JP2003037088A - Ｃｍｐ装置 - Google Patents
Ｃｍｐ装置Info
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- JP2003037088A JP2003037088A JP2001224477A JP2001224477A JP2003037088A JP 2003037088 A JP2003037088 A JP 2003037088A JP 2001224477 A JP2001224477 A JP 2001224477A JP 2001224477 A JP2001224477 A JP 2001224477A JP 2003037088 A JP2003037088 A JP 2003037088A
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- wafer
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部の各通
気孔は、すべて空隙部で連通しており、各通気孔を通し
て均一な圧力で押圧するが、実際の半導体ウェーハには
微小ではあるが反りやうねりがあり、保持面と半導体ウ
ェーハとの密着レベルには若干の面内バラツキが生じ
た。 【解決手段】 本発明のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部
１０１のステージ１０２は、半径の異なる同心円の円周
上に均等に配列されている通気孔１０３を有し、各同心
円上に配列された通気孔１０３のグループ毎に共通の空
隙部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄで接続さ
れ、各通気部１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ
を有する接続部１０６を通じて、個別のポンプ１０７
ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄに接続されており、
圧力気体の圧力は各同心円上に配列された通気孔１０３
のグループ毎に制御できるようになっている。
気孔は、すべて空隙部で連通しており、各通気孔を通し
て均一な圧力で押圧するが、実際の半導体ウェーハには
微小ではあるが反りやうねりがあり、保持面と半導体ウ
ェーハとの密着レベルには若干の面内バラツキが生じ
た。 【解決手段】 本発明のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部
１０１のステージ１０２は、半径の異なる同心円の円周
上に均等に配列されている通気孔１０３を有し、各同心
円上に配列された通気孔１０３のグループ毎に共通の空
隙部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄで接続さ
れ、各通気部１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ
を有する接続部１０６を通じて、個別のポンプ１０７
ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄに接続されており、
圧力気体の圧力は各同心円上に配列された通気孔１０３
のグループ毎に制御できるようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰ装置に関
し、特に被処理物の研磨の均一性を向上させることがで
きるＣＭＰ装置に関する。
し、特に被処理物の研磨の均一性を向上させることがで
きるＣＭＰ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、被処理物として例えば、半導
体ウェーハの表面を研磨するための装置として、半導体
ウェーハを圧力気体により回転するテーブルに均一な圧
力で押当てることで、研磨の加工精度を向上させるＣＭ
Ｐ装置が使用されている。
体ウェーハの表面を研磨するための装置として、半導体
ウェーハを圧力気体により回転するテーブルに均一な圧
力で押当てることで、研磨の加工精度を向上させるＣＭ
Ｐ装置が使用されている。
【０００３】従来のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部の一
例を要部断面図として示す図３（ａ）及び被処理物の保
持面を平面図として示す図３（ｂ）を用いて説明する。
但し、図３（ａ）は、被処理物として半導体ウェーハが
保持されている状態を示す。図３（ａ）に示すように、
ウェーハホルダ部１のステージ２の裏面にはパッド３が
貼付されている。このステージ２及びパッド３には、複
数の通気孔４が開口されており、この通気孔４は半導体
ウェーハ５をパッド３に吸着するための吸着孔の役目
と、半導体ウェーハ５を回転テーブル（図示せず）に押
当てる圧力気体の供給孔の役目を有している。また、こ
れらの通気孔４は共通の空隙部６に接続されており、ス
テージ２の上壁部には、空隙部６内の気体を吸引する
か、または、空隙部６内に圧力気体を供給するための通
気部７を有する接続部８が形成されており、この接続部
８は気体を吸引または供給するポンプ９に接続されてい
る。尚、図３（ｂ）に示すように、通気孔４は、例え
ば、ステージ２の中心から半径の異なる同心円の円周上
に均等に配列されている。これは、半導体ウェーハ５の
面内を均一に吸着または押圧可能とするためである。ま
た、ステージ２及びパッド３の端面には、これらを取囲
むように保持リング１０が取付けられている。この保持
リング１０は、パッド３の表面から下方に若干突出して
