WO2020137051A1 - ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents

ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 Download PDF

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susceptor
wafer
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lift
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和宏 楢原
辻　雅之
珀 胡盛
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer transfer apparatus, a vapor phase growth apparatus, a wafer transfer method, and an epitaxial silicon wafer manufacturing method.
  • the vapor phase growth apparatus when a wafer is placed on the susceptor, first, when the wafer whose lower surface is supported by the transfer blade is transferred above the susceptor, the lift pins are raised and the lower surface of the wafer is lifted at its upper end. The wafer is supported and separated from the carrier blade. Then, the vapor phase growth apparatus lowers the lift pins and mounts the wafer on the susceptor.
  • the susceptor has a through hole through which the lift pin is inserted.
  • the through hole is formed so that a clearance is provided between the through hole and the lift pin so that the lift pin can be smoothly moved up and down. Therefore, when the lift pins come into contact with the wafer, the lift pins are tilted, and when the wafer is received from the carrier blade and placed on the susceptor in this tilted state, the placement position of the wafer may deviate from a desired position. Therefore, studies have been made to suppress such a displacement of the mounting position (for example, refer to Patent Document 1).
  • the vapor phase growth apparatus of Patent Document 1 is provided with a support ring that holds the lower end portions of the three lift pins and suppresses wobbling of these lift pins.
  • the support ring includes a ring portion and a plate-shaped member whose one end in the longitudinal direction is connected to the inner peripheral surface of the ring portion and the other end side is biased toward the ring part side. Hold the lift pin in between.
  • Patent Document 1 when the lift pin or the support ring expands or contracts as the temperature rises or falls, friction may occur between the lift pin and the support ring. When friction occurs, dust is generated from the lift pins and the support ring, and particles on the epitaxial silicon wafer increase.
  • An object of the present invention is to provide a wafer transfer apparatus, a vapor phase growth apparatus, a wafer transfer method, and an epitaxial silicon wafer manufacturing method capable of mounting a silicon wafer at a desired position on a susceptor so that the quality of the epitaxial silicon wafer does not deteriorate. To provide a method.
  • the wafer transfer apparatus of the present invention is a wafer transfer apparatus for transferring the silicon wafer to a susceptor of a vapor phase growth apparatus for forming an epitaxial film on the silicon wafer, and holding the silicon wafer to hold the silicon wafer on the susceptor. And a placing means for placing the silicon wafer conveyed by the conveying means on the susceptor, wherein the placing means moves up and down in each of a plurality of through holes penetrating the susceptor.
  • the structure of at least one of the transfer means and the mounting means placed on a susceptor is such that when the silicon wafer is supported by the plurality of lift pins, a specific lift pin first contacts the lower surface of the silicon wafer. It is characterized in that it is configured to.
  • a specific lift pin of the plurality of lift pins is first brought into contact with the silicon wafer. Therefore, the placement position of the silicon wafer on the susceptor is set to a value lower than the position just below the transfer stop position of the silicon wafer by the transfer means. Deviation in a specific direction. Therefore, the shift amount in the specific direction is grasped in advance, and the transport stop position of the silicon wafer by the transport means is set to the position moved to the opposite side of the specific direction by the shift amount thus grasped. By placing it, the silicon wafer can be placed at a desired position. Further, since no special member such as the support ring of Patent Document 1 is used, it is possible to suppress dust generation and suppress deterioration of the quality of the epitaxial silicon wafer.
  • the relative moving means raises the plurality of lift pins with respect to the susceptor in a state where the upper ends of the specific lift pins are located at positions higher than the upper ends of other lift pins. Is preferred.
  • the silicon wafer can be placed at a desired position by a simple method of adjusting the height position of the lift pin.
  • the relative moving unit may move the plurality of lift pins in a state in which an upper end of the specific lift pin is located at a position higher than an upper end of another lift pin by 0.5 mm or more and 5 mm or less. It is preferable to raise it with respect to the susceptor.
  • the height difference of the lift pins is less than 0.5 mm, the specific lift pins cannot be brought into contact with the silicon wafer first, depending on the size of the warp of the silicon wafer due to heat, and the silicon wafer is mounted at a desired position. May not be placed. Further, if it exceeds 5 mm, the inclination of the silicon wafer becomes large until the lift pins other than the specific lift pins come into contact with the silicon wafer, and the position of the silicon wafer is largely displaced on the transfer means. It may not be possible to place it in position. In the present invention, since the height difference of the lift pins is set to 0.5 mm or more and 5 mm or less, the above-mentioned inconvenience can be suppressed.
  • the plurality of lift pins have the same length
  • the relative moving means has a plurality of contact portions respectively contacting the lower ends of the plurality of lift pins
  • a silicon wafer can be placed at a desired position by a simple method in which the upper end of a specific contact portion is higher than the upper ends of other contact portions.
  • the specific lift pin is formed longer than other lift pins, and the relative moving means has a plurality of contact portions respectively contacting the lower ends of the plurality of lift pins, It is preferable that a lift pin support member that moves relative to the susceptor is provided, and the upper ends of the plurality of contact portions are provided at the same height position.
  • a silicon wafer can be placed at a desired position by a simple method of making a specific lift pin longer than other lift pins.
  • the transfer means on the susceptor, so that the portion of the silicon wafer supported by the specific lift pin is located below the other portion, the silicon wafer, It is preferably transported.
  • the silicon wafer can be placed at a desired position by a simple method of setting the posture of the silicon wafer conveyed by the conveying means on the susceptor.
  • the transfer means includes a support member having a longitudinal shape, and the support member on which the silicon wafer is mounted is moved in the longitudinal direction thereof so that the silicon wafer is placed on the susceptor.
  • the supporting member includes a pair of extending portions extending in the longitudinal direction of the supporting member from positions separated from each other, and the relative moving means includes a portion of the pair of extending portions of the plurality of lift pins. It is preferable that a lift pin located between them is brought into contact with the lower surface of the silicon wafer as the specific lift pin.
  • the heat in the chamber that houses the susceptor may cause the silicon wafer to warp so that the lower surface projects downward or the upper surface projects upward. is there. According to the present invention, even a silicon wafer whose warp state is not stable can be placed at the target placement position.
  • a vapor phase growth apparatus of the present invention is a vapor phase growth apparatus for forming an epitaxial film on a silicon wafer, the susceptor on which the silicon wafer is mounted, and the above-mentioned wafer transfer for transferring the silicon wafer to the susceptor. And a mounting device.
  • a wafer transfer method of the present invention is a wafer transfer method of transferring the silicon wafer to a susceptor of a vapor phase growth apparatus for forming an epitaxial film on the silicon wafer, wherein the silicon wafer is held on the susceptor. And a mounting step of mounting the silicon wafer transferred in the transfer step on the susceptor, wherein the mounting step moves up and down to each of a plurality of through holes penetrating the susceptor.
  • a plurality of lift pins While supporting the lower surface of the silicon wafer on the susceptor by raising a plurality of lift pins that can be inserted with respect to the susceptor, after the holding of the silicon wafer by the transfer step is released, a plurality of lift pins By a relative movement step of mounting the silicon wafer on the susceptor by lowering the silicon wafer on the susceptor, wherein at least one of the transfer step and the mounting step is performed by the plurality of lift pins.
  • a specific lift pin is first contacted with the lower surface of the silicon wafer.
  • a supporting member having a long shape and including a pair of extending portions extending in the longitudinal direction of the supporting member from positions separated from each other is used, and
  • the p-type silicon wafer is transferred onto the susceptor by moving the supporting member on which the ⁇ type silicon wafer is placed in the longitudinal direction thereof, and the relative moving step is performed by moving the plurality of lift pins.
  • a lift pin located between the pair of extending portions is brought into contact with the lower surface of the silicon wafer as the specific lift pin.
  • the method for manufacturing an epitaxial silicon wafer of the present invention is a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer for forming an epitaxial film on a silicon wafer, the step of performing the above-mentioned wafer transfer method for transferring the silicon wafer to a susceptor, and And a vapor phase growth step of forming an epitaxial film on the silicon wafer transferred to the susceptor.
  • FIG. 3 is a perspective view of a susceptor and a susceptor supporting member of the vapor phase growth apparatus. Sectional drawing of the through-hole of the said susceptor.
  • the schematic diagram which shows the support state of the lift pin in the lift pin support member of the said vapor phase growth apparatus.
  • FIG. 9 is an explanatory view of the method for manufacturing an epitaxial silicon wafer using the vapor phase growth apparatus, and is a plan view when the silicon wafer is conveyed above the susceptor.
  • FIG. 6 is an explanatory view of a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer using the vapor phase growth apparatus, which is a side view when the silicon wafer contacts a lift pin. It is an explanatory view of a manufacturing method of an epitaxial silicon wafer using the above-mentioned vapor phase growth device, and is a top view when a silicon wafer is put on a susceptor.
