KR101681897B1 - 이중 온도 히터 - Google Patents

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가네쉬 바라수브라마니안
립예우 야프
지안후아 주
토마스 노왁
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

챔버에서 기판을 가열하기 위한 장치 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 장치는 상기 기판을 수용하도록 구성된 지지면을 갖는 기판 지지 조립체와, 상기 지지면에 대해 평행한 거리에 기판을 지지하고 상기 지지면에 실질적으로 수직한 기준축에 대해 기판을 센터링하기 위한 복수의 센터링 부재를 포함한다. 상기 복수의 센터링 부재는 지지면의 외주연을 따라 이동가능하게 배치되고, 상기 복수의 센터링 부재는 각각 기판의 외주연 에지와 접촉하거나 이를 지지하기 위한 제 1 단부를 포함한다.

Description

이중 온도 히터{DUAL TEMPERATURE HEATER}
본 발명의 실시예는 일반적으로 반도체 기판 프로세싱 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 실시예는 챔버에서 기판을 가열하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판 제조 프로세스의 유효성은 소자 수율과 소유 비용(CoO)인 2개의 연관된 주요 인자에 의해 종종 평가된다. 이 인자들은 전자 소자의 제조 비용과 그에 따른 시장에서의 소자 제조 업자의 경쟁력에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 중요하다. 상기 소유 비용은 다수의 인자들에 의해 영향을 받지만, 시스템과 챔버의 처리량에 의해, 또는 간단하게, 소정의 프로세싱 시퀀스를 사용하여 프로세싱되는 시간당 기판의 개수에 의해 크게 영향을 받는다.
예를 들면, 화학 기상 증착 프로세스(CVD) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스(PECVD)와 같은 특정 기판 프로세싱 시퀀스 중에, 증착 프로세스를 수행하기 전에 기판을 사전처리하는 것이 바람직할 수 있다. 특정한 사전처리 프로세스에서, 기판은 증착 프로세스 이전에 예를 들어 어닐링 프로세스를 사용하여 제 1 온도로 가열될 수 있다. 증착 프로세스동안, 기판은 상기 제 1 온도와는 상이한 제 2 온도로 가열된다. 많은 증착 프로세스에 대해, 기판은 히터를 포함하는 기판 지지체 상에 배치된다. 이 히터는 기판을 제 1 온도와 제 2 온도 모두로 가열하기 위해 사용된다. 제 1 온도와 제 2 온도 간에 약간의 편차(variance)가 있을 때, 예를 들면, 제 2 온도가 제 1 온도보다 더 높을 때, 히터의 온도가 제 1 온도로부터 제 2 온도로 증가할 수 있도록, 사전처리 프로세스와 증착 프로세스 사이에 지연이 존재한다. 이 지연은 기판 프로세싱 시간의 전체적인 증가와, 그에 대응하는 소자 생산량의 감소를 유발하게 된다.
따라서, 비용 효율이 높고 정확한 방식으로 프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키고 가열할 수 있는 장치 및 프로세스가 필요하다.
본 발명의 실시예는 일반적으로 반도체 기판 프로세싱 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 실시예는 챔버에서 기판을 가열하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 상기 기판을 수용하도록 구성된 지지면을 갖는 기판 지지 조립체와, 상기 지지면에 대해 평행하게 거리를 두고 기판을 지지하고 상기 지지면에 실질적으로 수직한 기준축에 대해 기판을 센터링(centering)하기 위한 복수의 센터링 부재를 포함한다. 상기 복수의 센터링 부재는 지지면의 외주연을 따라 이동가능하게 배치되고, 상기 복수의 센터링 부재는 각각 기판의 외주연 에지와 접촉하거나 이를 지지하기 위한 제 1 단부를 포함하고, 상기 제 1 단부는, 기판의 외주연 에지에 해제가능하게 접촉하기 위해 기판 지지체의 지지면 위로 연장하는 상단부; 상기 상단부 상에 위치되는 지지 탭(tab); 및 상기 기판을 지지하기 위해, 상기 지지 탭과 상기 상단부의 교차부에 의해 형성되는 기판 지지 노치;를 포함한다. 상기 제 1 단부는 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능하다. 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치로의 이동은 상기 센터링 부재가 상기 기판의 외주연 에지를 해제하도록 하고, 상기 제 2 위치로부터 상기 제 1 위치로의 이동은 상기 센터링 부재가 기판을 기준축을 향한 방향으로 밀도록 하거나, 기판을 지지하도록 센터링 부재를 위치시킨다.
다른 실시예에서, 프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법이 제공된다. 기판을 수용하도록 구성되며 가열되는 지지면과 내장형 히터를 갖는 기판 지지체가 제공된다. 상기 지지면에 실질적으로 수직한 기준축에 중심을 둔 원을 따라 배치된 복수의 센터링 부재가 제공된다. 각각의 센터링 부재는 상기 기판의 외주연 에지에 접촉하도록 구성된 단부를 포함하고, 상기 단부는 상기 기준축을 향하여 그리고 상기 기준축으로부터 멀리 방사상으로 이동가능하다. 상기 단부에는 지지 탭이 위치되고, 상기 기판 지지체의 지지면으로부터 소정 거리에 기판을 지지하기 위해, 상기 지지 탭과 상기 단부의 교차부에 기판 지지 노치가 형성된다. 상기 기판은 상기 복수의 센터링 부재 각각의 지지 탭 상에 위치된다. 상기 기판의 제 1 프로세싱 온도에서 기판에 대한 사전처리 프로세스가 실시된다. 상기 기판은 상기 지지 탭으로부터 제거된다. 각각의 센터링 부재의 단부는 상기 기준축으로부터 멀어지게 방사상 외측으로 이동하게 된다. 상기 기판은 기판 지지체 상에 배치되고, 상기 기판과 상기 센터링 부재는 접촉하지 않는다. 각각의 센터링 부재의 단부는 기판을 센터링하기 위해 기판의 외주연 에지에 접촉하도록 방사상 내측으로 이동하게 된다. 상기 기판은 상기 센터링 부재의 단부를 이용하여 위치된다. 상기 기판의 제 2 프로세싱 온도에서 기판에 대한 증착 프로세스가 실시되고, 상기 제 1 프로세싱 온도는 상기 제 2 프로세싱 온도와 상이하다.
