JP3150933B2 - 半導体ウエア研磨装置及び方法 - Google Patents
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Description
いる研磨板に対してその一側面が特定の研磨圧で圧接さ
れて研磨され且つ支持板の表面に実装される半導体ウエ
ハの研磨方法に関する。本発明はまた、本方法の実施に
適した装置に関する。
で平面にする工程は、平坦で、欠陥がなく、平滑な半導
体ウエハを生産するプロセス・シーケンス中で重要な処
理工程である。多くの生産シーケンスにおいて、この研
磨工程は、最終の成形工程を成し、したがって、電気/
電子さらにマイクロエレクトロニクス部品の生産のため
の開始材料として半導体ウエハをさらに使用するに先立
ち、その表面特性を決定する工程である。
の望ましい平坦性及び並行性(以下、望ましいウエハ形
状と呼ぶ)を達成することが困難である。このウエハ形
状はその両面が互いに並行ではなく、むしろくさび形で
ある研磨済み半導体ウエハの場合は特に不満足なもので
ある。例えば、望ましいウエハ形状からの変位は、支持
板の裏面のわずかな不均等性によって最初から存在す
る。この不均等性は、不均一面とは反対側の半導体ウエ
ハ上の研磨摩損を増加したり、減少したりする。研磨に
よって引き起こされた半導体ウエハのくさび形状は究極
的には、半導体ウエハに対して不均一に作用する研磨圧
及び、結局必然的に不均等である材料摩損の結果であ
る。したがって、研磨圧はしばしば、半導体ウエハに対
して不均一に作用するが、この理由は、支持板が、それ
自身の重量のために研磨中に放射状に変形したり、ある
種の生産に関連した放射方向にくさび形状を持ったりす
るからである。同一設計の研磨ヘッドを用いても、研磨
圧の伝達が異なることが有り得るので、使用の研磨ヘッ
ドによる影響もまた、研磨結果に現れる。場合によって
は研磨布の初期摩耗もまた、ウエハ形状が、研磨プロセ
スをいくつも経過するうちに劣化する原因となる。
において上記の問題を改善するために、欧州特許第40
33A1号明細書に、研磨ヘッドと支持板裏面間に柔軟
で弾性のある本体を有する中間層を挿入することが提案
されている。この方法は自動化することが不可能であり
誤差を引き起こし易いが、この理由は、それが成功する
か否かはほとんど、中間層をその厚さに基づいて選択し
挿入する操作要員の経験と注意次第であるからである。
しかしながら、この操作でなんの誤差がなくても、研磨
された半導体ウエハのくさび形状はある特定の制限値を
超えて残留する。
に、複数の半導体ウエハを同時に研磨でき、かつウエハ
の表面の高度の平坦性とウエハ両面の並行性とを達成
し、前処理によって破損した表面層を除去し(「破損除
去」)、さらに、半導体ウエハの微小粗さを減少させる
ことにある。また、本発明の目的は、半導体ウエハの研
磨中の研磨摩損の均一性、特に研磨済み半導体ウエハの
くさび形状が微細なものとなるように片面研磨機械を用
いて向上させることである。
半導体ウエハを支持板の表面に実装し、その一側面を特
定の研磨圧で研磨布で覆われた研磨板に対して圧接研磨
して研磨する半導体ウエハの研磨方法において、 a)支持板の円周に対して同心状に配置され、それぞれ
特定のガス圧で独立に制御される複数の圧力チャンバに
研磨される半導体ウエハを装着し、 b)研磨パスに先立ち、研磨される半導体ウエハの形状
データを求め、前記形状データから少なくとも1つの前
記圧力チャンバの位置を計算し、 c)研磨に先立ち、計算により決定された前記圧力チャ
ンバに特定のガス圧を印加し、 d)半導体ウエハの研磨中に、研磨圧を、ガス圧が印加
された圧力チャンバの弾性支持表面を介して該支持板の
裏面に伝達する 、ことを特徴とする方法である。本発明
の主題は、更に、裏面及び表面を有する支持板と、研磨
布で覆われた研磨板に対して前記支持板の表面上に固定
された半導体ウエハを特定の研磨圧で研磨時に圧接する
研磨ヘッドとを備え、複数の半導体ウエハを同時に研磨
する装置において、 a)ガス圧を変えて個別に印加可能であり、支持板の裏
面に面している研磨ヘッドの一方の側に同心状に配置さ
れ、さらに、半導体ウエハの研磨中に、該圧力チャンバ
にガス圧が印加されている間中、支持板の裏面に研磨圧
を伝達する複数の圧力チャンバと; b)研磨パスに先立ち、ガス圧が印加される少なくとも
1つの圧力チャンバの位置を、研磨される半導体ウエハ
の形状データを基に計算する手段と; を備えたことを特徴とする装置である。
ッドと支持板との間に配置された圧力チャンバにより、
支持板の裏面の不均等性または支持板の弾性変形の結果
として生じる位置の違いによる圧力の相違を補償するこ
とが可能であるからである。圧力が印加された圧力チャ
ンバによって支持板に伝達される圧力は、支持板上に円
周方向に置かれる弾性支持表面のすべての点で同一の値
である。本発明の特に長所となる点は、圧力が印加され
る圧力チャンバは自動的に選択され、このチャンバに対
して圧力が自動的に印加されるのが望ましいという事実
に起因する。用いられる支持板及び配置される研磨ヘッ
ドの、研磨結果に影響する個別の特徴を、この選択を実
行するに際して考慮することが可能である。
ている。本発明は、複数の半導体ウエハバッチの片面研
磨(「片面バッチ研磨」)に関する。本方法では、半導
体ウエハの一方の面は、支持板の前面側に、例えば、粘
