JP2012087336A - 基板処理装置、基板処理室のクリーニング方法、および電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通穴内にリフトピンが設けられたサセプタが配置された基板処理室内を腐食性物質でクリーニングしても、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない基板処理装置、該基板処理装置の基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置４００および基板処理室４１０のクリーニング方法では、基板１０ｓが無い状態でリフトピン４４０を下降させ、リフトピン挿通用穴部４３３をリフトピン４４０の頭部４４３によって塞いだ状態で、基板処理室４１０の内部にフッ素ラジカルを発生させる。この状態で、リフトピン挿通用穴部４３３のピン受け部４３５と頭部４４３とが全周で接する。ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、頭部４４３の下面４４４には凹部４４６（環状凹部４４６ａ）が形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、サセプタの貫通穴内にリフトピンが設けられた基板処理装置、該基板処理装置における基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。

液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置を製造する際には、基板処理装置の基板処理室において、サセプタ上に基板を配置して成膜等の処理が行われる。サセプタには、貫通穴からなるリフトピン挿通用穴部が形成されており、かかるリフトピン挿通用穴の内部には、基板をサセプタ上に載置するためのリフトピンが設けられている。

ここで、リフトピンは、例えば、図９に示すように、サセプタ４３０のリフトピン挿通用穴部４３３に挿通された軸部４４１と、軸部４４１の上端部で拡径した頭部４４３とを備えており、サセプタ４３０に対して上昇した際、頭部４４３の上面で基板を支持する。また、リフトピン４４０は、サセプタ４３０に対する下降する際に、頭部４４３の上面で支持していた基板をサセプタ４３０の上面に載置された状態とする。また、リフトピン挿通用穴部４３３の上端部は、拡径して環状のピン受け部４３５になっており、ピン受け部４３５は、リフトピン４４０がサセプタ４３０に対して下降した際に頭部４４３の下面４４４に全周で当接してリフトピン４４０を受ける（特許文献１、２参照）。

従って、特許文献１に記載の基板処理装置では、リフトピン４４０がサセプタ４３０に対して下降した際、環状のピン受け部４３５は、ピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積と等しい接触面積をもって頭部４４３の下面４４４に面接触し、リフトピン４４０を受けることになる。

なお、リフトピン挿通用穴部４３３の内周面から突出した突出部を周方向で離間した位置に設け、かかる突出部によってピン受け部を構成した基板処理装置も提案されている（特許文献３参照）。かかる特許文献３に記載の基板処理装置では、ピン受け部は環状になっていない。このため、ピン受け部は、ピン受け部と頭部４４３との対向面積と等しい接触面積をもって頭部４４３の下面４４４に当接するが、全周で頭部４４３を受ける構成にはなっていない。

また、この種の装置において基板処理室４１０内に堆積した異物を除去する方法として、基板処理室４１０内でフッ素プラズマを発生させ、かかるフッ素プラズマにより生成したフッ素ラジカルによって堆積物を除去する方法が提案されている（特許文献４参照）。

特開平１１−１１１８２１号公報 特開２００３−１４２４０７号公報 特開２００４−６３８６５号公報 特開平９−６４０１３号公報

特許文献１〜３に記載の基板処理装置において、基板が無い状態で、リフトピン４４０をサセプタ４３０に対して下降させた状態で、特許文献４に記載の方法で基板処理室のクリーニングを行うと、リフトピン４４０の軸部４４１が腐食してリフトピン４４０とリフトピン挿通用穴部４３３との間の摺動抵抗が著しく増大する結果、リフトピン４４０とサセプタ４３０との相対的な上下動に支障が発生するという問題点がある。より具体的には、特許文献１、２に記載の基板処理装置において、環状のピン受け部４３５は、ピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積と等しい接触面積をもって頭部４４３の下面４４４に面接触しているため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が広い。このため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触圧が低いので、ピン受け部４３５と頭部４４３との間に隙間が発生しやすい。また、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が広いため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に異物が挟まりやすく、かかる異物は、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に隙間を発生させる。このため、矢印Ｓで示すように、ピン受け部４３５と頭部４４３との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３内に侵入し、リフトピン４４０の軸部４４１を腐食させてしまうのである。