  • FIG. 8 is an explanatory view of the method for manufacturing the epitaxial silicon wafer, and is a side view when a warped p++ type or p ⁇ type silicon wafer comes into contact with a lift pin.
  • FIG. 9 is an explanatory view of the method for manufacturing the epitaxial silicon wafer, and is a side view when a warped p-type silicon wafer comes into contact with a lift pin.
  • 6 shows a distribution of placement positions of a silicon wafer with respect to a target placement position in a comparative example of the present invention.
  • 5 shows a distribution of placement positions of a silicon wafer with respect to a target placement position in Example 1 of the present invention.
  • FIG. 6 shows a distribution of placement positions of a silicon wafer with respect to a target placement position in Example 2 of the present invention.
  • 9B shows the distribution of the placement position of the silicon wafer in Example 1 with respect to the target placement position of the silicon wafer when the transfer stop position of the silicon wafer is adjusted based on the result of FIG. 9B.
  • 9C illustrates the distribution of the placement position of the silicon wafer in the second embodiment with respect to the target placement position of the silicon wafer when the transportation stop position of the silicon wafer is adjusted based on the result of FIG. 9C.
  • the vapor phase growth apparatus 1 includes a chamber 2, a susceptor 3, a heating unit 4, and a wafer transfer device 5.
  • the chamber 2 includes an upper dome 21, a lower dome 22, and a dome fixing body 23 that fixes the outer edges of the respective dome 21, 22 to each other, and defines the epitaxial film forming chamber 20.
  • the upper dome 21 and the lower dome 22 are made of quartz.
  • a tubular portion 221 is provided that extends downward and has a main post 761 of a lift pin support member 76, which will be described later, inserted therethrough.
  • the dome fixing body 23 includes a wafer loading/unloading port 24 for loading/unloading the silicon wafer W into/from the epitaxial film forming chamber 20.
  • the dome fixing body 23 has a gas supply port 25 for supplying gas into the epitaxial film forming chamber 20 and a gas discharge port 26 for discharging gas from the epitaxial film forming chamber 20. I have it.
  • the susceptor 3 is made of carbon coated with silicon carbide and has a disk shape.
  • a circular counterbore 31 for accommodating the silicon wafer W is formed on one main surface of the susceptor 3.
  • the diameter of the counterbore portion 31 is larger than the diameter of the silicon wafer W.
  • three fitting grooves 32 into which support pins 753 described later are fitted are provided in the vicinity of the outer edge of the other main surface of the susceptor 3, as shown in FIG. 3, three fitting grooves 32 into which support pins 753 described later are fitted are provided.
  • the fitting grooves 32 are provided at 120° intervals in the circumferential direction of the susceptor 3.
  • the susceptor 3 is provided with first, second, and third through holes 33, 34, 35 penetrating both main surfaces.
  • the through holes 33, 34, 35 are provided in the counterbore portion 31 at 120° intervals in the circumferential direction of the susceptor 3. As shown in FIG. 4, each through hole 33, 34, 35 is a cone whose inner diameter decreases from the mounting surface 31A of the counterbore 31 on which the silicon wafer W is mounted toward the center of the susceptor 3 in the thickness direction. Taper portions 33A, 34A, 35A and shaft hole portions 33B, 34B, 35B having the same inner diameter in the thickness direction of the susceptor 3 are provided.
  • the heating unit 4 includes an upper heater 41 provided on the upper side of the chamber 2 and a lower heater 42 provided on the lower side.
  • the upper heater 41 and the lower heater 42 are composed of infrared lamps and halogen lamps.
  • the wafer transfer device 5 transfers the silicon wafer W onto the susceptor 3.
  • the wafer transfer device 5 includes a transfer means 6 and a mounting means 7.
  • the transfer means 6 holds the silicon wafer W and transfers it onto the susceptor 3.
  • the transport unit 6 includes a support member 61 having an elongated shape (see FIG. 6A) and a transport robot 62.
  • the support member 61 is formed of, for example, quartz in the shape of an elongated rectangular plate.
  • the support member 61 includes a main body portion 61A having an elongated rectangular plate shape, and a pair of extending portions 61B extending from both ends in the width direction of the tip end of the main body portion 61A.
  • the transfer robot 62 holds one end side of the support member 61 in the longitudinal direction.
  • the transfer robot 62 transfers the silicon wafer W placed on the support member 61 into the chamber 2 by moving the support member 61 in the longitudinal direction, and the silicon wafer W is placed on the counterbore 31 of the susceptor 3. Then, the support member 61 is moved to the original position. Before carrying the silicon wafer W into the chamber 2, the carrying robot 62 moves the supporting member 61 in a direction orthogonal to its longitudinal direction to adjust the placement position of the silicon wafer W on the susceptor 3, as needed. To do.
  • the mounting means 7 mounts the silicon wafer W transferred by the transfer means 6 on the susceptor 3. As shown in FIGS. 1, 2, 3, and 5, the mounting means 7 includes first, second, and third lift pins 71, 72, 73, and a relative moving means 74.
  • the lift pins 71, 72, 73 are formed in the same rod shape, for example, of carbon coated with silicon carbide. As shown in FIG. 4, each of the lift pins 71, 72, 73 extends in a cylindrical shape from a truncated cone-shaped head portion 71A, 72A, 73A and an end of the head portion 71A, 72A, 73A having a smaller diameter.
  • the shaft portions 71B, 72B, 73B are provided.
  • the shaft portions 71B, 72B, 73B of the lift pins 71, 72, 73 are inserted into the shaft hole portions 33B, 34B, 35B of the through holes 33, 34, 35, and the head portions 71A, 72A, 73A are tapered by their own weights.
  • the heads 71A, 72A, 73A are formed such that the upper ends of the heads 71A, 72A, 73A are located below the mounting surface 31A of the counterbore portion 31 when the lift pins 71, 72, 73 are supported by the susceptor 3. It is preferable.
  • the shaft portions 71B, 72B, 73B are arranged such that the central axes thereof coincide with the central axes of the shaft hole portions 33B, 34B, 35B of the through holes 33, 34, 35, respectively. , 35B, a clearance C is provided between them.
  • the relative movement means 74 places the silicon wafer W transferred by the transfer means 6 on the susceptor 3 by moving the lift pins 71, 72, 73 and the susceptor 3 relative to each other.
  • the relative movement means 74 includes a susceptor support member 75, a lift pin support member 76, and a drive means 77.
  • the susceptor support member 75 is made of quartz.
  • the susceptor support member 75 includes a cylindrical main pillar 751, three arms 752 radially extending from the tip of the main pillar 751, and a support pin 753 provided at the tip of each arm 752.
  • the arms 752 are provided so as to extend obliquely upward at 120° intervals in the circumferential direction of the main pillar 751.
  • a through hole 752A penetrating the arm 752 is provided at the center of the arm 752 in the longitudinal direction.
  • Each support pin 753 is made of pure SiC, and is fitted into each fitting groove 32 of the susceptor 3 to support the susceptor 3.
  • the lift pin support member 76 is made of quartz.
  • the lift pin support member 76 includes a cylindrical main pillar 761, first, second, and third arms 762, 763, 764 extending radially from the tip of the main pillar 761, and the tips of the arms 762, 763, 764.
  • the first, second, and third contact portions 765, 766, and 767 provided on the.
  • the arms 762, 763 and 764 are provided so as to extend obliquely upward at 120° intervals in the circumferential direction of the main pillar 761.
  • the respective abutting portions 765, 766, 767 support the respective lift pins 71, 72, 73 from below at their respective upper end surfaces 765A, 766A, 767A.
  • the first contact portion 765 is formed higher than the second and third contact portions 766 and 767.
  • the height difference ⁇ H between the upper end surface 765A and the upper end surfaces 766A and 767A is preferably 0.5 mm or more and 5 mm or less, and more preferably 2 mm or more and 3 mm or less.
  • the main pillar 761 is inserted into the tubular portion 221 of the lower dome 22 with the arms 762, 763 and 764 being located inside the epitaxial film forming chamber 20. Inside the main pillar 761, the respective arms 762, 763, 764 are located below the respective arms 752 of the susceptor support member 75, and the lower ends of the lift pins 71, 72, 73 supported by the susceptor 3 are The main pillar 751 is inserted so that the upper end surfaces 765A, 766A, and 767A of the contact portions 765, 766, and 767 can contact each other.
  • the drive means 77 rotates the susceptor support member 75 and the lift pin support member 76, and moves the lift pin support member 76 up and down.
  • a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer using the vapor phase growth apparatus 1 will be described.
  • a p-type or n-type silicon wafer W is prepared.
  • boron is added, and when it is n-type, phosphorus, arsenic, and antimony are added.
  • the diameter of the silicon wafer W may be any size such as 200 mm, 300 mm, and 450 mm.
  • the support member 61 of the transfer means 6 arranged in a robot chamber (not shown) in a nitrogen atmosphere supports the silicon wafer W such that its main surface is parallel to the horizontal plane.