着、接着、セメント付けまたは真空圧着によってその一
方の面とこの支持板間に正の圧力を発生させるように搭
載される。一般的に、半導体ウエハは支持板上に、両者
が一種の同心リングのパターンを形成するような仕方で
搭載される。この搭載に続いて、ウエハの自由側が、引
っ張り力を受けている研磨布で覆われている研磨板に対
して、研磨研削材の供給を伴い、ある特定の研磨圧で圧
接されて研磨される。このプロセスで、この支持板及び
研磨板は、別の速度で回転されるのが普通である。必要
な研磨圧は、以下の記述で研磨ヘッドと呼ばれる圧力パ
ンチによって支持板の裏面に伝達される。使用される多
数の研磨機械は、自由に動く研磨ヘッドを複数個持ち、
したがって複数の支持板を取り付けられるように設計さ
れている。
に詳述する。図1は、本発明の装置の好ましい一実施形
態を示す。同図には、本発明を説明するに必要な特徴だ
けを示す。図2乃至図5は、本発明による半導体ウエハ
を研磨する場合にくさび形状を最小化する原理を示す略
図である。
ための本発明による好ましい1つの実施形態を示す。研
磨ヘッド2の研磨機械の支持板1に面する側は、支持板
の円周に並行な同心状に配置された開口チャネル3を持
つ。各々のチャネル中には、圧力チャンバ4、例えば低
い固有剛性を持つ弾性材料でできたベローズまたは軟質
チューブが位置している。圧力が圧力チャンバに対し
て、それを気体で充満させることによって印加される
と、圧力チャンバの、支持板に面している支持表面5
は、支持板の裏面6に圧接される。研磨ヘッド2は真空
ツール14を装備し、このツールの助けによって支持板
1は真空Vが印加されると吸引される。圧力チャンバを
気体で充満させるに必要な研磨ヘッドを通過するライン
は図示されていない。圧力チャンバにガス圧を印加する
ことを以下に、「圧力チャンバを活性化する」とも呼
び、さらに、その逆の操作を「不活性化する」と呼ぶ。
与えられる圧力チャンバの数は、用いられる支持板の直
径及び圧力チャンバの支持表面の幅によって異なる。望
ましくは2個から10個、さらに、2個から7個の圧力
チャンバを使用するのが望ましく、圧力チャンバの活性
化された状態においては、その支持表面の幅は10〜2
20mm、特に10〜30mmであるのが望ましい。
ップ7がある。活性化された圧力チャンバ内の圧力のレ
ベルは、研磨ヘッドがどのような状況下においてもこの
ギャップを越えることがなく、半導体ウエハの研磨中に
も支持板を破損しないように選択するのが望ましい。本
装置はさらに、制御可能バルブ8を有し、これによって
個々の圧力チャンバは他の圧力チャンバとは独立に活性
化したり不活性化したりでき、さらに、これによって活
性化された圧力チャンバ同士間での圧力補償を達成する
ことができる。さらに、圧力チャンバの活性化及び不活
性化を完全に自動的に制御するマスター・コンピュータ
9を装備することが特に望ましい。研磨パスに続いて、
このマスター・コンピュータには、ウエハ形状の決定さ
れた値、例えば決定されたくさび形状の値が供給され
る。これらの値に基づいて、マスター・コンピュータ
は、活性化される圧力チャンバの数及び位置を計算し、
対応する圧力チャンバが自動的に活性化または不活性化
されるようにする。マスター・コンピュータにとって
は、この計算で、生産に関連する細々としたことから発
する、個別に使用される支持板の影響及び個別に使用さ
れる研磨ヘッドが研磨結果に対して及ぼす影響を考慮す
ることが望ましい。使用中の支持板及び研磨ヘッドは、
例えばバー・コード認識によって識別可能である。次
に、マスター・コンピュータは、特定の支持板や研磨ヘ
ッド、さらにこれらの特定の組み合わせを用いる場合に
活性化または不活性化されるチャンバを指定するオフセ
ット値が格納されているデータベースをアクセスする。
このオフセット値は、複数の研磨パスが先行した後の研
磨結果が自動的に評価されると、所定の時間間隔で更新
される。
て、研磨済み半導体ウエハのくさび形状に関連する研磨
結果を向上させることが可能であるかを略図で示す。図
2は、支持板1の前面側11上に搭載され、研磨布で覆
われた研磨板13に対して特定の研磨圧で圧接された研
磨済み半導体ウエハ10aがくさび形状化された状況を
示す。半導体ウエハの厚さは支持板の中心方向に減少す
るが、これが正のくさび形状と呼ばれる理由である。図
4では、状況は逆である。図示された半導体ウエハ10
は負のくさび形状を持っている。どちらの場合も、半導
体ウエハのくさび形状は、例えば、放射方向にくさび形
状に変形した支持板または放射方向に異なって摩耗した
研磨布が使用され(図示されていない)、矢印で示され
た研磨圧の伝達の焦点がこの状況に適用された位置にな
かったために起こったものである。
の圧力チャンバ4は活性化されており、これらのチャン
バ同士間の圧力補正によって同一圧力を受けている。研
磨圧の伝達の焦点は、半導体ウエハの中心の略上方に位
置している。図4に従って、半導体ウエハを負のくさび
形状にした研磨の際に、3つの外部の圧力チャンバが活
性化され、これによって研磨圧の伝達の焦点が、半導体
ウエハのエッジ領域の上に位置されている。
高い均等性及び並行性を持つような位置決めをするため
に、研磨圧伝達焦点は圧力チャンバ4の助けでずらされ
る。この様子は、図3及び図5にそれぞれ示されてい
る。次に研磨される半導体ウエハ10bの別の正のくさ
び形状は、これら半導体ウエハの研磨に先立ち、図示さ