なお、特許文献３に記載の基板処理装置では、ピン受け部が全周で頭部４４３を受ける構成にはなっていないため、ピン受け部の間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３の内部に侵入し、リフトピン４４０の軸部４４１を腐食させてしまう。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、貫通穴内にリフトピンが設けられたサセプタが配置された基板処理室内を腐食性物質でクリーニングしても、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない基板処理装置、該基板処理装置の基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、上面に基板載置面をもって基板処理室内に配置されたサセプタと、該サセプタを上下方向に貫通するリフトピン挿通用穴部と、該リフトピン挿通用穴部に挿通された軸部、および該軸部の上端部で拡径して上面で前記基板を支持する頭部を備えたリフトピンと、前記リフトピンと前記サセプタとを相対的に上下動させる昇降装置と、前記リフトピン挿通用穴部の上端部で拡径し、前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際に前記頭部の下面に全周で当接する環状のピン受け部と、該ピン受け部および前記頭部の下面のうちの少なくとも一方側で凹んで前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際の前記ピン受け部と前記頭部との接触面積を前記ピン受け部と前記頭部との対向面積よりも狭くする凹部と、を有していることを特徴とする。

本発明では、基板がサセプタ上に配置されておらず、かつ、リフトピンをサセプタに対して下降させた状態で基板処理室内にフッ素ラジカル等の腐食性物質を供給して、基板処理室内の異物を除去する。その際、環状のピン受け部は、リフトピンの頭部の下面を全周にわたって受けるため、フッ素ラジカル等の腐食性物質がリフトピン挿通用穴部内に侵入しにくい。また、ピン受け部および頭部の下面のうちの少なくとも一方側には凹部が形成されており、かかる凹部の形成によって、リフトピンがサセプタに対して下降した際の環状のピン受け部と頭部との接触面積は、環状のピン受け部と頭部との対向面積よりも狭くなっている。このため、環状のピン受け部と頭部の下面との接触圧が高いので、頭部と環状のピン受け部との間に隙間が発生しにくい。また、環状のピン受け部と頭部の下面との接触面積が狭いため、ピン受け部と頭部の下面との間に異物が挟まるという事態が発生しにくい。従って、環状のピン受け部と頭部との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部内に侵入してリフトピンの軸部を腐食させるという事態が発生しにくいので、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない。

本発明において、前記凹部は、前記頭部の下面に形成されていることが好ましい。凹部については、環状のピン受け部および頭部の下面のうちの何れの側に形成されていてもよい。但し、前記凹部が前記頭部の下面に形成されている構成であれば、リフトピンという比較的簡素な部品の構造を変えるだけでよいので、本発明を実施する際、改良に多大な手間が発生せず、著しいコスト増も発生しない。

本発明において、前記凹部は、前記ピン受け部に沿って延在する環状凹部である構成を採用することができ、かかる環状凹部については、１条である構成を採用することができるとともに、前記環状凹部が同心円状に複数条形成されている構成を採用することもできる。かかる構成によれば、全周に均等な力が加わるので、ピン受け部と頭部の下面との間に隙間が発生しにくいという利点がある。

本発明において、前記凹部は、周方向において途切れた複数の第１凹部と、該第１凹部より内周側位置で当該第１凹部の途切れ部分に重なる角度位置に形成されて周方向において途切れた複数の第２凹部と、を有している構成を採用してもよい。

本発明において、前記凹部は、前記環状のピン受け部が前記リフトピンの軸線方向と成す角度と、前記頭部の下面が前記リフトピンの軸線方向と成す角度とを相違させて、前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際に前記頭部の下面と前記環状のピン受け部とを周方向で連続する線接触状態とする円錐面を構成している構成を採用してもよい。

本発明において、前記基板処理室は、例えば、ＣＶＤ（化学気相成膜）室である。かかる構成の基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法では、前記基板処理室内で前記基板上に対して成膜を行う成膜工程を有することを特徴とする。

本発明に係る前記基板処理室のクリーニング方法は、前記基板載置面上に前記基板がなく、かつ、前記リフトピンを前記サセプタに対して下降させた状態で、前記基板処理室内にフッ素ラジカルを発生させることを特徴とする。

本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の説明図である。 本発明の実施の形態１に係る基板処理装置のサセプタの平面図である。 本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の要部（リフトピン周辺）の構造を示す説明図である。 本発明の実施の形態１の変形例１に係る基板処理装置の要部（リフトピン周辺）の構造を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の要部（リフトピン周辺）の構造を示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係る基板処理装置の要部（リフトピン周辺）の構造を示す説明図である。 本発明が適用される液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。 本発明が適用される液晶装置の製造工程を示す説明図である。 従来の基板処理装置の要部（リフトピン周辺）の構造を示す説明図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、リフトピンが上昇して頭部で基板を支持した状態の説明図、リフトピンが下降してサセプタの基板載置面上に基板を載置した状態の説明図、および基板処理室をクリーニングする様子を示す説明図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置のサセプタの平面図である。

