CN107851561A - 基座及外延生长装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在晶圆的背面不产生升降销引起的瑕疵，且能够抑制晶圆的表面温度分布不均匀的基座。本发明的一实施方式的基座（20）包括基座主体（30）及盘状构件（40），传送晶圆（W）时，被升降销（44）提升的盘状构件（40）的正面以面接触支撑晶圆（W）的背面的中心部。盘状构件（40）载置于凹部（31）的状态下，盘状构件（40）与基座主体（30）之间的分离空间，从基座（20）的正面越朝向背面前进，就越靠向盘状构件（40）的中心侧。

Description

基座及外延生长装置
技术领域
本发明涉及一种在外延生长装置内用于载置晶圆的基座、及具有该基座的外延生长装置。
背景技术
外延晶圆是一种在半导体晶圆的表面上气相生长外延膜的晶圆。例如，在更加要求晶体的完全性的情况或者是需要阻抗率不同的多层结构的情况等时，会气相生长（外延生长）单晶硅薄膜于硅晶圆上，而制造外延硅晶圆。
外延晶圆的制造中使用例如枚叶式外延生长装置。在此，对于一般的枚叶式外延生长装置将参考图10来说明。如图10所示，外延生长装置200具有腔室10，包括上部穹形盖11、下部穹形盖12及穹形盖安装体13。该腔室10划分外延膜形成室。腔室10中，在其侧面的相向位置设置有供给及排出反应气体的气体供给口15及气体排出口16。另一方面，腔室10内配置有载置晶圆W的基座20。基座20被基座支撑轴50从下方支撑。基座支撑轴50包括主柱52、从该主柱52呈放射状等间隔延伸的3根臂部54（有一个未图示），并通过臂部的末端的3个支撑销58（有一个未图示）来嵌合支撑基座20的背面外周部。并且，在基座20形成有3个贯通孔（有一个未图示），在3根臂部54也各形成1个贯通孔。在这些臂部的贯通孔及基座的贯通孔插通升降销44。升降销44的下端部被升降轴60支撑。支撑被搬入腔室10内的晶圆W，将该晶圆W载置于基座20上，并将气相生长后的外延晶圆搬出腔室10外时，通过升降轴60进行升降，能够一边使升降销44在臂部的贯通孔及基座的贯通孔滑动一边升降，并且用其上端部升降晶圆W。
这种外延生长装置中，由升降销直接支撑晶圆W，而向上抬起。因此，晶圆W的背面与升降销抵接的部分会维持升降销一边上升一边持续与升降销的上端部接触。因此，晶圆W的背面的相应部分会产生瑕疵（销印）的问题。
对此，专利文献1中记载有并非用升降销直接支撑晶圆而向上抬起，而是用基座的一部分来直接抬起晶圆的技术。即，专利文献1的图5～图8中记载了一种基座19，由基台部21、及容纳于设置在该基台部的中心部的中央凹部22的受载部20构成。气相生长时，晶圆容纳于基台部及受载部所形成的外围凹部23，将晶圆搬出腔室外时，受载部20上升，抬起晶圆。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-163102号公报。
根据专利文献1的技术，抬起晶圆时，不需要由升降销局部地支撑晶圆，而是由基座的一部分的面来支撑，因此能够抑制晶圆的背面产生升降销引起的瑕疵。然而，本发明人等重新认识到到专利文献1的技术具有如下问题。
即，为了要将受载部嵌合于基台部，受载部容纳于基台部的状态（气相生长）下，不能够避免受载部与基台部之间产生间隙。气相生长时晶圆会受到被加热的基座所传来的热，但在该间隙部分的正上方的晶圆部分，比起晶圆的其他部分更难以接受到来自基座的热，其结果，造成外延膜的生长速度也减慢。像这样，受载部与基台部之间产生的间隙在气相生长时会使晶圆的表面温度分布不均匀，结果造成气相生长的外延膜的表面膜厚分布不均匀。近来的外延晶圆会被要求高水平的外延膜的表面膜厚分布的均匀性，因此，就必须使气相生长时的晶圆的表面温度分布更均匀。