  • the transfer robot 62 of the transfer means 6 keeps the state in which the main surface is parallel to the horizontal plane and the wafer loading/unloading port 24.
  • the silicon wafer W is carried into the epitaxial film forming chamber 20 heated by the heating unit 4 through the above, and is stopped on the countersink portion 31 of the susceptor 3.
  • the first through hole 33 is located at the center position between the pair of extending portions 61B and on the carry-in direction side with respect to the center W C of the silicon wafer W.
  • the position in the rotation direction is adjusted so that the third through holes 34, 35 are located outside the main body 61A and on the carry-out direction side (robot chamber side) with respect to the center W C.
  • the drive means 77 of the wafer transfer device 5 raises the lift pin support member 76 and raises the lift pins 71, 72, 73 supported by the susceptor 3.
  • the lift pins 71, 72, 73 rises while maintaining the state in which the head portion 71A of the first lift pin 71 is positioned above the head portions 72A and 73A of the second and third lift pins 72 and 73. Therefore, the first lift pins 71 first contact the lower surface of the silicon wafer W, and then the second and third lift pins 72, 73 contact each other.
  • the heads 71A, 72A, 73A of the lift pins 71, 72, 73 are located at the same height.
  • the silicon wafer W is heated by the heating unit 4 in the epitaxial film forming chamber 20, the silicon wafer W is warped due to the temperature difference and the heat absorption difference between the two main surfaces of the silicon wafer W.
  • the lift pin that first contacts the silicon wafer W is the first lift pin 71 or the second lift pin 72, which is not stable.
  • the shaft hole portions 33B, 34B, 35B of the through holes 33, 34, 35 of the susceptor 3 are formed so that a clearance C is provided between the shaft portions 71B, 72B, 73B of the lift pins 71, 72, 73.
  • a clearance C is provided between the shaft portions 71B, 72B, 73B of the lift pins 71, 72, 73.
  • the first lift pin 71 is tilted so that the head 71A moves toward the first direction D 1 side from the center of the susceptor 3 toward the first through hole 33. Due to the inclination of the first lift pins 71, the silicon wafer W is displaced toward the first direction D 1 side from the stop position on the susceptor 3 by the transfer means 6, as shown by the solid line in FIG. 6B.
  • Such a displacement of the mounting position of the silicon wafer W also occurs when the second lift pins 72 and the third lift pins 73 first contact the silicon wafer W.
  • the deviation direction becomes the second direction D 2 from the center of the susceptor 3 toward the second through hole 34, and the third direction.
  • the third direction D 3 is from the center of the susceptor 3 toward the third through hole 35.
  • the silicon wafer W is displaced when all of the lift pins 71, 72, 73 come into contact with the silicon wafer W.
  • the direction is only the first direction D 1 .
  • the stop position of the silicon wafer W due to the loading of the transfer means 6 is generally right above the target mounting position P of the silicon wafer W on the susceptor 3.
  • the silicon wafer W has a high probability. It has been found that the mounting position of is shifted from the stop position in the first direction D 1 .
  • the amount of deviation ⁇ D is known in advance, and the silicon wafer W is stopped by the transfer means 6 at a position where the amount of deviation ⁇ D has returned to the opposite side of the first direction D 1 from just above the target mounting position P by ⁇ D.
  • the silicon wafer W can be mounted on the target mounting position P on the susceptor 3.
  • the temperature on the lower surface side of the silicon wafer W is higher than the temperature on the upper surface side due to the radiant heat from the susceptor 3.
  • the silicon wafer W is a p++ type, since the heat absorption rate of the silicon wafer W is high, a temperature difference between the upper and lower surfaces of the silicon wafer W due to the effect of the radiant heat is likely to occur. Therefore, when the silicon wafer W is loaded onto the susceptor 3, the silicon wafer W warps in a short time so that the lower surface thereof projects downward as shown in FIG. 7A.
  • the silicon wafer W warps such that the portion existing between the pair of extending portions 61B of the support member 61 is lower than the portion existing outside the main body portion 61A. Therefore, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 7A, the first lift pins 71 existing between the pair of extending portions 61B easily come into contact with the silicon wafer W first.
  • the silicon wafer W is the p-type
  • the heat absorption rate of the silicon wafer W is lower than that of the p++ type
  • the temperature difference between the upper and lower surfaces of the silicon wafer W due to the effect of radiant heat is less likely to occur. Therefore, when the silicon wafer W is loaded onto the susceptor 3, the lower surface warps so as to project downward as shown in FIG. 7A, or the upper surface projects upward as shown in FIG. 7B. Warps. That is, the silicon wafer W is warped such that the portion existing between the pair of extending portions 61B becomes lower or higher than the portion existing outside the main body portion 61A.
  • the first lift pins 71 are likely to come into contact with the silicon wafer W first as in the p++ type.
  • the silicon wafer W is warped as shown in FIG. 7B, if the height positions of the lift pins 71, 72, and 73 are the same, the second lift pin 72 or the third lift pin existing outside the main body portion 61A is formed. It becomes easy to contact 73 at first, and it becomes difficult to know in advance which direction the mounting position is displaced. As a result, there are cases where the silicon wafer W cannot be placed at the target placement position P.
  • the first lift pin 71 and the second and third lift pins 72 By making the height difference from 73 larger than the amount of warpage of the silicon wafer W, it becomes easier to contact the first lift pin 71 with the silicon wafer W first, as indicated by the chain double-dashed line in FIG. 7B. It is possible to know in advance in which direction the position shifts. As a result, the silicon wafer W can be mounted at the target mounting position P even if it is a p-type silicon wafer W whose warp state is not stable.
  • the warp amount of the silicon wafer W (difference between the outer edge and the center of the silicon wafer W) is about 1 mm, although it depends on the thickness of the silicon wafer W and the temperature in the epitaxial film forming chamber 20.
  • hydrogen gas as a carrier gas is continuously introduced from the gas supply port 25 and is exhausted from the gas exhaust port 26 so that the hydrogen in the epitaxial film forming chamber 20 is reduced. Make it an atmosphere. After that, the temperature in the epitaxial film forming chamber 20 is raised, the source gas and the doping gas are introduced into the epitaxial film forming chamber 20 together with the carrier gas, and the driving means 77 rotates the susceptor supporting member 75 and the lift pin supporting member 76. By doing so, an epitaxial film is formed on the silicon wafer W.
  • SiH 4 monosilane
  • SiH 2 Cl 2 diichlorosilane
  • SiHCl 3 trichlorosilane
  • SiCl 4 silicon tetrachloride
  • the doping gas boron compounds such as B 2 H 6 (diborane) and BCl 3 (trichloroborane) are used when the epitaxial film is of P type, and PH 3 (phosphine) is used when the epitaxial film is of N type.
  • AsH 3 (arsine) or the like is used.
  • the drive means 77 raises the lift pin support member 76 and lifts the silicon wafer W from the susceptor 3 by the lift pins 71, 72, 73.
  • the transfer robot 62 moves the support member 61 to the inside of the epitaxial film forming chamber 20 and stops it below the silicon wafer W.
  • the driving means 77 lowers the lift pin support member 76 and transfers the silicon wafer W to the support member 61
  • the transfer robot 62 carries the support member 61 together with the silicon wafer W out of the epitaxial film forming chamber 20. The manufacturing process of the epitaxial silicon wafers is completed.
  • the silicon wafer W can be formed in the desired shape even if the lift pins 71, 72, 73 of the same shape are used. Can be placed in position.
  • the first lift pin 71 located between the pair of extending portions 61B is first brought into contact with the lower surface of the silicon wafer W as a specific lift pin. Therefore, the silicon wafer W can be mounted at the target mounting position P even if it is a p-type silicon wafer W whose warp state is not stable.
  • the heights of the contact portions 765, 766, 767 are the same, and the length of the first lift pin 71 is longer than that of the second and third lift pins 72, 73. Then, the first lift pins 71 may first be brought into contact with the silicon wafer W loaded so that its main surface is parallel to the horizontal plane. As shown in FIG. 8B, the heights of the abutting portions 765, 766, 767 are the same, and the lengths of the lift pins 71, 72, 73 are the same, and the main members of the supporting member 61 of the transporting means 6 are the same. The first lift pins 71 may first be brought into contact with the silicon wafer W by loading the silicon wafer W so that its surface is inclined with respect to the horizontal plane.
  • the first lift pins 71 are first brought into contact with the silicon wafer W, but the second lift pins 72 and the third lift pins 73 are brought into contact first. May be.
  • the placement position of the silicon wafer W is displaced in the second direction D 2 and the third direction D 3 , but the silicon wafer W
  • the silicon wafer W Before loading the silicon wafer W into the epitaxial film forming chamber 20, the silicon wafer W can be placed at a desired position by moving the support member 61 in a direction orthogonal to the loading direction of the silicon wafer W according to the shift direction.
