KR100278027B1 - 반도체웨이퍼의연마방법및그장치 - Google Patents

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게르트 켈러
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Abstract

본 발명은 지지판의 앞쪽면에 설정하고 그 지지판의 한쪽면을 연마헤드에 의해 연마천으로 커버한 연마판에 소정의 연마압력으로 가압하여 연마하는 반도체웨이퍼의 연마방법에 관한 것이다.
또, 본 발명은 그 방법을 실시하는데 적합한 장치에 관한 것이다.
그 방법은 a) 반도체웨이퍼를 연마하기전에 다수의 압력체임버 중 최소한 하나의 압력체임버에 소정의 압력을 가하여,
b) 그 반도체웨이퍼를 연마할 때 연마압력을 가한 압력체임버의 탄성베어링면을 통하여 지지판의 배면으로 그 연마압력을 전달함을 특징으로 한다.

Description

반도체웨이퍼의 연마방법 및 그 장치
본 발명은 지지판의 앞쪽면에 설정하고, 그 지지판의 한쪽면을 연마천으로 커버한 연마판에 대하여 소정의 연마압력으로 가압하여 연마하는 반도체웨이퍼의 연마방법에 관한 것이다.
또, 본 발명은 그 방법은 실시하는데 적합한 장치에 관한 것이다.
화학적/기계적 연마방법에 의해 반도체웨이퍼를 평면상으로 하는데는 평편하고 결함이 없으며 스무스(smooth)한 반도체웨이퍼를 제조하기 위하여 처리순서에서 중요한 처리공정을 구성한다.
다수의 제조순서에 있어서, 이 연마공정은 최종의 성형공정을 구성한다.
따라서, 그 공정에서는 전기,전자 및 초소형 전자 구성부품을 제공하는데 쓰이는 출발재료로서 반도체웨이퍼를 더 사용하기에 앞서 표면특성을 명백하게 측정할 필요가 있다.
특히 그 연마방법의 목적은 반도체웨이퍼의 양면의 높은 평면도(evenness)와 평행도(parallelism)을 얻으며, 사전처리에 의해 손상을 입는 평면층을 제거하고(손상제거), 그 반도체웨이퍼의 미크로조도(micro roughness)를 감소시키는데 있다.
한쪽면 및 양면 연마방법이 통상 사용된다.
본 발명은 다수의 반도체웨이퍼 배치(batch)의 한쪽면 연마(" 한쪽면 배치연마 : single side batch polishing)에 관한 것이다.
이 방법에서, 반도체웨이퍼의 한쪽면은 지지판의 앞면상에서 지지판과 그 한쪽면 사이에 정가압-연마 맞춤접속(positive and force-fitting connection)으로, 예로서 접착,결합,시멘팅(cementing)또는 진공처리에 의해 설정한다.
일반적으로 그 반도체웨이퍼는 동축링(concentric ring)의 패턴을 형성하도록 지지판상에 설정한다.
그 설정다음에 그 자유로운 반도체웨이퍼의 양면을 연마판에 대하여 가압하며, 그 연마판상에 연마천을 펼처, 소정의 연마압력으로 연마를 한다.
이 공정에서, 그 지지판과 연마판을 통상 서로다른 속도로 회전시킨다.
소정의 연마압력이 압력펀치(punch)에 의해 지지판의 배면에 전달되고, 그 압력펀치는 연마헤드(polishing head)로서 아래에 연결되어 있다.
사용되는 다수의 연마기는 그 배치에서 다수의 연마헤드를 구비하도록 구성시켜 다수의 지지판을 수용할 수 있다.
여러 가지의 요인(factors)에 의해, 반도체웨이퍼의 소정의 평면도(evenness)와 평행도(parallelism)를 달성하기가 어렵다(아래에서는 소정의 반도체웨이퍼 형상이라함).
그 반도체웨이퍼형상은 특히 연마반도체웨이퍼에 있어서 충분하지 않다.
그 반도체웨이퍼의 양면은 서로 평행하지 않고, 오히려 웨지(wedge)형상으로 되어 있다.
