CN108604539A - 外延生长装置和保持部件 - Google Patents

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Abstract

气相生长装置（1）包括基座（3）；升降销（5）和支承环（6）。基座（3）具有贯穿表面与背面的通孔（3b），能够围绕轴线（O）而旋转。升降销（5）插入通孔（3b）中。支承环（6）包括环部（6a）和板状部件（6b），在环部（6a）和板状部件（6b）之间，夹持并保持升降销（5）。环部（6a）位于轴线（O）周围。板状部件（6b）包括与环部（6a）连接的连接部（6b1），从连接部（6b1）沿环部（6a）延伸，并以连接部（6b1）为基点，施加朝向环部（6a）的力。由此，提供具有通过维持与升降销的位置关系能够保持升降销的保持部件的外延生长装置及其保持部件。

Description

外延生长装置和保持部件
技术领域
本发明涉及一种外延生长装置和保持部件。
背景技术
普通的单片式的外延伸生长装置包括比如，基座，该基座由涂敷有碳化硅的石墨制成，并且呈圆盘状；及反应炉，在该反应炉的内部设置有支承该基座的由石英制成的支承轴。反应炉内的基座包括放置基板的袋部、及贯穿该袋部的表面和背面的通孔。另外，在支承轴中，具有支柱部，该支柱部从基座的下方朝向基座的背面延伸；及臂部，该臂部从该支柱部的顶端部延伸，并以横穿基座的通孔的下方的方式与基座的背面连接。该臂部，在基座的通孔的下方，形成有沿与该基座的通孔相同的方向贯穿臂部的通孔。在形成于基座和臂部上的通孔中，插入在与基座之间转交基板时进行升降动作的升降销，并通过该2个通孔来确定升降的升降销的倾斜度倾斜度。
在这里，对于具有确定升降销的倾斜度的通孔的基座(由石墨制成)与支承轴(由石英制成)，其热膨胀系数大大不同。由此，如果将基板送入反应炉中，因将室温下的基板送入高温的反应炉的内部，所以使得反应炉内的温度不稳定，基座的通孔和支承轴的通孔的位置关系发生变化。于是，由于该2个通孔所确定的升降销的倾斜度不稳定，通过升降销放置于袋部中的基板的位置产生偏差。由此，使形成于放置于袋部中的基板的周向的间隙(基板和袋部之间的间隙)在基板的周向上不均匀。另外，如果在以上述方式放置的基板上生长外延层，则在基板的外周部，外延伸层的膜厚分布恶化。
于是，具有下述的方法，在该方法中，测定放置于袋部中的基板的位置，根据该测定结果，抑制放置于袋部中的基板位置的偏差。在该方法中，为了将基板转交于升降销上，将基板运送到基座的上方的机器人停止于基座的上方的位置，根据上次放置于袋部中的基板的位置而进行调节。但是，对于放置于袋部中的基板来说，每个基板放置于袋部中的位置都有很大地变化。于是，即使根据上次放置的基板的位置，调节机器人的位置，也无法充分地抑制放置于袋部中的基板位置的偏差。
另外，在专利文献1中，公开了下述的方法，其中，基于由石英制成的支承轴与由石墨制成的基座的热膨胀系数的差抑制的臂部(支承轴)和基座的通孔的位置关系的变化。在专利文献1中，采用呈圆弧状的板部件的升降环，以使基板运送到袋部中，升降环的上下运动通过升降销进行。升降销通过将自身的前端嵌合于升降销的底面，并且被插入基座和臂的通孔中，来抑制升降销上下运动时的晃动。另外，将基座的通孔设为沿基座的径向延伸的长孔，以防止因由石墨制成的基座和由石英制成的臂部的热膨胀系数的差的影响而强烈地将升降销按压于通孔中的情况。但是，如果采用由石墨制成的升降销，故具有因无法消除其与由石英制成的臂部的热膨胀系数的差的影响，升降销的倾斜度不稳定的问题，如果升降销采用石英，由于其吸光度不同于由石墨制成的基座，故具有升降销的温度低于基座，基板的温度分布不稳定的问题。此外，每当将基板放置于基座上时，基座和升降环接触，产生灰尘，其结果是，还具有附着基板的大量的颗粒的问题。
