JP7135841B2 - ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
そこで、このような載置位置のずれを抑制するための検討がなされている(例えば、特許文献1参照)。
本発明によれば、複数のリフトピンのうち特定のリフトピンをシリコンウェーハに最初に当接させるため、シリコンウェーハのサセプタ上の載置位置は、搬送手段によるシリコンウェーハの搬送停止位置の真下よりも上記特定の方向にずれる。したがって、この特定方向へのずれ量を予め把握しておき、搬送手段によるシリコンウェーハの搬送停止位置を、上記把握したずれ量だけ、上記特定の方向の反対方向側に移動した位置に設定しておくことにより、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。また、上記特許文献1のサポートリングのような特殊な部材を用いないため、塵が発生することを抑制でき、エピタキシャルシリコンウェーハの品質低下を抑制できる。
本発明では、リフトピンの高さの差を0.5mm以上5mm以下にしているため、上述のような不都合を抑制できる。
本発明によれば、反り状態が安定しないシリコンウェーハであっても、目標載置位置に載置できる。
以下、本発明の一実施形態について説明する。
〔気相成長装置の構成〕
図1に示すように、気相成長装置1は、チャンバ2と、サセプタ3と、加熱部4と、ウェーハ移載装置5とを備えている。
上ドーム21および下ドーム22は、石英によって形成されている。
下ドーム22の中央には、下方に延びて、後述するリフトピン支持部材76の主柱761が挿通される筒部221が設けられている。
ドーム固定体23は、シリコンウェーハWをエピタキシャル膜形成室20に搬入出するためのウェーハ搬入出口24を備えている。ドーム固定体23は、図2に示すように、エピタキシャル膜形成室20内にガスを供給するためのガス供給口25と、エピタキシャル膜形成室20からガスを排出するためのガス排出口26とを備えている。
サセプタ3の一方の主面には、シリコンウェーハWが収容される円形状のザグリ部31が形成されている。ザグリ部31の直径は、シリコンウェーハWの直径よりも大きくなっている。
サセプタ3の他方の主面の外縁近傍には、図3にも示すように、後述する支持ピン753が嵌め込まれる3個の嵌合溝32が設けられている。嵌合溝32は、サセプタ3の周方向に120°間隔で設けられている。
また、サセプタ3には、両主面を貫通する第1,第2,第3の貫通孔33,34,35が設けられている。
各貫通孔33,34,35は、ザグリ部31内において、サセプタ3の周方向に120°間隔で設けられている。各貫通孔33,34,35は、図4に示すように、シリコンウェーハWが載置されるザグリ部31の載置面31Aからサセプタ3の厚さ方向中心に向かうにしたがって内径が小さくなる円錐状のテーパ部33A,34A,35Aと、サセプタ3の厚さ方向で内径が等しい軸孔部33B,34B,35Bとを備えている。
支持部材61は、例えば、石英によって細長い長方形板状に形成されている。支持部材61は、細長い長方形板状の本体部61Aと、この本体部61Aの先端の幅方向両端から延びる一対の延出部61Bと備えている。
搬送ロボット62は、支持部材61の長手方向の一端側を保持する。搬送ロボット62は、支持部材61をその長手方向に移動させることで、支持部材61に載置されたシリコンウェーハWをチャンバ2内に搬送し、サセプタ3のザグリ部31にシリコンウェーハWが載置されたら支持部材61を元の位置まで移動させる。搬送ロボット62は、必要に応じて、シリコンウェーハWをチャンバ2内に搬送する前に、支持部材61をその長手方向と直交する方向に移動させ、サセプタ3におけるシリコンウェーハWの載置位置を調整する。
各リフトピン71,72,73は、軸部71B,72B,73Bが各貫通孔33,34,35の軸孔部33B,34B,35Bに挿通され、その自重によって頭部71A,72A,73Aがテーパ部33A,34A,35Aに当接することによって、サセプタ3で支持される。頭部71A,72A,73Aは、各リフトピン71,72,73がサセプタ3で支持されているときに、その上端がザグリ部31の載置面31Aよりも下方に位置するように形成されていることが好ましい。軸部71B,72B,73Bは、その中心軸が各貫通孔33,34,35の軸孔部33B,34B,35Bの中心軸と一致するように配置されたときに、軸孔部33B,34B,35Bとの間に、クリアランスCが設けられる太さに形成されている。
アーム752は、主柱751の周方向に120°間隔で斜め上方に延びるように設けられている。アーム752の長手方向の中央には、当該アーム752を貫通する貫通孔752Aが設けられている。
各支持ピン753は、無垢のSiCで形成されており、サセプタ3の各嵌合溝32にそれぞれ嵌め込まれることで、当該サセプタ3を支持する。
各アーム762,763,764は、主柱761の周方向に120°間隔で斜め上方に延びるように設けられている。
各当接部765,766,767は、それぞれの上端面765A,766A,767Aにて各リフトピン71,72,73を下方から支持する。第1の当接部765は、第2,第3の当接部766,767よりも高く形成されている。上端面765Aと、上端面766A,767Aとの高さの差ΔHは、0.5mm以上5mm以下であることが好ましく、2mm以上3mm以下であることがより好ましい。