发明内容
因此，本发明有鉴于上述问题，目的在于提供一种基座及外延生长装置，在晶圆的背面部产生升降销引起的瑕疵，且能够抑制晶圆的表面温度分布的不均匀。
用于解决技术课题的方案
解决上述问题的本发明的主要结构如下。
（1）一种基座，用于在外延生长装置内载置晶圆，其中，
所述基座的正面形成有载置所述晶圆的座槽部，
所述基座具有基座主体、载置于凹部的盘状构件，所述凹部设置于该基座主体的正面的中心部，
所述座槽部的底面由所述盘状构件的正面、及位于所述凹部的周围的所述基座主体的正面的一部分构成，
所述基座主体设置有贯通孔，用于使支撑所述盘状构件的背面来升降所述盘状构件的升降销插通，
将所述晶圆载置于所述座槽部时，及将所述晶圆从所述座槽部搬出时，因所述升降销而上升的所述盘状构件的正面发挥支撑面的作用，以面接触支撑所述晶圆的背面的至少中心部，
所述盘状构件载置于所述凹部的状态下，所述盘状构件与所述基座主体之间的分离空间，从所述基座的正面越朝向背面前进，就越靠向所述盘状构件的中心侧。
（2）根据上述（1）所记载的基座，其中，
所述盘状构件的周缘部及所述基座主体的所述凹部的周缘部具有从所述基座的正面越朝向背面前进就越靠向所述盘状构件的中心侧的倾斜面。
（3）根据上述（1）所记载的基座，其中，
所述基座主体的所述凹部的周缘部具有高度差部，
所述盘状构件具有第1半径r1的第1部分、及在该第1部分上且比r1更大的第2半径r2的第2部分，
所述高度差部支撑所述第2部分的周缘部。
（4）根据上述（1）～（3）中任一个所记载的基座，其中，
所述升降销固定于所述盘状构件。
（5）一种外延生长装置，包括：
上述（1）～（4）中任一个所记载的基座；及
升降机构，支撑所述升降销的下端部来升降所述升降销。
发明效果
本发明的基座及外延生长装置，在晶圆的背面不产生升降销引起的瑕疵，且能够抑制晶圆的表面温度分布的不均匀。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的基座20的示意图，图1（A）是没有载置晶圆的状态，图1（B）是将晶圆W载置于图1（A）的座槽部21的状态，图1（C）是由盘状构件40抬起晶圆W的状态。
图2（A）是图1的基座20的基座主体30的俯视图，图2（B）是图1的基座20的盘状构件40的俯视图。
图3（A）是图1的基座20（盘状构件载置于基座主体的凹部的状态）的俯视图，图3（B）是图3（A）的Ⅰ-Ⅰ剖视图。
图4（A）是本发明的其他实施方式的基座（盘状构件载置于基座主体的凹部的状态）的俯视图，图4（B）是图4（A）的Ⅱ-Ⅱ剖视图。
图5（A）是本发明的另一其他实施方式的基座（盘状构件载置于基座主体的凹部的状态）的俯视图，图5（B）是图5（A）的Ⅲ-Ⅲ剖视图。
图6（A）是比较例的基座（盘状构件载置于基座主体的凹部的状态）的俯视图；图6（B）是图6（A）的Ⅳ-Ⅳ剖视图。
图7（A）是基座支撑轴50的分解立体图，图7（B）是升降轴60的分解立体图。
图8是本发明的一实施方式的外延生长装置100的示意图，显示晶圆W载置于基座的状态（气相生长时）。
图9是本发明的一实施方式的外延生长装置100的示意图，显示盘状构件40抬起晶圆W的状态。
图10是显示现有的外延生长装置200的示意图，显示升降销40相对于基座20下降的状态（气相生长时）。