예로서, 그 반도체웨이퍼의 소정의 형상이 그 지지판의 배면상에서 약간 비평면으로 됨으로서(unevenness)그 형상에서 편차가 발생한다.
이와같이 비평면(unevenness)으로 됨으로서 그 비평면을 가진 표면과 대향하여게 설정한 반도체웨이퍼상에서 연마가 증감된다.
그 연마에 의해 발생한 반도체웨이퍼의 웨지형상(wedge shape)도 그 반도체웨이퍼상에서 불균일하게 작용하는 연마압력과, 그 결과 불균일하게 되는 재료연마(material abrasion)로 인하여 최대로 된다.
따라서, 그 연마압력은, 그 지지판이 그 자체중량에 의해 연마중에 반경방향으로 변형되고 제조시 관련되는 반경방향의 웨지형상을 갖게 되므로 그 반도체웨이퍼상에서 균일하게 작용하지 않을때가 자주 있다.
구조가 동일한 연마헤드를 사용할 때, 그 연마헤드는 연마압력의 전달에 차이가 존재할 가능성이 있어 사용한 연마헤드의 효과에 의해 그 연마결과에 있어서도 그 효과 그대로 갖게된다.
어떤 경우에는 그 연마천의 초기마모도 다수의 연마통과 과정에서 열화되는 웨이퍼형상의 원인이 된다.
소정의 반도체 웨이퍼형상을 얻기 위하여 위에서 설명한 문제점을 극복하기 위하여, 특허문헌 EP-4033 Al 에서는 그 연마헤드와 지지판의 배면사이에 유연한 탄성체로 구성되는 중간층의 삽입에 대하여 기재되어 있다.
이 방법은, 조작자의 경험과 세심한 주위력에 따라 이 방법의 달성이 주로 좌우되고 조작자는 중간층의 폭에 따라 중간중을 선택, 삽입한 필요가 있으므로 자동화할 수 없고 과오(errors)에 민감하다.
그러나, 이 방법을 실시할 때 과오가 없더라도, 마모 반도체웨이퍼의 웨지형상은 소정의 한정치이상 남아있게 된다.
따라서, 본 발명은 한쪽면 연마기를 사용하여 반도체웨이퍼를 연마할 때 연마마모(polishing abrasion)에 대한 균일성을 향상시켜 특히 연마 반도체웨이퍼의 웨지형상이 근소(slight)하도록 하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 본 발명에 의한 장치의 실시예 단면도.
도 2a 및 도 2b 는 각각 본 발명에 의해 반도체웨이퍼를 연마할 때 웨지형상(wedge shape)을 최소화한 원리의 개략도.
도 3a 및 도 3b 는 각각 본 발명에 의해 반도체웨이퍼를 연마할 때 웨지형상을 최소화한 원리의 개략도.
<도면에 나타낸 주요부의 부호설명>
1 ---- 지지판(support plate)
2 ------ 연마헤드(polishing head)
3 ------ 개방채널(open channel)
4 ------ 압력체임버(pressure chamber)
5 ------- 베어링면(bearing surface)
6 ------ 배면(rear side)
7 ------ 갭(gap)
8 ------ 제어밸브
9 ------ 마스터컴퓨터(master computer)
10 ----- 반도체웨이퍼(semiconductor wafer)
10a,10b ---- 연마 반도체웨이퍼
11 ----- 앞면(front side)
13 ----- 연마판(polishing plate)
14 ----- 진공공구(vacuum tool)
15 ----- 스타퍼(stopper)
16 ------ 측정장치
17 ------ 압력패드(pressure pad)
본 발명은 지지판의 앞쪽면에 설정하고, 그 지지판의 한쪽면을 연마천으로 커버한 연마판에 대하여 소정의 연마압력으로 가압하여 연마하는 반도체웨이퍼의 연마방법에 있어서,
a) 반도체웨이퍼를 연마하기 위하여 다수의 압력 체임버(pressure chambers)중 최소한 하나에 소정의 압력을 가하여,
b) 그 반도체웨이퍼를 연마할 때 압력을 가한 압력체임버의 탄성 베어링면(elastic bearing surface)를 통하여 지지판의 배면의 연마압력을 전달시킴을 특징으로 하는 방법에 주요한 구성을 가진다.
