JPH11108644A - 基板平面度測定装置 - Google Patents
基板平面度測定装置Info
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- JPH11108644A JPH11108644A JP29031397A JP29031397A JPH11108644A JP H11108644 A JPH11108644 A JP H11108644A JP 29031397 A JP29031397 A JP 29031397A JP 29031397 A JP29031397 A JP 29031397A JP H11108644 A JPH11108644 A JP H11108644A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一定圧力で半導体基板を保持部に押しつけた
状態で半導体基板の平面度を測定可能な装置を提供でき
るようにする。 【解決手段】 基板保持部２と、前記基板保持部２にバ
ッキング材３を介して載置された半導体基板４の端部を
保持するリテーナ５と、前記リテーナ５の上にブロック
リング６を介して、前記半導体基板４に対向する位置に
配置したオプティカルフラット８と、前記バッキング材
３を介して前記基板保持部２に保持された前記半導体基
板４の表面と前記オプティカルフラット８の表面との隙
間距離を測定する平面度測定部９と、前記半導体基板４
の表面に一定の圧力を与える圧力空気供給負荷部１１
と、前記圧縮空気７が前記バッキング材３側に入り込む
のを防止する気密用薄膜シート１０とを備え、前記半導
体基板を一定圧力で前記基板保持部２に押しつけた状態
で半導体基板４の平面度を測定できるようにする。
状態で半導体基板の平面度を測定可能な装置を提供でき
るようにする。 【解決手段】 基板保持部２と、前記基板保持部２にバ
ッキング材３を介して載置された半導体基板４の端部を
保持するリテーナ５と、前記リテーナ５の上にブロック
リング６を介して、前記半導体基板４に対向する位置に
配置したオプティカルフラット８と、前記バッキング材
３を介して前記基板保持部２に保持された前記半導体基
板４の表面と前記オプティカルフラット８の表面との隙
間距離を測定する平面度測定部９と、前記半導体基板４
の表面に一定の圧力を与える圧力空気供給負荷部１１
と、前記圧縮空気７が前記バッキング材３側に入り込む
のを防止する気密用薄膜シート１０とを備え、前記半導
体基板を一定圧力で前記基板保持部２に押しつけた状態
で半導体基板４の平面度を測定できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板平面度測定装置
に関し、特に、半導体基板をワックスレスで保持する方
式の研磨装置に関する。
に関し、特に、半導体基板をワックスレスで保持する方
式の研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、基板保持部に半導体基板を真空
吸着した状態で半導体基板の平面度を測定していた。例
えば、特開平５−３１５３０６号公報では、真空孔が多
数形成された吸着面に半導体基板を真空吸着し、その状
態で上記半導体基板の反対面を表面形状測定装置などを
用いて測定していた。
吸着した状態で半導体基板の平面度を測定していた。例
えば、特開平５−３１５３０６号公報では、真空孔が多
数形成された吸着面に半導体基板を真空吸着し、その状
態で上記半導体基板の反対面を表面形状測定装置などを
用いて測定していた。
【０００３】図４は、基板保持部２、前記基板保持部２
上のバッキング材３、前記バッキング材３を介して載置
された半導体基板４及び真空吸着するための吸引用の真
空孔１３を示し、従来の真空吸着した状態での半導体基
板の状態を具体的に示している。
上のバッキング材３、前記バッキング材３を介して載置
された半導体基板４及び真空吸着するための吸引用の真
空孔１３を示し、従来の真空吸着した状態での半導体基
板の状態を具体的に示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の評価方法では半導体基板保持部２に半導体基板
４を真空吸着した状態で半導体基板の平面度を測定して
いるため、図４に示すように真空孔周辺のかなり広い領
域で真空圧による変形の影響が半導体基板表面形状に現
れるという問題点があった。
た従来の評価方法では半導体基板保持部２に半導体基板
４を真空吸着した状態で半導体基板の平面度を測定して
いるため、図４に示すように真空孔周辺のかなり広い領
域で真空圧による変形の影響が半導体基板表面形状に現
れるという問題点があった。
【０００５】一方、半導体基板４をワックスレスで保持
する方式の半導体基板研磨装置においては、真空吸着に
よる半導体基板の変形を避けるために、研磨加工中は真
空吸着しないのが一般的で、従来の方法では研磨中の半
導体基板保持精度を精度良く評価できないという問題点
があった。
する方式の半導体基板研磨装置においては、真空吸着に
よる半導体基板の変形を避けるために、研磨加工中は真
空吸着しないのが一般的で、従来の方法では研磨中の半
導体基板保持精度を精度良く評価できないという問題点
があった。
【０００６】本発明は上記間題点を解決するために成さ
れたもので、半導体基板を一定圧力で基板保持部に押し
つけた状態で半導体基板の平面度を測定し、半導体基板
の加工精度に関わる半導体基板保持精度を研磨加工中に
近い状態で精度良く評価可能な装置を提供することを目
的とする。