  • the lift pins 71, 72, 73 may be arranged in a state of being rotated by 180° in the circumferential direction of the susceptor 3.
  • the number of lift pins may be four or more.
  • a vapor phase growth apparatus similar to that of the above embodiment and a p-type silicon wafer W having a diameter of 300 mm and a thickness of 775 ⁇ m were prepared.
  • the lift pins 71, 72, 73 those having a clearance C of 0.25 mm between the shaft portions 71B, 72B, 73B and the shaft hole portions 33B, 34B, 35B of the through holes 33, 34, 35 were prepared.
  • the lift pins 71, 72, 73 were set at the same height position, the inside of the epitaxial film forming chamber 20 was heated to 700° C., and the mounting process of the silicon wafer W on the susceptor 3 was performed.
  • the shift between the center of the silicon wafer W placed on the susceptor 3 and the center of the target placement position P was measured from above the susceptor using a measuring device (Edge Zoom manufactured by Epicrew). The same experiment was conducted on 100 silicon wafers W.
  • Example 1 An experiment similar to that of Comparative Example 1 was performed, except that the height position of the first lift pin 71 was set higher than the height positions of the second and third lift pins 72 and 73 by 1 mm.
  • Example 2 An experiment similar to that of Comparative Example 1 was performed, except that the height position of the first lift pin 71 was set to be 2 mm higher than the height position of the second and third lift pins 72 and 73.
  • FIGS. 9A, 9B, and 9C The measurement results of Comparative Example and Examples 1 and 2 are shown in FIGS. 9A, 9B, and 9C.
  • 9A, 9B, and 9C the values of the vertical axis Y and the horizontal axis X are values based on the XYZ axes of FIGS. 1, 2, 6A to 6C, 7A, and 7B. .. That is, a positive value on the vertical axis Y indicates a shift in the carry-out direction of the silicon wafer W, and a negative value indicates a shift in the carry-in direction (first direction D 1 ) of the silicon wafer W.
  • a positive value on the horizontal axis X indicates a deviation in one direction (third direction D 3 side) orthogonal to the loading direction, and a negative value indicates the other direction (second direction) orthogonal to the loading direction. In the direction D 2 side). Further, when the positions of the horizontal axis and the vertical axis are both 0 mm, it means that the mounting position of the silicon wafer W is not displaced from the target mounting position P.
  • the placement position was deviated from the target placement position P to each position in the circumferential direction of the susceptor 3, and the deviation of the deviation position was large. This is probably because, as described above, the warp of the p-type silicon wafer W occurs in any of the states shown in FIGS. 7A and 7B, so that the lift pin that first contacts the silicon wafer W was not specified. ..
  • Example 1 As shown in FIG. 9B, the placement positions were concentrated at two specific places deviated from the target placement position P, and the deviation of the deviation positions was smaller than that in the comparative example. Further, in Example 2, as shown in FIG. 9C, the placement positions were concentrated at one specific location deviated from the target placement position P, and the deviation in deviation position was smaller than in Comparative Example and Example 1.
  • the height position of the first lift pin 71 is set higher than that of the second and third lift pins 72, 73, It is considered that the lift pin 71 has a higher probability of being first contacted with the silicon wafer W, and the higher the difference in height position, the higher the probability.
  • the target mounting position P is further changed to the mounting position. It can be estimated that the deviation variation is small.
  • the height position of the first lift pin 71 higher than that of the second and third lift pins 72 and 73, the deviation of the displacement of the silicon wafer W mounting position from the target mounting position P is varied. It was confirmed that this can be suppressed. Particularly, if the difference between the height position of the first lift pin 71 and the height position of the second and third lift pins 72 and 73 is set to 2 mm or more, the mounting position of the silicon wafer W can be set to one specific position. It was confirmed that it was possible to concentrate, and the variation of the deviation became smaller.
  • the shift amount and the shift direction of the mounting position of the silicon wafer W according to the setting conditions of the height positions of the lift pins 71, 72, 73 are grasped in advance.
  • the transfer stop position of the silicon wafer W by the transfer means 6 is set so that the silicon wafer W is placed at the position shown in FIG. 10A under the condition of 1 and the position shown in FIG. 10B under the condition of the second embodiment. By shifting the positions, the silicon wafer W can be placed at a desired position.
  • SYMBOLS 1 Vapor phase growth apparatus, 3... Susceptor, 5... Wafer transfer apparatus, 6... Transfer means, 7... Placement means, 33, 34, 35... Through hole, 61... Support member, 71, 72, 73... Lift pin , 74... Relative moving means, 76... Lift pin support member, 765, 766, 767... Contact portion, W... Silicon wafer.