おり、この保持リング１０により半導体ウェーハ５の周
端面が保持されるようになっている。このように、ＣＭ
Ｐ装置のウェーハホルダ部１が構成されている。
例を要部断面図として示す図３（ａ）及び被処理物の保
持面を平面図として示す図３（ｂ）を用いて説明する。
但し、図３（ａ）は、被処理物として半導体ウェーハが
保持されている状態を示す。図３（ａ）に示すように、
ウェーハホルダ部１のステージ２の裏面にはパッド３が
貼付されている。このステージ２及びパッド３には、複
数の通気孔４が開口されており、この通気孔４は半導体
ウェーハ５をパッド３に吸着するための吸着孔の役目
と、半導体ウェーハ５を回転テーブル（図示せず）に押
当てる圧力気体の供給孔の役目を有している。また、こ
れらの通気孔４は共通の空隙部６に接続されており、ス
テージ２の上壁部には、空隙部６内の気体を吸引する
か、または、空隙部６内に圧力気体を供給するための通
気部７を有する接続部８が形成されており、この接続部
８は気体を吸引または供給するポンプ９に接続されてい
る。尚、図３（ｂ）に示すように、通気孔４は、例え
ば、ステージ２の中心から半径の異なる同心円の円周上
に均等に配列されている。これは、半導体ウェーハ５の
面内を均一に吸着または押圧可能とするためである。ま
た、ステージ２及びパッド３の端面には、これらを取囲
むように保持リング１０が取付けられている。この保持
リング１０は、パッド３の表面から下方に若干突出して
おり、この保持リング１０により半導体ウェーハ５の周
端面が保持されるようになっている。このように、ＣＭ
Ｐ装置のウェーハホルダ部１が構成されている。
【０００４】半導体ウェーハ５を研磨する場合には、先
ず、ウェーハホルダ部１の保持リング１０に半導体ウェ
ーハ５を保持した後、ポンプ９をウェーハホルダ部１内
の気体を吸引するように駆動させる。これにより、空隙
部６内が真空となり、半導体ウェーハ５の保持面となる
パッド３に半導体ウェーハ５が真空吸着される。次に、
ウェーハホルダ部１は、半導体ウェーハ５を吸着した状
態で回転テーブル（図示せず）上に半導体ウェーハ５を
搬送する。次に、ポンプ９を圧力気体を供給するように
駆動させることにより、半導体ウェーハ５を回転テーブ
ル（図示せず）の表面に押当てて、半導体ウェーハ５の
表面をＣＭＰ処理する。その後、再度、ポンプ９をウェ
ーハホルダ部１内の気体を吸引するように駆動させるこ
とにより、半導体ウェーハ５をパッド３の表面に吸着さ
せて、所定の位置まで搬送する。尚、当然、気体を吸引
するポンプと圧力気体を供給するポンプとを別のポンプ
を用いる構成としてもよい。
ず、ウェーハホルダ部１の保持リング１０に半導体ウェ
ーハ５を保持した後、ポンプ９をウェーハホルダ部１内
の気体を吸引するように駆動させる。これにより、空隙
部６内が真空となり、半導体ウェーハ５の保持面となる
パッド３に半導体ウェーハ５が真空吸着される。次に、
ウェーハホルダ部１は、半導体ウェーハ５を吸着した状
態で回転テーブル（図示せず）上に半導体ウェーハ５を
搬送する。次に、ポンプ９を圧力気体を供給するように
駆動させることにより、半導体ウェーハ５を回転テーブ
ル（図示せず）の表面に押当てて、半導体ウェーハ５の
表面をＣＭＰ処理する。その後、再度、ポンプ９をウェ
ーハホルダ部１内の気体を吸引するように駆動させるこ
とにより、半導体ウェーハ５をパッド３の表面に吸着さ
せて、所定の位置まで搬送する。尚、当然、気体を吸引
するポンプと圧力気体を供給するポンプとを別のポンプ
を用いる構成としてもよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部の各通気孔は、すべて
空隙部で連通しており、圧力気体を供給したとき半導体
ウェーハは各通気孔を通して均一な圧力で押圧されるこ
とになる。ところが、実際の半導体ウェーハには微小で
はあるが反りやうねりがあることや、回転テーブルの位
置の違いによる平面度の差や半導体ウェーハと回転テー
ブル間に流入する研磨剤の介在量の偏りなどにより、保
持面と半導体ウェーハとの密着レベルには若干の面内バ
ラツキが生じる。また、これら密着レベルの面内バラツ
キの要因は、半導体ウェーハの半径に依存する傾向があ
った。当然、この密着レベルの面内バラツキは研磨の均
一性を損なうものであり、研磨の均一性を更に向上させ
るためには、これを改善する必要があった。
のＣＭＰ装置のウェーハホルダ部の各通気孔は、すべて
空隙部で連通しており、圧力気体を供給したとき半導体
ウェーハは各通気孔を通して均一な圧力で押圧されるこ
とになる。ところが、実際の半導体ウェーハには微小で
はあるが反りやうねりがあることや、回転テーブルの位
置の違いによる平面度の差や半導体ウェーハと回転テー
ブル間に流入する研磨剤の介在量の偏りなどにより、保
持面と半導体ウェーハとの密着レベルには若干の面内バ
ラツキが生じる。また、これら密着レベルの面内バラツ
キの要因は、半導体ウェーハの半径に依存する傾向があ
った。当然、この密着レベルの面内バラツキは研磨の均
一性を損なうものであり、研磨の均一性を更に向上させ
るためには、これを改善する必要があった。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、保持面と半導体ウェーハとの密着レベルを
個別に制御可能とするＣＭＰ装置を提供することを目的
とする。
のであって、保持面と半導体ウェーハとの密着レベルを
個別に制御可能とするＣＭＰ装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、被処理物を保持する保持
面に異なる半径の同心円上に配置された通気孔を通して
