KR101608947B1 - 기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터, 에피택셜 웨이퍼의 제조장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기상 성장 시에 반도체 기판을 지지하는 서스셉터로서, 상기 서스셉터는, 상기 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부를 구비하고, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해, 상기 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터이다. 이에 의하여, 에피택셜 웨이퍼 주표면측 주변부의 에피택셜층의 층 두께를 제어함으로써, 에피택셜 웨이퍼의 평탄성을 향상시킬 수 있는, 기상 성장 시에 반도체 기판을 지지하기 위한 서스셉터와, 이 서스셉터를 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조장치가 제공된다.
Description
본 발명은, 기상 성장 공정에서 반도체 기판을 지지하기 위해 이용하는 서스셉터와, 이 서스셉터를 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층(예를 들면, 실리콘 에피택셜층)의 기상 성장은, 반응 용기 내에 서스셉터를 배치하고, 이 서스셉터 상에 기판을 배치한 상태로, 기판을 가열 장치에 의해 소정의 성장 온도로 가열하는 동시에, 가스 공급 장치에 의해 기판의 주표면 상에 원료 가스를 공급하는 것에 의해 행해지고 있다.
이와 같이 하여 형성된 에피택셜 웨이퍼는, 손상이 없고 결함도 적은 매우 양질의 표면을 갖고 있다.
근래, MPU나 DRAM, 플래시메모리 등의 MOSFET, IGBT 등의 Power 디바이스, CCD, CIS 등의 촬상 디바이스에 실리콘 에피택셜 웨이퍼가 사용되기 시작하고 있다.
또한, 고수율화, 고성능화를 위해서 디바이스의 고집적화, 미세화가 진행되어, 기판 표면 품질뿐만 아니라, 기판의 평탄성이 특히 중요해지고 있다.
또한, 디바이스의 수율 향상을 목적으로 평탄성을 보증하는 영역에 대해서도, 외주 5 mm를 제외한 영역으로부터 외주 3 mm 혹은 외주 2 mm를 제외한 영역으로 넓어지고 있다.
여기서, 매우 높은 평탄성이 요구되고 있는 실리콘 웨이퍼의 에피택셜 성장에 대해서는, 배치 처리로부터 매엽 처리의 장치를 이용하는 것으로 에피택셜층의 층 두께 균일성의 향상을 도모해 오고 있다.
그렇지만, 에피택셜 성장 전의 기판이 평탄하지 않은 경우에는, 단순히 균일한 층 두께의 에피택셜층을 형성하지 않고, 성장 전의 기판의 형상에 맞추어 에피택셜층의 층 두께 분포를 조정할 필요가 있다.
예를 들면, 실리콘 웨이퍼의 경우, 에피택셜 성장 전의 기판에 연마 가공을 하여 평탄화 처리를 행하고 있어, 실리콘 웨이퍼의 중심부는 고평탄성이 달성되고 있다. 그러나, 주변부에 대해서는 충분한 평탄성을 달성할 수 없어서, 에피택셜 성장 공정에서 주변부의 층 두께를 조정하여 평탄성을 개선할 필요가 있다.
이러한 문제에 대해서, 서스셉터의 카운터 보어부의 깊이를 조정하는 방법이 있다.
또한, 예를 들어 특허문헌 1에서와 같이, 기판의 중심과 외주부에 원료 가스를 공급하기 위한 복수의 주입기를 마련하고, 각 주입기로부터 공급되는 원료 가스의 농도나 유량을 조정해서 실리콘 웨이퍼의 중심부와 주변부의 에피택셜층의 층 두께를 컨트롤함으로써 평탄화를 도모하는 방법 등도 제안되어 있다.
또한, 특허문헌 2에서와 같이, 서스셉터와 실리콘 웨이퍼 이면이 근접·접촉하는 레지(ledge)로 불리는 영역의 길이를 변화시켜서, 실리콘 웨이퍼 주변부 이면 측에도 에피택셜층을 형성하여, 실리콘 웨이퍼 주변부의 형상을 선택적으로 제어하는 방법 등도 제안되어 있다.
그러나, 카운터 보어부의 깊이를 조정하는 방법에서는, 웨이퍼 에지와 서스셉터 간에 단차가 생겨서, 가스의 흐름에 혼란이 발생하여, 에지 부분뿐만 아니라, 웨이퍼의 안쪽 영역까지 층 두께가 변화해 버리는 문제가 있다.
또한, 특허문헌 1에 기재되어 있는 각각의 주입기로부터 원료 가스의 유량 등을 조절하는 방법에서는, 원료 가스가 확산하기 때문에, 기판이 되는 실리콘 웨이퍼의 주변 부분만 에피택셜층의 층 두께를 선택적으로 제어할 수 없다고 하는 문제가 있다.
그리고, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 실리콘 웨이퍼 표면측 에피택셜층의 층 두께 분포와 이면측 에피택셜층의 층 두께 분포가 서로 더해져서 주변부 형상이 형성되기 때문에, 복잡하고 안정성이 부족한 등의 과제가 있다. 그리고, 형상의 제어가 잘 되지 않았던 경우에는, 반대로 웨이퍼 외주부에 굴곡이 생겨 플래트니스(flatness; 평탄도)를 큰 폭으로 악화시킬 우려도 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 에피택셜 웨이퍼 주표면측 주변부에서 에피택셜층의 층 두께를 제어함으로써 에피택셜 웨이퍼의 평탄성을 향상시킬 수 있는, 기상 성장 시에 반도체 기판을 지지하기 위한 서스셉터와 이 서스셉터를 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조장치 및 제조방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 기상 성장 시에 반도체 기판을 지지하는 서스셉터로서, 상기 서스셉터는, 상기 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부를 구비하고, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해, 상기 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터를 제공한다.