또, 본 발명은 또 a) 압력을 각각 가압시킬수 있고, 동축통로에서 지지판의 배면쪽으로 대향하는 연마헤드 한쪽면에 배열하며, 반도체웨이퍼를 연마할 때 지지판의 배면으로 결합 압력체임버에 압력을 가할때까지 연마압력을 전달하는 탄성 베아링면을 구비한 다수의 압력체임버와,
b) 그 압력체임버에 압력을 가하는 수단을 구성시킴을 특징으로 하는 주요한 구성을 가진다.
본 발명은 예로서 지지판의 탄성변형 또는 지지판 배면의 불균일성으로 인하여, 연마헤드와 지지판 사이에 설치한 압력체임버에 의해 얻어진 국부적인 압력차이를 보상할 수 있어 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
압력을 가하는 압력체임버에 의해 지지판에 전달하는 압력은 원주방향으로 지지판상에 설정된 탄성 베어링면의 모든 지점에서 동일한 값을 가진다.
본 발명의 소정의 효과는 압력을 가하는 압력 체임버가 자동적으로 선택되어 압력을 자동적으로 가하는 기술구성에서 얻어진다.
사용한 지지판과 배치한 연마헤드의 각각의 연마특징은 이와같은 선택을 하는데 고려할 수 있다.
첨부도면에 따라 본 발명을 구체적으로 설명한다.
우선 도 1 에 대하여 설명한다.
도 1 은 본 발명의 방법을 실시하는 장치의 바람직한 한예를 나타낸다.
연마기의 지지판(support plate)(1)쪽으로 대향하는 연마헤드(polishing head)(2)의 한쪽면에는 개방채널(open channel)(3)을 구비한다.
그 개방채널(3)은 지지판의 원주에 평행한 동축통로(concentric path)에 설정되어 있다.
압력체임버(pressure chamber)(4)예로서, 고유강성이 낮은 탄성재로 된 연질튜브 또는 벨로즈(bellows)가 각 채널에 위치되어 있다.
도면에 나타낸 장치는 모든 7개의 압력체임버로 장치되어 있다.
하나의 압력체임버에 가스 또는 액체를 충전시켜 압력을 가할 때, 지지판쪽으로 대향하는 압력체임버의 베어링면(bearing surface)(5)이 그 지지판의 배면에 대하여 가압한다.
그 연마헤드(2)는 진공공구(vacuum tool)(14)를 장착하여 그 진공공구의 도움으로 지지판(1)을 진공(V)처리에 의해 흡인시킬수 있다.
그 압력체임버에 가스 또는 액체를 충전하는데 필요로 하는 연마헤드를 관통하는 라인(lines)을 이 도면에서 생략하였다.
압력체임버에 압력의 처리는 또 " 압력 체임버의 활성화 " 작동(activating the pressure chamber)으로 아래에서 설명한다.
또, 그 반대조작은 " 압력체임버의 실활작동 "(deactivating a pressure chamber)으로 역시 아래에서 설명한다.
구성되어 있는 압력체임버의 수는 사용되는 지지판의 직경과 압력체임버의 베어링면의 폭에 따라 좌우된다.
압력체임버는 2~10 개, 특히 2~3 개의 사용이 바람직하며, 그 압력 체임버의 베어링면은 압력체임버의 활성작동상태에서 폭 10-220mm, 특히 10-30mm 가 바람직하다.
연마헤드와 그 지지판의 배면 사이에는 갭(gap)(7)이 있다.
그 활성작동압력 체임버내의 압력은 그 연마헤드가 어떤일이 있어도 그 갭을 극복해낼 수 없으며(overcome)반도체웨이퍼를 연마할 때 지지판을 손상시킬수 없도록 선택하는 것이 바람직하다.
특히, 메카니컬 배리어(mechanical barrier)에 의해 지지판까지 그 연마헤드의 저하를 방지하는 것이 바람직하다.
도 1 에 의한 실시예에서, 스타퍼(stopper)(15)가 이 목적을 위하여 그 연마헤드에서 일체로 되어 있으며, 그 연마헤드의 작동으로 그 갭(7)의 높이가 최소치이하로 저하되지 않도록 할 수 있다.