图11是显示晶圆的表面温度分布，图11（A）是将比较例与发明例1相比较的图，图11（B）是将比较例与发明例2相比较的图。
具体实施方式
参考图8及图9，说明本发明的一实施方式的外延生长装置100。并且，参考图1～图3来说明包含于该外延生长装置100中的本发明的一实施方式的基座20。
（外延生长装置）
图8及图9所示的外延生长装置100具有腔室10、加热灯14、也在图1及图2所示的基座20、也在图7（A）所示的基座支撑轴50、及也在图7（B）所示的升降轴60。
（腔室）
腔室10包括上部穹形盖11、下部穹形盖12及穹形盖安装体13，该腔室10划分出外延膜形成室。在腔室10的侧面的相对位置设置有供给及排出反应气体的气体供给口15及气体排出口16。
（加热灯）
加热灯14配置于腔室10的上侧区域及下侧区域，一般而言，会使用升降温速度快、温度控制性优秀的卤素灯或红外线灯。
（基座的主要结构）
参考图1及图2，说明基座20的主要结构。基座20是用于在腔室10内部载置晶圆W的圆盘状构件。基座20能够使用于石墨炭（石墨）为母材，在其表面镀上碳化硅的材料。参考图1（A）及图1（B），基座20的正面形成有载置晶圆W的座槽部21。座槽部21的开口端的直径可考虑晶圆W的直径而适当设定，通常会设为比晶圆W的直径大1.0～2.0mm左右。
参考图1（A）～图1（C），基座20具有基座主体30、及盘状构件40，该盘状构件40载置于凹部31，凹部31设置于该基座主体的正面的中心部。
参考图1（A）～图1（C）及图2（A），基座主体30的正面包括正面最外周部32、晶圆支撑面32A、纵壁面32B、正面中间部33、倾斜面34、及正面中心部35。正面最外周部32位于图1（A）所示的座槽部21的周围。晶圆支撑面32A位于正面最外周部32的内侧，是以线接触支撑晶圆W的背面周缘部的，构成座槽部的一部分的倾斜面。纵壁面32B是从晶圆支撑面32A的内周端延续，构成座槽部的一部分的壁面。正面中间部33从纵壁面32B延续，构成座槽部21的底面的一部分。正面中心部35位于正面中间部33的内侧，构成凹部31的底面。倾斜面34是后述本实施方式的特征部，位于正面中间部33与正面中心部35之间。基座主体30设置有以同心圆状120°等间隔配置，垂直方向贯通正面中心部35及背面的3个贯通孔36。3个贯通孔36插通有后述的升降销44。
参考图1（A）～图1（C）及图2（B），盘状构件40具有正面41及背面42，是以必要的最小限度的间隙（Clearance）被载置于凹部31的圆盘状的构件。如图1（A）所示，正面41构成座槽部21的底面的一部分，背面42会接触及支撑基座主体的正面中心部35（凹部的底面）。连接正面41及背面42的周缘部形成倾斜面43，这是后述的本实施方式的特征部。从背面42延伸出3根升降销44。3根升降销44分别插通设置于基座主体的3个贯通孔36。通过后述的升降轴60在铅直方向上下升降，升降销44能够一边支撑盘状构件的背面42，一边将盘状构件40安装或脱离于基座主体30。该动作将在后述说明。优选升降销44位于从盘状构件的背面42的中心离开背面的半径50%以上的区域。本实施方式中，升降销44固定于盘状构件40，但升降销44也可以不固定于盘状构件40。
如图1（A）、图1（B）所示，座槽部21的底面是由盘状构件的正面41、以及位于凹部31的周围的基座主体的正面的一部分（具体而言是正面中间部33）构成。即，盘状构件40被载置于凹部31，晶圆W被载置于座槽部21的状态下，座槽部21的表面当中的盘状构件的正面41与基座主体的正面中间部33会与晶圆W的背面有间隔地相对。