于是，在专利文献2中，公开了下述的方法，其中，为了使升降的升降销的晃动(升降销的倾斜度)稳定，通过辅助部件将多个升降销相互连接。在专利文献2中，升降销的侧面上形成螺纹牙，另一方面，在辅助部件中形成供升降销插入的通孔的同时，在该通孔的内周面上形成螺纹槽。此外，使插入辅助部件的通孔中的升降销相对辅助部件相对旋转，将升降销和辅助部件连接，由此，通过辅助部件，将多个升降销相互连接，使升降销的晃动稳定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2001—313329号公报
专利文献2：JP特开2014—220427号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，在专利文献2的方法中，如果因反应炉内的温度变化，升降销和辅助部件反复进行热膨胀·热收缩，故螺纹引起升降销和辅助部件的连接松弛，且使升降销的高度变化，由此具有基板在袋部中的放置位置变化的问题。另外，由于升降销贯穿基座和支承轴的臂部的通孔的结构与过去的相同，故无法消除由石墨制成的基座和由石英制成的支承轴的臂部的热膨胀系数的差的影响，无法充分地抑制放置于袋部中的基板位置的偏差。
本发明的目的在于提供具有通过维持与升降销的位置关系能够保持升降销的保持部件的外延生长装置和其保持部件。
用于解决课题的技术方案和发明的效果
本发明的外延生长装置的特征在于，包括：
基座，其具有贯穿表面与背面的通孔，能够围绕轴线旋转；
升降销，其插入通孔中；
保持部件，其包括：环部，该环部位于轴线周围；弹性部件，该弹性部件包括与环部连接的连接部，从连接部沿环部延伸，并以连接部为基点，施加朝向环部的力；
保持部件，在环部和弹性部件之间，夹持并保持升降销。
在本发明的外延生长装置中，通过弹性部件的被施加的力，能够将升降销夹持并保持于弹性部件和环部之间。由于利用弹性部件的被施加的力来保持升降销，即使在保持升降销的保持部件(环部和弹性部件)与升降销反复进行热膨胀·热收缩的情况下，保持部件保持升降销的力也没有大幅松弛。由此，保持部件能够在长期维持保持升降销的位置的状态下，保持升降销。
在本发明的实施方式中，围绕轴线而形成多个通孔，在多个通孔中，分别插入升降销，通过保持部件，保持多个升降销。
按照该方案，能够通过保持部件，保持多个升降销，抑制升降销晃动的情况。
在本发明的实施方式中，基座的通孔为第1通孔，包括支承部，该支承部具有臂部，该臂部与基座连接并横穿第1通孔的下方，支承基座，臂部包括第2通孔，供插入于第1通孔中的升降销贯穿第2通孔，第2通孔为在基座的径向上延伸的长孔。
按照该方案，即使在因由石墨制成的基座和由石英制成的臂部的热膨胀系数的差的影响而使基座的第1通孔和升降销穿过用的臂部的第2通孔的位置关系变化的情况下，能够抑制朝向基座的径向的升降销的倾斜度不稳定的情况，与此同时，能够使朝向基座的圆周方向的升降销的倾斜度稳定。由此，能够抑制放置于袋部中的基板的位置产生偏差的情况。
在本发明的实施方式中，臂部包括位于基座的下方的一端部，及与基座连接的另一端部，支承部包括支柱部，该支柱部在轴线方向上延伸，顶端部与一端部连接，保持部件位于支柱部周围。
按照该方案，保持部件整体位于臂部的下方。由此，能够扩大保持部件与基座的间隔，能够减轻保持部件对放置于基座上的基板的温度分布造成恶劣影响的情况。