본 발명의 전술한 특징을 보다 구체적으로 이해할 수 있도록, 그 일부가 첨부도면에 도시된 실시예를 참조하여, 위에서 약술한 본 발명이 보다 상세하게 설명될 수 있다. 그러나 첨부도면은 오직 본 발명의 전형적인 실시예들을 도시한 것이며, 따라서 본 발명의 범주를 한정하는 것으로 이해되어서는 아니되고, 본 발명은 다른 동등하게 유효한 실시예를 포함할 수 있음을 유의하여야 한다.
도 1은 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 PECVD 시스템의 일 실시예의 개략적 단면도이고,
도 2a는 지지 위치에 있는 도 1의 센터링 핑거(finger)의 일 실시예의 부분적으로 확대된 단면도이며,
도 2b는 센터링 위치에 있는 도 1의 센터링 핑거의 일 실시예의 부분적으로 확대된 단면도이고,
도 2c는 분리 위치에 있는 도 1의 센터링 핑거의 일 실시예의 부분적으로 확대된 단면도이며,
도 3a는 기판을 지지하기 위해 3개의 센터링 핑거를 사용한 센터링 기구의 일 실시예의 간략화된 평면도이고,
도 3b는 기판을 센터링하기 위해 3개의 센터링 핑거를 사용한 센터링 기구의 일 실시예의 간략화된 평면도이며,
도 4는 편심 가중부(eccentric weighed portion)를 갖는 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 단면도이고,
도 5a는 지지 위치에 있는 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 부분 단면도이며,
도 5b는 센터링 위치에 있는 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 부분 단면도이고,
도 5c는 분리 위치에 있는 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 부분 단면도이며,
도 6은 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 부분 단면도이고,
도 7은 센터링 핑거의 일 실시예를 도시한 부분 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면에서 공통된 동일한 구성요소들을 지시하기 위해 가능한 한 동일한 참조번호가 사용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 특별한 언급없이 다른 실시예들에 유리하게 사용될 수 있는 것으로 생각된다.
여기 기재된 실시예들은 기판을 가열하고 센터링하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 이 장치 및 방법은 기판에 여러가지 반도체 프로세스를 가하도록 구성된 다양한 챔버 시스템에 적용 가능하다. 상기 실시예들은 증착 챔버에서 이용되는 것으로 예시적으로 기재되어 있으나, 일부 실시예들은 기판의 가열 및 센터링이 필요한 다른 유형의 프로세스 챔버에 적용될 수 있다. 예시는 제한없이 로드락 챔버, 테스팅 챔버, 증착 챔버, 에칭 챔버 및 열처리 챔버를 포함한다.
도 1은 센터링 기구(140)를 가진 PECVD 시스템(100)의 일 실시예의 개략적 단면도이다. 상기 시스템(100)은 가스 공급원(104)에 결합된 프로세스 챔버(102)를 포함한다. 상기 프로세스 챔버(102)는 처리 용적(110)을 부분적으로 형성하는 벽체(106)와 바닥(108)을 갖는다. 상기 처리 용적(110)은 벽체(106)에 형성된 포트(101)를 통해 접근될 수 있으며, 상기 포트는 프로세스 챔버(102)의 내외로 기판(112)의 이동을 용이하게 한다. 상기 벽체(106)와 바닥(108)은 알루미늄 또는 프로세싱과 양립가능한(compatible) 다른 재료로 이루어진 일체형 블록으로 제조될 수 있다. 상기 벽체(106)는 덮개 조립체(114)를 지지한다. 상기 프로세스 챔버(102)는 진공 펌프(116)에 의해 진공화될 수 있다.
상기 프로세스 챔버(102) 내에는 온도 제어식 기판 지지 조립체(120)가 중앙에 배치될 수 있다. 프로세싱 과정중, 상기 지지 조립체(120)는 기판(112)을 지지할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 지지 조립체(120)는 알루미늄으로 제조된 지지대(122)를 포함하고, 상기 지지대는 미리 결정된 온도로 지지 조립체(120)와 그 위에 위치된 기판(112)을 제어가능하게 가열하도록 작동될 수 있는 하나 이상의 내장형 히터(103)를 내포(encapsulate)할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 지지 조립체(120)는 증착되는 재료에 대한 증착 프로세싱 파라미터에 따라, 약 150℃ 내지 약 1,000℃의 온도로 기판(112)을 유지하도록 작동될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 지지 조립체는 어닐링 프로세스와 같은 사전처리 프로세스 과정중 약 250℃ 내지 약 270℃의 온도로 기판(112)을 유지하도록 작동될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 지지 조립체는 증착 프로세스 과정중 약 350℃ 내지 약 400℃의 온도로 기판(112)을 유지하도록 작동될 수 있다.
상기 지지 조립체(120)는 상부 지지면(124)과 하부면(126)을 가질 수 있다. 상기 상부 지지면(124)은 기판(112)을 지지한다. 상기 하부면(126)은 당해 하부면에 결합되는 스템(128)을 가질 수 있다. 상기 스템(128)은 지지 조립체(120)를 리프트 시스템(131)에 결합시키고, 상기 리프트 시스템은 프로세싱 챔버(102)로의 그리고 프로세싱 챔버(102)로부터의 기판의 운반을 용이하게 하는 하강된 위치와 상승된 프로세싱 위치 사이에서 지지 조립체(120)를 수직으로 이동시킨다. 상기 스템(128)은 퍼지 가스를 위한 도관과, 지지 조립체(120)와 시스템(100)의 다른 부품들간의 전기 및 온도 모니터링 리드(leads)를 추가적으로 제공한다. 상기 프로세스 챔버(102)의 바닥(108)과 스템(128) 사이에 벨로우즈(130)가 결합될 수 있다. 상기 벨로우즈(130)는 처리 용적(110)과 프로세스 챔버(102) 외부의 대기 사이에 진공 시일(vacuum seal)을 제공함과 아울러, 상기 지지 조립체(120)의 수직 운동을 용이하게 한다.