れた例では3つの内方の圧力チャンバをスイッチ・オフ
することによって中和される。その結果、圧力伝達焦点
は放射方向の外方にずらされて、半導体ウエハ10bの
エッジ領域(図3)の上に位置される。次いで、研磨さ
れる半導体ウエハ10bの負のくさび形状は、これら半
導体ウエハの研磨に先立ち内方の、図示されている例で
は3つの圧力チャンバを活性化することによって中和さ
れる。その結果、圧力伝達焦点は放射方向内方にずらさ
れて、半導体ウエハ10bの中心(図5)上に位置され
る。
様々な形態で構成することが可能である。唯一の前提条
件は、これら圧力チャンバの内の少なくとも1つが半導
体ウエハ研磨中に活性化され、研磨圧を支持板の裏面に
伝達することである。活性化された圧力チャンバ間で圧
力調整することは望ましいが絶対的に必要というわけで
はない。図2乃至図5に図示する活性化された圧力チャ
ンバのシーケンスも一例にすぎない。また、望ましいウ
エハ形状を実現するために、活性化された圧力チャンバ
が、1つまたは複数の不活性化された圧力チャンバの隣
にだけ存在するようなシーケンスを選択することもまた
適宜必要である。さらに、研磨中、1つまたは複数の外
方の圧力チャンバを不活性化することも必要かもしれな
い。
ヘッドを持つ市販の片面研磨機械を用いて実行された。
各研磨工程の後で、研磨された半導体ウエハのくさび形
状が好ましい方向と共に決定された。以下の表1に、く
さび形状のばらつきの平均値を、さらに表2及び表3
に、同心リングの形態の支持板の前面側上に搭載された
半導体ウエハのくさび形状の平均値を示す。一連の研磨
工程(比較工程)において、欧州特許出願公開第403
3A1号明細書で説明されているように、中間層を挿入
することによって研磨結果を向上させる試みがなされ
た。本発明は、他のすべての研磨工程で用いられた(テ
スト・シリーズA、テスト・シリーズB+、B−、C
+、C−)。使用される支持板の個別の特徴を考慮した
オフセット(テスト・シリーズB+及びB−)ならびに
配置された研磨ヘッドが研磨結果に対して及ぼす影響も
また試験された(”+”はオフセットを伴なう研磨工程
を意味し、”−”はオフセット無しの研磨工程を意味す
る)。これらの表はそれぞれ、ゼロに設定された目標値
からのばらつき(正のまたは負のくさび形状)の平均値
を示す。
る。 (1)複数の半導体ウエハを支持板の表面に実装し、そ
の一側面を特定の研磨圧で研磨布で覆われた研磨板に対
して圧接研磨して研磨する半導体ウエハの研磨方法にお
いて、 a)支持板の円周に対して同心状に配置され、それぞれ
特定のガス圧で独立に制御される複数の圧力チャンバに
研磨される半導体ウエハを装着し、 b)研磨パスに先立ち、研磨される半導体ウエハの形状
データを求め、前記形状データから少なくとも1つの前
記圧力チャンバの位置を計算し、 c)研磨に先立ち、計算により決定された前記圧力チャ
ンバに特定のガス圧を印加し、 d)半導体ウエハの研磨中に、研磨圧を、ガス圧が印加
された圧力チャンバの弾性支持表面を介して該支持板の
裏面に伝達する、 ことを特徴とする方法。 (2)ガス圧が印加された圧力チャンバ同士間の圧力補
償が、複数の該圧力チャンバにガス圧が印加されると実
行される、ことを特徴とする上記(1)記載の方法。 (3)ガス圧が印加された該圧力チャンバが、研磨パス
に先立ち、コンピュータの助けで自動的に選択される、
ことを特徴とする上記(1)又は(2)記載の方法。 (4)圧力チャンバを選択するときに、使用される支持
板及び配置される研磨ヘッドに関してどの圧力チャンバ
を前もって選択するかを予め決定するオフセット値が設
定される、ことを特徴とする上記(3)記載の方法。 (5)裏面及び表面を有する支持板と、研磨布で覆われ
た研磨板に対して前記支持板の表面上に固定された半導
体ウエハを特定の研磨圧で研磨時に圧接する研磨ヘッド
とを備え、複数の半導体ウエハを同時に研磨する装置に
おいて、 a)ガス圧を変えて個別に印加可能であり、支持板の裏
面に面している研磨ヘッドの一方の側に同心状に配置さ
れ、さらに、半導体ウエハの研磨中に、該圧力チャンバ
にガス圧が印加されている間中、支持板の裏面に研磨圧
を伝達する複数の圧力チャンバと; b)研磨パスに先立ち、ガス圧が印加される少なくとも
1つの圧力チャンバの位置を、研磨される半導体ウエハ
の形状データを基に計算する手段と; を備えた、ことを特徴とする装置。 (6)ガス圧が印加された圧力チャンバ同士間での圧力
補償を実行するための装置を備えた、ことを特徴とする
上記(5)記載の装置。 (7)幅10乃至220mmの支持表面を持つ圧力チャ
ンバを2個乃至10個有する、ことを特徴とする上記
(5)又は(6)記載の装置。 (8)研磨パスに先立ち、ガス圧が印加される予定の圧
力チャンバを選択し、さらに、これらのチャンバにガス
圧を自動的に印加するマスター・コンピュータを有す
る、ことを特徴とする上記(5)乃至(7)のいずれか
一項に記載の装置。
半導体ウエハを同時に研磨する際の研磨摩損の均一性、
特に研磨済み半導体ウエハのくさび形状が微細なものと
なるように、片面研磨機械を用いて向上させることがで
きる。
を示した図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の半導体ウエハを支持板の表面に実
装し、その一側面を特定の研磨圧で研磨布で覆われた研