在本发明的实施方式中，升降销包括能够在第1通孔中卡住的上部，升降销通过上部卡住于第1通孔中，来保持于基座上。
具体来说，上部能够以封闭第1通孔的方式卡住于基座上，升降销通过上部卡住于第1通孔中，在封闭第1通孔的状态下来保持于基座上。
按照该方案，能够防止在对放置于基座的基板进行加热时，对基板进行加热的光从第1通孔泄漏到基板的背面的情况，能够防止对基板进行局部加热的情况。另外，能够防止在如上所述的基板上生长外延层的气体等从第1通孔流入基板的背面的情况，能够防止在基板的背面上产生局部的沉积(deposition)的情况。
在本发明的实施方式中，基座由石墨制成或由碳化硅制成，或者由涂敷有碳化硅的石墨制成，保持部件由碳化硅制成。
按照该方案，能够减小具有插入有升降销的第1通孔的基座，与保持插入到该第1通孔中的升降销的保持部件的热膨胀系数的差，或使热膨胀系数相同。由此，能够抑制因第1通孔和保持部件的位置关系大幅变化而引起升降销的倾斜度不稳定的情况。
在本发明的实施方式中，弹性部件为包括连接部的板状部件。
按照该方案，可通过简单的结构，保持升降销。
在本发明的实施方式中，环部呈圆状或大致圆状。
另外，在本发明的实施方式中，保持部件在环部和弹性部件之间，夹持升降销的底端部，保持升降销。
按照该方案，能够通过卡住升降销的上部的基座的第1通孔与保持升降销的保持部件，来保持升降销在升降销的两端部，从而能够使升降销的倾斜度稳定。
另外，本发明的保持部件为下述的保持部件，该保持部件保持升降销，该升降销插入基座的通孔中，该基座具有贯穿表面与背面的通孔，能够围绕轴线旋转，
保持部件的特征在于，包括：
环部，其位于轴线周围；
弹性部件，其包括与环部连接的连接部，从连接部沿环部延伸，并以连接部为基点，施加朝向环部的力；
在环部和弹性部件之间，夹持并保持升降销。
本发明由保持部件构成。与上述的气相生长装置的保持部件相同，能够在长期维持升降销的位置的状态下，保持升降销。
附图说明
图1为本发明的一个例子的气相生长装置的模式剖视图；
图2为图1的基座的模式俯视图；
图3为图1的基座与支承轴的模式俯视图(其中，为了说明基座与支承轴的位置关系，基座用虚线表示)；
图4A为图1的支承环的模式立体图；
图4B为图4A的支承环的模式仰视图；
图5A为图1的基座，支承轴以及支承环的模式仰视图；
图5B为图5A的局部放大图；
图6为比较用的例子所采用的气相生长装置的模式剖视图；
图7为图6的支承轴的模式俯视图。
符号说明
1气相生长装置；2反应炉；3基座；3b通孔(第1通孔)；4支承轴(支承部)；4a支柱部；4b臂部；H通孔(第2通孔)；5升降销；6支承环(保持部件)；6a环部；6b板状部件(弹性部件)；7升降销支承部；W基板；O轴线。
具体实施方式
图1表示作为本发明的外延生长装置的一个例子的单片式的气相生长装置1。通过气相生长装置1，在基板W上气相生长外延层，制造外延晶片。
气相生长装置1包括反应炉2。在反应炉2的内部，具有：基座3；支承基座3的支承轴4；贯穿基座3和支承轴4的升降销5；保持升降销5的支承环6；及支承升降销5的升降销支承部7。
基座3为由涂敷有碳化硅的石墨制成，并且呈圆盘状的部件。如图2所示，基座3包括：袋部3a，其是使基座3的表面以圆盘状凹陷而形成的；多个通孔3b，其从袋部3a的表面朝向基座3的背面贯穿基座3。袋部3a比基板W的直径大数毫米，其呈以与基板W的厚度相同的深度，使基座3的上表面以圆盘状挖通而形成的凹状。在袋部3a的内侧，放置基板W。返回到图1，通孔3b为漏斗状的孔。通孔3b包括上部U和与该上部U的底端连接的下部D。上部U为其内径从顶端朝向底端缩小的圆锥状的孔。下部D为与上部U的底端的内径连接，并且呈与该内径相同的圆柱状的孔。如图2所示，俯视观察，围绕袋部3a的中心C，等角度间隔地形成多个(3个)通孔3b。图1示出了2个通孔3b，基座3以在袋部3a中放置基板W的状下态，围绕沿垂直方向延伸的轴线O旋转的方式设置于反应炉2的内部。