기판(112)의 운반을 용이하게 하기 위하여, 상기 지지대(122)는 또한 복수의 개구(133)를 포함하며, 상기 개구를 통하여 리프트 핀(132)이 이동가능하게 장착된다. 상기 리프트 핀(132)은 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동하도록 작동될 수 있다. 도 1에 도시된 제 1 위치는 기판(112)이 지지대(122)의 상부 지지면(124) 상에 안착될 수 있도록 한다. 제 2 위치(미도시)는 지지대(122) 위로 기판(112)을 리프팅하며, 이에 따라, 상기 기판(112)은 포트(101)를 통해 들어오는 기판 핸들링 로봇으로 전달될 수 있다. 리프트 핀(132)의 상승/하강 운동은 액츄에이터(136)에 연결된 이동가능한 플레이트(134)에 의해 구동될 수 있다.
상기 지지대(122)는 전기적으로 접지될 수 있으며, 이에 따라 덮개 조립체(114)와 지지대(122)(또는 챔버의 덮개 조립체 내부 또는 부근에 위치된 다른 전극) 사이에 위치된 가스 분배판 조립체(141)로 전원(138)에 의해 공급된 RF 전력이 지지대(122)와 분배판 조립체(141) 사이의 처리 용적(110)에 존재하는 가스를 여기시킬 수 있다. 상기 전원(138)으로부터의 RF 전력은 화학 기상 증착 프로세스를 구동하기 위해 기판(112)의 크기에 적합하도록 선택될 수 있다.
상기 지지 조립체(120)는 지지대(122)의 기판 지지 평면에 수직한 수직 기준축(Z)에 대해 기판(112)을 센터링하도록 작동할 수 있는 센터링 기구(140)를 더 포함한다. 또한, 상기 센터링 기구(140)는 지지대(122)의 표면에 평행하게 거리를 두고 기판(112)을 지지하도록 작동될 수 있다. 상기 센터링 기구(140)는 지지대(122)의 외주연에 위치된 3개 또는 4개 이상의 이동가능한 센터링 핑거 또는 부재(142)와, 상기 핑거(142) 아래에 배치된 대향판(144)을 포함한다. 각각의 핑거(142)는 샤프트(146)에 의해 지지대(122)에 피벗 가능하게 장착된다. 상기 대향판(144)과 지지대(122)는 상대적으로 이동가능하며, 이에 따라, 상기 대향판(144)은 해제 위치에서는 핑거(142)에 접촉하여 이를 피벗시킬 수 있고, 센터링 위치 또는 지지 위치에서는 핑거(142)로부터 자유롭게 유지된다.
일 실시예에서, 상기 대향판(144)은 고정되어 있고, 지지대(122)의 수직 운동으로 인해 지지대(122)와 대향판(144) 사이의 상대운동이 이루어진다. 기판(112)이 지지대(122) 상에 위치되어 있지 않을 때, 핑거(142)는 도 2a에 도시된 바와 같이 기판(112)을 지지하기 위한 지지 위치에 맞물린다. 기판(112)이 지지대(122) 상에 위치되어 있을 때, 핑거(142)는 기판(112)의 외주연 에지에 맞물려, 지지 조립체(120)가 도 1 및 도 2b에 도시된 바와 같이 상승된 위치에 있을 때 기판(112)을 센터링하고, 지지 조립체(120)가 도 2c에 도시된 바와 같이 하강된 위치에 있을 때 기판(112)의 외주연 에지로부터 분리된다. 상기 센터링 기구(140)와 그 작동의 추가 세부사항은 하기에서 설명될 것이다.
상기 프로세스 챔버(102)는 둘레의(circumscribing) 새도우 프레임(150)을 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 새도우 프레임(150)은 프로세스 챔버(102)에서 박리와 입자 오염을 저감하기 위해 센터링 기구(140), 지지 조립체(120) 및 기판(112)의 에지에서의 증착을 방지하도록 위치된다.
상기 덮개 조립체(114)는 처리 용적(110)에 대한 상부 경계를 제공한다. 상기 덮개 조립체(114)는 프로세스 챔버(102)를 정비하기 위해 제거되거나 개방될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 덮개 조립체(114)는 알루미늄으로 제조될 수 있다.
상기 덮개 조립체(114)는 가스 공급원(104)에 의해 제공된 프로세스 가스가 통과하여 프로세스 챔버(102)로 유도될 수 있는 입구 포트(160)를 포함할 수 있다. 상기 덮개 조립체(114)의 내부면에 가스 분배판 조립체(141)가 결합될 수 있다. 상기 가스 분배판 조립체(141)는 면판(또는 샤워 헤드)(166)과의 중간에 배치된 차단판(164)을 가지는 환형 베이스 플레이트(162)를 포함한다. 상기 차단판(164)은 면판(166)의 배면에 균일한 가스 분포를 제공한다. 상기 입구 포트(160)로부터의 프로세싱 가스는 환형 베이스 플레이트(162)와 차단판(164) 사이에 부분적으로 한정된 제 1 중공형 용적(hollow volume)(168)으로 들어간 다음, 상기 차단판(164)에 형성된 복수의 통로(170)를 통하여 차단판(164)과 면판(166) 사이의 제 2 용적(172)으로 유동한다. 그 다음, 상기 프로세싱 가스는 제 2 용적(172)으로부터 면판(166)에 형성된 복수의 통로(174)를 통해 처리 용적(110)으로 들어간다. 상기 면판(166)은 절연 재료(176)에 의해 절연된다. 상기 환형 베이스 플레이트(162), 차단판(164) 및 면판(166)은 스테인리스강, 알루미늄, 양극산화된 알루미늄, 니켈 또는 임의의 다른 RF 전도성 재료로 제조될 수 있다.