磨板に対して圧接研磨して研磨する半導体ウエハの研磨
方法において、 a)支持板の円周に対して同心状に配置され、それぞれ
特定のガス圧で独立に制御される複数の圧力チャンバに
研磨される半導体ウエハを装着し、 b)研磨パスに先立ち、研磨される半導体ウエハの形状
データを求め、前記形状データから少なくとも1つの前
記圧力チャンバの位置を計算し、 c)研磨に先立ち、計算により決定された前記圧力チャ
ンバに特定のガス圧を印加し、 d)半導体ウエハの研磨中に、研磨圧を、ガス圧が印加
された圧力チャンバの弾性支持表面を介して該支持板の
裏面に伝達する、 ことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 裏面及び表面を有する支持板と、研磨布
で覆われた研磨板に対して前記支持板の表面上に固定さ
れた半導体ウエハを特定の研磨圧で研磨時に圧接する研
磨ヘッドとを備え、複数の半導体ウエハを同時に研磨す
る装置において、 a)ガス圧を変えて個別に印加可能であり、支持板の裏
面に面している研磨ヘッドの一方の側に同心状に配置さ
れ、さらに、半導体ウエハの研磨中に、該圧力チャンバ
にガス圧が印加されている間中、支持板の裏面に研磨圧
を伝達する複数の圧力チャンバと; b)研磨パスに先立ち、ガス圧が印加される少なくとも
1つの圧力チャンバの位置を、研磨される半導体ウエハ
の形状データを基に計算する手段と; を備えた、 ことを特徴とする装置。
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US5700180A (en) | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
CN1272222A (zh) * | 1997-08-21 | 2000-11-01 | Memc电子材料有限公司 | 处理半导体晶片的方法 |
US5975998A (en) * | 1997-09-26 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials , Inc. | Wafer processing apparatus |
DE19756536A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-07-01 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Polieren von scheibenförmigen Werkstücken und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
JP2000006005A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Speedfam Co Ltd | 両面研磨装置 |
US5925576A (en) * | 1998-08-19 | 1999-07-20 | Promos Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling backside pressure during chemical mechanical polishing |
CN1080619C (zh) * | 1998-08-28 | 2002-03-13 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 化学机械研磨机台 |
US6231428B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
US6368189B1 (en) | 1999-03-03 | 2002-04-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure |
DE10009656B4 (de) * | 2000-02-24 | 2005-12-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE10012840C2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben |
US6390905B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-21 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers |
US7140956B1 (en) | 2000-03-31 | 2006-11-28 | Speedfam-Ipec Corporation | Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece |
KR100802866B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2008-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 |
US6506105B1 (en) | 2000-05-12 | 2003-01-14 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control |