支承轴4为支承基座3的由石英制成的支承部件。支承轴4以从基座3的背面侧水平或基本水平地支承基座3的方式设置于反应炉2的内部。支承轴4包括：支柱部4a，其以从基座3的下方沿轴线O的方式朝向基座3的背面延伸；多个(3个)臂部4b，其从支柱部4a延伸，并与基座3的背面连接(参照图3)。如图1所示，支柱部4a呈沿垂直方向延伸的圆柱状，在其顶端部，与臂部4b连接。臂部4b包括：一端部E1，其与支柱部4a的顶端部连接；另一端部E2，其与基座3的背面的外周部连接；连接部E3，其从一端部E1延伸，并以横穿基座3的通孔3b的下方的方式与另一端部E2连接。连接部E3包括：通孔H，其在与基座3的通孔3b的下方相对应的部分，以沿轴线O的方式贯穿连接部E3。如俯视观察支承轴4的图3所示，通孔H呈基座3的径向为长径的椭圆状或长孔状。另外，通孔H的尺寸为在通孔H的内侧，容纳通孔3b的尺寸。
返回到图1，升降销5插入支承轴4的通孔H与基座3的通孔3b中。升降销5为用于在其与基座3之间进行基板W的转交的部件。升降销5包括圆杆状的主体部5a，与和主体部5a的顶端连接的头部5b。主体部5a为圆柱状，该圆柱状的直径小于通孔3b的下部D的内径。头部5b为其直径从和主体部5a的顶端连接的底端朝向上方扩大的圆锥状。头部5b以在通孔3b的上部U上卡住的方式容纳于上部U的内侧。由此，升降销5，其头部5b保持于通孔3b中，并安装于基座3上。在将升降销5安装于基座3上时，比如，在基座3的上方准备升降销5，并将升降销5从主体部5a侧插入通孔3b中，通过通孔3b后将主体部5a插入通孔H中。如上所述，如果将升降销5插入通孔3b、H中，则升降销5的头部5b卡住于通孔3b的上部U上，升降销5悬挂于通孔3b中，通孔3b的上部U被升降销5的头部5b封闭。另一方面，在通孔H和插入通孔H中的升降销5之间，在基座3的径向上形成较宽的间隙，即使在因由石墨制成的基座3与由石英制成的臂部4b的热膨胀系数的差而使通孔3b和通孔H的位置关系大幅变化的情况下，通过通孔H，朝向基座3的径向的升降销5的位置也不会受到约束。相对该情况，关于通孔H和升降销5之间的基座3的圆周方向的间隙，将其设置成与通孔3b和升降销5的间隙相同或基本相同，由此能够抑制朝向基座3的圆周方向的升降销5的倾斜度的偏差。如上所述，在本实施方式中，多个(3个)升降销5被保持在基座3上。
升降销5的头部5b通过基座3的通孔3b而保持，另一方面，升降销5的底端部通过支承环6而保持。支承环6为分别夹持并保持3个升降销5的由碳化硅制成的，并且呈环状的部件。如图4A所示，支承环6包括：位于轴线O周围的环部6a；与环部6a连接且可弹性变形的板状部件6b。环部6a呈以轴线O为中心的圆形或大致圆形，在环部6a的内周面上连接板状部件6b。如图4B所示，板状部件6b包括与环部6a连接的连接部6b1，和从连接部6b1沿环部6a的内周面延伸的主体部6b2。连接部6b1呈以环部6a的内周面为基点，以从其内周面远离的方式朝向环部6a的内侧延伸的板状。主体部6b2呈与连接部6b1连接且沿环部6a的内周面延伸的板状。板状部件6b，根据连接部6b1的弹性变形，被施加使主体部6b2接近环部6a的内周面的方向的力。支承环6以在环部6a的内周面和主体部6b2之间，夹持并保持升降销5的侧面的方式安装于升降销5上。图5A表示多个升降销5通过支承环6分别由环部6a和板状部件6b夹持并保持的状态。如图5B所示，升降销5由被施加接近环部6a的内周面的方向的力的板状部件6b和环部6a夹持并保持。如图1所示，升降销5的底端部通过支承环6保持。通过支承环6和通孔3b，保持升降销5的倾斜度(姿势)。