另一方面，如图1（C）所示，将晶圆W载置于座槽部21时，及将晶圆W从座槽部21搬出（即传送晶圆W）时，基座主体30及盘状构件40在铅直方向分开，因为升降销44而上升的盘状构件的正面41会发挥支撑面的功能，以面接触来支撑晶圆W的背面的至少中心部。因此，能够抑制升降销引起的瑕疵产生于晶圆W的背面。
在此，本说明书中的“晶圆的背面的中心部”是指在晶圆的背面，离开晶圆中心晶圆半径50%以下的区域。即，本实施方式中，从基座主体30的正面观看，座槽部21的中心与凹部31的中心一致，即，凹部31的中心不偏离座槽部21的中心。然后，盘状构件的正面41的半径设定在晶圆半径的50%以上。
另一方面，优选盘状构件的正面41的半径在晶圆半径的90%以下。支撑于盘状构件40的晶圆W，会被从如图2（B）所示的方向插入的“コ”字型的传送叶片70的晶圆支撑部72，支撑住晶圆W的背面的外周部，然后被传送到腔室外。因为当正面41的半径超过晶圆半径的90%时，传送叶片70很难支撑晶圆W。
盘状构件40的表面部或盘状构件40的全体由柔软的材料（玻璃碳）组成为佳。因为能够抑制面接触支撑晶圆W的背面时发生损伤。
并且，优选将基座主体的凹部31的底部与盘状构件40做成有打洞的结构。因为能够促进氢气流进晶圆W的背面，抑制晶圆的背面产生晕痕（雾痕）。
（基座支撑轴）
参考图7（A），基座支撑轴50在腔室10内从下方支撑基座20，具有主柱52、3根臂部54、及3根支撑销58。主柱52与基座的中心几乎同轴配置。3根臂部54从主柱52朝向基座20的周缘部下方放射状地延伸，分别具有贯通铅直方向的贯通孔56。另外，本说明书中的“基座的周缘部”是指从基座中心离开基座半径的80%以上的距离的外侧区域。支撑销58分别设置于3根臂部54的末端，直接支撑基座20。即，支撑销58支撑基座的背面周缘部。3个贯通孔56分别插通有3根升降销44。基座支撑销50优选由石英构成，特别希望是由合成石英构成。然而，支撑销58的末端部分优选用与基座20相同的碳化硅构成。
（升降轴）
如图7（B）所示，作为升降机构的升降轴60具有主柱62及3根支柱64，主柱62划分出容纳基座支撑轴的主柱52的中空，并且与该主柱32共有旋转轴，3根支柱64在由主柱62的末端分歧。升降轴60通过这些支柱64的末端部66分别支撑升降销44的下端部。升降轴60优选由石英构成。升降轴60通过沿着基座支撑轴的主柱52在铅直方向上下移动，能够使升降销44升降。
（外延晶圆的制造工序）
接着，适当地参考图8及图9来说明晶圆W搬入腔室10内、对晶圆W气相生长出外延膜、及将制造的外延晶圆搬出腔室10外的一连串的动作。
被图2（B）所示的传送叶片70支撑而搬入腔室10内的晶圆W会被暂时载置于升降销44所抬起的盘状构件40的正面41上。升降销44的上升移动会透过支撑它们的下端部的升降轴60的上升移动来实行。
接着，通过使基座支撑轴50上升，将基座主体30移动到盘状构件40的位置，形成晶圆W载置于基座20的座槽部21的状态。之后，通过加热灯14将晶圆W加热到1000℃以上的温度，且一边从气体供给口15供给反应气体至腔室10内，气相生长出规定厚度的外延膜，从而制造外延晶圆。气相生长中，将主柱52作为旋转轴使基座支撑轴50旋转，由此旋转基座20及其上的晶圆W。