상기 전원(138)은 면판(166)과 지지대(122) 사이에서 플라즈마의 발생을 용이하게 하기 위해 환형 베이스 플레이트(162)에 무선 주파수(RF) 바이어스 전위를 인가한다. 상기 전원(138)은 약 13.56㎒의 RF 전력을 발생시킬 수 있는 고주파 RF 전원("HFRF 전원") 또는 약 300㎑의 RF 전력을 발생시킬 수 있는 저주파 RF 전원("LFRF 전원")을 포함할 수 있다. 상기 LFRF 전원은 저주파수 발생과 픽스 매치 요소(fixed match elements) 모두를 제공한다. 상기 HFRF 전원은 픽스 매치와 함께 사용하도록 설계되고, 부하로 전달되는 전력을 조절하여, 순방향 전력 및 반사 전력(forward and reflected power)에 대한 우려를 제거한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제어기(180)가 기판 프로세싱 시스템의 다양한 부품들과 인터페이스하여 이를 제어할 수 있다. 상기 제어기(180)는 중앙처리장치(CPU)(182), 지원 회로(184) 및 메모리(186)를 포함할 수 있다.
상기 기판(112)은 로봇 또는 다른 운반 기구(미도시)일 수 있는 컨베이어에 의해 챔버(102) 내의 리프트 핀(132)으로 전달되며, 그 후, 상기 리프트 핀(132)이 하방으로 운동함으로써, 지지 조립체(120)의 상부 지지면(124) 상에 배치된다. 하기에 설명되는 바와 같이, 그 후 상기 센터링 기구(140)가 작동되어 기준축(Z)에 대해 기판(112)을 센터링하게 된다.
일 실시예에서, 하나 또는 둘 이상의 온도 센서(190)가 기판(112)의 배면의 온도를 모니터링하기 위해 위치된다. 일 실시예에서, 광섬유 온도 센서와 같은 상기 하나 또는 둘 이상의 온도 센서(190)는 제어기(180)에 결합되어, 기판(112)의 배면의 온도 프로파일을 나타내는 계량을 제공한다. 일 실시예에서, 상기 하나 또는 둘 이상의 온도 센서(190)에 의해 제공된 데이터는 내장형 히터(103)의 온도를 제어하기 위해 피드백 루프에서 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 하나 또는 둘 이상의 온도 센서는 지지대에 위치된다.
일 실시예에서, 퍼지 가스 공급원(194)에 연결되는 하나 또는 둘 이상의 퍼지 가스 입구(192)를 통해 퍼지 가스가 기판(112)의 배면으로 제공될 수 있다. 상기 기판(112)의 배면을 향해 유동된 퍼지 가스는, 센터링 기구(140)에 의해 기판(112)이 지지될 때, 상기 기판(112)의 배면에서의 증착에 의해 야기되는 입자 오염을 억제하는데 도움이 된다. 또한, 상기 퍼지 가스는 기판(112)의 배면을 냉각시키기 위해 온도 제어의 형태로서 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 상기 퍼지 가스의 흐름은 상기 하나 또는 둘 이상의 온도 센서(190)에 의해 제공된 데이터에 응답하여 제어될 수 있다.
도 2a는 지지 위치에 있는 도 1의 센터링 핑거(142)의 일 실시예의 부분적으로 확대된 단면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 지지 위치에서, 상기 기판(112)은 센터링 핑거(142) 상에 안착된다. 센터링 핑거(142) 상에 안착되어 있는 동안, 상기 기판(112)은 지지대(122)의 표면으로부터 거리(A)에 위치된다. 히터(103)의 세트포인트 온도를 변화시킬 필요없이, 지지대(122)의 상부 지지면(124) 상에 기판이 안착되었을 때와 비교하여 기판(112)과 히터(103) 사이의 열저항이, 상승된 기판(112)에 대해 상이한 온도를 생성시키도록 기판(112)과 지지대(122)의 상부 지지면(124) 사이의 거리(A)가 선택된다. 히터(103)의 세트포인트 온도를 변화시키지 않고 기판(112)의 온도를 변화시키는 능력은 프로세싱 단계들 사이에서 히터가 온도를 증가시키거나 온도를 감소시키기를 기다리는 지연 없이 프로세스 단계들이 연이어 실시될 수 있도록 한다. 따라서, 기판 프로세싱 시간을 전체적으로 감소시키고, 그에 대응하여 소자 생산량을 증대시키는 결과를 낳는다.
상기 센터링 핑거(142)는 단일체로 제조될 수 있거나, 다중 구성 부품의 조립체로 형성될 수 있다. 핑거(142)를 위해 사용되는 재료는 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물, 세라믹 및 유사한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 이 재료들은 챔버(102) 내의 프로세싱 환경에 대해 내성이 있고 낮은 열팽창 계수를 갖는다. 상기 핑거(142)는 지지대(122)의 하부면(126)으로부터 돌출하는 조인트 블록(290)에 샤프트(146)에 의해 피벗 가능하게 장착되며, 지지대(122)의 외주연 영역의 슬롯(292)을 통과한다. 상기 핑거(142)의 상단부(294)는 지지대(122)의 지지면(124) 위로 연장하여 지지대(122)의 지지면(124)과 해제가능하게 접촉한다. 상기 핑거(142)의 상단부(294)에는 기판(112)을 지지하기 위한 지지 탭(298)이 위치하게 된다. 상기 상단부(294)와 지지 탭(298)의 교차부에 기판 지지 노치(299)가 형성된다. 상기 핑거(142)의 하단부(296)는 샤프트(146)로부터 편심되어 위치된다. 상기 하단부(296)는 중력의 작용에 의해 핑거(142)를 지지대(122)의 지지면(124)과 접촉하는 위치로 바이어스시키도록 가중되어(weighted) 있다. 도시된 바와 같이, 일 실행예에서 지지 조립체(120)를 상방향으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있는 핑거(142)와 대향판(144)의 접촉 해제시, 하단부(296)에 가해지는 중력 작용(G)으로 인해 핑거(142)는 샤프트(146)를 중심으로 피벗 가능하게 되고, 이에 따라, 상단부(294)는 방사상 내측으로 이동하여 지지대(122)의 지지면(124)에 접촉하게 된다. 도 3a 및 도 3b에서 더 설명되는 바와 같이, 3개 또는 4개 이상의 핑거(142)는 기판(112)의 외주연을 따라 균일하게 분포되며, 기판(112)을 지지하기 위해 대등하게(coordinately) 이동한다.