升降销5在其与基座3之间，进行基板W的转交的情况下，由升降销支承部7支承。升降销支承部7支承升降销5的底端，使升降销5升降。升降销支承部7包括：筒状部7a，其包围支柱部4a；多个臂7b，其从筒状部7a的顶端部呈辐射状地延伸，而位于升降销5的底端的附近；支承座7c，其与臂7b的顶端连接，支承升降销5的底端。
在筒状部7a和支柱部4a的底端部，分别与驱动部8连接。驱动部8作为驱动机构(比如，马达，驱动器)而构成，该驱动机构使支承部4a和筒状部7a独立地动作。驱动部8能够使支承部4a围绕轴线O旋转，能够以沿轴线O的方式，分别独立地在上下方向上移动支承部4a和筒状部7a。比如，如果在图1所示的袋部3a中没有放置基板W的状态下，驱动部8使筒状部7a上升，则与筒状部7a一起，支承座7c也上升。由此，支承座7c支承升降销5的底端，以使升降销5上升，升降销5从通孔3b突出。在使从通孔3b突出的升降销5下降的情况下，驱动部8使筒状部7a下降，由此，升降销5悬挂于通孔3b中。
如图1所示，在反应炉2的外侧，在反应炉2的左右，设置气体供给管9和气体排出管10。另外，在反应炉2的上下，设置多个灯11。
气体供给管9位于反应炉2的水平方向的一端侧(图1的左侧)，向反应炉2的内部大致水平地供给各种的气体。例如，气体供给管9，在气相生长时，向反应炉2的内部供给气相生长气体。例如，气相生长气体包括作为硅单结晶膜原料的原料气体、稀释原料气体的载气、和使单结晶膜具有导电类型的掺杂气体。
气体排出管10位于反应炉2的水平方向的另一端侧(图示右侧)，其将反应炉2内的气体排到反应炉2之外。气体排出管10排出已经过了基板W的气相生长气体等。
灯11在反应炉2的上下设置多个，并作为在气相生长时通过对反应炉2的内部进行加热，来调节位于反应炉2的内部的基板W等的温度的热源。
以上对气相生长装置的主要的各部分进行了描述。下面对通过图未示的运送机器人，将运送到反应炉2的内部的基板W放置于基座3的袋部3a中的步骤进行说明。基板W通过图未示的运送机器人，运送到基座3的上方，运送到基座3的上方的基板W，例如以下述方式，放置于袋部3a中。
通过运送机器人，将基板W运送到基座3的上方，驱动部8使筒状部7a上升，将升降销5上抬，以使其从通孔3b突出。升降销5，上升至头部5b的顶端面到达基板W的背面为止，通过该顶端面支承基板W的背面并接收基板W。升降销5接收基板W后，驱动部8使筒状部7a下降，以使升降销5下降。由此，支承于升降销5上的基板W下降，基板W被放置于袋部3a中。升降销5下降并将基板W放置于袋部3a中后，升降销5的头部5b下降，以使其从基板W的背面分离。由此，升降销5以头部5b在通孔3b中卡住的方式悬挂于通孔3b中，支承升降销5的底端的支承座7c与升降销5分离(参照图1)。
如上所述，将基板W运送到基座3的袋部3a中。然后，驱动部8使支柱部4a围绕轴线O旋转。由此，使基座3和放置于基座3中的基板W围绕轴线O旋转，并通过向旋转的基板W的表面供给气相生长气体，在基板W上生长外延层，从而制造外延晶片。
根据上述方法制造出的外延晶片中，根据放置于袋部3a中的基板W的位置，使供给到基板W的气相生长气体的流动变化，会对在基板W上生长的外延层的膜厚产生影响。如果在放置于袋部3a中的基板W的周向上形成的间隙(基板W和袋部3a的间隙)在基板W的周向上不均匀的状态下，在基板W上生长外延层，则在基板W的外周部，外延层的膜厚分布恶化。