之后，使基座支撑轴50下降，由此使基座主体30下降。该下降会进行到升降销44被升降轴60支撑，盘状构件40从基座主体30分离为止，将制造后的外延晶圆支撑于升降销44所支撑的盘状构件40的正面41。然后，将传送叶片70导入至腔室10内，使升降销44下降，将外延晶圆载置于传送叶片的晶圆支撑部72上。这样，将外延晶圆从盘状构件40传递给传送叶片70。之后，将传送叶片70与外延晶圆往腔室10外搬出。
（基座的特征部分的结构）
在此，详细说明本发明的特征结构的基座主体30与盘状构件40之间的分离状态。
参考图3（A）、图3（B），本实施方式的基座20中，盘状构件40的周缘部具有从基座的正面越往背面（即铅直方向下方）前进就越靠近盘状构件的中心侧的倾斜面43。基座主体30的凹部的周缘部也具有从基座的正面越往背面前进就越靠近盘状构件的中心侧的倾斜面34。因此，盘状构件40被载置于凹部的状态下，盘状构件40与基座30之间的分离空间（或者是，盘状构件40与基座主体30的水平方向的分离部的位置）是从基座的正面越往背面（即铅直方向下方）前进就越靠近盘状构件的中心侧。
将采用这种结构的技术意义与显示比较例的图6（A）、图6（B）对比进行说明。图6中盘状构件40的周缘部是铅直面49。基座主体30的凹部的周缘部也是铅直面39。因此，盘状构件40与基座主体30之间的分离空间是笔直沿着铅直方向延伸，该分离空间（间隙）大大地存在于晶圆W的正下方。即使为了将盘状构件40容纳于凹部31，这个间隙设定在必要的最小限度的间隔（例如0.5～1.0mm左右），气相生长时会使晶圆W的表面温度分布不均匀，结果使气相生长的外延膜的表面膜厚分布不均匀。
对此，图3所示的本实施方式中，盘状构件40与基座主体30之间的分离空间是越朝向铅直方向下方前进就越靠向盘状构件的中心侧。因此，能够使位于晶圆W的正下方的间隙的大小比图6小，其结果，能够抑制晶圆W的表面温度分布的不均匀。
另外，图3（A）显示盘状构件40相对于基座主体30不偏心地被载置，即盘状构件40与基座主体30之间的间隙的间隔在周向上维持一定的状态。图3（B）显示包含该状态的基座中心的铅直方向剖视图（Ⅰ-Ⅰ剖视图）。图6及后述的图4、图5也相同。
在此，优选盘状构件40的厚度t1设定在0.5mm以上且3.0mm以下。从使位于晶圆W的正下方的间隙的大小变小的观点来看，优选厚度t1较小，但若小于0.5mm则会存在强度不足的可能性。并且，厚度t1若超过3.0mm则会变得难以获得基座主体30的强度。
参考图3（B），盘状构件的正面41的半径r4如先前所述，优选设定为晶圆半径的50%以上且90%以下。然后，优选盘状构件的背面42的半径r3设定为比r4小1.0～5.0mm左右。
优选倾斜面43与倾斜面34的倾斜角相等，优选倾斜角相对于铅直方向为30～45度。
盘状构件40的周缘部的形状以及基座主体30的凹部的周缘部的形状并不限定于图3（B）所示的形状，但盘状构件40与基座主体30之间的分离空间若设计成越朝向铅直方向下方前进就越靠向盘状构件的中心侧，则能够达成本发明的效果。
图4（A）、图4（B）显示其他的实施方式。该实施方式中，盘状构件40的周缘部具有从正面41延续的铅直面45A、及从该铅直面45A延续的越朝向铅直方向的下方就越靠向盘状构件的中心侧的倾斜面45B。基座主体30的凹部的周缘部也具有从正面中间部33延续的铅直面37A、以及从该铅直面37A延续的越朝向铅直方向的下方就越靠向盘状构件的中心侧的倾斜面37B。即使在该情况下，也能够使位于晶圆W的正下方的间隙的大小比图6小，其结果，能够抑制晶圆W的表面温度分布的不均匀。并且，图3（B）的情况下，盘状构件40的端部较尖，有强度不足的可能性，但图4（B）的情况下，就不会减损强度。