次に、気相成長装置1を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法について説明する。
まず、p型またはn型のシリコンウェーハWを準備する。シリコンウェーハWがp型の場合、ボロンが添加されており、n型の場合、リン、砒素、アンチモンが添加されている。シリコンウェーハWの直径は、200mm、300mm、450mmなど、いずれの大きさであってもよい。
次に、窒素雰囲気の図示しないロボット室内に配置された搬送手段6の支持部材61は、シリコンウェーハWをその主面が水平面と平行になるように支持する。その後、ロボット室とチャンバ2との間に配置された図示しないゲートバルブが開かれると、搬送手段6の搬送ロボット62は、主面が水平面と平行になる状態を維持したまま、ウェーハ搬入出口24を介して、シリコンウェーハWを加熱部4で加熱されたエピタキシャル膜形成室20内に搬入し、サセプタ3のザグリ部31上で停止させる。
このとき、図6(A)に示すように、サセプタ3は、第1貫通孔33が一対の延出部61Bの間の中心位置かつシリコンウェーハWの中心WCよりも搬入方向側に位置し、第2,第3の貫通孔34,35が本体部61Aの外側かつ中心WCよりも搬出方向側(ロボット室側)に位置するように、回転方向の位置が調整されている。
搬送手段6が支持部材61をチャンバ2の外部に移動させ、ゲートバルブが閉じられると、駆動手段77がリフトピン支持部材76を下降させ、シリコンウェーハWがサセプタ3のザグリ部31内に載置されるが、シリコンウェーハWの載置位置は、図6(C)に示すように、サセプタ3上の目標載置位置Pよりも第1の方向D1側にずれた状態が維持される。
このように、各リフトピン71,72,73の頭部71A,72A,73Aが同じ高さに位置した状態を維持したまま、これらを上昇させる場合には、シリコンウェーハWのサセプタ3上の載置位置がどの方向にずれるかわからない。
搬送手段6の搬入によるシリコンウェーハWの停止位置は、一般的には、サセプタ3上におけるシリコンウェーハWの目標載置位置Pの真上になるが、本実施形態では、高い確率でシリコンウェーハWの載置位置が当該停止位置から第1の方向D1にずれることが分かっている。このため、このずれ量ΔDを予め把握しておき、目標載置位置Pの真上からΔDだけ第1の方向D1の反対方向側に戻った位置に、搬送手段6によるシリコンウェーハWの停止位置を設定しておくことにより、シリコンウェーハWをサセプタ3上の目標載置位置Pに載置できる。
シリコンウェーハWがp++型の場合、シリコンウェーハWの熱吸収率が高いために、上記輻射熱の影響によるシリコンウェーハWの上下面の温度差がつきやすい。このため、シリコンウェーハWは、サセプタ3上に搬入されると、短時間で、図7(A)に示すように、下面が下側に突出するように反る。つまり、シリコンウェーハWは、支持部材61の一対の延出部61Bの間に存在する部分が、本体部61Aの外側に存在する部分よりも低くなるように反る。したがって、図7(A)に二点鎖線で示すように一対の延出部61Bの間に存在する第1のリフトピン71が、最初にシリコンウェーハWに接触しやすくなる。
一方、シリコンウェーハWが図7(B)に示すように反る場合、各リフトピン71,72,73の高さ位置を同じにすると、本体部61Aの外側に存在する第2のリフトピン72または第3のリフトピン73に最初に接触しやすくなり、載置位置がどの方向にずれるかを予め把握しにくくなる。その結果、シリコンウェーハWを目標載置位置Pに載置できない場合が生じる。しかし、本実施形態では、第1のリフトピン71の高さ位置を第2,第3のリフトピン72,73よりも高くしているため、第1のリフトピン71と第2,第3のリフトピン72,73との高さの差をシリコンウェーハWの反り量よりも大きくすることで、図7(B)に二点鎖線で示すように第1のリフトピン71を最初にシリコンウェーハWに接触させやすくなり、載置位置がどの方向にずれるかを予め把握できる。その結果、反り状態が安定しないp-型のシリコンウェーハWであっても、シリコンウェーハWを目標載置位置Pに載置できる。
なお、シリコンウェーハWの反り量(シリコンウェーハWの外縁と中央との差)は、シリコンウェーハWの厚さやエピタキシャル膜形成室20内の温度にもよるが、1mm程度である。
なお、原料ガスとしては、例えばSiH4(モノシラン)、SiH2Cl2(ジクロールシラン)、SiHCl3(トリクロロシラン)、SiCl4(四塩化シリコン)などが使用される。ドーピングガスとしては、エピタキシャル膜がP型の場合には、B2H6(ジボラン)、BCl3(トリクロロボラン)などのボロン化合物が使用され、N型の場合には、PH3(フォスフィン)、AsH3(アルシン)などが使用される。
上述の実施形態によれば、各リフトピン71,72,73のうち第1のリフトピン71をシリコンウェーハWに最初に当接させるため、予め第1の方向D1へのシリコンウェーハWの載置位置のずれ量を把握し、搬送手段6によるシリコンウェーハWの停止位置を設定しておくことにより、シリコンウェーハWを所望の位置に載置できる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
