JPH02257628A - 半導体基板の研磨方法及びその装置 - Google Patents
半導体基板の研磨方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH02257628A JPH02257628A JP1078978A JP7897889A JPH02257628A JP H02257628 A JPH02257628 A JP H02257628A JP 1078978 A JP1078978 A JP 1078978A JP 7897889 A JP7897889 A JP 7897889A JP H02257628 A JPH02257628 A JP H02257628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor substrate
- taper
- pressurization
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 241001300059 Theba Species 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本願発明は、半導体基板の研磨方法及び装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体基板は、ウェーハの製造工程において、歪
除去のためのエツチング工程後、鏡面を得るために研磨
工程に送られ、その後、洗浄工程、精度測定工程、更に
は外観検査工程へと送られて行く。そして、上記研磨工
程は、１次研磨（粗研磨）、２次研磨（仕上研磨）、３
次研磨（超仕上研磨）に分れており、ウェーハの研磨精
度は１次研磨（粗研磨）で決定される。これら１〜３次
研磨は、例えば第４図に示すように、下定盤２の表面に
研磨布１を貼着しておき、半導体基板３を加圧盤４に吸
着させ、該加圧盤４を上記研磨布１の表面に降下させて
半導体基板３を研磨布１に圧接し、研磨布上に砥液を流
し・つつ加圧盤４及び下定盤２を回転させて半導体基板
３の下面を研磨して行われる。そして、従来、加圧盤４
への加圧力は、加圧盤４の中心部分一箇所に付与されて
いた。
除去のためのエツチング工程後、鏡面を得るために研磨
工程に送られ、その後、洗浄工程、精度測定工程、更に
は外観検査工程へと送られて行く。そして、上記研磨工
程は、１次研磨（粗研磨）、２次研磨（仕上研磨）、３
次研磨（超仕上研磨）に分れており、ウェーハの研磨精
度は１次研磨（粗研磨）で決定される。これら１〜３次
研磨は、例えば第４図に示すように、下定盤２の表面に
研磨布１を貼着しておき、半導体基板３を加圧盤４に吸
着させ、該加圧盤４を上記研磨布１の表面に降下させて
半導体基板３を研磨布１に圧接し、研磨布上に砥液を流
し・つつ加圧盤４及び下定盤２を回転させて半導体基板
３の下面を研磨して行われる。そして、従来、加圧盤４
への加圧力は、加圧盤４の中心部分一箇所に付与されて
いた。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
上述した研磨工程において、とりわけウェーへの鏡面研
磨加工は研磨前後のウェーハ精度を測定するだけであり
、研磨中のウェーハ精度の測定は行っておらず、また、
測定の方法も知られていなかった。そして、第４図に示
す研磨によっては、当初よりテーバのあるウェーハのテ
ーバ除去は困難でありた。
磨加工は研磨前後のウェーハ精度を測定するだけであり
、研磨中のウェーハ精度の測定は行っておらず、また、
測定の方法も知られていなかった。そして、第４図に示
す研磨によっては、当初よりテーバのあるウェーハのテ
ーバ除去は困難でありた。
他方、要求されるウェーハ精度は、裏面基準のＴＴＶ
（Ｔｏｔａｌ Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏ
ｎ：全体的厚みむら） ＊ ＬＴＶ （Ｌｏｃａｌ
Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ：部分的厚み
むら）が主であり、それ程厳しいものではなかった。し
かし、最近はデバイスメーカからの要望規格がサブミク
ロンを単位とする厳しいものとなってきている。
（Ｔｏｔａｌ Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏ
ｎ：全体的厚みむら） ＊ ＬＴＶ （Ｌｏｃａｌ
Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ：部分的厚み
むら）が主であり、それ程厳しいものではなかった。し
かし、最近はデバイスメーカからの要望規格がサブミク
ロンを単位とする厳しいものとなってきている。
本願発明は、上記実情下にあって、デバイスメーカの要
望に応え得る半導体基板の研磨方法を提案すると共に、
同研磨装置を提供する目的でなされたものである。
望に応え得る半導体基板の研磨方法を提案すると共に、
同研磨装置を提供する目的でなされたものである。
（課題を解決するための手段）
すなわち、本願第１の発明は、表面に研磨布を有する下
定盤を回転させつつ、自転する加圧盤で前記研磨布に半
導体基板を押圧する半導体基板の研磨方法であって、上
方から加圧面までの距離を複数箇所にて測定し、該測定
値に基いて上方から半導体基板の前記複数箇所それぞれ
に独立した押圧力を加える半導体基板の研磨方法であり
、第２の発明は前記、表面に研磨布を有する下定盤と、
前記研磨布上の半導体基板を加圧する加圧盤とから成る
半導体基板の研磨装置であって、加圧盤に該加圧盤の複
数箇所においてそれぞれ独立した圧力を加える加圧装置
を付設し、更に、前記加圧盤の外周上方に、被測定材ま
での距離を測る複数個の非接触距離計を殺竹した半導体
基板の研磨装置である。
定盤を回転させつつ、自転する加圧盤で前記研磨布に半
導体基板を押圧する半導体基板の研磨方法であって、上
方から加圧面までの距離を複数箇所にて測定し、該測定
値に基いて上方から半導体基板の前記複数箇所それぞれ