이와 같이, 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해 있는 일정 거리 사이에 서서히 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 서스셉터를 이용하면, 반도체 기판 주변부의 원료 가스의 흐름을 조정할 수 있어서, 반도체 기판 주변부의 에피택셜층의 층 두께를 제어할 수 있게 된다.
이 때문에, 예를 들면, 기존의 에피택셜 성장 조건 하에서 외주부의 층 두께균일성이 악화되어 있는 경우에서도, 에피택셜 성장 조건을 변경하지 않고 서스셉터 형상만을 조정하는 것으로, 반도체 기판 외주부의 에피택셜층의 층 두께 균일성을 개선하는 것이 가능해져서, 제어의 자유도를 상승시킬 수 있다. 즉, 제어가 용이하게 되어, 층 두께가 균일하고 안정한 에피택셜층을 기상 성장시킬 수 있어서, 제조 수율의 개선을 도모할 수가 있다.
또한, 에피택셜 성장을 행하기 전의 반도체 기판 외주부의 평탄성이 나쁜 경우에도, 본 발명의 서스셉터를 이용함으로써, 반도체 기판 주변부의 에피택셜층의 층 두께 분포를 조정하여, 그 반도체 기판의 외주부 형상을 수정할 수 있어서 매우 평탄한 표면을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 안정하게 공급할 수도 있다.
여기서, 상기 테이퍼부는, 상기 카운터 보어부 단부로부터 외측으로 향하는 길이가, 상기 반도체 기판 직경의 1% 이상 7.5% 미만, 보다 바람직하게 2.5% 이상 7.5% 미만의 길이인 것으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 카운터 보어부의 단부로부터 외측으로 향하는 길이가 반도체 기판 직경의 1% 이상 7.5% 미만, 보다 바람직하게 2.5% 이상 7.5% 미만이면, 반도체 기판 주변부의 층 두께 조정 효과를 충분히 높게 할 수 있어서, 고평탄성의 에피택셜 웨이퍼 제조에 크게 공헌할 수 있는 서스셉터가 된다.
또한, 상기 테이퍼부는, 그 높이가 상기 반도체 기판 두께의 30% 이하인 것으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 테이퍼부의 높이를 반도체 기판 두께의 30% 이하로 하는 것에 의하여, 반도체 기판 주변부에서의 원료 가스의 흐름이 흐트러지는 것을 확실히 억제할 수 있어서, 보다 확실하게 층 두께가 균일한 에피택셜층이 형성된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
그리고, 상기 테이퍼가, 상기 카운터 보어부의 전체 둘레(全周)에 걸쳐 중단되지 않고 형성된 것으로 할 수 있고, 또한 상기 카운터 보어부의 둘레 방향을 따라 간헐적으로 형성된 것으로 할 수도 있다.
이와 같이, 테이퍼가, 카운터 보어부의 전체 둘레에 걸쳐 중단되지 않고 형성된 서스셉터로 하는 것에 의해, 반도체 기판 외주부의 층 두께를 반도체 기판의 전체 둘레에서 균일하게 조정할 수 있다.
또한, 테이퍼가, 카운터 보어부의 둘레 방향을 따라 간헐적으로 형성된 서스셉터이면, 반도체 기판 외주부의 일부만의 층 두께를 조정할 수 있기 때문에, 기상 성장 전의 반도체 기판의 표면 형상에 맞추어 적당히 선택함으로써 평탄성이 우수한 에피택셜 웨이퍼를 얻을 수 있다.
또한, 상기 서스셉터의 상기 카운터 보어부의 깊이가, 상기 반도체 기판 두께의 0.9~1.1배인 것으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 카운터 보어부의 깊이가, 반도체 기판 두께의 0.9~1.1배인 서스셉터로 하는 것에 의해, 에피택셜 성장을 행하는 반도체 기판의 기판 두께와 카운터 보어부의 카운터 보어 깊이를 실질적으로 동일하게 할 수 있어서, 반도체 기판 외주부의 층 두께 제어를 더욱 높은 정밀도로 행할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장 시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서, 적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 본 발명에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 제공한다.
이와 같이, 본 발명과 관련된 반도체 기판을 지지하는 서스셉터를 구비한 에피택셜 웨이퍼의 제조장치이면, 이것을 이용하여 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 것에 의해, 에피택셜 성장 조건을 변경하지 않고 반도체 기판 외주부의 에피택셜층을 균일하게 형성할 수 있다.