도 2b는 센터링 위치에서 하나의 센터링 핑거(142)를 도시하는 부분적으로 확대된 단면도이다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 일 실행예에서 지지 조립체(120)를 상방향으로 이동시킴으로써 이루어질 수 있는 핑거(142)와 대향판(144)의 접촉 해제시, 하단부(296)에 가해지는 중력 작용(G)으로 인해 핑거(142)는 샤프트(146)를 중심으로 피벗 가능하게 되고, 이에 따라, 상단부(294)는 방사상 내측으로 이동하여 기판(112)의 외주연 에지에 접촉하고 기준축(Z)을 향한 방향으로 변위력(F)을 가한다. 상단부(294)의 두께가 기판(112)의 상부면보다 약간 더 높게 설계될 수 있다는 것을 언급할 가치가 있다. 상단부(294)에 의해 상기 변위력(F)이 가해지면, 기판(112)의 외주연 에지가 그에 따라 상단부(294) 위로 미끄러지는 것이 방지될 수 있다.
도 2c는 상기 기판(112)을 해제하기 위해, 분리 위치에 있는 센터링 핑거(142)를 도시하는 부분적으로 확대된 단면도이다. 상기 지지대(122)는 하방으로 이동할 수 있으며, 이에 따라, 핑거(142)의 하단부(296)를 대향판(144)에 접촉하도록 밀고, 이는 하단부(296)에 가해지는 중력 작용과 반작용한다. 그 결과, 상기 핑거(142)가 반대 방향으로 피벗 가능하게 됨으로써, 상단부(294)는 기판(112)의 외주연 에지와의 접촉에서 빠져나오게 된다.
전술한 바와 같이, 상기 센터링 기구(140)의 구조는 그에 따라 각각의 센터링 핑거(142)를 바이어스시키도록 중력 작용을 이용함으로써 기판(112)을 자동으로 지지할 수 있다. 지지 조립체(120) 상에서의 센터링 핑거(142)의 위치는 센터링하고자 하는 기판의 외형에 따라 좌우될 수 있다.
도 3a는 원형 기판(112)을 지지대(122)로부터 소정 거리에 지지하기 위해 3개의 센터링 핑거(142)가 사용될 수 있는 일 실시예의 간략화된 평면도이다. 상기 3개의 센터링 핑거(142)는 기준축(Z)을 중심으로 한 원 주위에 규칙적으로 이격되어 있다. 각각의 핑거의 상단부(294)와 각각의 지지 탭(298)의 조합은 원형 기판(112)의 에지를 지지하기 위한 포켓을 형성한다. 도시되지 않은 다른 실시예에서, 상이한 외형의 다른 기판들을 지지하기 위해 더 많은 센터링 핑거가 상이한 배열로 위치될 수 있다.
도 3b는 기판(112)을 센터링하기 위해 3개의 센터링 핑거를 사용한 센터링 기구(140)의 일 실시예의 간략화된 평면도이다. 상기 3개의 센터링 핑거(142)는 기준축(Z)을 중심으로 한 원 주위에 규칙적으로 이격되어 있으며, 각각의 핑거(142)는 원형 기판(112)을 센터링하기 위해 방사상 변위력(F)을 가할 수 있다. 도시되지 않은 다른 실시예에서, 상이한 외형의 다른 기판들을 센터링하기 위해 더 많은 센터링 핑거가 상이한 배열로 위치될 수 있다.
상기 기판(112)을 효과적으로 센터링하기 위해, 각각의 센터링 핑거(142)는 기판(112)을 움직이기에 충분한 양의 변위력(F)을 가할 필요가 또한 있으며, 이는 가중된 하단부(296)에 포함된 질량과 관계가 있다. 일 실행예에서, 상기 포함된 질량은 약 10g 내지 약 500g의 범위 이내일 수 있다. 상기 하단부(296)에 적당한 질량을 포함시키기 위해 대형의 거대한 하단부(296)를 형성하는 것과 같은 다양한 방법이 실시될 수 있다.
도 4는 센터링 핑거(242)의 가중된 하단부(296)를 형성하기 위해 질량 밀도가 높은 내장형 중실 재료(402)가 사용될 수 있는 변형 실시예를 도시하고 있다. 핑거(142)에 중실 재료(402)를 내장하는 방법은, 예를 들어, 핑거(142)를 제조하기 위해 사용된 세라믹 재료를 중실 재료(402) 주위에 소결시키는 방법을 포함할 수 있다. 상기 중실 재료(402)는 몰리브덴이거나, 핑거(142)를 위해 사용된 주변 재료보다 질량 밀도가 더 높은 다른 적합한 재료일 수 있다. 가중된 하단부(296)의 크기를 규제할 수 있는 실시예에서, 질량 밀도가 높은 내장 재료(402)의 사용은 그 크기를 증대시키지 않고 가중된 하단부(296)의 질량을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
전술한 실시예들은 센터링 기구를 실시하고 작동시키기 위한 소정의 특정한 방식을 설명하지만, 많은 변형예가 안출될 수 있다. 예를 들면, 하기에 기재되는 대안적인 실시예에서, 각각의 센터링 핑거에 대해 다른 구조가 실시될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 센터링 핑거(542)의 다른 실시예를 도시한 부분 단면도이다. 상기 센터링 핑거(542)는 지지대(122)의 외측 경계로부터 연장된 브라켓(543)에 샤프트(546)에 의해 피벗 가능하게 장착된다. 상기 지지대(122)의 지지면은 기판(112)의 표면적보다 더 작을 수 있으며, 이에 따라, 상기 지지대(122) 상의 적소에 있는 기판(112)의 외주연 부분은 접촉 지지되지 않는다. 전술한 실시예들과 마찬가지로, 상기 핑거(542)는 도 5b에 도시된 바와 같이 핑거가 센터링 위치에 있을 때 기판(112)의 외주연 에지와 접촉하도록 구성된 상단부(594)와, 도 5a에 도시된 바와 같이 핑거(542)가 지지 위치에 있을 때 기판을 지지하기 위한 지지 탭(598)을 포함한다. 