図１（ａ）に示す基板処理装置４００は、プラズマＣＶＤ装置であって、基板１０ｓが処理される基板処理室４１０を区画する壁部４２０を有している。基板処理装置４００において、壁部４２０には、基板処理室４１０内に基板１０ｓを搬入するとともに、基板処理室４１０内の基板１０ｓを搬出する搬入搬出口（図示せず）が設けられている。また、壁部４２０には、基板処理室４１０の内部にガスを導入するガス導入口４１１と、基板処理室４１０からガスを排出する排出口４１３とが設けられている。基板処理室４１０の天面には、プラズマ励起用の上電極４７０が設けられている。

本形態の基板処理装置４００において、基板処理室４１０には、上電極４７０の下面と対向するようにサセプタ４３０が設けられており、かかるサセプタ４３０の上面は、基板１０ｓが載置される基板載置面４３１になっている。なお、図示を省略するが、サセプタ４３０は、プラズマ励起用の下電極、基板１０ｓに対する加熱装置、基板１０ｓを基板載置面４３１に吸着保持する静電式基板保持装置等も有している。

サセプタ４３０には、厚さ方向に貫通するリフトピン挿通用穴部４３３が複数、設けられており、かかる複数のリフトピン挿通用穴部４３３の各々の内側にはリフトピン４４０が配置されている。

本形態においては、図２に示すように、リフトピン挿通用穴部４３３およびリフトピン４４０は、サセプタ４３０において、基板載置面４３１の中央位置の周りを囲む等角度間隔の３か所に設けられている。

再び図１（ａ）において、サセプタ４３０の下方位置には、リフトピン４４０とサセプタ４３０とを相対的に上下動させる昇降装置４６０の出力軸４６１が配置されている。本形態において、サセプタ４３０は、カバー４８５を介して基板処理室４１０に固定された状態にあり、リフトピン４４０は、リフトピン挿通用穴部４３３の内側で上下動可能である。また、サセプタ４３０の下方位置はカバー４８５によって密閉されている。昇降装置４６０の出力軸４６１の先端部には駆動板４６５が連結されており、かかる駆動板４６５は、複数のリフトピン４４０の全てに対して、リフトピン４４０の軸線方向の下方に位置する。従って、昇降装置４６０の出力軸４６１が上昇して駆動板４６５が上昇すると、複数のリフトピン４４０は全て、駆動板４６５によって上方に押し上げられることになる。

（リフトピン４４０の詳細構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置４００の要部（リフトピン４４０周辺）の構造を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、リフトピン４４０の底面図、リフトピン４４０が上昇した状態の断面、およびリフトピン４４０が下降した状態の断面図である。なお、図３（ａ）において、頭部の下面に形成された凹部についてはグレーの領域として示してある。

図１および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の基板処理装置４００において、リフトピン４４０は、リフトピン挿通用穴部４３３に挿通された軸部４４１と、軸部４４１の上端部で拡径して上面で基板１０ｓを支持する頭部４４３とを備えている。かかる構成のリフトピン４４０は、セラミックス製、金属製、合成樹脂等からなる円筒状の軸部４４１の上端部に対して、断面Ｔ字形状のセラミックス製の頭部４４３の凸部を圧入する方法等により構成することができる。軸部４４１および頭部４４３に用いられるセラミックスとしてはアルミナ等を挙げることができる。

リフトピン挿通用穴部４３３は、リフトピン４４０の構成に対応して、軸部４４１の外径寸法よりわずかに大きな内径寸法をもって形成されており、リフトピン挿通用穴部４３３の内周面とリフトピン４４０の外周面とはわずかな隙間を介して対向している。リフトピン挿通用穴部４３３は、上端部で拡径しており、リフトピン４４０がサセプタ４３０に対して下降した際に頭部４４３の下面４４４に全周で当接する環状のピン受け部４３５が構成されている。より具体的には、リフトピン挿通用穴部４３３の上端部は、頭部４４３の外径寸法よりもわずかに大きな内径寸法の穴になっており、かかる穴の底部に環状のピン受け部４３５が形成されている。

かかるサセプタ４３０を構成するにあたって、本形態では、サセプタ４３０の本体部分４３８を構成する金属製等のブロックには、下方に向かって径が多段に拡大する段付きの穴４３９が形成されており、かかる穴４３９の内部にはセラミックス製の円筒体４３６が下方から装着されている。従って、本形態では、円筒体４３６の内部によってリフトピン挿通用穴部４３３が構成され、円筒体４３６の上端面によって環状のピン受け部４３５が構成される。なお、穴４３９内部には、円筒体４３６に対して下方で隣接する位置に止め輪４３７が装着されている。