또한, 반도체 기판의 외주 형상에 맞추어 반도체 기판 외주부의 에피택셜층 두께를 조정할 수 있다. 즉, 반도체 기판의 외주부 형상을 수정할 수 있으므로, 매우 평탄한 에피택셜 웨이퍼를 안정하게 공급할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서, 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정에서, 본 발명에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서, 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정에서, 상기 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부를 구비하여, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해, 상기 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
이와 같이, 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시킬 때 반도체 기판을 지지하는 서스셉터에, 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해 있는 일정 거리 사이에 서서히 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 서스셉터를 이용하는 것에 의해, 에피택셜층이 형성된 후의 반도체 기판 외주의 융기 및 처짐 양의 조정을 행할 수 있어서, 중심부만이 아니라, 외주부도 평탄도가 높은 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
특히, 테이퍼의 높이를 조정함으로써 외주부의 융기 및 처짐을 용이하게 컨트롤할 수 있고, 또한 카운터 보어부 단부로부터 외측으로 향하는 길이를 조절 함으로써 에피택셜층의 외주부의 융기 및 처짐이 발생하는 위치를 조절할 수 있기 때문에, 기상 성장 전의 반도체 기판의 표면 형상에 대응하여 서스셉터의 테이퍼 형상 등을 조정하는 것만으로 에피택셜층의 표면 형상을 제어할 수 있어서, 고평탄성의 에피택셜 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 기판 외주부의 에피택셜층의 두께도 균일한 것으로 할 수 있다. 또한, 에피택셜 성장 전의 반도체 기판의 외주 형상에 맞추어 외주부의 에피택셜층의 분포를 조정할 수 있어서 매우 평탄한 에피택셜 웨이퍼를 안정하게 공급할 수 있다.
도 1은, 본 발명에 관한 에피택셜 제조장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는, 본 발명에 관한 에피택셜 제조장치 이외의 양태를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 본 발명에 관한 서스셉터의 제1 양태를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 본 발명에 관한 서스셉터의 제2 양태를 나타내는 개략도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 서스셉터를 위에서 보았을 때의 일 예(전체 둘레에 테이퍼부가 있는 경우)를 나타내는 도면이다.
도 6은, 본 발명에 관한 서스셉터를 위에서 보았을 때의 다른 일 예(간헐적으로 테이퍼부가 있는 경우)를 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시예 1-5, 비교예 2-3의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 8은, 실시예 6-9, 비교예 1-2의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 9는, 비교예 1-3의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 10은, 종래의 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 11은, 카운터 보어 깊이가 깊은 종래 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 12는, 카운터 보어 깊이가 얕은 종래 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는, 본 발명에 관한 에피택셜 제조장치 이외의 양태를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 본 발명에 관한 서스셉터의 제1 양태를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 본 발명에 관한 서스셉터의 제2 양태를 나타내는 개략도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 서스셉터를 위에서 보았을 때의 일 예(전체 둘레에 테이퍼부가 있는 경우)를 나타내는 도면이다.
도 6은, 본 발명에 관한 서스셉터를 위에서 보았을 때의 다른 일 예(간헐적으로 테이퍼부가 있는 경우)를 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시예 1-5, 비교예 2-3의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 8은, 실시예 6-9, 비교예 1-2의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 9는, 비교예 1-3의 실리콘 에피택셜층의 외주부의 층 두께 분포를 나타낸 도면이다.
도 10은, 종래의 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 11은, 카운터 보어 깊이가 깊은 종래 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 12는, 카운터 보어 깊이가 얕은 종래 서스셉터의 단면 형상을 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이것들로 한정되는 것은 아니다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조해서, 본 발명에 관한 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 일례로서 매엽식 에피택셜 웨이퍼의 제조장치에 대하여 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 에피택셜 웨이퍼 제조장치(10)는, 적어도, 서스셉터(20)(상세 후술), 그 서스셉터(20)가 내부에 배치된 반응 용기(11), 서스셉터(20)를 지지하여 회전 구동 및 승강 동작시키는 서스셉터 지지 부재(12), 서스셉터(20)를 표리에 관통함과 동시에 그 서스셉터(20)에 대해 승강 동작 가능하게 설치되어서, 반도체 기판(W)(이하, 기판(W)으로 생략하는 경우가 있음)을 지지한 상태로 승강 동작하는 것에 따라 서스셉터(20) 상에 착탈하기 위한 리프트 핀(13), 기상 성장 시에 기판(W)을 소정의 성장 온도로 가열하기 위한 가열 장치(14a, 14b)(구체적으로는, 예를 들어 할로겐 램프), 원료 가스(구체적으로는, 예를 들어 트리클로로실란 등) 및 캐리어 가스(구체적으로는, 예를 들어 수소 등)를 포함하는기상 성장용 가스를 반응 용기(11) 내의 서스셉터(20) 상측 영역에 도입해서 그 서스셉터(20) 상의 기판(W) 주표면 상에 공급하는 기상 성장용 원료 가스 도입관(15), 반응 용기(11)에 대해 그 기상 성장용 원료 가스 도입관(15)과 동일한 쪽에 설치되는 퍼지 가스(purge gas)(구체적으로는, 예를 들어 수소 등)를 반응 용기(11) 내의 서스셉터(20) 하측 영역에 도입하는 퍼지 가스 도입관(16), 및 이들 퍼지 가스 도입관(16) 및 원료 가스 도입관(15)과 반응 용기(11)에 대해 반대 측에 설치되고 그 반응 용기(11)로부터 가스(기상 성장용 원료 가스 및 퍼지 가스)를 배기 하는 배기관(17)을 구비하여 구성되어 있다.
이 중, 서스셉터(20)는, 기상 성장 시에 기판(W)을 지지하는 것이며, 예를 들어, 탄화규소로 피복된 그래파이트(graphite)로 구성되어 있다.
우선, 일반적인 종래 서스셉터의 형상을 도 10에 나타낸다.