図8(B)に示すように、各当接部765,766,767の高さを同じにするとともに、各リフトピン71,72,73の長さを同じにして、搬送手段6の支持部材61でその主面が水平面に対して傾斜するようにシリコンウェーハWを搬入することで、第1のリフトピン71をシリコンウェーハWに最初に当接させるようにしてもよい。
各リフトピン71,72,73の全てでシリコンウェーハWを搬送手段6から受け取った後に、各リフトピン71,72,73を停止させて、または、下降させつつ、サセプタ3を上昇させてシリコンウェーハWをサセプタ3に載置してもよい。
まず、上記実施形態と同様の気相成長装置と、直径が300mmかつ厚さが775μmのp-型のシリコンウェーハWとを準備した。各リフトピン71,72,73として、軸部71B,72B,73Bと、各貫通孔33,34,35の軸孔部33B,34B,35BとのクリアランスCが0.25mmのものを準備した。
そして、各リフトピン71,72,73の高さ位置を同じにして、エピタキシャル膜形成室20内を700℃に加熱して、シリコンウェーハWのサセプタ3への載置処理を行った。サセプタ3に載置されたシリコンウェーハWの中心と、目標載置位置Pの中心とのずれを、測定装置(Epicrew社製 Edge Zoom)を用いてサセプタ上方から測定した。100枚のシリコンウェーハWに対して同様の実験を行った。
第1のリフトピン71の高さ位置を、第2,第3のリフトピン72,73の高さ位置よりも1mm高くしたこと以外は、比較例1と同様の実験を行った。
第1のリフトピン71の高さ位置を、第2,第3のリフトピン72,73の高さ位置よりも2mm高くしたこと以外は、比較例1と同様の実験を行った。
比較例、実施例1,2のそれぞれの測定結果を、図9(A),(B),(C)に示す。
なお、図9(A),(B),(C)において、縦軸Yおよび横軸Xの値は、図1、図2、図6(A)~(C)、図7(A),(B)のXYZ軸を基準とした値である。すなわち、縦軸Yの正の値は、シリコンウェーハWの搬出方向へのずれを示し、負の値は、シリコンウェーハWの搬入方向(第1の方向D1)へのずれを示す。また、横軸Xの正の値は、搬入方向と直交する一方の方向(第3の方向D3側)へのずれを示し、負の値は、搬入方向と直交する他方の方向(第2の方向D2側)へのずれを示す。
また、横軸および縦軸の位置がともに0mmの場合、シリコンウェーハWの載置位置が目標載置位置Pからずれていないことを表す。
これは、上述したように、p-型のシリコンウェーハWの反りが図7(A)または図7(B)のいずれかの状態で発生するため、シリコンウェーハWに最初に接触するリフトピンが特定されなかったためと考えられる。
さらに、実施例2では、図9(C)に示すように、載置位置が目標載置位置Pからずれた特定の1箇所に集中しており、比較例および実施例1よりもずれ位置のばらつきが小さかった。
これは、反りの方向が安定しないp-型のシリコンウェーハWであっても、第1のリフトピン71の高さ位置を第2,第3のリフトピン72,73よりも高くすることで、第1のリフトピン71がシリコンウェーハWに最初に接触する確率が高くなり、高さ位置の差が大きくなるほどその確率が高くなったためと考えられる。
特に、第1のリフトピン71の高さ位置と、第2,第3のリフトピン72,73の高さ位置との差を2mm以上にすれば、シリコンウェーハWの載置位置を特定の1箇所に集中させることができ、ずれのばらつきがより小さくなることが確認できた。
Claims (12)
- シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載装置であって、
前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置手段とを備え、
前記載置手段は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通され、前記貫通孔との間にクリアランスが設けられて前記貫通孔に対して傾くことができるように構成された複数のリフトピンと、
前記複数のリフトピンと前記サセプタとを相対移動させる相対移動手段とを備え、
前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることによって、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送手段による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることによって、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置し、
前記載置手段は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンが最初に前記シリコンウェーハの下面に接触するように構成されていることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項1に記載のウェーハ移載装置において、
前記相対移動手段は、前記リフトピンの下端に固定されることなく前記リフトピンを下方から支持する当接部を有することを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項1または請求項2に記載のウェーハ移載装置において、
前記リフトピンは、頭部と前記頭部から延び、前記貫通孔に挿通される軸部とを備え、