圧力気体を供給し、被処理物を回転テーブルに押当てて
被処理物の研磨面を研磨するＣＭＰ装置において、圧力
気体の圧力が各同心円上に配置された通気孔のグループ
毎に個別に制御可能であることを特徴とするＣＭＰ装置
である。
するために提案されたもので、被処理物を保持する保持
面に異なる半径の同心円上に配置された通気孔を通して
圧力気体を供給し、被処理物を回転テーブルに押当てて
被処理物の研磨面を研磨するＣＭＰ装置において、圧力
気体の圧力が各同心円上に配置された通気孔のグループ
毎に個別に制御可能であることを特徴とするＣＭＰ装置
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に基づくＣＭＰ装置のウェ
ーハホルダ部の一例を要部断面図として示す図１（ａ）
及び被処理物の保持面を平面図として示す図１（ｂ）を
用いて説明する。但し、図１（ａ）は、被処理物として
半導体ウェーハが保持されている状態を示す。図１
（ａ）に示すように、ウェーハホルダ部１０１のステー
ジ１０２の裏面にはパッド３が貼付されている。このス
テージ１０２及びパッド３には、複数の通気孔１０３が
開口されており、この通気孔１０３は半導体ウェーハ５
をパッド３に吸着するための吸着孔の役目と、半導体ウ
ェーハ５を回転テーブル（図示せず）に押当てる圧力気
体の供給孔の役目を有している。また、これらの通気孔
１０３は、図１（ｂ）に示すように、ステージ１０２の
中心から半径の異なる同心円の円周上に均等に配列され
ている。各同心円上に配列された通気孔１０３のグルー
プ毎に共通の空隙部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１
０４ｄで接続されている。各空隙部１０４ａ，１０４
ｂ，１０４ｃ，１０４ｄは、それぞれと接続されたステ
ージ１０２上壁部の各通気部１０５ａ，１０５ｂ，１０
５ｃ，１０５ｄを有する接続部１０６を通じて、個別の
ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄに接続
されており、これらのポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０
７ｃ，１０７ｄによって、圧力気体の圧力は各同心円上
に配列された通気孔１０３のグループ毎に制御できるよ
うになっている。また、各同心円上に配列された通気孔
１０３のグループ毎に代表して１個の通気孔１０３近傍
にパッド３と半導体ウェーハ５との密着レベルを測定す
る測定機構としてパッド３と半導体ウェーハ５間の隙間
を測定可能な例えば、接触式のデジタルダイヤルゲージ
の測定子１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄを具
備している。測定子１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１
０８ｄは、モニタ１０９と接続され、測定子１０８ａ，
１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄで測定された隙間データ
の分布は、モニタ１０９に表示され密着レベルが定量的
に把握できるようになっている。尚、ここでは、隙間測
定ゲージとして接触式のデジタルダイヤルゲージで説明
したが、特にこれに限るものではなく、例えば渦電流損
を利用した非接触式変位測定装置であってもよい。ま
た、更には、パッド３と半導体ウェーハ５との密着レベ
ルを測定する測定機構として、半導体ウェーハ５がパッ
ド３を押返す圧力を測定する機構としてもよく、この場
合は、上記のデジタルダイヤルゲージの測定子１０８
ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄの代わりに、例え
ば、ストレインゲージ型圧力計（図示せず）を備える構
成とする。また、ステージ１０２及びパッド３の端面に
は、これらを取囲むように保持リング１０が取付けられ
ている。この保持リング１０は、パッド３の表面から下
方に若干突出しており、この保持リング１０により半導
体ウェーハ５の周端面が保持されるようになっている。
このように、ＣＭＰ装置のウェーハホルダ部１０１が構
成されている。
ーハホルダ部の一例を要部断面図として示す図１（ａ）
及び被処理物の保持面を平面図として示す図１（ｂ）を
用いて説明する。但し、図１（ａ）は、被処理物として
半導体ウェーハが保持されている状態を示す。図１
（ａ）に示すように、ウェーハホルダ部１０１のステー
ジ１０２の裏面にはパッド３が貼付されている。このス
テージ１０２及びパッド３には、複数の通気孔１０３が
開口されており、この通気孔１０３は半導体ウェーハ５
をパッド３に吸着するための吸着孔の役目と、半導体ウ
ェーハ５を回転テーブル（図示せず）に押当てる圧力気
体の供給孔の役目を有している。また、これらの通気孔
１０３は、図１（ｂ）に示すように、ステージ１０２の
中心から半径の異なる同心円の円周上に均等に配列され
ている。各同心円上に配列された通気孔１０３のグルー
プ毎に共通の空隙部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１
０４ｄで接続されている。各空隙部１０４ａ，１０４
ｂ，１０４ｃ，１０４ｄは、それぞれと接続されたステ
ージ１０２上壁部の各通気部１０５ａ，１０５ｂ，１０
５ｃ，１０５ｄを有する接続部１０６を通じて、個別の
ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄに接続
されており、これらのポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０