종래 서스셉터(100)는, 예를 들면 대략 원반상으로 구성되며 그 주표면에는, 상기 주표면 상에 기판(W)의 위치를 결정하기 위한 카운터 보어부(101)(평면시 원형의 오목부)가 형성되어 있다. 이 카운터 보어부(101)의 저면은, 평면인 것이나 오목한 곡면 상으로 되어 있는 것도 있다. 또한, 카운터 보어부(101) 저면의 카운터 보어부 단부 저부(101a)의 근방을 평면, 그 안쪽을 오목한 곡면으로 한 것이나, 또한 카운터 보어부 단부 저부(101a) 근방에 서스셉터(100)의 이면까지 관통하는 구멍을 마련한 것 등도 제안되어 있다.
또한, 도 10에 나타낸 바와 같이, 서스셉터(100)의 카운터 보어부(101)의 저면에는, 서스셉터(100)의 이면에 관통한 상태로 형성되고, 리프트 핀이 삽입되어 통과되는 리프트 핀 관통용 구멍부(102)가 형성되어 있다. 이 리프트 핀 관통용 구멍부(102)는, 예를 들면, 카운터 보어부(101) 상에 등각도 간격으로 3개소에 배치되어 있는 것이다.
여기서, 예를 들어 도 1에 나타낸 바와 같이, 리프트 핀(13)은, 예를 들면 둥근 막대형으로 구성된 동체부(13b)와, 상기 동체부(13b)의 상단부에 형성되어 기판(W)을 하면 측으로부터 지지하는 머리부(13a)를 구비하고 있다. 이 중 머리부(13a)는, 기판(W)을 지지하기 용이하도록 동체부(13b)보다 직경이 확대되어 있다.
그리고, 리프트 핀(13)은, 그 하단부로부터, 리프트 핀 관통용 구멍부(20a)에 삽입된 결과, 그 리프트 핀 관통용 구멍부(20a)의 단부에 의해 머리부(13a)가 하방으로 고정되어서, 서스셉터(20)에 의해 지지되는 동시에, 그 동체부(13b)를 상기 리프트 핀 관통용 구멍부(20a)보다 늘어뜨린 상태로 되어 있다. 또한, 리프트 핀(13)의 동체부(13b)는, 서스셉터 지지 부재(12)의 지지 암(12a)에 설치된 관통구멍(12b)도 관통하고 있다.
또한, 서스셉터 지지 부재(12)는, 복수의 지지 암(12a)를 방사형으로 구비하여, 이들 지지 암(12a)에 의해, 서스셉터(20)를 하면 측으로부터 지지하고 있다. 이에 의하여, 서스셉터(20)는, 그 상면이 실질적으로 수평 상태로 유지되어 있다.
에피택셜 제조장치(10)는, 이상과 같이 구성되어 있다.
그리고, 이 에피택셜 웨이퍼 제조장치(10)를 이용해서, 이하의 요령으로 기상 성장을 행함으로써, 기판(W)의 주표면 상에 실리콘 에피택셜층을 형성하여 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
먼저, 기판(W)을 반응 용기(11) 내의 서스셉터(20)에 의해 지지시킨다.
이를 위해서는, 먼저 리프트 핀(13) 상에서 기판(W)을 주고받기 위해서, 각 리프트 핀(13)을 서로 실질적으로 동일한 양만 서스셉터(20)의 상면보다 윗쪽에 돌출하도록 상기 서스셉터(20)에 대해 상대적으로 상승시킨다. 또한, 서스셉터 지지 부재(12)를 하강시키는데 따라 상기 서스셉터(20)를 하강시키도록 해도 좋다. 이 하강 과정에서, 리프트 핀(13)의 하단부가, 예를 들어 반응 용기(11)의 내부 저면에 도달한 이후에, 리프트 핀(13)은 그 이상으로 하강할 수 없지만, 서스셉터(20)는 더욱 하강할 수 있다.
이 때문에, 서스셉터(20)에 대해 상대적으로 리프트 핀(13)이 상승해서, 결국 리프트 핀과 서스셉터는 도 2에서와 같은 위치 관계로 된다(도 2에서 기판(W)이 없는 상태).
다음, 도시되지 않은 이송 장치에 의해 기판(W)을 반응 용기(11) 내로 수송하고, 상기 상승 동작 후의 각 리프트 핀(13)의 머리부(13a)에 의해, 주표면을 위로 하여 기판(W)을 지지시킨다(도 2 상태).
그 다음, 기판(W)을 서스셉터(20)에 의해 지지시키기 위해서, 각 리프트 핀 (13)을 서스셉터(20)에 대해 상대적으로 하강시킨다. 이를 위해서는, 이송 장치를 대피시키는 한편, 서스셉터 지지 부재(12)를 상승시키는 것에 따라, 서스셉터(20)를 상승시킨다. 이 상승 과정에서, 카운터 보어부(21)의 카운터 보어부 단부 저부(21a)가 기판(W)의 주된 이면에 도달하면, 그것까지 리프트 핀(13)의 머리부(13a) 상에 지지받고 있던 기판(W)이, 카운터 보어부(21)의 카운터 보어부 단부 저부(21a) 근방으로 지지된 상태로 이행한다.
또한, 리프트 핀 관통용 구멍부(20a)의 단부가 리프트 핀(13)의 머리부(13a)에 도달하면, 그것까지 반응 용기(11) 내부 저면에 의해 지지를 받은 상태로 있던 리프트 핀 (13)은, 서스셉터(20)에 의해 지지된 상태로 이행한다.
이와 같이 서스셉터(20)에 의해 기판(W)을 지지시키면서 기상 성장을 행한다.