상기 핑거(542)는, 핑거(542)가 지지 위치에 있을 때, 당해 핑거(542)를 지지대(122)의 표면에 대해 소정 위치로 바이어스시키기 위해 상기 샤프트(546)로부터 편심되어 있는 가중된 하단부(596)를 더 포함한다. 상기 가중된 하단부(596)는 또한 핑거(542)가 센터링 위치에 있을 때 기판(112)의 외주연 에지에 대해 핑거(542)를 바이어스시킨다. 또한, 상기 핑거(542)는 샤프트(564)에 대하여 하단부(596)의 반대측에 있으며 대향판(544) 아래에 배열된 말단 프롱(distal prong)(590)을 포함한다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(112)을 지지하기 위해, 센터링 핑거(542)의 하단부(596)는 중력 작용(G)을 받게 되며, 상기 중력 작용은 핑거(542)를 바이어스시키고, 상단부(594)를 지지대(122)의 표면에 접촉시킨다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 기판(112)을 센터링하기 위해, 센터링 핑거(542)의 하단부(596)는 중력 작용(G)을 받게 되며, 상기 중력 작용은 핑거(542)를 바이어스시키고, 상단부(594)가 기판(112)의 외주연 에지에 대해 변위력(F)을 가하도록 한다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 기판(112)의 외주연 에지 또는 지지대(122)의 표면으로부터 상단부(594)를 분리시키기 위해, 지지 조립체(120)가 상방향으로 이동될 수 있으며, 이에 따라, 상기 말단 프롱(590)이 대향판(544)과 접촉하게 된다. 상기 지지 조립체(120)가 대향판(544)에 대해 상방향으로 더 이동함에 따라, 상기 하단부(596) 상의 중력 작용은 극복되며, 상기 핑거(542)는 샤프트(546)를 중심으로 회전하여 기판(112)의 외주연 에지로부터 상단부(594)를 분리시킨다. 일 실시예에서, 상기 핑거(542)는 센터링을 마치자마자 프로세싱 과정 중에 해제될 수 있으며, 따라서 상단부(594) 상의 바람직하지 않은 증착을 방지하고, 핑거(542)가 존재함으로 인한 프로세스의 불균일성을 감소시킬 수 있다. 핑거(542)를 지지하는 지지 조립체(120)를 대향판(544)에 대해 이동시키는 대신, 대안적 실시예들은 지지 조립체(120)에 대해 이동가능한 대향판(544)을 설계하여 말단 프롱(590)에 접촉시키고, 상단부(594)를 기판(112)으로부터 분리시킬 수 있는 것을 언급할 가치가 있다.
도 6은 센터링 핑거(642)의 다른 변형 실시예를 도시한 부분 단면도이다. 이전의 실시예들과 마찬가지로, 상기 센터링 핑거(642)는 샤프트(646)에 의해 지지대(122)에 피벗 가능하게 장착된다. 상기 센터링 핑거(642)는 기판(112)을 지지하도록 구성된 지지 탭(698)과 상단부(694), 및 중력의 작용하에서 핑거(642)를 바이어스시키기 위해 샤프트(646)로부터 편심된 가중된 하단부(696)를 포함한다. 그러나 이전의 실시예들과는 달리, 샤프트(646)에 대한 하단부(696)의 편심도는 기판(112)으로부터 상단부(694)를 분리시키는 위치로 핑거(642)를 바이어스시키도록 구성된다. 상기 센터링 핑거(642)를 지지 위치에 위치시키기 위해, 서보 모터 또는 스텝 모터(652)와 제어기(654)에 결합되는 대향판(650)이 제어가능하게 이동하여 핑거(642)와 상호작용한다. 보다 구체적으로, 상기 대향판(650)은 상방향으로 이동하여 하단부(696)를 밀며, 샤프트(646)를 중심으로 핑거(642)를 피벗시키며 바이어스된 위치를 떠나게 한다. 상기 제어기(654)는 모터(652)로부터 작동 신호(653)를 수신하고, 이에 따라 모터(652)의 출력을 제어하기 위해 모터(652)로 제어 신호를 발신한다. 이에 따라, 대향판(650)의 제어된 상방향 운동 범위는 상단부(694)의 제어된 변위가 기판(112)을 이동시키고 지지하도록 한다.
상기 센터링 핑거(642)가 센터링 위치에 있는 실시예에서, 상기 지지 탭(698)은 기판(112)의 외주연 에지에 접촉하고, 가중된 하단부(696)는 중력의 작용하에서 샤프트(646)로부터 편심 운동하여 핑거(642)를 바이어스시킨다.
일 실시예에서, 상기 제어기(654)는 각각의 센터링 핑거(642)에 의해 센터링되고 있는 기판에 가해지는 힘을 작동 신호(653)를 이용하여 모니터링한다. 일 실시예에서, 상기 작동 신호(653)는 모터(652)의 토크일 수 있다. 센터링되고 있는 기판에 가해지는 힘이 미리 결정된 양에 도달하였음을 나타내는 임계값에 상기 작동 신호(653), 예를 들어 모터(652)의 토크가 도달하면, 그에 따라 기판이 적절하게 센터링된다. 그 후, 상기 제어기(654)는 오버 센터링을 피하기 위해 모터(652)를 정지시키고, 이에 따라, 기판에 대한 손상을 방지한다.
기판(112)으로부터 상단부(694)를 분리하기 위해, 대향판(650)이 하방으로 이동하고, 이에 따라, 핑거(642)는 가중된 하단부(696)에 가해지는 중력의 작용하에서 바이어스된 위치로 복귀하게 된다.