ここで、円筒体４３６の上端面からなる環状のピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、リフトピン４４０において頭部４４３の下面４４４には、リフトピン４４０がサセプタ４３０に対して下降した際のピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積をピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭くする凹部４４６が形成されている。より具体的には、頭部４４３の下面４４４には、軸部４４１の周りを囲む環状凹部４４６ａが１条形成されており、環状凹部４４６ａは軸部４４１と同心状である。かかる構成の凹部４４６（環状凹部４４６ａ）によれば、リフトピン４４０がサセプタ４３０に対して下降した際、頭部４４３において環状のピン受け部４３５と接触するのは、頭部４４３の下面４４４において環状凹部４４６ａを挟む内周側環状部分および外周側環状部分のみであり、環状凹部４４６ａに相当する部分は、ピン受け部４３５と接しないことになる。

（基板１０ｓの搬出入動作）
本形態の基板処理装置４００において、基板１０ｓの表面にＣＶＤ法により成膜を行うには、まず、基板処理室４１０の内部に基板１０ｓを搬入する。それには、図１（ａ）および図３（ｂ）に示すように、昇降装置４６０によって駆動板４６５を上昇させると、リフトピン４４０が押し上げられ、頭部４４３は、サセプタ４３０の上面（基板載置面４３１）より上方に突出する。この状態で、ロボットハンド（図示せず）等によって、リフトピン４４０の頭部４４３の上面に基板１０ｓを載置する。

次に、図１（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、昇降装置４６０によって駆動板４６５を下降させると、リフトピン４４０が下降する。そして、リフトピン４４０の頭部４４３をサセプタ４３０のピン受け部４３５で受けた状態となった後、駆動板４６５がリフトピン４４０の下端部よりさらに下方まで下降すると、リフトピン４４０は、頭部４４３がピン受け部４３５に引っ掛かった状態で垂れ下がる。この状態で、リフトピン４４０の頭部４４３は、サセプタ４３０の上面（基板載置面４３１）より下方に位置する。このため、基板１０ｓは、サセプタ４３０の基板載置面４３１に載置された状態となる。

その間に、排出口４１３から基板処理室４１０の内部を真空引きし、基板処理室４１０の内部を減圧状態とする。また、ガス導入口４１１から基板処理室４１０の内部に原料ガスを導入しながら、上電極４７０とサセプタ４３０側の下電極（図示せず）との間にプラズマを発生させ、基板１０ｓに成膜を行う。

このようにして成膜を行った後、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を上昇させ、サセプタ４３０の基板載置面４３１から基板１０ｓを持ち上げた後、ロボットハンド（図示せず）等によって、リフトピン４４０の頭部４４３の上面から基板１０ｓを浮かせ、しかる後に、基板１０ｓを基板処理室４１０から搬出する。以降、同様な動作を繰り返し行って、基板１０ｓを順次処理する。

（基板処理室４１０のクリーニング動作）
本形態の基板処理装置４００において成膜処理を行うと、壁部４２０の内面やサセプタ４３０に、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の膜が堆積し、かかる膜が壁部４２０等から脱落すると、基板１０ｓに異物が付着することになる。そこで、本形態では、図１（ｃ）および図３（ｃ）に示すように、基板１０ｓが無い状態で、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を下降させ、リフトピン４４０の頭部４４３をサセプタ４３０のピン受け部４３５で受けた状態とする。この状態で、リフトピン４４０の頭部４４３とサセプタ４３０のピン受け部４３５との接触圧は、リフトピン４４０の自重と、頭部４４３とピン受け部４３５との接触面積とによって規定される。

この状態で、ガス導入口４１１から基板処理室４１０の内部にクリーニング用ガスを導入しながら、上電極４７０とサセプタ４３０側の下電極（図示せず）との間にプラズマを発生させる。本形態では、クリーニング用ガスとして、三フッ化窒素（ＮＦ₃）等の含フッ素ガス単体、あるいはフッ素ガスと他のガスとの混合ガスを基板処理室４１０の内部に供給し、フッ素ラジカルを発生させる。その間、排出口４１３から基板処理室４１０の内部を真空引きする。その結果、壁部４２０の内面やサセプタ４３０に堆積していた膜がフッ素ラジカルによって分解、エッチングされ、壁部４２０の内面やサセプタ４３０から除去されるとともに、基板処理室４１０から排出される。それ故、基板処理室４１０の内部をクリーニングすることができる。