优选铅直面45A及铅直面37A的高度设定为盘状构件40的厚度t1的20～50%。小于20%的情况下，会有强度不足的可能性，若超过50%则会有抑制晶圆W的表面温度分布不均匀的效果不足的可能性。
优选倾斜面45B与倾斜面37B的倾斜角相等，相对于铅直方向的倾斜角与图3（B）同样地优选为30～45度。
图5（A）、图5（B）进一步显示其他的实施方式。该实施方式中，基座主体30的凹部的周缘部具有由从正面中心部35延续的第1铅直面38A、从这个第1铅直面38A延续的水平面38B、从该水平面38B延续且连接正面中间部33的第2铅直面38C所形成的高度差部。另一方面，盘状构件40具有第1半径r1的第1部分46、在该第1部分上比r1更大的第2半径r2的第2部分47。即，盘状构件40的周缘部包含作为第1部分的外周部的第1铅直面46A、作为第2部分的外周部的第2铅直面47A、及位于两者之间的水平面48。然后，高度差部支撑第2部分的周缘部47B。即，水平面48与水平面38B接触。
即使在该实施方式中，盘状构件40与基座主体30之间的分离空间也是越朝向铅直方向下方前进就阶段地靠向盘状构件的中心侧，因此能够使位于晶圆W的正下方的间隙的大小比图6小，其结果，能够抑制晶圆W的表面温度分布的不均匀。
优选盘状构件的第2铅直面47A与基座主体的第2铅直面38C具有相同高度，能够设定为盘状构件40的厚度t1的20～50%左右。并且，优选盘状构件的第1铅直面46A与基座主体的第1铅直面38A也具有相同高度。
第2部分的半径r2（即盘状构件的正面41的半径）如先前所述，优选设定在晶圆半径的50%以上且90%以下。然后，优选第1部分的半径r1（即盘状构件的背面42的半径）比r2小1.0～5.0mm左右。优选高度差部（水平面38B）的宽度等于该（r2-r1）。
实施例
（发明例1）
使用图1～图3所示的基座及图8、图9所示的外延生长装置，根据上述的工序来制造外延硅晶圆。图3（B）中，半径r3=120mm，半径r4=123mm，厚度t1=2.0mm，厚度t2=2.3mm，间隙的间隔G=1.0mm。作为外延晶圆的基板使用了掺杂硼的直径300mm的硅晶圆。
（发明例2）
除了使用图5所示的基座以外，与发明例1相同地制造了外延硅晶圆。图5（B）中，设为半径r1=121mm，半径r2=123mm，厚度t1=2.0mm，厚度t2=2.3mm，间隙的间隔G=1.0mm。
（比较例）
除了使用图6所示的基座以外，与发明例1相同地制造了外延硅晶圆。图6（B）中，设为厚度t1=2.0mm，厚度t2=2.3mm，间隙的间隔G=1.0mm。盘状构件的半径设为120mm。
[气相生长条件]
外延硅晶圆的制造是将硅晶圆导入腔室内，用以先前说明的方法载置于基座上。接着，在氢气环境下以1150℃进行氢气烘烤后，在1150℃下使硅晶圆的表面生长出4μm的硅外延膜，获得外延硅晶圆。在此，作为原料来源气体使用三氯氢硅气体，并且，作为掺杂气体会使用乙硼烷气体、作为载气使用氢气。之后，以先前说明的方法将外延硅晶圆往腔室外搬出。
[背面质量的评价]
关于以发明例及比较例制造出的外延晶圆，使用表面检查装置（KLA-Tencor公司制：Surfscan SP-2），在DCO模式下观察对应到升降销的位置的背面区域，测定出具有激光反射的设定值以上的散乱强度的区域（销印强度），评价了外延晶圆的背面的升降销引起的瑕疵。其结果确认到，比较例、发明例1、2均为0mm2，外延晶圆的背面没有确认到来自升降销的瑕疵。