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Abstract

ウェーハ移載装置は、搬送手段と、搬送手段で搬送されたシリコンウェーハをサセプタ（３）に載置する載置手段とを備え、載置手段は、複数のリフトピン（７１，７２，７３）と、複数のリフトピン（７１，７２，７３）とサセプタ（３）とを相対移動させる相対移動手段とを備え、搬送手段と載置手段とのうち少なくとも一方の構成は、複数のリフトピン（７１，７２，７３）でシリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピン（７１）が最初にシリコンウェーハの下面に接触するように構成されている。

Description

ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
　本発明は、ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法に関する。
　気相成長装置において、サセプタにウェーハを載置する際には、まず、搬送ブレードで下面が支持されたウェーハがサセプタの上方に搬送されると、リフトピンを上昇させ、その上端でウェーハの下面を支持するとともに、ウェーハを搬送ブレードから離間させる。その後、気相成長装置は、リフトピンを下降させ、ウェーハをサセプタに載置する。
　サセプタには、リフトピンが挿通する貫通孔が設けられている。この貫通孔は、リフトピンの昇降をスムーズに行うために、リフトピンとの間にクリアランスが設けられるように形成されている。このため、リフトピンがウェーハに接触したときにリフトピンが傾き、この傾いた状態でウェーハを搬送ブレードから受け取ってサセプタに載置すると、ウェーハの載置位置が所望の位置からずれてしまうおそれがある。
　そこで、このような載置位置のずれを抑制するための検討がなされている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１の気相成長装置は、３本のリフトピンの下端側の部分を保持し、これらのリフトピンのぐらつきを抑制するサポートリングを備えている。サポートリングは、リング部と、長手方向の一端部がリング部の内周面に接続され、他端部側がリング部側に付勢された板状部材と備え、板状部材とリング部との間でリフトピンを挟んで保持する。
特開２０１７－１３５１４７号公報
　しかしながら、特許文献１のような構成では、例えば、温度昇降に伴いリフトピンやサポートリングが膨張や収縮したときに、リフトピンとサポートリングとの間で摩擦が発生するおそれがある。摩擦が発生すると、リフトピンやサポートリングからの塵が発生し、エピタキシャルシリコンウェーハ上のパーティクルが増えてしまう。
　本発明の目的は、エピタキシャルシリコンウェーハの品質が低下しないように、シリコンウェーハをサセプタ上の所望の位置に載置できるウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
　本発明のウェーハ移載装置は、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載装置であって、前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送手段と、前記搬送手段で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置手段とを備え、前記載置手段は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通された複数のリフトピンと、前記複数のリフトピンと前記サセプタとを相対移動させる相対移動手段とを備え、前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることによって、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送手段による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることによって、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置し、前記搬送手段と前記載置手段とのうち少なくとも一方の構成は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンが最初に前記シリコンウェーハの下面に接触するように構成されていることを特徴とする。
　複数のリフトピンでシリコンウェーハを支持するときに、任意のリフトピンのみが最初に当接すると、サセプタの貫通孔とリフトピンとの間のクリアランスの影響によって、当該任意のリフトピンは、サセプタの中央から当該任意のリフトピンが挿通された貫通孔に向かう特定の方向に、その上端が移動するように傾く。この状態から、複数のリフトピンの全てをサセプタに対して上昇させて、シリコンウェーハを搬送手段から受け取った後、複数のリフトピンをサセプタに対して下降させることによって、シリコンウェーハをサセプタ上に載置すると、その載置位置は、搬送手段によるシリコンウェーハの搬送停止位置の真下よりも、上記特定の方向にずれる。
　本発明によれば、複数のリフトピンのうち特定のリフトピンをシリコンウェーハに最初に当接させるため、シリコンウェーハのサセプタ上の載置位置は、搬送手段によるシリコンウェーハの搬送停止位置の真下よりも上記特定の方向にずれる。したがって、この特定方向へのずれ量を予め把握しておき、搬送手段によるシリコンウェーハの搬送停止位置を、上記把握したずれ量だけ、上記特定の方向の反対方向側に移動した位置に設定しておくことにより、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。また、上記特許文献１のサポートリングのような特殊な部材を用いないため、塵が発生することを抑制でき、エピタキシャルシリコンウェーハの品質低下を抑制できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることが好ましい。
　本発明によれば、リフトピンの高さ位置を調整するだけの簡単な方法で、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下だけ高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることが好ましい。
　リフトピンの高さの差が０．５ｍｍ未満の場合、シリコンウェーハの熱による反りの大きさによっては、特定のリフトピンを最初にシリコンウェーハに接触させることができず、シリコンウェーハを所望の位置に載置できないおそれがある。また、５ｍｍを超えると、特定のリフトピン以外のリフトピンがシリコンウェーハに接触するまでの間にシリコンウェーハの傾きが大きくなり、搬送手段上でシリコンウェーハの位置が大きくずれてしま、シリコンウェーハを所望の位置に載置できないおそれがある。
　本発明では、リフトピンの高さの差を０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下にしているため、上述のような不都合を抑制できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記複数のリフトピンは、同じ長さを有し、前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、前記特定のリフトピンに当接する前記当接部の上端は、他の前記当接部の上端よりも高い位置に設けられていることが好ましい。
　本発明によれば、特定の当接部の上端を他の当接部の上端よりも高くするだけの簡単な方法で、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記特定のリフトピンは、他のリフトピンよりも長く形成され、前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、前記複数の当接部の上端は、同じ高さ位置に設けられていることが好ましい。
　本発明によれば、特定のリフトピンを他のリフトピンよりも長くするだけの簡単な方法で、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記搬送手段は、前記サセプタ上において、前記シリコンウェーハにおける前記特定のリフトピンで支持される部分が他の部分よりも下側に位置するように、前記シリコンウェーハを搬送することが好ましい。
　本発明によれば、搬送手段で搬送されたシリコンウェーハのサセプタ上での姿勢を設定するだけの簡単な方法で、シリコンウェーハを所望の位置に載置できる。
　本発明のウェーハ移載装置において、前記搬送手段は、長手状の支持部材を備え、前記シリコンウェーハが載置された前記支持部材をその長手方向に移動させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、前記支持部材は、互いに離れた位置から当該支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備え、前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることが好ましい。
　シリコンウェーハがサセプタ上に搬送されると、サセプタを収容するチャンバ内の熱によって、シリコンウェーハは、下面が下側に突出するように反ったり、上面が上側に突出するように反ったりする場合がある。
　本発明によれば、反り状態が安定しないシリコンウェーハであっても、目標載置位置に載置できる。
　本発明の気相成長装置は、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置であって、前記シリコンウェーハが載置されるサセプタと、前記サセプタに前記シリコンウェーハを移載する上述のウェーハ移載装置とを備えていることを特徴とする。
　本発明のウェーハ移載方法は、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載方法であって、前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送工程と、前記搬送工程で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置工程とを備え、前記載置工程は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通された複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることで前記サセプタ上の前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送工程による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する相対移動工程を備え、前記搬送工程と前記載置工程とのうち少なくとも一方の工程は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンを最初に前記シリコンウェーハの下面に接触させる行われることを特徴とする。
　本発明のウェーハの移載方法において、長手状の支持部材であって、互いに離れた位置から前記支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備える支持部材を用い、前記搬送工程は、ｐ－型の前記シリコンウェーハが載置された前記支持部材をその長手方向に移動させることで、前記ｐ－型のシリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、前記相対移動工程は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることが好ましい。