７ｃ，１０７ｄによって、圧力気体の圧力は各同心円上
に配列された通気孔１０３のグループ毎に制御できるよ
うになっている。また、各同心円上に配列された通気孔
１０３のグループ毎に代表して１個の通気孔１０３近傍
にパッド３と半導体ウェーハ５との密着レベルを測定す
る測定機構としてパッド３と半導体ウェーハ５間の隙間
を測定可能な例えば、接触式のデジタルダイヤルゲージ
の測定子１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄを具
備している。測定子１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１
０８ｄは、モニタ１０９と接続され、測定子１０８ａ，
１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄで測定された隙間データ
の分布は、モニタ１０９に表示され密着レベルが定量的
に把握できるようになっている。尚、ここでは、隙間測
定ゲージとして接触式のデジタルダイヤルゲージで説明
したが、特にこれに限るものではなく、例えば渦電流損
を利用した非接触式変位測定装置であってもよい。ま
た、更には、パッド３と半導体ウェーハ５との密着レベ
ルを測定する測定機構として、半導体ウェーハ５がパッ
ド３を押返す圧力を測定する機構としてもよく、この場
合は、上記のデジタルダイヤルゲージの測定子１０８
ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄの代わりに、例え
ば、ストレインゲージ型圧力計（図示せず）を備える構
成とする。また、ステージ１０２及びパッド３の端面に
は、これらを取囲むように保持リング１０が取付けられ
ている。この保持リング１０は、パッド３の表面から下
方に若干突出しており、この保持リング１０により半導
体ウェーハ５の周端面が保持されるようになっている。
このように、ＣＭＰ装置のウェーハホルダ部１０１が構
成されている。
【０００９】半導体ウェーハ５を研磨する場合には、先
ず、ウェーハホルダ部１０１の保持リング１０に半導体
ウェーハ５を保持した後、ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，
１０７ｃ，１０７ｄをウェーハホルダ部１０１内の気体
を吸引するように駆動させる。これにより、空隙部１０
４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ内が真空となり、
半導体ウェーハ５の保持面となるパッド３に半導体ウェ
ーハ５が真空吸着される。次に、ウェーハホルダ部１０
１は、半導体ウェーハ５を吸着した状態で回転テーブル
（図示せず）上に半導体ウェーハ５を搬送する。次に、
ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄを圧力
気体を供給するように駆動させることにより、半導体ウ
ェーハ５を回転テーブル（図示せず）の表面に押当て
て、半導体ウェーハ５の表面をＣＭＰ処理する。このと
き、デジタルダイヤルゲージの測定子１０８ａ，１０８
ｂ，１０８ｃ，１０８ｄでパッド３と半導体ウェーハ５
との間の隙間寸法を測定し、隙間データの分布をモニタ
１０９に表示させ、この情報に基づいて、個別に圧力制
御可能なポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７
ｄを駆使し、密着レベルの半導体ウェーハ５面内バラツ
キを低減させつつＣＭＰ処理する。その後、再度、ポン
プ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄをウェーハ
ホルダ部１０１内の気体を吸引するように駆動させるこ
とにより、半導体ウェーハ５をパッド３の表面に吸着さ
せて、所定の位置まで搬送する。
ず、ウェーハホルダ部１０１の保持リング１０に半導体
ウェーハ５を保持した後、ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，
１０７ｃ，１０７ｄをウェーハホルダ部１０１内の気体
を吸引するように駆動させる。これにより、空隙部１０
４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ内が真空となり、
半導体ウェーハ５の保持面となるパッド３に半導体ウェ
ーハ５が真空吸着される。次に、ウェーハホルダ部１０
１は、半導体ウェーハ５を吸着した状態で回転テーブル
（図示せず）上に半導体ウェーハ５を搬送する。次に、
ポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄを圧力
気体を供給するように駆動させることにより、半導体ウ
ェーハ５を回転テーブル（図示せず）の表面に押当て
て、半導体ウェーハ５の表面をＣＭＰ処理する。このと
き、デジタルダイヤルゲージの測定子１０８ａ，１０８
ｂ，１０８ｃ，１０８ｄでパッド３と半導体ウェーハ５
との間の隙間寸法を測定し、隙間データの分布をモニタ
１０９に表示させ、この情報に基づいて、個別に圧力制
御可能なポンプ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７
ｄを駆使し、密着レベルの半導体ウェーハ５面内バラツ
キを低減させつつＣＭＰ処理する。その後、再度、ポン
プ１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄをウェーハ
ホルダ部１０１内の気体を吸引するように駆動させるこ
とにより、半導体ウェーハ５をパッド３の表面に吸着さ