US6558232B1 (en) * | 2000-05-12 | 2003-05-06 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control |
CN1179821C (zh) * | 2000-05-12 | 2004-12-15 | 多平面技术公司 | 具有独立限位环和多区域压力控制结构的气动隔膜式抛光头及其使用方法 |
GB2379626A (en) * | 2000-06-08 | 2003-03-19 | Speedfam Ipec Corp | Orbital polishing apparatus |
KR20030029119A (ko) * | 2000-07-31 | 2003-04-11 | 에이에스엠엘 유에스, 인코포레이티드 | 기판의 화학적 기계 폴리싱 장치 및 방법 |
EP1182007A1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-27 | Fujikoshi Machinery Corporation | Carrier head with an elastic ring member |
US6527625B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-03-04 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head |
US6540590B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring |
DE10159833C1 (de) | 2001-12-06 | 2003-06-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
DE10210023A1 (de) * | 2002-03-07 | 2003-05-28 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6846222B2 (en) * | 2003-03-04 | 2005-01-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Multi-chambered, compliant apparatus for restraining workpiece and applying variable pressure thereto during lapping to improve flatness characteristics of workpiece |
US20060180486A1 (en) * | 2003-04-21 | 2006-08-17 | Bennett David W | Modular panel and storage system for flat items such as media discs and holders therefor |
KR100600231B1 (ko) * | 2003-07-12 | 2006-07-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨엠피 폴리싱 헤드 및 그 동작방법 |
US20050070205A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Speedfam-Ipec Corporation | Integrated pressure control system for workpiece carrier |
US6986359B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-01-17 | Mks Instruments, Inc. | System and method for controlling pressure in remote zones |
US8037896B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Pressure regulation in remote zones |
US20060138681A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Substrate and lithography process using the same |
US7984002B2 (en) | 2005-04-29 | 2011-07-19 | Charles River Analytics, Inc. | Automatic source code generation for computing probabilities of variables in belief networks |
US7207871B1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multiple chambers |
US20070167110A1 (en) * | 2006-01-16 | 2007-07-19 | Yu-Hsiang Tseng | Multi-zone carrier head for chemical mechanical polishing and cmp method thereof |