그 결과, 연마를 감소시킬수 있는 지지판의 기계적 손상을 신뢰성이 있게 피할 수 있다.
이 연마결과값으로부터, 작동하는 압력체임버의 수와 위치를 산출하여 그 대응하는 압력체임버가 자동적으로 활성작동 또는 실활작동을 하도록 한다.
그 마스터컴퓨터의 연산에서는 연마결과에서 볼 때 각각 사용되는 지지판과 연마헤드의 효과를 깊이 고려하는 것이 바람직하다.
사용되는 지지판과 연마헤드는 예로서 바코드인식(bar code recognition)에 의해 식별할 수 있다.
그 다음으로 마스터컴퓨터는 오프셋(offsets)을 기억한 데이터 베이스에 접근(access)하여 소정의 지지판 또는 소정의 연마헤드 또는 지지판과 연마헤드의 소정의 결합을 사용할 때 어느 체임버가 활성작동 또는 실활작동을 할것인가를 구체적으로 기록한다.
그 오프셋을 규칙적인 간격으로 갱신시킨다음 다수의 선행 연마통과(preceeding polishing passes)의 연마결과를 자동적으로 평가한다.
또, 협소한 공차범위(tolerance range)에 있는 소정의 거리까지 연마할 때 그 갭(gap)(7)의 높이를 조정하는데 효과적이다.
이 측정으로 웨지형성치의 분산을 감소시킨다.
그 제어는 마스터 컴퓨터(9)에 의해 자동적으로 실시할 수 있으며, 그 마스터컴퓨터는 측정장치(16)에 접속되어 있다.
그 마스터컴퓨터는 연속적으로 갭(7)의 실제높이를 기록하여 이 높이와 선택되는 소정의 거리를 비교한다.
그 실제높이는 소정의 상하한치 밖에 있으며, 그 마스터 컴퓨터를 사용하여 압력체임버(4)의 압력을 변화시킴으로써 연마헤드는 갭(7)의 실제높이가 소정의 공차범위내에 있을때까지 상승하강한다.
그 공차범위의 상하한선의 바람직한 값은 각각 4.2mm 와 3.8mm 이다.
그 연마압력은 압력패드(press pad)(17)에 의해 설정하는 것이 바람직하다.
도 2a 와 도 2b 및 도 3a 와 도 3b 는 연마 반도체웨이퍼의 웨지형상에 대한 연마결과를 각각 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2a 는 지지판(1)의 앞면(11)상에 설정시켜 연마판(13)에 대하여 가압시키고 연마천으로 커버시켜 소정의 연마압력을 가하면서 연마하는 연마반도체웨이퍼(10a)가 웨지형상(wedge shape)을 구성하는 상태도를 나타낸다.
그 반도체웨이퍼의 두께는 지지판의 중심쪽방향으로 감소된다.
이와같은 두께 감소로 인하여 포지티브 웨지형상(positive wedge shape)을 나타낸다.
도 3a에서 그 상태는 역으로 된다.
나타낸 반도체웨이퍼(10)는 네가티브 웨지형상(negative wedge shape)을 가진다.
두 경우, 예로서 반경방향에서 웨지형상으로 변형한 지지판 또는 반경방향에서 서로 다른 범위로 마모된 연마천을 사용하여(도시생략)화살표로 나타낸 연마압력의 전달 중심점이 이 상태에 적합한 위치에 있지 않기 때문에 반도체웨이퍼의 웨지형상이 발생한다.
도 2a에서 나타낸 바와같이, 6개의 허용할 수 있는 모든 압력 체임버(4)는 작동하여 체임버 사이의 압력보상에 의해 동일한 압력을 받는다.
그 연마압력의 전달중심점은 반도체웨이퍼의 거리중심위에 위치된다.
도 3a 를 설명하면, 반도체웨이퍼를 네가티브웨지형상으로 유도하는 연마를 할 때 3개의 외압 체임버는 작동하여 연마압력의 전달중심은 그 반도체웨이퍼의 에지영역 위에 위치한다.