因此，优选地，以使其与袋部3a的间隙在基板W的周向上均匀的方式，将基板W放置于袋部3a中。在此，放置于袋部3a中的基板W在通过升降销5支承基板W的背面的状态下被运送到袋部3a。因此，基板W的放置于袋部3a中的位置受到将基板W运送到袋部3a中的升降销5的影响。比如，在通过升降销5支承基板W的情况下，因基板W的荷载而产生升降销5晃动，由此，放置于袋部3a中的基板W的位置有可能发生偏差。
因此，如图5A和图5B所示，通过环部6a和板状部件6b夹持升降销5的底端部，使升降销5的姿势稳定，由此抑制升降销5的晃动。在此，板状部件6b以图5B所示的连接部6b1为基点，主体部6b2被施加朝向环部6a的力，利用该被施加的力，升降销5由主体部6b2和环部6a夹持并保持。因此，即使因将室温下的基板W送入高温的反应炉2的内部等而引起反应炉2内的温度不稳定，由此保持升降销5的环部6a和板状部件6b反复进行热膨胀·热收缩，保持升降销5的力也没有大幅松弛。因此，能够在由维持环部6a和板状部件6b保持升降销5的位置的状态下，保持升降销5。
另外，在插入有升降销5的臂部4b的通孔H和升降销5之间，形成沿基座3的径向延伸的长孔，通过通孔H，使朝向基座3的径向的升降销5的位置不会受到约束。对此，关于通孔H和升降销5之间的基座3的圆周方向的间隙，将其设置成与通孔3b和升降销5的间隙相同或基本相同，由此能够抑制朝向基座3的圆周方向的升降销5的倾斜度的偏差。因此，能够抑制因由石墨制成的基座3和由石英制成的臂部4b的热膨胀系数的差而使通孔3b和通孔H的位置关系大幅变化，由此升降销5的姿势(倾斜度)不稳定的情况。另外，具有插入有升降销5的通孔3b的基座3由石墨制成，保持插入通孔3b中的升降销5的支承环6由碳化硅制成。因此，能够减小基座3和支承环6的热膨胀系数的差，能够抑制因反应炉2内的温度变化等而引起的通孔3b和支承环6的位置大幅变化的情况。其结果是，能够抑制升降销5的倾斜度不稳定的情况。另外，如果采用由碳化硅制成的基座3来代替由石墨制的基座3，则效果更好。
根据以上描述，在本发明的实施方式中，能够抑制升降销5的倾斜度不稳定的情况，抑制放置于基座3的袋部3a中的基板W的位置产生偏移的情况。
实施例
为了确认本发明的效果，进行在下面给出的实验。在以下的描述中，列举实施例和比较例，具体地对本发明进行说明，但是它们不构成对本发明的限定。
实施例
准备直径为300mm的硅单结晶基板的基板W和气相生长装置1，利用已准备的基板W和气相生长装置1，将基板W放置于气相生长装置1的基座3的袋部3a中，在已放置的基板W上生长外延层，而制造外延晶片。接着，根据已制造的外延晶片的外延层的外周部的膜厚分布，测量该外延晶片的基板W的中心相对于袋部3a的中心C偏离的距离并将其作为放置偏移量。如上所述，制造100个外延晶片，获取所制造的外延晶片的放置偏移量，并计算放置偏移量的平均值和标准偏差。另外，作为放置偏移量的具体的测定方法，采用在JP特开2014—127595号公报中公开的方法。
比较例
在比较例中，采用除了下述结构以外与气相生长装置1相同的气相生长装置101(参照图6和图7)，制造外延晶片。在下面，对气相生长装置101进行说明，但是与气相生长装置1相同的结构采用相同的标号，省略对其的说明，仅仅对特有的结构进行说明。在气相生长装置101中，从气相生长装置1上，取下支承环6，安装支承轴104来代替支承轴4。在支承轴104中，将支承轴4的通孔H的形状从长孔替换为小于长孔的圆筒状的通孔H，对于插入通孔3b、H1中的升降销5，升降销5的倾斜度根据通孔3b、H1而确定。除了采用这样的气相生长装置101以外，在与实施例相同的条件下，制造100个外延晶片，计算放置偏移量的平均值和标准偏差。