前記頭部が前記サセプタで支持されていることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置において、
前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項4に記載のウェーハ移載装置において、
前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも0.5mm以上5mm以下だけ高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項4または請求項5に記載のウェーハ移載装置において、
前記複数のリフトピンは、同じ長さを有し、
前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、
前記特定のリフトピンに当接する前記当接部の上端は、他の前記当接部の上端よりも高い位置に設けられていることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項4または請求項5に記載のウェーハ移載装置において、
前記特定のリフトピンは、他のリフトピンよりも長く形成され、
前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、
前記複数の当接部の上端は、同じ高さ位置に設けられていることを特徴とするウェーハ移載装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置において、
前記搬送手段は、長手状の支持部材を備え、前記シリコンウェーハが載置された前記支
持部材をその長手方向に移動させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、
前記支持部材は、互いに離れた位置から当該支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備え、
前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることを特徴とするウェーハ移載装置。 - シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置であって、
前記シリコンウェーハが載置されるサセプタと、
前記サセプタに前記シリコンウェーハを移載する請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置とを備えていることを特徴とする気相成長装置。 - シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載方法であって、
前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送工程と、
前記搬送工程で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置工程とを備え、
前記載置工程は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通され、前記貫通孔との間にクリアランスが設けられて前記貫通孔に対して傾くことができるように構成された複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることで前記サセプタ上の前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送工程による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する相対移動工程を備え、
前記載置工程は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンを最初に前記シリコンウェーハの下面に接触させて行われることを特徴とするウェーハ移載方法。 - 請求項10に記載のウェーハの移載方法において、
長手状の支持部材であって、互いに離れた位置から前記支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備える支持部材を用い、
前記搬送工程は、p-型の前記シリコンウェーハが載置された前記支持部材をその長手方向に移動させることで、前記p-型のシリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、
前記相対移動工程は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることを特徴とするウェーハ移載方法。 - シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、
サセプタに前記シリコンウェーハを移載する請求項10または請求項11に記載のウェーハ移載方法を行う工程と、
前記サセプタに移載された前記シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長工程とを備えていることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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