[晶圆的表面温度分布的评价]
关于发明例及比较例制造的外延晶圆，会使用表面检查装置（KLA-Tencor公司制：Surfscan SP-2）来测量雾度。由于已知雾度与晶圆表面的温度成比例，所以从该值算出比较晶圆表面的温度分布。结果显示于图11。
如图11（A）、图11（B）所示，比较例中，在盘状构件与基座主体之间的间隙位于其正下方的晶圆的外周部（距离晶圆中心120mm的位置周边），晶圆的温度降低，形成晶圆的表面温度分布不均匀。相对于此，发明例1、2中，在晶圆的外周部的温度下降被抑制，且晶圆的面温度分布的不均匀被抑制。
产业上的可利用性
本发明的基座及外延生长装置不会在晶圆的背面产生升降销引起的瑕疵，且能够抑制晶圆的表面温度分布的不均匀，因此能够良好地适用于外延晶圆的制造。
附图标记说明
100-外延生长装置，10-腔室，11-上部穹形盖，12-下部穹形盖，13-穹形盖安装体，14-加热灯，15-气体供给口，16-气体排出口，20-基座，21-座槽部，30-基座主体，31-凹部，32-基座主体的正面最外周部，32A-晶圆支撑面，32B-纵壁面，33-基座主体的正面中间部，34-倾斜面，35-基座主体的正面中心部（凹部的底面），36-贯通孔，37A-铅直面，37B-倾斜面，38A-第1铅直面，38B-水平面，38C-第2铅直面，40-盘状构件，41-盘状构件的正面，42-盘状构件的背面，43-倾斜面，44-升降销，45A-铅直面，45B-倾斜面，46-第1部分，46A-第1铅直面，47-第2部分，47A-第2铅直面，47B-第2部分的周缘部，48-水平面，50-基座支撑轴，52-主柱，54-臂部，56-贯通孔，58-支撑销，60-升降轴，62-主柱，64-支柱，66-支柱的末端部，70-晶圆传送用叶片，72-晶圆支撑部，W-晶圆。

Claims (5)

1.一种基座，用于在外延生长装置内载置晶圆，其中，
所述基座的正面形成有载置所述晶圆的座槽部，
所述基座具有基座主体、载置于凹部的盘状构件，所述凹部设置于所述基座主体的正面的中心部，
所述座槽部的底面由所述盘状构件的正面、及位于所述凹部的周围的所述基座主体的正面的一部分构成，
所述基座主体设置有贯通孔，用于使支撑所述盘状构件的背面来升降所述盘状构件的升降销插通，
将所述晶圆载置于所述座槽部时，及将所述晶圆从所述座槽部搬出时，因所述升降销而上升的所述盘状构件的正面发挥支撑面的作用，以面接触支撑所述晶圆的背面的至少中心部，
所述盘状构件载置于所述凹部的状态下，所述盘状构件与所述基座主体之间的分离空间，从所述基座的正面越朝向背面前进，就越靠向所述盘状构件的中心侧。
2.根据权利要求1所述的基座，其中，
所述盘状构件的周缘部及所述基座主体的所述凹部的周缘部具有从所述基座的正面越朝向背面前进就越靠向所述盘状构件的中心侧的倾斜面。
3.根据权利要求1所述的基座，其中，
所述基座主体的所述凹部的周缘部具有高度差部，
所述盘状构件具有第1半径r1的第1部分、及在该第1部分上且比r1更大的第2半径r2的第2部分，
所述高度差部支撑所述第2部分的周缘部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基座，其中，
所述升降销固定于所述盘状构件。
5.一种外延生长装置，包括：
根据权利要求1～4中任一项所述的基座；及
升降机构，支撑所述升降销的下端部来升降所述升降销。
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