우선, 서스셉터 지지 부재(12)를 연직축 주위에 회전 구동함으로써 서스셉터(20)를 회전시키는 것에 따라 기판(W)을 회전시키는 동시에, 상기 서스셉터(20) 상의 기판(W)을 가열 장치(14a, 14b)에 의해 소정의 성장 온도로 가열하면서, 원료 가스 도입관(15)을 통해 기판(W)의 주표면 상에 기상 성장용 가스를 실질적으로 수평으로 공급하는 한편, 퍼지 가스 도입관(16)을 통해 서스셉터(20)의 하측에 퍼지 가스를 실질적으로 수평으로 도입한다.
따라서, 기상 성장 중에, 서스셉터(20)의 상측에는 기상 성장용 가스류가, 하측에는 퍼지 가스류가, 각각 서스셉터(20) 및 기판(W)과 실질적으로 평행하게 형성된다. 이와 같이 기상 성장을 행함으로써, 기판(W)의 주표면 상에 에피택셜층을 형성하여, 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
이와 같이 에피택셜 웨이퍼를 제조한 후, 그 제조 후의 에피택셜 웨이퍼를, 반응 용기(11) 밖으로 반출한다.
즉, 서스셉터(20)의 회전을 멈춘 후에, 서스셉터 지지 부재(12)를 하강시켜, 도 2에 나타낸 바와 같이 각 리프트 핀(13)을 서로 실질적으로 동일한 양만 서스셉터(20)의 상측에 돌출동작(突出動作)시키고, 이 돌출동작에 따라 기판(W)을 서스셉터(20)의 카운터 보어부(21)의 상측으로 상승시킨다. 그리고, 도시되지 않은 이송 장치에 의해 기판(W)을 반출한다.
여기서, 기상 성장 중에는, 기상 성장 가스가 기상 성장 가스 도입관(15)으로부터 도입되어 서스셉터(20)의 표면을 따라 흘러서 기판(W)의 에지부로 옮겨진다. 기판(W)의 에지 근방에서 에피택셜층의 성장 속도는, 기판(W)의 에지 근방에서 기상 성장 가스의 농도나 유속에 크게 의존한다.
일반적으로는 도 11이나 도 12에 나타내는 바와 같이, 서스셉터(110, 120)의 기판(W)을 지지하기 위해, 카운터 보어부(111, 121)의 카운터 보어 깊이[카운터 보어부(111, 121)의 카운터 보어부 단부 저부(111a, 121a)와 카운터 보어부 단부 상부(111b, 121b)의 높이 차이]를 조절하여, 기판(W)의 에지 근방의 기상 성장용 가스의 흐름을 변화시켜서, 기판(W)의 에지 근방의 에피택셜 성장 속도를 조정하는 방법이 이용되고 있다.
예를 들면, 도 11에 나타낸 바와 같이, 서스셉터(110)의 카운터 보어 깊이를 기판(W)의 두께보다 깊게 하면, 기판(W)의 에지부에 공급되는 기상 성장용 가스의 농도가 저하해서, 기판(W)의 에지 근방의 에피택셜 성장 속도는 저하한다.
그렇지만, 기판(W)과 카운터 보어부(111)의 카운터 보어부 단부 상부(111b) 사이에 단차가 생긴 결과, 기상 성장 가스 흐름의 혼란이 발생하여, 기판(W)의 에피택셜 성장 속도의 저하는, 기판(W)의 에지부로부터 더욱 안쪽의 영역까지 미치게 된다. 이 때문에, 기판(W)의 외주부에서 에피택셜 성장 속도의 정밀한 제어를 할 수 없다.
또한, 도 12에 나타낸 바와 같이, 서스셉터(120)의 카운터 보어 깊이를 기판(W)의 두께보다 얕게 하면, 기판(W)의 에지부에 공급되는 기상 성장용 가스의 농도가 상승해서, 기판(W)의 에지 근방의 에피택셜 성장 속도는 상승한다.
그렇지만, 기판(W)과 서스셉터의 카운터 보어부(121)의 카운터 보어부 단부 상부(121b) 사이에 단차가 생긴 결과, 기상 성장 가스 흐름의 혼란이 발생하여, 기판(W)의 에피택셜 성장 속도의 상승은, 기판(W)의 에지부로부터 더욱 안쪽의 영역까지 미치게 된다. 이 때문에, 마찬가지로 기판(W)의 외주부에서 에피택셜 성장 속도의 정밀한 제어를 할 수 없다.
이에 대하여, 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 서스셉터(30)는, 카운터 보어부(31)의 카운터 보어부 단부 상부(31b)의 높이를 기판(W)의 주표면의 높이와 실질적으로 동일하게 유지해서(t≒tw), 카운터 보어부 단부 상부(31b)로부터 테이퍼부 말단(31c)에 걸쳐, 카운터 보어부(31)의 외측을 향해 서서히 서스셉터의 상면이 상방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부(33)을 갖는 것이다.
이와 같이, 본 발명에 관한 반도체 기판을 지지하는 서스셉터를 구비한 에피택셜 웨이퍼의 제조장치를 이용하여 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시킴으로써, 에피택셜 성장 조건을 변경하지 않고 기판 외주부의 에피택셜층을 균일하게 형성할 수 있다.