に独立した押圧力を加える半導体基板の研磨方法であり
、第２の発明は前記、表面に研磨布を有する下定盤と、
前記研磨布上の半導体基板を加圧する加圧盤とから成る
半導体基板の研磨装置であって、加圧盤に該加圧盤の複
数箇所においてそれぞれ独立した圧力を加える加圧装置
を付設し、更に、前記加圧盤の外周上方に、被測定材ま
での距離を測る複数個の非接触距離計を殺竹した半導体
基板の研磨装置である。
（作 用）
加圧盤の加圧面までの距離を異った点において測定し比
較することにより加圧面の傾き（換言すれば半導体基板
のテーバ）が検出される。モして、研磨量は加圧面に加
えられる加圧力に比例１ノて増減するものであり、この
加圧力を加圧面の各部位において前記テーバが減少する
方向にもたらすことによって、半導体基板のテーバが矯
正される。
較することにより加圧面の傾き（換言すれば半導体基板
のテーバ）が検出される。モして、研磨量は加圧面に加
えられる加圧力に比例１ノて増減するものであり、この
加圧力を加圧面の各部位において前記テーバが減少する
方向にもたらすことによって、半導体基板のテーバが矯
正される。
（実施例）
以下、本願発明を添付図面に基いて説明する。
第１図は本願発明装置の実施例を一部破断して示す正面
図であり、同図中、第４図に用いた符号と同一の符号は
、同−物若しくは該当物を示している。
図であり、同図中、第４図に用いた符号と同一の符号は
、同−物若しくは該当物を示している。
第１図に示すように、本願発明装置では、加圧盤４の外
周にリング状の被測定材５が固着されている。そして、
この被測定材５の表面は、加圧盤４の加圧面４ａに平行
になるように設定されている。換言すれば、加圧面４ａ
までの距離変化が被測定材５までの距離変化を通じて把
握される構成となされている。
周にリング状の被測定材５が固着されている。そして、
この被測定材５の表面は、加圧盤４の加圧面４ａに平行
になるように設定されている。換言すれば、加圧面４ａ
までの距離変化が被測定材５までの距離変化を通じて把
握される構成となされている。
６は上記被測定材５の上方に配された複数、例えば３個
の非接触距離計である。この非接触距離計６は、例えば
渦電流式のものであって、この場合は前記被測定材５を
金属としておいて、回転時の該被測定材５の上下変化を
渦電流の変位とＩノて取り出すものである。そして、上
記加圧盤４の上面複数箇所には、ユニバーサルジヨイン
ト７を介してシリンダ装置８のロッド８ａが取付けられ
ており、上記装置８の上端は回転体９に固着されている
。尚、矢印で示す符号１０は、シリンダ装置８に送られ
るエア、オイル等の流体を示している。従って、研磨時
においては、下定盤２が自転すると同時に、加圧盤４が
自転する構成とされている。そして、上記シリンダ装置
８は、非接触距離計６の測定値に基いて作動される。
の非接触距離計である。この非接触距離計６は、例えば
渦電流式のものであって、この場合は前記被測定材５を
金属としておいて、回転時の該被測定材５の上下変化を
渦電流の変位とＩノて取り出すものである。そして、上
記加圧盤４の上面複数箇所には、ユニバーサルジヨイン
ト７を介してシリンダ装置８のロッド８ａが取付けられ
ており、上記装置８の上端は回転体９に固着されている
。尚、矢印で示す符号１０は、シリンダ装置８に送られ
るエア、オイル等の流体を示している。従って、研磨時
においては、下定盤２が自転すると同時に、加圧盤４が
自転する構成とされている。そして、上記シリンダ装置
８は、非接触距離計６の測定値に基いて作動される。
具体的に説明すると、半導体基板３にテーバが無い場合
は、加圧盤４が自転していても、非接触距離計６は一定
の距離が測定されて、変位量が認められない。この場合
には、複数のロッド８ａ。
は、加圧盤４が自転していても、非接触距離計６は一定
の距離が測定されて、変位量が認められない。この場合
には、複数のロッド８ａ。
８ａ・・・はいずれも等長の状態にある。そして、第１
図に示すように、半導体基板３にテーバが存在する場合
は、加圧盤４の自転につれて、各非接触距離計６の測定
値に変位が表われる。第２図は、この変位量の周期変化
を示したものである。
図に示すように、半導体基板３にテーバが存在する場合
は、加圧盤４の自転につれて、各非接触距離計６の測定
値に変位が表われる。第２図は、この変位量の周期変化
を示したものである。
そして、このように変位が生じた場合は、非接触距離計
６の出力変化を演算処理し、該演算値を流体圧に変換し
て、テーバの高い方が大きい加圧力となるようになす。
６の出力変化を演算処理し、該演算値を流体圧に変換し
て、テーバの高い方が大きい加圧力となるようになす。
このようにして、高圧が付されたテーバの高い方は摩擦
力が大きくなって研磨量が多くなり、テーバが研磨中に
矯正され、これにより高精度のウェーハが得られる。
力が大きくなって研磨量が多くなり、テーバが研磨中に
矯正され、これにより高精度のウェーハが得られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本願発明に依れば、半導体基板の
テーバが研磨前に生じたものであろうと、研磨中に生じ
たものであるとを問わず、研磨加工中にテーバの矯正が
できる。
テーバが研磨前に生じたものであろうと、研磨中に生じ
たものであるとを問わず、研磨加工中にテーバの矯正が
できる。
第３図は本願発明に依る研磨精度と従来の研磨精度とを
対比して示すグラフで、該グラフにて明らかなように、
従来の場合ＴＴＶで４〜５ｇｍであったものが、本願発
明では、 １５０ｍｍφ半導体基板の研磨精度が２．２
ＪＬｍ程度以下に押えられている。そしてこの数値は、
現在のデバイスメーカの要望に十分応え得るものである
。
対比して示すグラフで、該グラフにて明らかなように、
従来の場合ＴＴＶで４〜５ｇｍであったものが、本願発
明では、 １５０ｍｍφ半導体基板の研磨精度が２．２
ＪＬｍ程度以下に押えられている。そしてこの数値は、
現在のデバイスメーカの要望に十分応え得るものである
。
第１図は本願発明装置の一実施例を一部破断して示す正