　本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、サセプタに前記シリコンウェーハを移載する上述のウェーハ移載方法を行う工程と、前記サセプタに移載された前記シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長工程とを備えていることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る気相成長装置の一方向から見たときの模式図。 前記気相成長装置の前記一方向と直交する方向から見たときの模式図。 前記気相成長装置のサセプタおよびサセプタ支持部材の斜視図。 前記サセプタの貫通孔の断面図。 前記気相成長装置のリフトピン支持部材におけるリフトピンの支持状態を示す模式図。 前記気相成長装置を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の説明図であり、サセプタ上方にシリコンウェーハが搬送されたときの平面図。 前記気相成長装置を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の説明図であり、シリコンウェーハがリフトピンに接触したときの側面図。 前記気相成長装置を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の説明図であり、サセプタにシリコンウェーハが載置されたときの平面図。 前記エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の説明図であり、反りが生じたｐ＋＋型またはｐ－型のシリコンウェーハがリフトピンに接触したときの側面図。 前記エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の説明図であり、反りが生じたｐ－型のシリコンウェーハがリフトピンに接触したときの側面図。 本発明の変形例に係るシリコンウェーハがリフトピンに接触したときの側面図。 他の変形例に係るシリコンウェーハがリフトピンに接触したときの側面図。 本発明の比較例におけるシリコンウェーハの目標載置位置に対する載置位置の分布を表す。 本発明の実施例１におけるシリコンウェーハの目標載置位置に対する載置位置の分布を表す。 本発明の実施例２におけるシリコンウェーハの目標載置位置に対する載置位置の分布を表す。 図９Ｂの結果に基づきシリコンウェーハの搬送停止位置を調整した場合のシリコンウェーハの目標載置位置に対する実施例１における載置位置の分布を表す。 図９Ｃの結果に基づきシリコンウェーハの搬送停止位置を調整した場合のシリコンウェーハの目標載置位置に対する実施例２における載置位置の分布を表す。
［実施形態］
　以下、本発明の一実施形態について説明する。
〔気相成長装置の構成〕
　図１に示すように、気相成長装置１は、チャンバ２と、サセプタ３と、加熱部４と、ウェーハ移載装置５とを備えている。
　チャンバ２は、上ドーム２１と、下ドーム２２と、各ドーム２１，２２の外縁同士を固定するドーム固定体２３とを備え、これらによってエピタキシャル膜形成室２０が区画されている。
　上ドーム２１および下ドーム２２は、石英によって形成されている。
　下ドーム２２の中央には、下方に延びて、後述するリフトピン支持部材７６の主柱７６１が挿通される筒部２２１が設けられている。
　ドーム固定体２３は、シリコンウェーハＷをエピタキシャル膜形成室２０に搬入出するためのウェーハ搬入出口２４を備えている。ドーム固定体２３は、図２に示すように、エピタキシャル膜形成室２０内にガスを供給するためのガス供給口２５と、エピタキシャル膜形成室２０からガスを排出するためのガス排出口２６とを備えている。
　サセプタ３は、シリコンカーバイドで被覆されたカーボンによって円板状に形成されている。
　サセプタ３の一方の主面には、シリコンウェーハＷが収容される円形状のザグリ部３１が形成されている。ザグリ部３１の直径は、シリコンウェーハＷの直径よりも大きくなっている。
　サセプタ３の他方の主面の外縁近傍には、図３にも示すように、後述する支持ピン７５３が嵌め込まれる３個の嵌合溝３２が設けられている。嵌合溝３２は、サセプタ３の周方向に１２０°間隔で設けられている。
　また、サセプタ３には、両主面を貫通する第１，第２，第３の貫通孔３３，３４，３５が設けられている。
　各貫通孔３３，３４，３５は、ザグリ部３１内において、サセプタ３の周方向に１２０°間隔で設けられている。各貫通孔３３，３４，３５は、図４に示すように、シリコンウェーハＷが載置されるザグリ部３１の載置面３１Ａからサセプタ３の厚さ方向中心に向かうにしたがって内径が小さくなる円錐状のテーパ部３３Ａ，３４Ａ，３５Ａと、サセプタ３の厚さ方向で内径が等しい軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂとを備えている。
　加熱部４は、図１に示すように、チャンバ２の上側に設けられた上ヒータ４１と、下側に設けられた下ヒータ４２とを備えている。上ヒータ４１および下ヒータ４２は、赤外ランプやハロゲンランプによって構成されている。
　ウェーハ移載装置５は、サセプタ３にシリコンウェーハＷを移載する。ウェーハ移載装置５は、搬送手段６と、載置手段７とを備えている。
　搬送手段６は、シリコンウェーハＷを保持してサセプタ３上に搬送する。搬送手段６は、長手状の支持部材６１（図６Ａ参照）と、搬送ロボット６２とを備えている。
　支持部材６１は、例えば、石英によって細長い長方形板状に形成されている。支持部材６１は、細長い長方形板状の本体部６１Ａと、この本体部６１Ａの先端の幅方向両端から延びる一対の延出部６１Ｂと備えている。
　搬送ロボット６２は、支持部材６１の長手方向の一端側を保持する。搬送ロボット６２は、支持部材６１をその長手方向に移動させることで、支持部材６１に載置されたシリコンウェーハＷをチャンバ２内に搬送し、サセプタ３のザグリ部３１にシリコンウェーハＷが載置されたら支持部材６１を元の位置まで移動させる。搬送ロボット６２は、必要に応じて、シリコンウェーハＷをチャンバ２内に搬送する前に、支持部材６１をその長手方向と直交する方向に移動させ、サセプタ３におけるシリコンウェーハＷの載置位置を調整する。
　載置手段７は、搬送手段６で搬送されたシリコンウェーハＷをサセプタ３に載置する。載置手段７は、図１，２，３，５に示すように、第１，第２，第３のリフトピン７１，７２，７３と、相対移動手段７４とを備えている。
　各リフトピン７１，７２，７３は、例えばシリコンカーバイドで被覆されたカーボンによって同じ形の棒状に形成されている。各リフトピン７１，７２，７３は、図４に示すように、円錐台状の頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａと、当該頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａにおける直径が小さい方の端部から円柱状に延びる軸部７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂとを備えている。
　各リフトピン７１，７２，７３は、軸部７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂが各貫通孔３３，３４，３５の軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂに挿通され、その自重によって頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａがテーパ部３３Ａ，３４Ａ，３５Ａに当接することによって、サセプタ３で支持される。頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａは、各リフトピン７１，７２，７３がサセプタ３で支持されているときに、その上端がザグリ部３１の載置面３１Ａよりも下方に位置するように形成されていることが好ましい。軸部７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂは、その中心軸が各貫通孔３３，３４，３５の軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂの中心軸と一致するように配置されたときに、軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂとの間に、クリアランスＣが設けられる太さに形成されている。
　相対移動手段７４は、各リフトピン７１，７２，７３とサセプタ３とを相対移動させることによって、搬送手段６で搬送されたシリコンウェーハＷをサセプタ３に載置する。相対移動手段７４は、サセプタ支持部材７５と、リフトピン支持部材７６と、駆動手段７７とを備えている。
　サセプタ支持部材７５は、石英で形成されている。サセプタ支持部材７５は、円柱状の主柱７５１と、当該主柱７５１の先端から放射状に延びる３本のアーム７５２と、各アーム７５２の先端に設けられた支持ピン７５３とを備えている。
　アーム７５２は、主柱７５１の周方向に１２０°間隔で斜め上方に延びるように設けられている。アーム７５２の長手方向の中央には、当該アーム７５２を貫通する貫通孔７５２Ａが設けられている。
　各支持ピン７５３は、無垢のＳｉＣで形成されており、サセプタ３の各嵌合溝３２にそれぞれ嵌め込まれることで、当該サセプタ３を支持する。
　リフトピン支持部材７６は、石英で形成されている。リフトピン支持部材７６は、円筒状の主柱７６１と、当該主柱７６１の先端から放射状に延びる第１，第２，第３のアーム７６２，７６３，７６４と、各アーム７６２，７６３，７６４の先端に設けられた第１，第２，第３の当接部７６５，７６６，７６７とを備えている。
　各アーム７６２，７６３，７６４は、主柱７６１の周方向に１２０°間隔で斜め上方に延びるように設けられている。
　各当接部７６５，７６６，７６７は、それぞれの上端面７６５Ａ，７６６Ａ，７６７Ａにて各リフトピン７１，７２，７３を下方から支持する。第１の当接部７６５は、第２，第３の当接部７６６，７６７よりも高く形成されている。上端面７６５Ａと、上端面７６６Ａ，７６７Ａとの高さの差ΔＨは、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることがより好ましい。
　主柱７６１は、各アーム７６２，７６３，７６４がエピタキシャル膜形成室２０内に位置する状態で、下ドーム２２の筒部２２１に挿通されている。主柱７６１の内部には、各アーム７６２，７６３，７６４がサセプタ支持部材７５の各アーム７５２の下方に位置する状態で、かつ、サセプタ３で支持された各リフトピン７１，７２，７３の下端が各当接部７６５，７６６，７６７の上端面７６５Ａ，７６６Ａ，７６７Ａに当接可能な状態で、主柱７５１が挿通されている。
　駆動手段７７は、サセプタ支持部材７５およびリフトピン支持部材７６を回転させたり、リフトピン支持部材７６を昇降させたりする。
〔エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法〕
　次に、気相成長装置１を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法について説明する。
　まず、ｐ型またはｎ型のシリコンウェーハＷを準備する。シリコンウェーハＷがｐ型の場合、ボロンが添加されており、ｎ型の場合、リン、砒素、アンチモンが添加されている。シリコンウェーハＷの直径は、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍなど、いずれの大きさであってもよい。
　次に、窒素雰囲気の図示しないロボット室内に配置された搬送手段６の支持部材６１は、シリコンウェーハＷをその主面が水平面と平行になるように支持する。その後、ロボット室とチャンバ２との間に配置された図示しないゲートバルブが開かれると、搬送手段６の搬送ロボット６２は、主面が水平面と平行になる状態を維持したまま、ウェーハ搬入出口２４を介して、シリコンウェーハＷを加熱部４で加熱されたエピタキシャル膜形成室２０内に搬入し、サセプタ３のザグリ部３１上で停止させる。
