明は適用可能である。
【0027】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のウェーハ支
持装置によれば、常に適正なクランプ圧でウェーハを支
持することができるので、ウェーハ周縁部の割れや欠け
を防止して、製造コストの低下、及び設備の安定稼働の
実現を図ることができる。
【0028】請求項2の発明によれば、ウェーハのクラ
ンプ圧を決定する板ばね部材の耐久性を向上させること
ができる。
【0029】請求項4の発明によれば、ウェーハの被処
理面積を大きくして安定したウェーハの支持作用を得る
ことができ、ウェーハチップの歩留りを向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるウェーハ支持装置の
側断面図である。
【図2】同作用を説明する要部の拡大図である。
【図3】本発明に係る支持ブロックの裏面図である。
【図4】同ウェーハ支持装置の作用を説明する側面図で
ある。
【図5】従来のウェーハ支持装置の側断面図である。
【図6】同作用を説明する要部の拡大図である。
【符号の説明】
11…ウェーハ支持装置、12…載台、13…支持ブロ
ック、14…開口部、16…ベローズ、21…爪部、2
2…板ばね部材、25…コイルばね、28…回動軸、W
…ウェーハ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハが載置される載台と、前記ウェ
    ーハの被処理面を外部へ露出する開口部を有する支持ブ
    ロックとを備え、前記ウェーハの周縁部に当接し前記載
    台との間で前記ウェーハを支持する支持部が、前記開口
    部の周縁に沿って設けられるウェーハ支持装置におい
    て、 前記支持部が、前記開口部の内方へ突出して前記ウェー
    ハの周縁部の複数箇所に当接する複数の爪部からなり、 前記爪部がそれぞれ、前記ウェーハへの押圧方向に沿っ
    て弾性変形可能な板ばね部材を介して前記開口部の周縁
    に設けられることを特徴とするウェーハ支持装置。
  2. 【請求項2】 前記板ばね部材と前記支持ブロックとの
    間に、前記板ばね部材を前記ウェーハ側に付勢するコイ
    ルばねが設けられることを特徴とする請求項1に記載の
    ウェーハ支持装置。
  3. 【請求項3】 前記支持ブロックに対して、前記載台を
    昇降駆動する駆動部が設けられることを特徴とする請求
    項1又は請求項2に記載のウェーハ支持装置。
  4. 【請求項4】 前記ウェーハをその被処理面が水平面と
    垂直となる位置に回動可能な回動軸を有し、前記ウェー
    ハを前記位置においた状態で、前記開口部を介して前記
    被処理面にイオンが注入されることを特徴とする請求項
    1に記載のウェーハ支持装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834022B1 (ko) * 2007-01-11 2008-05-30 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 휨 교정장치
CN102751228A (zh) * 2011-06-28 2012-10-24 清华大学 一种利用弹簧夹子的晶圆夹持装置
JP2013502052A (ja) * 2009-08-07 2013-01-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度ヒータ
CN104909295A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 无锡市天力五金弹簧厂 一种多功能抬升器装置
KR20190031357A (ko) * 2017-09-15 2019-03-26 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로버의 웨이퍼 푸셔 장치 및 그 제어 방법
CN109625970A (zh) * 2019-01-23 2019-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 基板搬运机械手
KR20190128889A (ko) * 2018-05-09 2019-11-19 피에스케이홀딩스 주식회사 기판 가압 모듈 및 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
CN113113331A (zh) * 2021-03-17 2021-07-13 杭州沃镭智能科技股份有限公司 一种igbt模组压装设备

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834022B1 (ko) * 2007-01-11 2008-05-30 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 휨 교정장치
JP2013502052A (ja) * 2009-08-07 2013-01-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度ヒータ
US11133210B2 (en) 2009-08-07 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Dual temperature heater
US10325799B2 (en) 2009-08-07 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Dual temperature heater
CN102751228A (zh) * 2011-06-28 2012-10-24 清华大学 一种利用弹簧夹子的晶圆夹持装置
CN102751228B (zh) * 2011-06-28 2014-11-26 清华大学 一种利用弹簧夹子的晶圆夹持装置
CN104909295A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 无锡市天力五金弹簧厂 一种多功能抬升器装置
KR20190031357A (ko) * 2017-09-15 2019-03-26 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로버의 웨이퍼 푸셔 장치 및 그 제어 방법
KR102032348B1 (ko) * 2017-09-15 2019-10-17 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로버의 웨이퍼 푸셔 장치 및 그 제어 방법
KR20190128889A (ko) * 2018-05-09 2019-11-19 피에스케이홀딩스 주식회사 기판 가압 모듈 및 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR102102527B1 (ko) 2018-05-09 2020-04-22 피에스케이홀딩스 (주) 기판 가압 모듈 및 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
US11315807B2 (en) 2018-05-09 2022-04-26 Semigear, Inc. Substrate pressing module, substrate pressing method, substrate treating apparatus including the substrate treating module, and the substrate treating method
CN109625970A (zh) * 2019-01-23 2019-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 基板搬运机械手
CN113113331A (zh) * 2021-03-17 2021-07-13 杭州沃镭智能科技股份有限公司 一种igbt模组压装设备
CN113113331B (zh) * 2021-03-17 2023-12-08 杭州沃镭智能科技股份有限公司 一种igbt模组压装设备

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