面図、第２図はテーバがある場合の変位量変化を示すグ
ラフ、第３図は本願発明に依る研磨精度と従来の研磨精
度とを対比して示すグラフ、第４図は従来の研磨方法の
説明図である。
面図、第２図はテーバがある場合の変位量変化を示すグ
ラフ、第３図は本願発明に依る研磨精度と従来の研磨精
度とを対比して示すグラフ、第４図は従来の研磨方法の
説明図である。
Claims (2)
- （１）表面に研磨布を有する下定盤を回転させつつ自転
する加圧盤で前記研磨布に半導体基板を押圧する半導体
基板の研磨方法であって、上方から加圧面までの距離を
複数箇所にて測定し、該測定値に基いて上方から半導体
基板の前記複数箇所それぞれに独立した押圧力を加える
ことを特徴とする半導体基板の研磨方法。 - （２）表面に研磨布を有する下定盤と、前記研磨布上の
半導体基板を加圧する加圧盤とから成る半導体基板の研
磨装置において、前記加圧盤に該加圧盤の複数箇所にお
いてそれぞれ独立した圧力を加える加圧装置を付設し、
更に、前記加圧盤の外周上方に、被測定材までの距離を
測る複数個の非接触距離計を設置したことを特徴とする
半導体基板の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078978A JP2873314B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078978A JP2873314B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02257628A true JPH02257628A (ja) | 1990-10-18 |
| JP2873314B2 JP2873314B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=13676984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1078978A Expired - Lifetime JP2873314B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873314B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496843U (ja) * | 1991-01-30 | 1992-08-21 | ||
| JPH054482U (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-22 | 株式会社エンヤシステム | ウエーハ反転貼付装置 |
| EP0687526A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-12-20 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| JP2011125940A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Toppan Printing Co Ltd | 研磨装置 |
| CN105081961A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置 |
| JP2015217445A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| JP2020011319A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 秀和工業株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141731A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Apparatus for correcting warping of thin substrate |
| JPS571902A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring wafer thickness for wafer lapping machine |
| JPS5745254A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic detector for amount of silicon wafer worked |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1078978A patent/JP2873314B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141731A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Apparatus for correcting warping of thin substrate |
| JPS571902A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring wafer thickness for wafer lapping machine |
| JPS5745254A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic detector for amount of silicon wafer worked |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496843U (ja) * | 1991-01-30 | 1992-08-21 | ||
| JPH054482U (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-22 | 株式会社エンヤシステム | ウエーハ反転貼付装置 |