れたもので、半導体基板を一定圧力で基板保持部に押し
つけた状態で半導体基板の平面度を測定し、半導体基板
の加工精度に関わる半導体基板保持精度を研磨加工中に
近い状態で精度良く評価可能な装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の基板平面度測定
装置は、基板保持部と、前記基板保持部にバッキング材
を介して載置された半導体基板の端部を保持するリテー
ナと、前記リテーナの上にブロックリングを介して、前
記半導体基板に対向する位置に配置したオプティカルフ
ラットと、前記オプティカルフラットが前記半導体基板
と対向する面との反対面側に配置した平面度測定部と、
前記半導体基板の表面に一定の圧力を与える圧力空気供
給負荷部とを備えたことを特徴としている。
装置は、基板保持部と、前記基板保持部にバッキング材
を介して載置された半導体基板の端部を保持するリテー
ナと、前記リテーナの上にブロックリングを介して、前
記半導体基板に対向する位置に配置したオプティカルフ
ラットと、前記オプティカルフラットが前記半導体基板
と対向する面との反対面側に配置した平面度測定部と、
前記半導体基板の表面に一定の圧力を与える圧力空気供
給負荷部とを備えたことを特徴としている。
【０００８】また、本発明の他の特徴とするところは、
前記平面度測定部は、前記基板保持部に前記バッキング
材を介して保持された前記半導体基板の表面と前記オプ
ティカルフラットの表面との隙間距離を測定する光学的
な干渉計光源および撮像管を有することを特徴としてい
る。
前記平面度測定部は、前記基板保持部に前記バッキング
材を介して保持された前記半導体基板の表面と前記オプ
ティカルフラットの表面との隙間距離を測定する光学的
な干渉計光源および撮像管を有することを特徴としてい
る。
【０００９】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気によって、前記
バッキング材を介して前記半導体基板を一定圧力で前記
基板保持部に押しつけた状態で前記半導体基板の平面度
を測定することを特徴としている。
は、前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気によって、前記
バッキング材を介して前記半導体基板を一定圧力で前記
基板保持部に押しつけた状態で前記半導体基板の平面度
を測定することを特徴としている。
【００１０】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気が前記バッキン
グ材側に入り込むのを防止する気密用薄膜シートを更に
有することを特徴としている。
は、前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気が前記バッキン
グ材側に入り込むのを防止する気密用薄膜シートを更に
有することを特徴としている。
【００１１】
【作用】本発明による基板平面度測定装置によれば、半
導体基板保持表面の平面度、半導体基板保持面とリテー
ナ表面の平行度、バッキング材を介して半導体基板を一
定の圧力で抑圧した状態での半導体基板表面の平面度を
精度良く評価できるため、半導体基板保持精度に関わる
要因を分離して評価することができ、半導体基板加工精
度の悪化要因を迅速に特定できる。
導体基板保持表面の平面度、半導体基板保持面とリテー
ナ表面の平行度、バッキング材を介して半導体基板を一
定の圧力で抑圧した状態での半導体基板表面の平面度を
精度良く評価できるため、半導体基板保持精度に関わる
要因を分離して評価することができ、半導体基板加工精
度の悪化要因を迅速に特定できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の基板平面度測定装置は、
圧力空気供給負荷機構により半導体基板保持精度が研磨
中に加工精度に及ぼす影響を反映するように、一定の圧
力で半導体基板表面をバッキング材を介して基板保持部
に押しつけた状態で、光学的な干渉計光源および撮像管
を配置した平面度測定機構により半導体基板の表面とオ
プティカルフラットの表面との隙間距離により生じる干
渉縞画像を得て、画像処理により平面度を計算して出力
する。
圧力空気供給負荷機構により半導体基板保持精度が研磨
中に加工精度に及ぼす影響を反映するように、一定の圧
力で半導体基板表面をバッキング材を介して基板保持部
に押しつけた状態で、光学的な干渉計光源および撮像管
を配置した平面度測定機構により半導体基板の表面とオ
プティカルフラットの表面との隙間距離により生じる干
渉縞画像を得て、画像処理により平面度を計算して出力
する。
【００１３】以下に、本発明の実施例を、図面を参照し
ながら具体的に説明する。図１は、本発明の第１の実施
例に係わる半導体基板研磨装置の半導体基板保持精度評
価のための基板平面度測定装置の概略構成図である。
ながら具体的に説明する。図１は、本発明の第１の実施
例に係わる半導体基板研磨装置の半導体基板保持精度評
価のための基板平面度測定装置の概略構成図である。
【００１４】図１に示す前記基板平面度測定装置の概略
構成は、基板保持部２を置く定盤１と、前記基板保持部
２にバッキング材３を介して載置された半導体基板４の
端部を保持するリテーナ５上にブロックリング６を介し
て、前記半導体基板４に対向するオプティカルフラット
８を配置する。
構成は、基板保持部２を置く定盤１と、前記基板保持部
２にバッキング材３を介して載置された半導体基板４の
端部を保持するリテーナ５上にブロックリング６を介し
て、前記半導体基板４に対向するオプティカルフラット