또한, 에피택셜 성장 전의 반도체 기판의 외주 형상에 맞추어 반도체 기판 외주부의 에피택셜층 두께를 조정할 수 있다. 따라서, 반도체 기판의 외주부 형상을, 기상 성장 조건을 변경하지 않고, 수정할 수 있게 되며, 특히 외주부까지 매우 평탄하게된 에피택셜 웨이퍼를 안정하게 공급할 수 있게 된다.
여기서, 카운터 보어부(31)의 카운터 보어부 단부 상부(31b)와 테이퍼부 말단(31c)의 높이 차이(h)(테이퍼부 자체의 높이)를 조정하여서, 기판의 에지 근방의 에피택셜 성장 속도를 소정의 레벨까지 억제할 수 있게 된다.
예를 들면, 테이퍼부(33)는, 그 높이(h)를 반도체 기판(W) 두께(tw)의 30% 이하로 할 수 있다. 이에 의해, 원료 가스의 흐름이 흐트러지는 것을 확실히 억제할 수 있기 때문에, 보다 확실하고 안정하게 균일한 층 두께의 에피택셜층이 형성된 에피택셜 웨이퍼를 제조하는데 매우 적합한 서스셉터라고 할 수 있다.
그리고, 테이퍼부 말단(31c)의 위치와 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부(31)의 카운터 보어부 단부 상부(31b)에 걸친 길이(d)를 조정함으로써, 기판의 에지로부터 소정의 영역까지 기판의 에지 근방의 에피택셜 성장 속도를 억제할 수 있게 된다. 예를 들면, 길이(d)를 길게 하여, 반도체 기판의 주변부에서 층 두께가 변화하는 개시점을 반도체 기판의 에지에 가까운 위치로 변화시킬 수 있다. 또한, 길이(d)를 짧게 하면, 반도체 기판의 주변부에서 층 두께가 변화하는 개시점을 반도체 기판의 에지보다 먼 위치로 변화시킬 수 있게 된다.
예를 들면, 테이퍼부(33)는, 카운터 보어부 단부 상부(31b)로부터 외측으로 향하는 길이(d)가, 반도체 기판 직경의 1% 이상 7.5% 미만, 보다 바람직하게, 2.5% 이상 7.5% 미만의 길이로 할 수 있다. 이에 의해, 카운터 보어부 단부 근방의 기상 성장 속도를 확실히 제어할 수 있어서, 평탄성이 우수한 에피택셜 웨이퍼를 제조 할 수 있는 서스셉터가 된다.
또한, 카운터 보어부(31)의 깊이(t)는, 반도체 기판 두께(tw)의 0.9~1.1배로 할 수 있다.
이에 의해, 에피택셜 성장을 행하는 반도체 기판의 기판두께(tw)와 카운터 보어부의 카운터 보어 깊이(t)를 대략 동일하게 할 수 있어서, 보다 높은 정밀도로 반도체 기판(W) 외주부의 층 두께를 제어할 수 있게 된다.
또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태의 서스셉터(40)는 카운터 보어부(41)의 카운터 보어부 단부 상부(41b)의 높이를 기판(W) 주표면의 높이와 실질적으로 동일하게 유지해서(t≒tw), 카운터 보어부 단부 상부(41b)로부터 테이퍼부 말단(41c)에 걸쳐, 카운터 보어부(41)의 외측을 향해 서서히 서스셉터의 상면이 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부(43)를 갖는 것이다.
이러한 서스셉터(40)에서는, 테이퍼부 말단(41c)의 직경[즉, 테이퍼부(43)의 길이(d)]을 조정함으로써, 기판(W)의 에지로부터 소정의 영역까지 기판(W) 에지 근방의 에피택셜 성장 속도를 상승시킬 수 있게 된다.
또한, 카운터 보어부(41)의 카운터 보어부 단부 상부(41b)와 테이퍼부 말단(41c)의 높이 차이(h)[테이퍼부(43) 자체의 높이]를 조정해서, 기판(W) 에지 근방의 에피택셜 성장 속도를 소정의 레벨까지 상승시킬 수 있게 된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 테이퍼부(43)의 높이(h)를 기판(W) 두께(tw)의 30% 이하의 범위로 조정함으로써, 기상 성장 가스의 흐름을 크게 어지럽히는 우려를 확실히 피할 수 있다.
또한, 테이퍼부(43)의 길이(d)도 기판(W) 직경의 1% 이상 7.5% 미만, 보다 바람직하게 2.5% 이상 7.5% 미만의 범위로 조정함으로써, 마찬가지로 에지 근방의 성장 속도를 충분히 제어할 수 있어서, 층 두께가 균일한 에피택셜층을 용이하고 안정하게 기상 성장시킬 수 있다.
또한, 상기 서스셉터(40)의 카운터 보어 깊이(t)를 기판 두께(tw)에 대해 0.9~1.1배의 범위로 함으로써, 보다 높은 정밀도로 반도체 기판(W) 외주부의 층 두께를 제어할 수 있게 된다.
또한, 반도체 기판(W) 외주부의 층 두께를 반도체 기판(W) 전체 둘레에서 균일하게 조정하는 경우에는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 반도체 기판(W)이 배치되는 카운터 보어부(51)의 전체 둘레에 걸쳐 중단되지 않고 카운터 보어부 단부 상부(51b)로부터 서스셉터(50)의 외측을 향해 테이퍼부(53)가 형성된 것으로 하는 것이 좋다.