그 다음 연마통과에서 반도체웨이퍼의 양면이 더 높은 평면도(evenness)와 평행도(parallelism)를 구비하는 위치를 얻기 위하여, 그 연마압력의 전달중심은 그 압력체임버(4)의 도움으로 이동한다.
이것을 도 2b 및 3b에서 나타낸다.
그 다음으로 연마 반도체웨이퍼(10b)의 또 다른 포지티브 웨지형상이 이들 반도체 웨이퍼를 연마하기전에 3개의 압력체임버를 나타낸 실예에서 절환내부(switching off inner)에 의해 반작동을 한다(counteract).
그 결과, 압력전달의 중심이 반경방향에서 외측으로 이동하여, 그 중심은 그 반도체 웨이퍼(10b)의 에지영역(도 2b)위에 위치한다.
그 다음으로 연마반도체웨이퍼(10b)의 또 다른 네가티브 웨지형상은 이들의 반도체웨이퍼가 연마하기전에 3개의 압력체임버를 나타낸 실시예에서 활성작동내부에 의해 반작동을 한다.
그 결과, 그 압력전달의 중심은 반경방향에서 내측으로 이동하여, 그 중심은 그 반도체웨이퍼(10b)의 중심 위에 위치한다(도 3b).
본 발명의 방법을 여러 가지로 변형시킬 수 있다는 것은 위 설명에서 명백하게 알수 있다.
최소한 하나의 압력체임버를 반도체웨이퍼가 연마될 때 작동시켜 연마압력을 지지판의 배면으로 전달시키는 것만이 전제조건이 된다.
작동압력 체임버 사이에서 압력보상을 제공하는 것이 바람직하며, 절대적으로 필요한 것은 아니다.
도 2a , 도 2b 및 도 3a , 도 3b 에 나타낸 활성 작동압력 체임버의 순서는 동일하게 하나의 실시예에 불과하다.
또, 적합한 경우, 소정의 웨이퍼형상을 얻기 위하여 활성작동압력체임버를 1개 이상의 실활작동압력 체임버 다음에만 설정하는 순서로 선택하는 것이 필요하다.
또, 연마할 때 1개 이상의 외압체임버의 실활작동이 필요하다.
실시예
4개의 연마헤드를 장치한 시판용 한쪽면 연마기를 사용하여 수백회의 연마통과를 실시하였다.
각각의 연마통과후 바람직한 방향에 따르는 연마 반도체웨이퍼의 웨지형상을 측정하였다.
아래의 표 1 은 그 웨지형상에 대하여 구한 분산 평균치를 나타내며, 표2 및 표 3 은 동축링형상의 지지판 앞면에 설정한 반도체웨이퍼의 웨지형상의 평균치를 나타낸다.
일련의 연마통과(대비)에서 특허문헌 EP-4033 Al 에 기재되어 있는바와같이 중간층을 삽입시켜 연마결과를 향상시켰다.
모든 다른 연마통과에서, 본 발명을 사용하였다(테스트순서 A , 테스트 순서 B+ , B- , C+ , C-). 사용한 지지판(테스트 순서 B+ 및 B-)과 배치한 연마헤드(테스트순서 C+ 및 C--)의 연마결과에 대한 각각의 특징을 고려한 오프셋의 효과를 또 테스트하였다("+" 는 오프셋 연마통과를 나타내며, "-" 는 오프셋없는 연마통과를 나타낸다
각각의 표에서는 O(zero)에서 목표치로부터의 평균편차(포지티브 또는 게가티브 웨지형상)를 나7타낸다.
표 1
연마헤드 1 연마헤드 2
대 비테스트순서 A 0.7 0.60.3 0.4
표 2
연마헤드 1 연마헤드 2 연마헤드 3 연마헤드 4
테스트순서 B -테스트순서 B+ -0.2 -1 0.5 0.2-0.1 0.2 -0.1 0.2
표 3
연마헤드 1 연마헤드 2 연마헤드 3 연마헤드 4
테스트순서 C -테스트순서 C+ 0.5 -0.1 0.1 00.1 -0.1 0.1 0
본 발명에 의해, 반도체웨이퍼를 연마할 때 연마마모에 대한 균일성을 향상시키며, 연마반도체웨이퍼의 웨지형상을 근소(slight)하게 할수 있다.