せて、所定の位置まで搬送する。
【００１０】尚、上記では、密着レベルの測定データに
基づいてマニュアルで圧力気体の圧力を調整する構成と
したが、密着レベルの測定データを基にポンプを制御す
る制御部（図示せず）を配備し自動制御するようにして
もよい。
基づいてマニュアルで圧力気体の圧力を調整する構成と
したが、密着レベルの測定データを基にポンプを制御す
る制御部（図示せず）を配備し自動制御するようにして
もよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明のＣＭＰ装置によれば、保持面と
被処理物との密着レベルの分布を定量的に把握し、密着
レベルの面内バラツキを部分的に調整しつつ研磨できる
ため、研磨の均一性を向上させることができる。
被処理物との密着レベルの分布を定量的に把握し、密着
レベルの面内バラツキを部分的に調整しつつ研磨できる
ため、研磨の均一性を向上させることができる。
【図１】 本発明のＣＭＰ装置の一実施例の要部断面図
及び平面図
及び平面図
【図２】 従来のＣＭＰ装置の要部断面図及び平面図
３ パッド
５ 半導体ウェーハ
１０ 保持リング
１０１ ウェーハホルダ部
１０２ ステージ
１０３ 通気孔
１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４ｄ 空隙部
１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ 通気部
１０６ 接続部
１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ ポンプ
１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ デジタルダ
イヤルゲージの測定子 １０９ モニタ
イヤルゲージの測定子 １０９ モニタ
Claims (5)
- 【請求項１】被処理物を保持する保持面に異なる半径の
同心円上に配置された通気孔を通して圧力気体を供給
し、被処理物を回転テーブルに押当てて被処理物の研磨
面を研磨するＣＭＰ装置において、圧力気体の圧力が各
同心円上に配置された通気孔のグループ毎に個別に制御
可能であることを特徴とするＣＭＰ装置。 - 【請求項２】被処理物は、半導体ウェーハであることを
特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項３】異なる半径の同心円上に配置された通気孔
のグループ毎に、通気孔近傍に保持面と被処理物との密
着レベルを測定する測定機構を具備したことを特徴とす
る請求項１に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項４】前記測定機構は、保持面と被処理物との密
着圧力を測定する圧力測定機構であることを特徴とする
請求項３に記載のＣＭＰ装置。 - 【請求項５】前記測定機構は、保持面と被処理物との間
の隙間を測定する隙間測定機構であることを特徴とする
請求項３に記載のＣＭＰ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224477A JP2003037088A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | Ｃｍｐ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224477A JP2003037088A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | Ｃｍｐ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037088A true JP2003037088A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19057626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001224477A Pending JP2003037088A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | Ｃｍｐ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037088A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100898793B1 (ko) | 2005-12-29 | 2009-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자용 기판 합착 장치 |
| KR101041871B1 (ko) | 2009-08-14 | 2011-06-16 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 및 그의 기판 슬립 감지 방법 |
| KR102041044B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2019-11-05 | 피에스케이홀딩스 주식회사 | 기판 지지 유닛 |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001224477A patent/JP2003037088A/ja active Pending
Cited By (4)
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