かかるクリーニングを行う際、基板１０ｓが無いため、サセプタ４３０の上面でリフトピン挿通用穴部４３３の上部開口は露出しているが、リフトピン４４０は下降した状態にあって、頭部４４３の下面４４４は、リフトピン挿通用穴部４３３の内部のピン受け部４３５と全周において接している。このため、リフトピン挿通用穴部４３３は、リフトピン４４０の頭部４４３によって塞がれた状態にある。従って、基板処理室４１０のクリーニングのために発生させたフッ素ラジカルは、リフトピン挿通用穴部４３３の内部に侵入しない。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の基板処理装置４００および基板処理室４１０のクリーニング方法では、基板１０ｓが無い状態でリフトピン４４０を下降させ、リフトピン挿通用穴部４３３をリフトピン４４０の頭部４４３によって塞いだ状態で、基板処理室４１０の内部にフッ素ラジカルを発生させる。この状態で、リフトピン挿通用穴部４３３のピン受け部４３５と頭部４４３とが全周で接して、リフトピン挿通用穴部４３３と頭部４４３との間のシールが行われているため、フッ素ラジカルは、リフトピン挿通用穴部４３３の内部に侵入しない。

また、ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、リフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４には凹部４４６（環状凹部４４６ａ）が形成されているため、ピン受け部４３５と頭部４４３とは径方向の一部で接している。このため、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積は、ピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭い。従って、環状のピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触圧が高いので、頭部と環状のピン受け部との間に隙間が発生しにくい。また、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が狭いため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に異物が挟まるという事態が発生しにくい。従って、ピン受け部４３５と頭部４４３との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３内に侵入して、リフトピン４４０の軸部４４１の外周面やリフトピン挿通用穴部４３３の内周面を腐食させるという事態が発生しにくいので、リフトピン４４０とリフトピン挿通用穴部４３３との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない。それ故、リフトピン４４０は、リフトピン挿通用穴部４３３の内部でスムーズに移動することになる。

また、本形態では、環状のピン受け部４３５およびリフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４のうち、頭部４４３の下面４４４の側に凹部４４６が形成されている。このため、リフトピン４４０という比較的簡素な部品の構造を変えるだけでよいので、改良に多大な手間が発生せず、著しいコスト増も発生しない。

さらに、凹部４４６は、ピン受け部４３５に沿って延在する環状凹部４４６ａであるため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４とは、周方向の全体にわたって均等な接触圧をもって接する。従って、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に隙間が発生しにくいという利点もある。

［実施の形態１の変形例１］
図４は、本発明の実施の形態１の変形例１に係る基板処理装置４００の要部（リフトピン４４０周辺）の構造を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、リフトピン４４０の底面図、リフトピン４４０が上昇した状態の断面、およびリフトピン４４０が下降した状態の断面図である。なお、図４（ａ）において、頭部の下面に形成された凹部についてはグレーの領域として示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図４に示す基板処理装置４００においても、実施の形態１と同様、基板処理室４１０の内部をクリーニングする際には、図４（ｃ）に示すように、基板１０ｓが無い状態で、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を下降させ、リフトピン４４０の頭部４４３をサセプタ４３０のピン受け部４３５で受けた状態とする。そして、基板処理室４１０の内部にクリーニング用ガスを導入しながら、基板処理室４１０の内部にプラズマを発生させ、フッ素ラジカルを発生させる。かかるクリーニングを行う際、頭部４４３の下面４４４は、リフトピン挿通用穴部４３３の内部のピン受け部４３５と全周において接しているため、リフトピン挿通用穴部４３３は、リフトピン４４０の頭部４４３によって塞がれた状態にある。

本形態では、ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、リフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４には、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積をピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭くする凹部４４６が形成されている。

より具体的には、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、凹部４４６は、リフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４において、軸部４４１を中心とする外周側の第１環状凹部４４６ｂと、第１環状凹部４４６ｂと同心円状に形成された内周側の第２環状凹部４４６ｃとからなる。このため、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積は、ピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭い。従って、環状のピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触圧が高いので、頭部４４３とピン受け部４３５との間に隙間が発生しにくい。また、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が狭いため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に異物が挟まるという事態が発生しにくい。従って、ピン受け部４３５と頭部４４３との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３内に侵入して、リフトピン４４０の軸部４４１の外周面やリフトピン挿通用穴部４３３の内周面を腐食させるという事態が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［実施の形態１の変形例２］
上記実施の形態１では、凹部４４６（第１環状凹部４４６ｂおよび第２環状凹部４４６ｃ）をリフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４に形成したが、頭部４４３の下面４４４を平坦面とする一方、ピン受け部４３５の側に凹部４４６を形成してもよい。また、頭部４４３の下面４４４およびピン受け部４３５の双方に凹部４４６を形成してもよい。