通过实施例和比较例而获得的测定结果如下：在实施例中，放置偏移量的平均值为52μm，放置偏移量的标准偏差为26μm，相对于此，在比较例中，放置偏移量的平均值为148μm，放置偏移量的标准偏差为79μm。由此，在实施例中，与比较例相比较，能够使放置于袋部3a中的基板W位置的偏差的程度减小。
以上，对本发明的实施例进行了说明，但是，本发明不限于该具体的记载，还可在于技术上没有矛盾的范围内，适当地组合列举的结构等而进行实施，也可将某要素，处理置换为周知的方式而进行实施。

Claims (11)

1.一种外延生长装置，其特征在于，包括：
基座，其具有贯穿表面与背面的通孔，能够围绕轴线旋转；
升降销，其插入所述通孔中；以及
保持部件，其包括：环部，所述环部位于所述轴线周围；及弹性部件，所述弹性部件包括与所述环部连接的连接部，从所述连接部沿所述环部延伸，并以所述连接部为基点，施加朝向所述环部的力，其中，
所述保持部件，在所述环部和所述弹性部件之间，夹持并保持所述升降销。
2.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于：
围绕所述轴线形成多个通孔，
在多个通孔中，分别插入所述升降销。
3.根据权利要求1或2所述的外延生长装置，其特征在于：
所述通孔为第1通孔，
包括支承部，其具有臂部，所述臂部与所述基座连接并横穿所述第1通孔的下方，支承所述基座，
所述臂部包括第2通孔，供插入于所述第1通孔中的所述升降销贯穿所述第2通孔，
所述第2通孔为在所述基座的径向上延伸的长孔。
4.根据权利要求3所述的外延生长装置，其特征在于：
所述臂部包括：一端部，其位于所述基座的下方；另一端部，其与所述基座连接，
所述支承部包括：支柱部，其在所述轴线方向上延伸，顶端部与所述一端部连接，
所述保持部件位于所述支柱部周围。
5.根据权利要求3或4所述的外延生长装置，其特征在于：
所述升降销包括能够在所述第1通孔中卡住的上部，
所述升降销通过所述上部卡住于所述第1通孔中，来保持于所述基座上。
6.根据权利要求5所述的外延生长装置，其特征在于：
所述上部能够以封闭所述第1通孔的方式卡住于所述基座上，
所述升降销通过所述上部卡住于所述第1通孔中，在封闭所述第1通孔的状态下来保持于所述基座上。
7.根据权利要求1～6中的任何一项所述的外延生长装置，其特征在于：
所述基座由石墨制成或由碳化硅制成，或者由涂敷有碳化硅的石墨制成，
所述保持部件由碳化硅制成。
8.根据权利要求1～7中的任何一项所述的外延生长装置，其特征在于：
所述弹性部件为包括所述连接部的板状部件。
9.根据权利要求1～8中的任何一项所述的外延生长装置，其特征在于：
所述环部呈圆状或大致圆状。
10.根据权利要求1～9中的任何一项所述的外延生长装置，其特征在于：
所述保持部件在所述环部和所述弹性部件之间，夹持所述升降销的底端部，保持所述升降销。
11.一种保持部件，其保持升降销，所述升降销插入基座的通孔中，所述基座具有贯穿表面与背面的通孔，能够围绕轴线旋转，所述保持部件的特征在于，包括：
环部，其位于所述轴线周围；以及
弹性部件，其包括与所述环部连接的连接部，从所述连接部沿所述环部延伸，并以所述连接部为基点，施加朝向所述环部的力，
在所述环部和所述弹性部件之间，夹持并保持所述升降销。
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