또한, 반도체 기판(W) 외주부의 일부만을 층 두께 조정하는 경우에는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 반도체 기판(W)이 배치되는 카운터 보어부(61)의 반도체 기판(W) 외주부의 층 두께를 조정하는 부분에 상당하는 영역에, 카운터 보어부(61)의 카운터 보어부 단부 상부(61b)의 둘레 방향을 따라 간헐적으로 카운터 보어부 단부 상부(61b)로부터 서스셉터(60)의 외측을 향해 테이퍼부(63)가 형성된 것으로 하는 것이 좋다.
이상과 같이, 본 발명에서는, 테이퍼부 자체의 높이(h), 테이퍼의 말단과 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부의 카운터 보어부 단부와의 길이(d), 카운터 보어부의 깊이(t), 테이퍼를 향해, 주 방향에서 테이퍼의 유무를 조정함으로써, 반도체 기판 주변부의 에피택셜층의 형상을 조정할 수 있기 때문에, 다양한 기판·기상 성장 조건에 따라 이러한 팩터를 조정하는 것으로, 평탄한 에피택셜 웨이퍼를 제작할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1－5)
도 3에 나타낸 바와 같은 서스셉터를 제작했다. 서스셉터의 카운터 보어 깊이(t)는, 실리콘 단결정 기판의 두께에 가까운 800㎛로 하고, 테이퍼의 높이(h)를 100㎛로 고정하며, 테이퍼 길이(카운터 보어부 단부로부터 외측으로 향하는 길이)(d)를 실시예 1에서는 d=22.5mm, 실시예 2에서는 d=15mm, 실시예 3에서는 d=10mm, 실시예 4에서는 d=7.5mm, 실시예 5에서는 d=3mm로 한 5종류의 서스셉터를 제작했다.
서스셉터의 상기 파라미터를 표 1에 정리하여 나타낸다. 또한, 표 1 및 후술하는 도 7에는, 후술하는 비교예 2, 3의 서스셉터에 대한 파라미터와 그것을 이용했을 때 실리콘 에피택셜층의 두께의 불균형을 비교를 위해서 기재해 둔다.
[표 1]
그리고, 도 1에 나타낸 바와 같은 에피택셜 제조장치의 서스셉터 위치에 미리 제작한 서스셉터를 탑재하고, 직경 300mm, 저항 비율 0.01~0.02Ω·cm, 두께 775㎛의 P＋형 실리콘 단결정 기판 위의 주표면 상에 두께 약 5㎛의 P－형 실리콘 에피택셜층을 각각의 서스셉터를 이용해서 기상 성장시켰다.
그 후, 푸리에 적외선 분광을 이용한 나노매트릭스사(Nanometrix Inc.)제의 실리콘 에피택셜층 두께 측정 장치 QS3300EG를 이용하여, 상기 실리콘 기판의 외주 2mm부터 30mm까지의 범위를 1mm 피치로 측정해서, 실리콘 에피택셜층의 두께 분포를 측정했다. 그 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7에서는, 각 점의 측정값을 전체 측정점의 평균값으로 나누고, 그 값으로부터 1을 뺀 것을 퍼센트 표시해서, 에피택셜층의 두께의 불균일을 나타내는 지표로 했다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 테이퍼 길이(d)를 길게 한 실시예 1의 경우는, 테이퍼를 형성함으로써 외주 처짐 효과가 약해져서, 비교예 2에 가까운 층 두께 분포로 되었다.
반대로, 테이퍼 길이(d)를 짧게 한 실시예 5의 경우는, 테이퍼를 형성함으로써 외주 처짐 효과가 강해져서, 비교예 3에 가까운 층 두께 분포로 되어 있는 것을 알았다.
이와 같이, 테이퍼 길이(d)를 적절한 값으로 조정함으로써 소정의 처짐 위치를 조정할 수 있고, 또한 실시예 2의 경우에는, 외주까지 거의 평탄한 두께 분포를 얻을 수 있는 것을 알았다.
(실시예 6－9)
도 4에 나타낸 바와 같은 서스셉터를 제작했다. 서스셉터의 카운터 보어 깊이(t)는, 실리콘 단결정 기판의 두께에 가까운 800㎛로 하고, 테이퍼의 높이(h)를 100㎛로 고정하며, 테이퍼 길이(카운터 보어부 단부로부터 외측으로 향하는 길이)(d)를 실시예 6에서는 d=22.5mm, 실시예 7에서는 d=15mm, 실시예 8에서는 d=7.5mm, 실시예 9에서는 d=3mm로 한 4종류의 서스셉터를 제작했다.
서스셉터의 상기 파라미터를 표 2에 정리하여 나타낸다. 또한, 표 2 및 후술하는 도 8에는, 후술하는 비교예 1, 2의 서스셉터의 파라미터와 그것을 이용했을 때의 실리콘 에피택셜층의 두께의 불균형을 비교를 위해서 기재해 둔다.
[표 2]
그리고, 도 1에 나타낸 바와 같은 에피택셜 제조장치의 서스셉터 위치에 미리 제작한 서스셉터를 탑재하고, 직경 300mm, 저항 비율 0.01~0.02Ω·cm, 두께 775㎛의 P＋형 실리콘 단결정 기판 위의 주표면 상에 두께 약 5㎛의 P－형 실리콘 에피택셜층을 각각의 서스셉터를 이용해서 기상 성장시켰다.