［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置４００の要部（リフトピン４４０周辺）の構造を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、リフトピン４４０の底面図、リフトピン４４０が上昇した状態の断面、およびリフトピン４４０が下降した状態の断面図である。なお、図５（ａ）において、頭部の下面に形成された凹部についてはグレーの領域として示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図５に示す基板処理装置４００においても、実施の形態１と同様、基板処理室４１０の内部をクリーニングする際には、図５（ｃ）に示すように、基板１０ｓが無い状態で、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を下降させ、リフトピン４４０の頭部４４３をサセプタ４３０のピン受け部４３５で受けた状態とする。そして、基板処理室４１０の内部にクリーニング用ガスを導入しながら、基板処理室４１０の内部にプラズマを発生させ、フッ素ラジカルを発生させる。かかるクリーニングを行う際、頭部４４３の下面４４４は、リフトピン挿通用穴部４３３の内部のピン受け部４３５と全周において接しているため、リフトピン挿通用穴部４３３は、リフトピン４４０の頭部４４３によって塞がれた状態にある。

本形態では、ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、頭部４４３の下面４４４には、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積をピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭くする凹部４４６が形成されている。

より具体的には、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、凹部４４６は、頭部４４３の下面４４４において、途切れ部分４４６ｆをもって軸部４４１を中心にして周方向に配置された複数の円弧状の第１凹部４４６ｄと、第１凹部４４６ｄより内周側で、途切れ部分４４６ｇをもって軸部４４１を中心にして周方向に配置された複数の円弧状の第２凹部４４６ｅとからなる。ここで、第１凹部４４６ｄは、第２凹部４４６ｅの途切れ部分４４６ｇに外周側で重なるように形成され、第２凹部４４６ｅは、第１凹部４４６ｄの途切れ部分４４６ｆに内周側で重なるように形成されている。また、第１凹部４４６ｄの端部と第２凹部４４６ｅ端部とは繋がっている。

このように本形態では、頭部４４３の下面４４４に第１凹部４４６ｄおよび第２凹部４４６ｅが形成されているので、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積は、ピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭い。従って、環状のピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触圧が高いので、頭部４４３とピン受け部４３５との間に隙間が発生しにくい。また、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が狭いため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に異物が挟まるという事態が発生しにくい。従って、ピン受け部４３５と頭部４４３との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３内に侵入して、リフトピン４４０の軸部４４１の外周面やリフトピン挿通用穴部４３３の内周面を腐食させるという事態が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

なお、本形態では、第１凹部４４６ｄの端部と第２凹部４４６ｅの端部とが繋がっている構成であったが、第１凹部４４６ｄの端部と第２凹部４４６ｅ端部とが離間している構成であってもよい。

［実施の形態２の変形例］
上記実施の形態２では、凹部４４６（第１凹部４４６ｄおよび第２凹部４４６ｅ）をリフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４に形成したが、頭部４４３の下面４４４を平坦面とする一方、ピン受け部４３５の側に凹部４４６を形成してもよい。また、頭部４４３の下面４４４およびピン受け部４３５の双方に凹部４４６を形成してもよい。

［実施の形態３］
図６は、本発明の実施の形態３に係る基板処理装置４００の要部（リフトピン４４０周辺）の構造を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、リフトピン４４０の底面図、円筒体４３６の平面図、リフトピン４４０が上昇した状態の断面、リフトピン４４０が下降した状態の断面図、および円錐面がリフトピンの軸線と成す角度を示す説明図である。なお、図６（ａ）において、頭部の下面に形成された凹部についてはグレーの領域として示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図６に示す基板処理装置４００においても、実施の形態１と同様、基板処理室４１０の内部をクリーニングする際には、図６（ｄ）に示すように、基板１０ｓが無い状態で、昇降装置４６０によってリフトピン４４０を下降させ、リフトピン４４０の頭部４４３をサセプタ４３０のピン受け部４３５で受けた状態とする。そして、基板処理室４１０の内部にクリーニング用ガスを導入しながら、基板処理室４１０の内部にプラズマを発生させ、フッ素ラジカルを発生させる。かかるクリーニングを行う際、頭部４４３の下面４４４は、リフトピン挿通用穴部４３３の内部のピン受け部４３５と全周において接しているため、リフトピン挿通用穴部４３３は、リフトピン４４０の頭部４４３によって塞がれた状態にある。

ここで、ピン受け部４３５および頭部４４３の下面４４４のうちの少なくとも一方には、ピン受け部４３５と頭部４４３との接触面積をピン受け部４３５と頭部４４３との対向面積よりも狭くする凹部が形成されている。

より具体的には、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、ピン受け部４３５には、径方向外側に比して径方向内側で深く凹んだ凹部４３４が形成されており、ピン受け部４３５は径方向内側に斜面を向けた円錐面４３５ａになっている。また、図６（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、頭部４４３の下面４４４には、径方向外側に比して径方向内側で浅く凹んだ凹部４４６ｊが形成されており、頭部４４３の下面４４４は径方向外側に斜面を向けた円錐面４４４ａになっている。