　このとき、図６Ａに示すように、サセプタ３は、第１貫通孔３３が一対の延出部６１Ｂの間の中心位置かつシリコンウェーハＷの中心ＷCよりも搬入方向側に位置し、第２，第３の貫通孔３４，３５が本体部６１Ａの外側かつ中心ＷCよりも搬出方向側（ロボット室側）に位置するように、回転方向の位置が調整されている。
　次に、ウェーハ移載装置５の駆動手段７７は、リフトピン支持部材７６を上昇させ、サセプタ３で支持されている各リフトピン７１，７２，７３を上昇させる。このとき、第１の当接部７６５の上端面７６５Ａが、第２，第３の当接部７６６，７６７の上端面７６６Ａ，７６７Ａよりも上方に位置しているため、各リフトピン７１，７２，７３は、第１のリフトピン７１の頭部７１Ａが第２，第３のリフトピン７２，７３の頭部７２Ａ，７３Ａよりも上方に位置した状態を維持したまま、上昇する。したがって、第１のリフトピン７１が最初にシリコンウェーハＷの下面に接触し、その後、第２，第３のリフトピン７２，７３が接触する。
　ここで、仮に、リフトピン支持部材７６の当接部７６５，７６６，７６７を同じ高さに形成した場合、各リフトピン７１，７２，７３の頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａが同じ高さに位置した状態を維持したまま、上昇する。シリコンウェーハＷは、エピタキシャル膜形成室２０内において加熱部４で加熱されるため、当該シリコンウェーハＷの両主面の温度差や熱吸収の差によって反りが生じる。この場合、シリコンウェーハＷの反りの状態によって、シリコンウェーハＷに最初に接触するリフトピンが第１のリフトピン７１であったり、第２のリフトピン７２であったりして安定しない。
　サセプタ３の各貫通孔３３，３４，３５の軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂは、各リフトピン７１，７２，７３の軸部７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂとの間に、クリアランスＣが設けられるように形成されている。このため、例えば、図６Ｂに二点鎖線で示すシリコンウェーハＷに、第１のリフトピン７１が最初に接触してさらに上昇すると、シリコンウェーハＷの重量が第１のリフトピン７１のみに作用し、かつ、第１のリフトピン７１の下端が第１の当接部７６５に固定されていないため、クリアランスＣの存在によって、第１のリフトピン７１が傾いてしまう。具体的には、第１のリフトピン７１は、サセプタ３の中心から第１の貫通孔３３に向かう第１の方向Ｄ1側に、頭部７１Ａが移動するように傾く。
この第１のリフトピン７１の傾きによって、図６Ｂに実線で示すように、シリコンウェーハＷは、搬送手段６によるサセプタ３上の停止位置よりも第１の方向Ｄ1側にずれる。
　この状態で、さらにリフトピン支持部材７６を上昇させると、各リフトピン７１，７２，７３の全てがシリコンウェーハＷに接触して、当該シリコンウェーハＷが支持部材６１から持ち上げられるが、この持ち上げられたときのシリコンウェーハＷの位置は、サセプタ３上の停止位置よりも第１の方向Ｄ1側にずれる。
　搬送手段６が支持部材６１をチャンバ２の外部に移動させ、ゲートバルブが閉じられると、駆動手段７７がリフトピン支持部材７６を下降させ、シリコンウェーハＷがサセプタ３のザグリ部３１内に載置されるが、シリコンウェーハＷの載置位置は、図６Ｃに示すように、サセプタ３上の目標載置位置Ｐよりも第１の方向Ｄ1側にずれた状態が維持される。
　このようなシリコンウェーハＷの載置位置のずれは、第２のリフトピン７２や第３のリフトピン７３が最初にシリコンウェーハＷに接触した場合にも同様に発生する。そのずれる方向は、第２のリフトピン７２が最初に接触した場合には、図６Ａに示すように、サセプタ３の中心から第２の貫通孔３４に向かう第２の方向Ｄ2となり、第３のリフトピン７３が最初に接触した場合には、サセプタ３の中心から第３の貫通孔３５に向かう第３の方向Ｄ3となる。
　このように、各リフトピン７１，７２，７３の頭部７１Ａ，７２Ａ，７３Ａが同じ高さに位置した状態を維持したまま、これらを上昇させる場合には、シリコンウェーハＷのサセプタ３上の載置位置がどの方向にずれるかわからない。
　これに対し、本実施形態では、第１のリフトピン７１を最初にシリコンウェーハＷの下面に接触させるため、各リフトピン７１，７２，７３の全てがシリコンウェーハＷに接触したときのシリコンウェーハＷのずれる方向は、第１の方向Ｄ1のみとなる。
　搬送手段６の搬入によるシリコンウェーハＷの停止位置は、一般的には、サセプタ３上におけるシリコンウェーハＷの目標載置位置Ｐの真上になるが、本実施形態では、高い確率でシリコンウェーハＷの載置位置が当該停止位置から第１の方向Ｄ1にずれることが分かっている。このため、このずれ量ΔＤを予め把握しておき、目標載置位置Ｐの真上からΔＤだけ第１の方向Ｄ1の反対方向側に戻った位置に、搬送手段６によるシリコンウェーハＷの停止位置を設定しておくことにより、シリコンウェーハＷをサセプタ３上の目標載置位置Ｐに載置できる。
　また、支持部材６１によってシリコンウェーハＷがサセプタ３上で支持されている状態では、サセプタ３からの輻射熱によって、シリコンウェーハＷの下面側の温度が上面側の温度よりも高くなっている。
　シリコンウェーハＷがｐ＋＋型の場合、シリコンウェーハＷの熱吸収率が高いために、上記輻射熱の影響によるシリコンウェーハＷの上下面の温度差がつきやすい。このため、シリコンウェーハＷは、サセプタ３上に搬入されると、短時間で、図７Ａに示すように、下面が下側に突出するように反る。つまり、シリコンウェーハＷは、支持部材６１の一対の延出部６１Ｂの間に存在する部分が、本体部６１Ａの外側に存在する部分よりも低くなるように反る。したがって、図７Ａに二点鎖線で示すように一対の延出部６１Ｂの間に存在する第１のリフトピン７１が、最初にシリコンウェーハＷに接触しやすくなる。
　一方、シリコンウェーハＷがｐ－型の場合、シリコンウェーハＷの熱吸収率がｐ＋＋型と比べて低いために、輻射熱の影響によるシリコンウェーハＷの上下面の温度差がつきにくい。このため、シリコンウェーハＷは、サセプタ３上に搬入されると、図７Ａに示すように、下面が下側に突出するように反ったり、図７Ｂに示すように、上面が上側に突出するように反ったりする。つまり、シリコンウェーハＷは、一対の延出部６１Ｂの間に存在する部分が、本体部６１Ａの外側に存在する部分よりも低くなったり、高くなったりするように反る。
　シリコンウェーハＷが図７Ａに示すように反る場合、ｐ＋＋型の場合と同様に、第１のリフトピン７１が最初にシリコンウェーハＷに接触しやすくなる。
　一方、シリコンウェーハＷが図７Ｂに示すように反る場合、各リフトピン７１，７２，７３の高さ位置を同じにすると、本体部６１Ａの外側に存在する第２のリフトピン７２または第３のリフトピン７３に最初に接触しやすくなり、載置位置がどの方向にずれるかを予め把握しにくくなる。その結果、シリコンウェーハＷを目標載置位置Ｐに載置できない場合が生じる。しかし、本実施形態では、第１のリフトピン７１の高さ位置を第２，第３のリフトピン７２，７３よりも高くしているため、第１のリフトピン７１と第２，第３のリフトピン７２，７３との高さの差をシリコンウェーハＷの反り量よりも大きくすることで、図７Ｂに二点鎖線で示すように第１のリフトピン７１を最初にシリコンウェーハＷに接触させやすくなり、載置位置がどの方向にずれるかを予め把握できる。その結果、反り状態が安定しないｐ－型のシリコンウェーハＷであっても、シリコンウェーハＷを目標載置位置Ｐに載置できる。
　なお、シリコンウェーハＷの反り量（シリコンウェーハＷの外縁と中央との差）は、シリコンウェーハＷの厚さやエピタキシャル膜形成室２０内の温度にもよるが、１ｍｍ程度である。
　シリコンウェーハＷがサセプタ３に載置された後、ガス供給口２５からキャリアガスとしての水素ガスを連続的に導入しつつ、ガス排出口２６から排出することで、エピタキシャル膜形成室２０内を水素雰囲気にする。その後、エピタキシャル膜形成室２０内の温度を上昇させ、キャリアガスとともに、原料ガス、ドーピングガスをエピタキシャル膜形成室２０内に導入するとともに、駆動手段７７がサセプタ支持部材７５およびリフトピン支持部材７６を回転させることによって、シリコンウェーハＷにエピタキシャル膜を形成する。
　なお、原料ガスとしては、例えばＳｉＨ4（モノシラン）、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロールシラン）、ＳｉＨＣｌ3（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ4（四塩化シリコン）などが使用される。ドーピングガスとしては、エピタキシャル膜がＰ型の場合には、Ｂ2Ｈ6（ジボラン）、ＢＣｌ3（トリクロロボラン）などのボロン化合物が使用され、Ｎ型の場合には、ＰＨ3（フォスフィン）、ＡｓＨ3（アルシン）などが使用される。
　エピタキシャル膜の形成後、駆動手段７７は、リフトピン支持部材７６を上昇させて、各リフトピン７１，７２，７３でシリコンウェーハＷをサセプタ３から持ち上げる。その後、ゲートバルブが開くと、搬送ロボット６２は、支持部材６１をエピタキシャル膜形成室２０内部に移動させて、シリコンウェーハＷの下方で停止させる。そして、駆動手段７７がリフトピン支持部材７６を下降させてシリコンウェーハＷを支持部材６１に受け渡すと、搬送ロボット６２が支持部材６１をシリコンウェーハＷとともにエピタキシャル膜形成室２０の外部に搬出し、１枚のエピタキシャルシリコンウェーハの製造処理が終了する。
〔実施形態の作用効果〕
　上述の実施形態によれば、各リフトピン７１，７２，７３のうち第１のリフトピン７１をシリコンウェーハＷに最初に当接させるため、予め第１の方向Ｄ1へのシリコンウェーハＷの載置位置のずれ量を把握し、搬送手段６によるシリコンウェーハＷの停止位置を設定しておくことにより、シリコンウェーハＷを所望の位置に載置できる。
　第１の当接部７６５を第２，第３の当接部７６６，７６７よりも高く形成しているため、同じ形の各リフトピン７１，７２，７３を用いても、シリコンウェーハＷを所望の位置に載置できる。
　各リフトピン７１，７２，７３のうち、一対の延出部６１Ｂの間に位置する第１のリフトピン７１を、特定のリフトピンとしてシリコンウェーハＷの下面に最初に接触させている。このため、反り状態が安定しないｐ－型のシリコンウェーハＷであっても、シリコンウェーハＷを目標載置位置Ｐに載置できる。
［変形例］
　なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
　例えば、図８Ａに示すように、各当接部７６５，７６６，７６７の高さを同じにして、第１のリフトピン７１の長さを第２，第３のリフトピン７２，７３よりも長くすることで、その主面が水平面と平行になるように搬入されたシリコンウェーハＷに、第１のリフトピン７１を最初に当接させるようにしてもよい。
　図８Ｂに示すように、各当接部７６５，７６６，７６７の高さを同じにするとともに、各リフトピン７１，７２，７３の長さを同じにして、搬送手段６の支持部材６１でその主面が水平面に対して傾斜するようにシリコンウェーハＷを搬入することで、第１のリフトピン７１をシリコンウェーハＷに最初に当接させるようにしてもよい。
　上記実施形態や図８Ａ，図８Ｂに示す変形例では、第１のリフトピン７１をシリコンウェーハＷに最初に当接させたが、第２のリフトピン７２や第３のリフトピン７３を最初に当接させてもよい。第２のリフトピン７２や第３のリフトピン７３を最初に当接させる場合、第２の方向Ｄ2や第３の方向Ｄ3にシリコンウェーハＷの載置位置がずれることになるが、シリコンウェーハＷをエピタキシャル膜形成室２０に搬入する前に、ずれる方向に応じて、支持部材６１をシリコンウェーハＷの搬入方向と直交する方向に移動させることによって、シリコンウェーハＷを所望の位置に載置できる。
　また、各リフトピン７１，７２，７３をサセプタ３の周方向１８０°回転させた状態で配置してもよい。リフトピンの本数は、４本以上であってもよい。
　各リフトピン７１，７２，７３の全てでシリコンウェーハＷを搬送手段６から受け取った後に、各リフトピン７１，７２，７３を停止させて、または、下降させつつ、サセプタ３を上昇させてシリコンウェーハＷをサセプタ３に載置してもよい。
　次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