그 후, 푸리에 적외선 분광을 이용한 나노매트릭스사(Nanometrix Inc.)제의 실리콘 에피택셜층 두께 측정 장치 QS3300EG를 이용하여, 상기 실리콘 기판의 외주 2mm부터 30mm까지의 범위를 1mm 피치로 측정해서, 실리콘 에피택셜층의 두께 분포를 측정했다. 그 결과를 도 8에 나타낸다. 도 8에서는, 도 7과 동일하게, 각 점의 측정값을 전체 측정점의 평균값으로 나누고, 그 값으로부터 1을 뺀 것을 퍼센트 표시해서, 에피택셜층의 두께의 불균일을 나타내는 지표로 했다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 테이퍼 길이(d)를 길게 한 실시예 6의 경우는, 테이퍼를 형성함으로써 외주 융기 효과가 약해져서, 비교예 2에 가까운 층 두께 분포로 되었다.
반대로, 테이퍼 길이(d)를 짧게 한 실시예 9의 경우는, 테이퍼를 형성함으로써 외주 융기 효과가 강해져서, 비교예 1에 가까운 층 두께 분포로 되어 있는 것을 알았다.
이와 같이, 테이퍼 길이(d)를 적절한 값으로 조정함으로써 소정의 융기 위치를 조정할 수 있는 것을 알았다.
(비교예 1－3)
도 10에 나타낸 바와 같은 서스셉터를 제작했다. 서스셉터의 카운터 보어부의 깊이(t)를, 비교예 1에서는 700㎛, 비교예 2에서는 800㎛, 비교예 3에서는 900㎛로 한 3종류를 준비했다.
그리고, 도 1에 나타낸 에피택셜 제조장치의 서스셉터의 위치를 실시예에서 이용한 것으로 바꾸고, 상기 각각의 서스셉터를 탑재하고, 직경 300mm, 저항 비율 0.01~0.02Ω·cm, 두께 775㎛의 P＋형 실리콘 단결정 기판 위의 주표면 상에 두께 약 5㎛의 P－형 실리콘 에피택셜층을 각각의 서스셉터를 이용하여 기상 성장시켰다.
그 후, 푸리에 적외선 분광을 이용한 나노매트릭스사(Nanometrix Inc.)제의 실리콘 에피택셜층 두께 측정 장치 QS3300EG를 이용하여, 상기 실리콘 기판의 외주 2mm부터 30mm까지의 범위를 1mm 피치로 측정해서, 실리콘 에피택셜층의 두께 분포를 측정했다. 그 결과를 도 9에 나타낸다. 도 9에서는, 도 7, 도 8과 동일하게, 각 점의 측정값을 전체 측정점의 평균값으로 나누고, 그 값으로부터 1을 뺀 것을 퍼센트 표시해서, 에피택셜층의 두께의 불균일을 나타내는 지표로 했다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 카운터 보어 깊이를 얕은 쪽으로부터 깊은 쪽으로 변화시킴으로써, 실리콘 에피택셜층의 층 두께 분포는 융기로부터 처짐 형상으로 변화하고 있다.
그러나, 처짐 및 융기 위치도 마찬가지로 크게 변화하고 있어서, 외주부의 에피택셜층의 처짐 및 융기 양과 그 위치를 동시에 제어하여 평탄하게 하는 것은 곤란하다는 것을 알았다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지고, 동일한 작용 효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
Claims (26)
- 기상 성장 시에 반도체 기판을 지지하는 서스셉터로서,
상기 서스셉터는, 상기 반도체 기판이 배치되는 카운터 보어부를 구비하고, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측을 향해, 상기 서스셉터의 상면이 상방 또는 하방으로 경사지는 테이퍼가 형성된 테이퍼부를 갖는 것이며,
상기 테이퍼부는, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측으로 향하는 길이가, 상기 반도체 기판의 직경의 1% 이상 7.5% 미만의 길이이고,
상기 테이퍼부는, 그 높이가 상기 반도체 기판의 두께의 30% 이하인 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 테이퍼부는, 상기 카운터 보어부의 단부로부터 외측으로 향하는 길이가, 상기 반도체 기판의 직경의 2.5% 이상 7.5% 미만의 길이인 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 테이퍼가, 상기 카운터 보어부의 전체 둘레(全周)에 걸쳐 중단되지 않고 형성된 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 테이퍼가, 상기 카운터 보어부의 둘레 방향을 따라 간헐적으로 형성된 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 서스셉터의 상기 카운터 보어부의 깊이가, 상기 반도체 기판의 두께의 0.9~1.1배인 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 제9항에 있어서,
상기 서스셉터의 상기 카운터 보어부의 깊이가, 상기 반도체 기판의 두께의 0.9~1.1배인 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 제10항에 있어서,
상기 서스셉터의 상기 카운터 보어부의 깊이가, 상기 반도체 기판의 두께의 0.9~1.1배인 것을 특징으로 하는
기상 성장용 반도체 기판 지지 서스셉터.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제1항 또는 제3항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제9항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제10항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제11항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제12항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키기 위한 에피택셜 웨이퍼 제조장치로서,
적어도, 반응 용기, 원료 가스 도입관, 배기관, 가열 장치, 및 제13항에 기재된 서스셉터를 구비한 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼 제조장치.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제1항 또는 제3항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제9항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제10항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제11항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제12항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
에피택셜 웨이퍼의 제조방법.
- 반도체 기판 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 웨이퍼의 제조방법으로서,
반도체 기판의 주표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 공정 에서, 제13항에 기재된 서스셉터의 상기 카운터 보어부에 상기 반도체 기판을 배치해서, 상기 에피택셜층을 기상 성장시키는 것을 특징으로 하는
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