また、図６（ｅ）に示すように、ピン受け部４３５を構成する円錐面４３５ａがリフトピン４４０の軸線Ｌに成す角度Θ1と、頭部４４３の下面４４４を構成する円錐面４４４ａがリフトピン４４０の軸線Ｌに成す角度Θ2とは相違している。しかも、角度Θ1は、角度Θ2よりも小さい。このため、頭部４４３の下面４４４とピン受け部４３５とが全周において接した状態で、頭部４４３の角部分４４９がピン受け部４３５に線接触状態にあり、頭部４４３とピン受け部４３５とが接する面積は、頭部４４３の下面４４４とピン受け部４３５とが対向する面積に比してかなり狭い。従って、本形態によれば、環状のピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触圧が高いので、頭部４４３とピン受け部４３５との間に隙間が発生しにくい。また、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との接触面積が狭いため、ピン受け部４３５と頭部４４３の下面４４４との間に異物が挟まるという事態が発生しにくい。従って、ピン受け部４３５と頭部４４３との間の隙間からフッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３内に侵入して、リフトピン４４０の軸部４４１の外周面やリフトピン挿通用穴部４３３の内周面を腐食させるという事態が発生しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［実施の形態３の変形例］
上記実施の形態３では、環状のピン受け部４３５およびリフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４の双方に凹部４３４、４４６ｊを設けて、環状のピン受け部４３５および頭部４４３の下面４４４の双方に円錐面４３５ａ、４４４ａを設けた。但し、環状のピン受け部４３５および頭部４４３の下面４４４のうちの一方のみ凹部を設けて円錐面とし、ピン受け部４３５を構成する円錐面４３５ａがリフトピン４４０の軸線Ｌに成す角度Θ1と、頭部４４３の下面４４４を構成する円錐面４４４ａがリフトピン４４０の軸線Ｌに成す角度Θ2とを相違させればよい。かかる構成でも、頭部４４３の下面４４４とピン受け部４３５とが全周において接した状態で、頭部４４３の角部分４４９とピン受け部４３５とを線接触状態とすることができるので、頭部４４３の角部分４４９とピン受け部４３５とを接触面積を狭くすることができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、リフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４およびピン受け部４３５の少なくとも一方に凹部を設けた構成であるが、さらにリフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４およびピン受け部４３５の一方側に設けた凹部の内側に他方側に設けた凸部が入り込んでラビリンスシールを構成してもよい。かかる構成によれば、リフトピン４４０の頭部４４３の下面４４４とピン受け部４３５との間に隙間が発生した場合でも、フッ素ラジカルがリフトピン挿通用穴部４３３に侵入しにくいという利点がある。

上記実施の形態では、リフトピン４４０の頭部４４３がピン受け部４３５にリフトピン４４０の自重で接触する構成であったが、リフトピン４４０が駆動板４６５に連結されていて、昇降装置４６０の駆動力でリフトピン４４０の頭部４４３がピン受け部４３５に押圧される構成の基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、サセプタ４３０が固定でリフトピン４４０が上下動する基板処理装置４００を説明したが、リフトピン４４０が固定でサセプタ４３０が上下動する基板処理装置や、リフトピン４４０およびサセプタ４３０が上下動する基板処理装置に本発明を適用してもよい。

［電気光学装置の説明］
上記実施の形態に係る基板処理装置４００の製造方法において利用される電気光学装置の代表例として液晶装置を説明する。以下に説明する液晶装置において、第１基板１０および第２基板２０のうちの少なくとも一方が上記実施の形態における「基板１０ｓ」に相当する。

（液晶装置の構成）
図７は、本発明が適用される液晶装置に用いた液晶パネルの説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図７（ａ）、（ｂ）に示す液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えている。液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０（素子基板／液晶装置用基板）と第２基板２０（対向基板／液晶装置用基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７で囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、画像の表示に直接寄与する画素領域１０ａ（画像生成領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。

第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。

また、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。

また、第１基板１０の一方側の基板面において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。

第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。

共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。

このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されており、かかる基板間導通用電極１０９は、共通電位線（図示せず）に電気的に接続している。また、基板間導通用電極１０９と重なる位置には、いわゆる銀点等の基板間導通材１０９ａが配置されており、第１基板１０の共通電位線と第２基板２０の共通電極２１とは、基板間導通材１０９ａを介して電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

かかる構成の液晶装置１００において、第１基板１０の基板本体１０ｗ、第２基板２０の基板本体２０ｗ、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性材料により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１の一方を透光性導電膜により形成し、他方を反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。