도 7은 센터링 핑거(742)의 또 다른 실시예를 부분적으로 도시한 단면도이다. 상기 센터링 핑거(742)는 세장형 세라믹 스프링과 같은 탄성 부재로서 형성되며, 지지대(122)로부터 분리된 프레임(748)에 고정적으로 장착된 제 1 단부(752)와, 지지대(122)에 형성된 개구(756)를 통해 지지대(122) 위로 연장된 제 2 단부(754)를 갖는다. 상기 제 2 단부(754)는 센터링 핑거(742)가 지지 위치에 있을 때 기판(112)을 지지하기 위한 지지 레지(support legde)(758)를 포함한다. 일 실시예에서, 기준축(Z)에 대해 기판(112)을 센터링하기 위해, 상기 핑거(742)는 바이어스되어 기준축(Z)을 향한 방향으로 기판(112)의 외주연 에지를 밀게 된다. 상기 기판(112)과의 접촉으로부터 핑거(742)를 분리시키기 위해, 대향 엑츄에이터(760)가 제어가능하게 이동하여 핑거(742)와 상호작용할 수 있다. 상기 엑츄에이터(760)는 핑거(742)와 접촉하며 핑거(742)를 밀어낼 수 있으며, 이에 따라, 상기 핑거는 그 바이어스된 위치로부터 멀리 편향되어 기판(112)으로부터 분리된다.
프로세스
프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법이 또한 제공된다. 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명하였으나, 이 방법들은 기판의 가열 및 센터링을 포함한 임의의 프로세싱 시스템에 적용될 수 있음을 이해하여야 한다.
일 실시예에서, 기판(112)을 수용하도록 구성되며 가열되는 지지면(124)과 내장형 히터(103)를 가진 기판 지지 조립체(120)가 제공된다. 상기 지지면(124)에 실질적으로 수직한 기준축(Z)에 중심을 둔 원을 따라 배치된 복수의 센터링 부재(142)가 제공된다. 각각의 센터링 부재(142)는 상기 기판(112)의 외주연 에지에 접촉하도록 구성된 단부(294)를 포함하고, 상기 단부(294)는 상기 기준축(Z)을 향하여 그리고 상기 기준축으로부터 멀리 방사상으로 이동가능하다. 상기 기판 지지 조립체(120)의 지지면(124)으로부터 소정 거리(A)에 기판(112)을 지지하기 위해, 상기 단부(294)에는 지지 탭(298)이 위치되고, 그리고 상기 지지 탭(298)과 상기 단부(294)의 교차부에 기판 지지 노치(299)가 형성된다. 일 실시예에서, 히터(103)의 세트포인트 온도를 변화시키지 않고, 기판(112)과 가열된 지지면(124) 간의 열저항이 기판(112)에 대해 상이한 온도를 생성시키도록, 기판(112)과 가열된 지지면(124) 사이의 거리(A)가 선택된다.
일 실시예에서, 상기 기판(112)은 상기 복수의 센터링 부재(142) 각각의 지지 탭(298) 상에 위치된다. 일 실시예에서, 상기 복수의 센터링 부재(142) 각각의 상단부(294)와 각각의 지지 탭(298)의 조합은 원형 기판(112)의 에지를 지지하기 위한 포켓을 형성하고, 상기 기판(112)은 상기 포켓 내부에 위치하게 된다.
일 실시예에서, 상기 기판(112)의 제 1 프로세싱 온도에서 기판(112)에 사전처리 프로세스가 실시된다. 일 실시예에서, 상기 사전처리 프로세스는 어닐링 프로세스이다. 일 실시예에서, 상기 어닐링 프로세스는 약 250℃ 내지 약 270℃ 사이의 기판 온도에서 실시된다.
일 실시예에서, 상기 사전처리 프로세스 후, 상기 기판(112)은 상기 지지 탭(298)으로부터 제거된다. 각각의 센터링 부재(142)의 단부(294)는 상기 기준축(Z)으로부터 멀리 방사상 외측으로 이동하게 된다. 상기 기판(112)은 기판 지지 조립체(120) 상에 배치되고, 상기 기판(112)과 상기 센터링 부재(142)는 접촉하지 않는다. 각각의 센터링 부재(142)의 단부(294)는 기판(112)을 센터링하기 위해 기판(112)의 외주연 에지에 접촉하도록 방사상 내측으로 이동하게 된다. 상기 기판(112)은 상기 센터링 부재(142)의 단부(294)를 이용하여 센터링된다.
일 실시예에서, 상기 기판(112)이 센터링된 후, 상기 기판의 제 2 프로세싱 온도에서 기판(112)에 증착 프로세스가 실시되고, 상기 제 1 프로세싱 온도는 상기 제 2 프로세싱 온도와 상이하다. 일 실시예에서, 상기 제 2 프로세싱 온도는 약 350℃ 내지 약 400℃ 사이이다.
일 실시예에서, 상기 히터(103)의 세트포인트 온도는 사전처리 프로세스와 증착 프로세스 모두에 대해 동일하다. 일 실시예에서, 상기 히터(103)의 세트포인트 온도는 증착 프로세스의 온도와 동일하다. 일 실시예에서, 상기 히터(103)의 세트포인트 온도는 약 350℃ 내지 약 400℃ 사이이다.