〔比較例〕
　まず、上記実施形態と同様の気相成長装置と、直径が３００ｍｍかつ厚さが７７５μｍのｐ－型のシリコンウェーハＷとを準備した。各リフトピン７１，７２，７３として、軸部７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂと、各貫通孔３３，３４，３５の軸孔部３３Ｂ，３４Ｂ，３５ＢとのクリアランスＣが０．２５ｍｍのものを準備した。
　そして、各リフトピン７１，７２，７３の高さ位置を同じにして、エピタキシャル膜形成室２０内を７００℃に加熱して、シリコンウェーハＷのサセプタ３への載置処理を行った。サセプタ３に載置されたシリコンウェーハＷの中心と、目標載置位置Ｐの中心とのずれを、測定装置（Epicrew社製　Edge Zoom）を用いてサセプタ上方から測定した。１００枚のシリコンウェーハＷに対して同様の実験を行った。
〔実施例１〕
　第１のリフトピン７１の高さ位置を、第２，第３のリフトピン７２，７３の高さ位置よりも１ｍｍ高くしたこと以外は、比較例１と同様の実験を行った。
〔実施例２〕
　第１のリフトピン７１の高さ位置を、第２，第３のリフトピン７２，７３の高さ位置よりも２ｍｍ高くしたこと以外は、比較例１と同様の実験を行った。
〔評価〕
　比較例、実施例１，２のそれぞれの測定結果を、図９Ａ，図９Ｂ，図９Ｃに示す。
　なお、図９Ａ，図９Ｂ，図９Ｃにおいて、縦軸Ｙおよび横軸Ｘの値は、図１、図２、図６Ａ～図６Ｃ、図７Ａ，図７ＢのＸＹＺ軸を基準とした値である。すなわち、縦軸Ｙの正の値は、シリコンウェーハＷの搬出方向へのずれを示し、負の値は、シリコンウェーハＷの搬入方向（第１の方向Ｄ1）へのずれを示す。また、横軸Ｘの正の値は、搬入方向と直交する一方の方向（第３の方向Ｄ3側）へのずれを示し、負の値は、搬入方向と直交する他方の方向（第２の方向Ｄ2側）へのずれを示す。
　また、横軸および縦軸の位置がともに０ｍｍの場合、シリコンウェーハＷの載置位置が目標載置位置Ｐからずれていないことを表す。
　比較例では、図９Ａに示すように、載置位置が目標載置位置Ｐからサセプタ３の周方向の各位置にずれており、ずれ位置のばらつきが大きかった。
　これは、上述したように、ｐ－型のシリコンウェーハＷの反りが図７Ａまたは図７Ｂのいずれかの状態で発生するため、シリコンウェーハＷに最初に接触するリフトピンが特定されなかったためと考えられる。
　これに対し、実施例１では、図９Ｂに示すように、載置位置が目標載置位置Ｐからずれた特定の２箇所に集中しており、比較例よりもずれ位置のばらつきが小さかった。
　さらに、実施例２では、図９Ｃに示すように、載置位置が目標載置位置Ｐからずれた特定の１箇所に集中しており、比較例および実施例１よりもずれ位置のばらつきが小さかった。
　これは、反りの方向が安定しないｐ－型のシリコンウェーハＷであっても、第１のリフトピン７１の高さ位置を第２，第３のリフトピン７２，７３よりも高くすることで、第１のリフトピン７１がシリコンウェーハＷに最初に接触する確率が高くなり、高さ位置の差が大きくなるほどその確率が高くなったためと考えられる。
　また、第１のリフトピン７１の高さ位置と、第２，第３のリフトピン７２，７３の高さ位置との差を、２ｍｍよりも大きくすれば、さらに目標載置位置Ｐから載置位置のずれのばらつきが小さくなると推定できる。
　以上のことから、第１のリフトピン７１の高さ位置を、第２，第３のリフトピン７２，７３よりも高くすることによって、シリコンウェーハＷ載置位置の目標載置位置Ｐからのずれのばらつきを抑制できることが確認できた。
　特に、第１のリフトピン７１の高さ位置と、第２，第３のリフトピン７２，７３の高さ位置との差を２ｍｍ以上にすれば、シリコンウェーハＷの載置位置を特定の１箇所に集中させることができ、ずれのばらつきがより小さくなることが確認できた。
　このような結果に基づいて、各リフトピン７１，７２，７３の高さ位置の設定条件に応じた、シリコンウェーハＷの載置位置のずれ量およびずれ方向を予め把握しておき、例えば、実施例１の条件では図１０Ａに示すような位置に、実施例２の条件では図１０Ｂに示すような位置に、シリコンウェーハＷが載置されるように、搬送手段６によるシリコンウェーハＷの搬送停止位置をずらしておけば、シリコンウェーハＷを所望の位置に載置できる。
　１…気相成長装置、３…サセプタ、５…ウェーハ移載装置、６…搬送手段、７…載置手段、３３，３４，３５…貫通孔、６１…支持部材、７１，７２，７３…リフトピン、７４…相対移動手段、７６…リフトピン支持部材、７６５，７６６，７６７…当接部、Ｗ…シリコンウェーハ。

Claims (11)

  1. 　シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載装置であって、
    　前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送手段と、
    　前記搬送手段で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置手段とを備え、
    　前記載置手段は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通された複数のリフトピンと、
    　前記複数のリフトピンと前記サセプタとを相対移動させる相対移動手段とを備え、
    　前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることによって、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送手段による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることによって、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置し、
    　前記搬送手段と前記載置手段とのうち少なくとも一方の構成は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンが最初に前記シリコンウェーハの下面に接触するように構成されていることを特徴とするウェーハ移載装置。
  2. 　請求項１に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることを特徴とするウェーハ移載装置。
  3. 　請求項２に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記相対移動手段は、前記特定のリフトピンの上端が他のリフトピンの上端よりも０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下だけ高い位置に位置する状態で、前記複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることを特徴とするウェーハ移載装置。
  4. 　請求項２または請求項３に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記複数のリフトピンは、同じ長さを有し、
    　前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、
    　前記特定のリフトピンに当接する前記当接部の上端は、他の前記当接部の上端よりも高い位置に設けられていることを特徴とするウェーハ移載装置。
  5. 　請求項２または請求項３に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記特定のリフトピンは、他のリフトピンよりも長く形成され、
    　前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンの下端にそれぞれ当接する複数の当接部を有し、前記サセプタに対して相対移動するリフトピン支持部材を備え、
    　前記複数の当接部の上端は、同じ高さ位置に設けられていることを特徴とするウェーハ移載装置。
  6. 　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記搬送手段は、前記サセプタ上において、前記シリコンウェーハにおける前記特定のリフトピンで支持される部分が他の部分よりも下側に位置するように、前記シリコンウェーハを搬送することを特徴とするウェーハ移載装置。
  7. 　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置において、
    　前記搬送手段は、長手状の支持部材を備え、前記シリコンウェーハが載置された前記支持部材をその長手方向に移動させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、
    　前記支持部材は、互いに離れた位置から当該支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備え、
    　前記相対移動手段は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることを特徴とするウェーハ移載装置。
  8. 　シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置であって、
    　前記シリコンウェーハが載置されるサセプタと、
    　前記サセプタに前記シリコンウェーハを移載する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のウェーハ移載装置とを備えていることを特徴とする気相成長装置。
  9. 　シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置のサセプタに、前記シリコンウェーハを移載するウェーハ移載方法であって、
    　前記シリコンウェーハを保持して前記サセプタ上に搬送する搬送工程と、
    　前記搬送工程で搬送された前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する載置工程とを備え、
    　前記載置工程は、前記サセプタを貫通する複数の貫通孔のそれぞれに昇降可能に挿通された複数のリフトピンを前記サセプタに対して上昇させることで前記サセプタ上の前記シリコンウェーハの下面を支持するとともに、前記搬送工程による前記シリコンウェーハの保持が解除された後に、複数のリフトピンを前記サセプタに対して下降させることで、前記シリコンウェーハを前記サセプタに載置する相対移動工程を備え、
    　前記搬送工程と前記載置工程とのうち少なくとも一方の工程は、前記複数のリフトピンで前記シリコンウェーハを支持するときに、特定のリフトピンを最初に前記シリコンウェーハの下面に接触させる行われることを特徴とするウェーハ移載方法。
  10. 　請求項９に記載のウェーハの移載方法において、
    　長手状の支持部材であって、互いに離れた位置から前記支持部材の長手方向に延びる一対の延出部を備える支持部材を用い、
    　前記搬送工程は、ｐ－型の前記シリコンウェーハが載置された前記支持部材をその長手方向に移動させることで、前記ｐ－型のシリコンウェーハを前記サセプタ上に搬送し、
    　前記相対移動工程は、前記複数のリフトピンのうち、前記一対の延出部の間に位置するリフトピンを、前記特定のリフトピンとして前記シリコンウェーハの下面に接触させることを特徴とするウェーハ移載方法。
  11. 　シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、
    　サセプタに前記シリコンウェーハを移載する請求項９または請求項１０に記載のウェーハ移載方法を行う工程と、
    　前記サセプタに移載された前記シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長工程とを備えていることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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