液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（液晶装置の製造方法）
図８は、本発明が適用される液晶装置１００の製造工程を示す説明図である。図７に示す液晶装置１００を製造するには、図８に示すように、第１基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、印刷法やスピンコート等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。次に、配向膜１６がポリイミド膜である場合、第１基板１０の配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行った後、シール材１０７を形成するシール印刷工程Ｓ４を行う。一方、第２基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、印刷法やスピンコート等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。次に、配向膜２６がポリイミド膜である場合、第２基板２０の配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。

次に、重ね合わせ工程Ｓ２１においては、シール材１０７を間に挟んで第１基板１０と第２基板２０とを重ね合わせた後、シール硬化工程Ｓ２２においてシール材１０７を硬化させる。次に、液晶封入工程Ｓ２３では、シール材１０７の途切れ部分からシール材１０７の内側に液晶を注入した後、途切れ部分を封止材１０５で封止する。

なお、第１基板１０にシール材１０７を形成した後、シール材１０７の内側に液晶を滴下し、その後、シール材１０７を間に挟んで第１基板１０と第２基板２０とを重ね合わせた後、シール材１０７を硬化させることもある。かかる方法の場合、シール材１０７に対しては、途切れ部分や封止材１０５を設ける必要がない。

かかる方法により、液晶装置１００を製造する場合、第１基板１０および第２基板２０の一方あるいは双方に大型基板を用い、大型のパネル構造体を形成した後、単品サイズの液晶パネル１００ｐに切断することもある。

かかる液晶装置１００の製造方法において、第１基板１０に対して画素トランジスターや画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１、あるいは第２基板２０に対して共通電極２１等の形成工程Ｓ１１において、ＣＶＤ法により成膜する際、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００が使用される。

なお、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、液晶装置１００以外にも、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造に用いることができる。さらには、上記実施の形態１〜３で説明した基板処理装置４００については、電気光学装置以外の半導体装置の製造に用いることができる。

１０・・第１基板、１０ｓ・・基板、２０・・第２基板、１００・・液晶装置、４００・・基板処理装置、４１０・・基板処理室、４３０・・サセプタ、４３１・・基板載置面、４３３・・リフトピン挿通用穴部、４３４、４４６、４４６ｊ・・凹部、４３５・・ピン受け部、４３５ａ、４４４ａ・・円錐面、４４０・・リフトピン、４４１・・軸部、４４３・・頭部、４４４・・下面、４４６ａ・・環状凹部（凹部）、４４６ｂ・・第１環状凹部（凹部）、４４６ｃ・・第２環状凹部（凹部）、４４６ｄ・・第１凹部（凹部）、４４６ｅ・・第２凹部（凹部）、４４６ｆ、４４６ｇ・・途切れ部分、４６０・・昇降装置、Ｌ・・リフトピンの軸線

Claims (9)

1. 上面に基板載置面をもって基板処理室内に配置されたサセプタと、
   該サセプタを上下方向に貫通するリフトピン挿通用穴部と、
   該リフトピン挿通用穴部に挿通された軸部、および該軸部の上端部で拡径して上面で前記基板を支持する頭部を備えたリフトピンと、
   前記リフトピンと前記サセプタとを相対的に上下動させる昇降装置と
   前記リフトピン挿通用穴部の上端部で拡径し、前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際に前記頭部の下面に全周で当接する環状のピン受け部と、
   該ピン受け部および前記頭部の下面のうちの少なくとも一方側で凹んで前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際の前記ピン受け部と前記頭部との接触面積を前記ピン受け部と前記頭部との対向面積よりも狭くする凹部と、を有していることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記凹部は、前記頭部の下面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記凹部は、前記ピン受け部に沿って延在する環状凹部であることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記環状凹部は、同心円状に複数条形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記凹部は、周方向において途切れた複数の第１凹部と、該第１凹部より内周側位置で当該第１凹部の途切れ部分に重なる角度位置に形成されて周方向において途切れた第２凹部と、を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
6. 前記凹部は、前記ピン受け部が前記リフトピンの軸線方向と成す角度と、前記頭部の下面が前記リフトピンの軸線方向と成す角度とを相違させて、前記リフトピンが前記サセプタに対して下降した際に前記頭部の下面と前記ピン受け部とを周方向で連続する線接触状態とする円錐面を構成していることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
7. 前記基板処理室は化学気相成膜室であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置における前記基板処理室のクリーニング方法であって、
   前記基板載置面上に前記基板がなく、かつ、前記リフトピンを前記サセプタに対して下降させた状態で、前記基板処理室内にフッ素ラジカルを発生させることを特徴とする基板処理室のクリーニング方法。
9. 請求項７に記載の基板処理装置を利用した電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板処理室内で前記基板上に対して成膜を行う成膜工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。