이상은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 기본적 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 다른 추가의 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 하기된 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치로서,
    기판을 수용하도록 구성된 지지면을 갖는 지지대; 및
    상기 지지면에 대해 평행한 거리에 기판을 지지하고 상기 지지면에 수직한 기준축에 대해 기판을 센터링하기 위한 복수의 센터링 핑거로서, 상기 복수의 센터링 핑거가 지지면의 외주연을 따라 이동가능하게 배치되는, 복수의 센터링 핑거;를 포함하고, 상기 복수의 센터링 핑거는 각각:
    기판의 외주연 에지와 접촉하거나 이를 지지하기 위한 제 1 단부를 포함하고, 상기 제 1 단부는:
    기판의 외주연 에지와 해제가능하게 접촉하기 위해 지지대의 지지면 위로 연장하는 상단부;
    상기 상단부 상에 위치된 지지 탭; 및
    상기 기판을 지지하기 위해, 상기 지지 탭과 상기 상단부의 교차부에 의해 형성된 기판 지지 노치;를 포함하며,
    상기 복수의 센터링 핑거는, 제 1 위치로부터 제 2 위치까지의 상기 제 1 단부의 후퇴이동 및 상기 제 2 위치로부터 상기 제 1 위치로의 상기 제 1 단부의 전진이동을 포함하는 센터링 시퀀스를 수행하도록 구성되고,
    상기 후퇴이동은 상기 센터링 핑거가 상기 기판의 외주연 에지를 해제하도록 (release) 하고, 상기 해제에 의해 상기 기판은 상기 지지면 상에 안착하게 되고,
    상기 전진이동은 상기 센터링 핑거가 기준축을 향하는 방향으로 상기 지지면 상에 위치된 상기 기판을 밀도록 함으로써 상기 센터링 핑거에 의해 상기 기판을 위치시키는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지대는 미리 결정된 온도로 상기 지지대와 그 위에 위치된 기판을 제어가능하게 가열하도록 작동될 수 있는 하나 이상의 내장형 히터를 내포하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버에서 박리와 입자 오염을 저감하기 위해 복수의 센터링 핑거, 지지대 및 기판의 외주연 에지 상의 증착을 방지하도록 위치된 둘레의 새도우 프레임을 더 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 배면의 온도 프로파일을 나타내는 계량을 제공하기 위한 광섬유 온도 센서를 더 포함하고, 상기 광섬유 온도 센서는 상기 지지대 내에 위치되는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 센터링 핑거에 의해 기판이 지지될 때, 상기 기판의 배면 상의 증착에 의해 야기되는 입자 오염을 방지하기 위해 상기 기판의 배면에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급원과 결합되는 하나 또는 둘 이상의 퍼지 가스 입구를 더 포함하고, 상기 하나 또는 둘 이상의 퍼지 가스 입구는 상기 지지대 내에 위치되는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 단부를 이동시키기 위해 상기 복수의 센터링 핑거 각각과 상호작용하는 대향 부재를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 대향 부재는 상기 복수의 센터링 핑거 각각의 제 1 단부를 제 2 위치를 향해 이동시키도록 구성되고, 상기 복수의 센터링 핑거 각각은 제 1 위치를 향해 독립적으로 바이어스되며, 상기 복수의 센터링 핑거로부터의 바이어스력들의 조합이 상기 기판을 기준축에 대해 센터링하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    각각의 상기 센터링 핑거는 상기 지지대에 대해 상기 센터링 핑거를 피벗 가능하게 장착하는 샤프트로부터 편심된 가중부를 더 포함하고, 상기 제 1 단부와 상기 가중부는 상기 샤프트의 대향하는 측면들에 배치되며, 상기 가중부는 센터링 핑거를 제 1 위치로 바이어스시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 대향 부재의 이동가능한 부재와 결합되는 모터의 작동 신호를 모니터링 하도록 구성된 제어기를 더 포함하고, 상기 대향 부재는 제 1 위치를 향해 상기 복수의 센터링 핑거 각각의 제 1 단부를 이동시키도록 구성되며, 상기 제어기는 상기 모터의 작동 신호를 모니터링함으로써 센터링의 종점을 결정하도록 구성된,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 센터링 핑거는 세라믹, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄, 및 이들의 조합을 포함하는 재료로 제조되는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 위치시키기 위한 장치.
  11. 프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법으로서,
    내장형 히터 및 가열되는 지지면을 갖는 지지대를 제공하는 단계로서, 상기 지지면이 기판을 수용하도록 구성되는, 지지대 제공 단계;
    상기 지지면에 수직한 기준축에 중심을 둔 원을 따라 배치되는 복수의 센터링 핑거를 제공하는 단계로서, 각각의 센터링 핑거가,
    상기 기판의 외주연 에지에 접촉하도록 구성되고, 상기 기준축을 향하여 및 상기 기준축으로부터 멀어지게 방사상으로 이동가능한 단부;
    상기 단부상에 위치되는 지지 탭; 및
    상기 지지대의 지지면으로부터 소정 거리에 기판을 지지하기 위해, 상기 지지 탭과 상기 단부의 교차부에 형성되는 기판 지지 노치;를 포함하는, 단계;
    상기 기판을 상기 복수의 센터링 핑거 각각의 기판 지지 노치 상에 위치시키는 단계;
    상기 기판의 제 1 프로세싱 온도에서 기판에 대한 사전처리 프로세스를 실시하는 단계;
    상기 기판을 상기 기판 지지 노치로부터 제거하는 단계;
    각각의 센터링 핑거의 단부를 상기 기준축으로부터 멀어지게 방사상 외측으로 이동시키는 단계;
    상기 기판을 지지대 상에 배치하는 단계로서, 상기 기판과 상기 센터링 핑거는 접촉하지 않는, 단계;
    기판을 센터링하기 위해 각각의 센터링 핑거의 단부를 기판의 외주연 에지와 접촉하도록 방사상 내측으로 이동시키는 단계;
    상기 기판을 상기 센터링 핑거의 단부를 이용하여 위치시키는 단계; 및
    상기 기판의 제 2 프로세싱 온도에서 기판에 대한 증착 프로세스를 실시하는 단계로서, 상기 제 1 프로세싱 온도는 상기 제 2 프로세싱 온도와 상이한, 단계;를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 히터의 세트포인트 온도를 변화시키지 않고, 기판과 가열된 지지면 사이의 열저항이 기판에 대해 상이한 온도를 생성시키도록, 기판과 가열된 지지면 사이의 거리가 선택되는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    각각의 센터링 핑거의 단부를 이동시키는 단계는 지지대 상에 장착된 샤프트를 중심으로 각각의 센터링 핑거를 피벗하는 단계를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    각각의 센터링 핑거의 단부를 방사상 내측으로 이동시키는 단계는 센터링 핑거에 편심되게 결합되는 가중부를 해제하는 단계를 포함하고, 각각의 센터링 핑거의 단부를 방사상 외측으로 이동시키는 단계는 대향 부재를 이용하여 가중부를 리프팅하는 단계를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    각각의 센터링 핑거의 단부를 방사상 내측으로 이동시키는 단계는,
    대향 부재를 이용하여 샤프트로부터 센터링 핑거를 피벗시키는 단계;
    상기 대향 부재를 구동하는 모터의 작동 신호를 모니터링하는 단계로서, 상기 작동 신호가 센터링 핑거로부터 기판으로 가해지는 센터링력에 대응하는, 모니터링 단계; 및
    상기 센터링력이 임계값에 도달할 때, 상기 대향 부재를 정지시키는 단계;를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 센터링하기 위한 방법.
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