８を配置する。
【００１５】前記オプティカルフラット８の前記半導体
基板４と対向する面の反対面側に、前記基板保持部２に
前記バッキング材３を介して保持された前記半導体基板
４の表面と前記オプティカルフラット８の表面との隙間
距離を測定する光学的な干渉計光源、および撮像管を有
する平面度測定部９により前記オプティカルフラット８
の表面に現れる干渉縞を読み取り、その分布を基に計算
された平面度を出力する。
基板４と対向する面の反対面側に、前記基板保持部２に
前記バッキング材３を介して保持された前記半導体基板
４の表面と前記オプティカルフラット８の表面との隙間
距離を測定する光学的な干渉計光源、および撮像管を有
する平面度測定部９により前記オプティカルフラット８
の表面に現れる干渉縞を読み取り、その分布を基に計算
された平面度を出力する。
【００１６】圧力空気供給負荷部１１は、気密用薄膜シ
ート１０により圧縮空気７が前記バッキング材３側に入
り込むのを防止して前記半導体基板４の表面に一定の圧
力を与える。前記半導体基板４を一定圧力で前記バッキ
ング材３を介して前記基板保持部２に押しつけた状態で
前記半導体基板４の平面度を測定する。
ート１０により圧縮空気７が前記バッキング材３側に入
り込むのを防止して前記半導体基板４の表面に一定の圧
力を与える。前記半導体基板４を一定圧力で前記バッキ
ング材３を介して前記基板保持部２に押しつけた状態で
前記半導体基板４の平面度を測定する。
【００１７】基板保持部２に貼付されたバッキング材３
は、金属あるいはセラミックス、あるいは高純度ガラス
を材質とした前記基板保持部２からの前記半導体基板４
への汚染を防ぎ、また前記基板保持部２を構成する材質
は硬度が比較的高いために前記半導体基板４の形状転写
や損傷を防ぐために用いられる。
は、金属あるいはセラミックス、あるいは高純度ガラス
を材質とした前記基板保持部２からの前記半導体基板４
への汚染を防ぎ、また前記基板保持部２を構成する材質
は硬度が比較的高いために前記半導体基板４の形状転写
や損傷を防ぐために用いられる。
【００１８】しかし、図２に示すように、前記バッキン
グ材３に厚みのバラツキがあると、研磨後の基板表面１
２は平坦になる方向に進むため、前記バッキング材３の
厚みのバラツキが研磨後の半導体基板の平面度に転写さ
れる。本実施の形態では、前述のような前記バッキング
材３の厚みバラツキの加工精度への影響度を実際に研磨
をするまでもなく、研磨中に近い状態で定量的に把握す
ることが可能となる。
グ材３に厚みのバラツキがあると、研磨後の基板表面１
２は平坦になる方向に進むため、前記バッキング材３の
厚みのバラツキが研磨後の半導体基板の平面度に転写さ
れる。本実施の形態では、前述のような前記バッキング
材３の厚みバラツキの加工精度への影響度を実際に研磨
をするまでもなく、研磨中に近い状態で定量的に把握す
ることが可能となる。
【００１９】図３に、本発明による平面度の測定出力例
を示す。図中の等高線は平面度の分布を示し、上向きの
矢印は前記バッキング材３の最も厚い部分、下向きの矢
印は最も薄い部分を示している。この出力により前記バ
ッキング材３の平面度が加工精度に及ぼす影響を定量的
に把握でき、保持精度の良否を判断することが可能とな
る。
を示す。図中の等高線は平面度の分布を示し、上向きの
矢印は前記バッキング材３の最も厚い部分、下向きの矢
印は最も薄い部分を示している。この出力により前記バ
ッキング材３の平面度が加工精度に及ぼす影響を定量的
に把握でき、保持精度の良否を判断することが可能とな
る。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体基板を一定の圧力で抑圧した状態で半導体基板表
面の平面度を精度良く測定できるため、半導体基板加工
精度に関わる半導体基板保持精度を研磨中に近い状態で
精度良く評価できる。また、実際に研磨するまでもなく
保持精度の良否が迅速に判断できるため、従来は製品処
理の前に行われていた事前研磨評価作業や均一性悪化原
因追及の試行錯誤などの時間浪費を防止することができ
る。
半導体基板を一定の圧力で抑圧した状態で半導体基板表
面の平面度を精度良く測定できるため、半導体基板加工
精度に関わる半導体基板保持精度を研磨中に近い状態で
精度良く評価できる。また、実際に研磨するまでもなく
保持精度の良否が迅速に判断できるため、従来は製品処
理の前に行われていた事前研磨評価作業や均一性悪化原
因追及の試行錯誤などの時間浪費を防止することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体基板研磨装置の
半導体基板保持精度評価のための基板平面度測定装置の
概略構成図である。
半導体基板保持精度評価のための基板平面度測定装置の
概略構成図である。
【図２】加工精度に及ぼす半導体基板保持精度の影響例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体基板保持精度の
評価例を示す図である。
評価例を示す図である。
【図４】従来例の真空吸着が及ぼす半導体基板保持精度
への影響例を示す図である。
への影響例を示す図である。
１ 定盤 ２ 基板保持部 ３ バッキング材 ４ 半導体基板 ５ リテーナ ６ ブロックリング ７ 圧縮空気 ８ オプティカルフラット ９ 平面度測定部 １０ 気密用薄膜シート １２ 研磨後の基板表面 １１ 圧力空気供給負荷部 １３ 真空孔
Claims (4)
- 【請求項１】 基板保持部と、前記基板保持部にバッキ
ング材を介して載置された半導体基板の端部を保持する