JP5408789B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-02-05 | エルジー・ケム・リミテッド | フロートガラス研磨システム |
DE102010005904B4 (de) * | 2010-01-27 | 2012-11-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
JP5303491B2 (ja) | 2010-02-19 | 2013-10-02 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
CN101797714B (zh) * | 2010-03-23 | 2012-07-11 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 抛光机晶片在线清洗装置 |
KR200471472Y1 (ko) * | 2013-09-30 | 2014-03-12 | 전용준 | 상부 공압제어 어셈블리가 상부에 착·탈 가능하게 장착된 씨엠피 |
US10328549B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing head, chemical-mechanical polishing system and method for polishing substrate |
KR102323430B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-11-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
JP5608310B1 (ja) * | 2014-04-08 | 2014-10-15 | 株式会社ミラノ製作所 | 研磨盤及び研磨機 |
DE102015224933A1 (de) | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Siltronic Ag | Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
CN106312797B (zh) * | 2016-09-21 | 2019-05-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 调节光学元件边缘区域压强分布的抛光组件 |
US11320843B2 (en) * | 2019-10-17 | 2022-05-03 | Dongguan Hesheng Machinery & Electric Co., Ltd. | Air compression system with pressure detection |
US11890715B2 (en) | 2020-06-24 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Polishing carrier head with piezoelectric pressure control |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2809274A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren |
KR910009320B1 (ko) * | 1986-08-19 | 1991-11-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시기가이샤 | 연마장치 |
DE3801969A1 (de) * | 1988-01-23 | 1989-07-27 | Zeiss Carl Fa | Verfahren und vorrichtung zum laeppen bzw. polieren optischer flaechen |
JPH04278475A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-10-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 先読みパターン発生及びシミュレーションの方法及びシステム |
JP3370112B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
US5624299A (en) * | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
JP3072962B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2000-08-07 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 |
-
1996
- 1996-12-12 DE DE19651761A patent/DE19651761A1/de not_active Withdrawn
-
1997
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