또, 본 발명에 의해 지지판의 탄성변형 또는 지지판 배면의 불균일성으로 인하여 연마헤드와 지지판 사이에 설치한 압력체임버에 의해 얻어진 국부적인 압력차이를 보상할 수 있다.
압력체임버에 의해 지지판에 전달하는 압력은 지지판상의 탄성 베어링면의 모든 지점에서 동일한 값을 가지며, 압력을 가하는 압력체임버가 자동적으로 선택되어 압력을 자동적으로 가하는 구성을 가진다.

Claims (12)

  1. 지지판(support plate)의 앞면에 설정하며, 각각의 반도체 웨이퍼의 한쪽면이 연마판에 대하여 가압하고, 그 연마판은 연마천으로 커버시켜 소정의 연마압력으로 반도체 웨이퍼를 연마시키는 반도체 웨이퍼의 연마방법에 있어서,
    a) 그 반도체 웨이퍼를 연마하기 전에 원주를 가진 지지판의 그 원주에 평행한 동축통로에 설정되어 있는 다수의 압력 체임버중 최소한 하나에 여러 가지의 주어진 압력을 가하여,
    b) 그 반도체 웨이퍼를 연마할 때 탄성 베어링면(elastic bearing surface)을 가진 압력 체임버가 그 지지판의 배면에 그 연마압력을 전달하도록 하는 스텝으로 구성시켜,
    그 반도체 웨이퍼를 연마할 때 스텝(a)에서 압력을 가하는 압력체임버의 탄성 베어링면을 통하여 그 지지판의 배면으로 그 연마압력을 전달함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    다수의 압력 체임버에 압력을 가할 때 압력을 가한 압력 체임버사이에서 압력 보상(pressure compensation)을 실시함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    연마통과(polishing pass)전에 컴퓨터에 의해 자동적으로 압력을 가하는 압력 체임버를 선택함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    그 압력 체임버를 선택할 때에는 사용한 지지판과 설치한 연마헤드의 압력 체임버의 사전선택을 예비결정하는 오프셋(off sets)을 산정(account)함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    그 연마를 할 때 소정의 공차범위내에서 갭(gap)을 유지시키기 위하여 그 연마헤드와 지지판의 배면사이에서 갭의 높이를 자동적으로 조정함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    메카니컬 베리어(mechanical barrier)를 사용하여 그 갭의 높이가 최저치이하로 저하되는 것을 방지함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  7. 반도체 웨이퍼의 연마장치에 있어서,
    앞면과 배면을 가진 지지판과, 연마할 때 지지판의 앞면에 고정시킨 반도체 웨이퍼를 연마천으로 커버시킨 연마판에 대하여 소정의 연마압력으로 가압하는 연마헤드를 구성하며,
    (a) 각각 압력을 가할 수 있고, 그 지지판의 배면쪽으로 대향하는 연마헤드의 한쪽면상에서 동축통로(concentric path)내에 배열하며, 반도체 웨이퍼를 연마할 때 하나의 압력 체임버내에 압력을 가할 경우 원주를 가진 지지판의 배면에 연마압력을 전달하는 탄성 베어링면을 가지며, 그 지지판의 원주에 평행한 동축통로내에 설치하는 다수의 압력 체임버와,
    (b) 그 압력 체임버에 압력을 가하는 수단을 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    그 압력을 가하는 압력 체임버사이에 압력보상을 실시하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    그 압력 체임버는 2~10개를 가지며, 각각의 그 압력 체임버는 폭 10~220㎜의 베어링면(bearing surface)를 가짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    연마통과(polishing pass)전에 압력을 가하도록 하는 압력 체임버를 선택하여, 이들의 압력 체임버에 압력을 자동적으로 가하는 마스터 컴퓨터(master computer)를 더 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    그 연마헤드와 지지판의 배면사이에 있는 갭이 최저높이이하로 저하되지 않도록 작동하는 메카니컬 배리어(mechanical barrier)를 더 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    그 연마헤드와 지지판의 배면사이에서 갭의 높이를 조절하는 컴퓨터 제어 시스템(computer-assisted control system)을 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
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