| EP0687526A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-12-20 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| US5620357A (en) * | 1994-04-18 | 1997-04-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| JP2011125940A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Toppan Printing Co Ltd | 研磨装置 |
| CN105081961A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置 |
| JP2015217445A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| US9833875B2 (en) | 2014-05-14 | 2017-12-05 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and retainer ring configuration |
| US11059144B2 (en) | 2014-05-14 | 2021-07-13 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP2020011319A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 秀和工業株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2873314B2 (ja) | 1999-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW495605B (en) | Method and apparatus for monitoring polishing state, polishing device, process wafer, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor | |
| US5609718A (en) | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers | |
| US4693012A (en) | Measuring bar for free abrasive machines | |
| JPH02257628A (ja) | 半導体基板の研磨方法及びその装置 | |
| US6437868B1 (en) | In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning | |
| WO2019130757A1 (ja) | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | |
| US6864176B2 (en) | Fabrication process for bonded wafer precision layer thickness control and its non-destructive measurement method | |
| Ren et al. | On-line measurement of contact pressure and friction force at the workpiece/lap interface during continuous polishing | |
| JPH08316179A (ja) | 半導体プロセスにおける平坦化方法及びその装置 | |
| JP2000117626A (ja) | ウェーハ研磨装置及び研磨量検出方法 | |
| Maksoud et al. | In-process detection of grinding wheel truing and dressing conditions using a flapper nozzle arrangement | |
| US4372152A (en) | Brinell hardness measuring system | |
| JPH11108644A (ja) | 基板平面度測定装置 | |
| JPH09277144A (ja) | 印刷ロールの研磨方法 | |
| JPH02257629A (ja) | 半導体基板の研磨方法 | |
| US2354137A (en) | Height gauge | |
| JPS6259457B2 (ja) | ||
| TW527260B (en) | System and method for inspecting emery wheel profile | |
| US3948090A (en) | Method of measuring dimensional variations in a workpiece | |
| JP2565032Y2 (ja) | 研削盤のドレスインターバル制御装置 | |
| JPH08330259A (ja) | 半導体ウェハの研磨方法 | |
| JPH09193003A (ja) | 研磨装置 | |
| WO2024116448A1 (ja) | ワークの片面研磨装置、ワークの片面研磨方法、シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPH02257630A (ja) | 半導体基板の研磨制御方法 | |
| US10865139B2 (en) | Large-size synthetic quartz glass substrate, evaluation method, and manufacturing method |