リテーナと、前記リテーナの上にブロックリングを介し
て、前記半導体基板に対向する位置に配置したオプティ
カルフラットと、前記オプティカルフラットが前記半導
体基板と対向する面との反対面側に配置した平面度測定
部と、前記半導体基板の表面に一定の圧力を与える圧力
空気供給負荷部とを備えたことを特徴とする基板平面度
測定装置。 - 【請求項２】 前記平面度測定部は、前記基板保持部に
前記バッキング材を介して保持された前記半導体基板の
表面と前記オプティカルフラットの表面との隙間距離を
測定する光学的な干渉計光源および撮像管を有すること
を特徴とする請求項１に記載の基板平面度測定装置。 - 【請求項３】 前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気によ
って、前記バッキング材を介して前記半導体基板を一定
圧力で前記基板保持部に押しつけた状態で前記半導体基
板の平面度を測定することを特徴とする請求項１または
２に記載の基板平面度測定装置。 - 【請求項４】 前記圧力空気供給負荷部の圧縮空気が前
記バッキング材側に入り込むのを防止する気密用薄膜シ
ートを更に有することを特徴とする請求項１〜３の何れ
か１項に記載の基板平面度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29031397A JPH11108644A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板平面度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29031397A JPH11108644A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板平面度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11108644A true JPH11108644A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17754491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29031397A Withdrawn JPH11108644A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板平面度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11108644A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014029291A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Nisshin Steel Co Ltd | 平坦度測定方法 |
| KR101409812B1 (ko) * | 2013-05-14 | 2014-06-24 | 한국기계연구원 | 자유지지형 나노박막의 물성 시험 장치 및 방법 |
| CN104833457A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-12 | 江苏速力达精密科技有限公司 | 一种气密检测装置 |
| CN107843217A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-03-27 | 珠海市瑞信精密科技有限公司 | 散热片平面度检测仪 |
| US11555791B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Chamber for vibrational and environmental isolation of thin wafers |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP29031397A patent/JPH11108644A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014029291A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Nisshin Steel Co Ltd | 平坦度測定方法 |
| KR101409812B1 (ko) * | 2013-05-14 | 2014-06-24 | 한국기계연구원 | 자유지지형 나노박막의 물성 시험 장치 및 방법 |
| CN104833457A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-12 | 江苏速力达精密科技有限公司 | 一种气密检测装置 |
| CN107843217A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-03-27 | 珠海市瑞信精密科技有限公司 | 散热片平面度检测仪 |
| US11555791B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Chamber for vibrational and environmental isolation of thin wafers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |