TW202116476A - 基板處理系統及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

［課題］提供一種不會損壞晶圓，並可確實釋放晶圓之基板處理系統。 ［解決手段］基板處理系統200具備：上方環形轉盤31、真空形成機構220、及控制裝置5。程式使處理裝置5b執行測量上方環形轉盤31之高度的動作，並使處理裝置5b執行比較上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置的動作，並依據上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置之比較結果，使真空形成機構220執行在彈性囊46內部形成真空的動作。

Description

基板處理系統及記錄媒體

本發明係關於一種基板處理系統、及記錄了用於使基板處理系統之元件動作的程式之非暫時性電腦可讀取的記錄媒體者。

有一種具有在搬送載台與上方環形轉盤之間交接晶圓的構成之基板處理裝置（例如，參照專利文獻1）。此種基板處理裝置在收送晶圓時，包圍晶圓周端部之扣環係相對於晶圓而相對地上升。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2012-129559號公報 ［專利文獻2］日本特開2014-4683號公報 ［專利文獻3］日本特開2010-50436號公報

［發明所欲解決之問題］

但是，將配置於上方環形轉盤本體與扣環之間的彈性囊內部對大氣開放的狀態下，當扣環上升時，因為殘留於彈性囊內部之空氣而會有造成扣環無法正常上升之虞。在該狀態下釋放晶圓時，晶圓會有接觸到扣環而造成晶圓破損之虞。

因此，本發明之目的為提供一種不會損壞晶圓，並可確實釋放晶圓之基板處理系統及非暫時性電腦可讀取之記錄媒體。

在扣環未確實安裝於上方環形轉盤本體時，扣環會有無法正常上升之虞。當在該狀態下釋放晶圓時，晶圓會有接觸到扣環而造成晶圓破損之虞。

因此，本發明之目的為提供一種可判斷扣環是否確實安裝於上方環形轉盤本體之基板處理系統及非暫時性電腦可讀取之記錄媒體。 ［解決問題之手段］

在一樣態中，提供一種基板處理系統，係具備：上方環形轉盤，其係具備：可上下移動之扣環、及使前述扣環上下移動之彈性囊；真空形成機構，其係連結於前述彈性囊；及控制裝置，其係連接於前述真空形成機構；前述控制裝置具備：記憶裝置，其係儲存了程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算；前述程式係使前述處理裝置執行測量下降到上方環形轉盤下降位置之前述上方環形轉盤的高度之動作，並使前述處理裝置執行比較前述上方環形轉盤之高度與開始吸引位置的動作，並依據前述上方環形轉盤之高度與前述開始吸引位置的比較結果，使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作。

在一樣態中，前述程式係將前述上方環形轉盤之高度比前述開始吸引位置還低作為條件，而使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作。 在一樣態中，前述程式係使前述處理裝置執行測量前述扣環之高度隨時間變化的動作，直到前述上方環形轉盤到達前述上方環形轉盤下降位置，並使前述處理裝置執行比較前述時間變化之過調（Overshoot）量是否在指定的容許範圍內之動作，並將前述過調量不在前述容許範圍內作為條件，使前述處理裝置執行將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的動作。 在一樣態中，前述程式係使前述處理裝置執行將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的動作反覆進行的動作，直到前述過調量收斂至前述容許範圍內。

在一個樣態中，前述程式係使前述處理裝置依據前述扣環的最下降位置與最上升位置之間的距離，執行將前述開始吸引位置變更之動作。 在一個樣態中，前述程式係使前述處理裝置執行測量前述扣環之磨損量的動作，並使前述處理裝置執行將與前述扣環之磨損量相當的距離反映至前述開始吸引位置的動作。 在一個樣態中，前述程式係在前述上方環形轉盤下降到上方環形轉盤下降位置之後，使前述處理裝置執行測量前述扣環之高度的動作，並使前述處理裝置執行判斷所測量之前述扣環的高度是否比過去測量到之扣環的高度還高之動作，並以所測量之前述扣環的高度比過去測量到之扣環的高度還高為條件，使前述處理裝置執行決定將使前述上方環形轉盤再度下降之重試動作開始的動作。

在一樣態中，提供一種記錄了程式之非暫時性電腦可讀取之記錄媒體，該程式係用於使電腦執行以下步驟：使上方環形轉盤上下移動裝置執行使上方環形轉盤下降到上方環形轉盤下降位置之步驟，前述上方環形轉盤具備可上下移動之扣環、及使前述扣環上下移動之彈性囊；測量下降之前述上方環形轉盤之高度之步驟；執行比較前述上方環形轉盤之高度與開始吸引位置的動作之步驟；及使連結於前述彈性囊之真空形成機構執行依據前述上方環形轉盤之高度與前述開始吸引位置的比較結果，在前述彈性囊之內部形成真空的動作之步驟。

在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行將前述上方環形轉盤之高度比前述開始吸引位置還低作為條件，而使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作之程式。 在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：測量前述扣環之高度隨時間的變化，直到前述上方環形轉盤到達前述上方環形轉盤下降位置之步驟；比較前述時間變化之過調量是否在指定的容許範圍內之步驟；及將前述過調量不在前述容許範圍內作為條件，將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高的位置之步驟。 在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的步驟反覆進行，直到前述過調量收斂至前述容許範圍內之步驟。

在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：依據前述扣環的最下降位置與最上升位置之間的距離，變更前述開始吸引位置之步驟。 在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄用於使電腦執行以下步驟之程式：測量前述扣環之磨損量之步驟；及將與前述扣環之磨損量相當的距離反映至前述開始吸引位置之步驟。 在一樣態中，提供上述記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：在前述上方環形轉盤下降到前述上方環形轉盤下降位置後，測量前述扣環之高度之步驟；判斷所測量之前述扣環高度是否比過去測量到之扣環的高度還高；以所測量之前述扣環高度比過去測量到的扣環高度還高為條件，決定將使前述上方環形轉盤再度下降的重試動作開始之步驟。

在一樣態中，提供一種基板處理系統，係具備：上方環形轉盤，其係具備：扣環、及安裝了前述扣環之上方環形轉盤本體；測量裝置，其係直接或間接地測量前述扣環之高度分布；及控制裝置，其係具備：記憶裝置，其係連接於前述測量裝置，並儲存了程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算；前述程式係使前述處理裝置執行比較前述扣環之高度分布與指定之判定基準的動作，並依據前述扣環之高度分布與前述判定基準的比較結果，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。

在一樣態中，前述判定基準係含有顯示前述扣環高度之容許上限的容許上限值，前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最大值與前述容許上限值之動作，並將前述最大值比前述容許上限值還大作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。 在一樣態中，前述判定基準係含有顯示前述扣環高度之容許下限的容許下限值，前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最小值與前述容許下限值之動作，並將前述最小值比前述容許下限值還小作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。 在一樣態中，前述判定基準係含有前述扣環高度的容許上限與容許下限之間的容許差分值，前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最大值與最小值之間的差分值與前述容許差分值之動作，並將前述差分值比前述容許差分值還大作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。

在一樣態中，前述測量裝置係具備高度測量感測器，其係檢測前述扣環在鉛直方向之移動，前述控制裝置依據藉由前述高度測量感測器所檢測之前述扣環在複數個旋轉角度位置上的高度資料，使前述處理裝置執行取得前述扣環之高度分布的動作。 在一樣態中，前述測量裝置係具備壓力測量感測器，其係檢測在鉛直方向移動之前述扣環的壓力，前述控制裝置使前述處理裝置依據藉由前述壓力測量感測器所檢測之前述扣環在複數個旋轉角度位置上的壓力資料，執行取得與前述扣環之高度分布相當的前述扣環之壓力分布的動作。 在一樣態中，前述記憶裝置係記憶有藉由機器學習演算法所建立的模型，前述處理裝置至少將基板之研磨條件、及所使用之扣環的種類輸入前述模型，執行用於從前述模型輸出前述判定基準之運算。 在一樣態中，前述模型依據由實際之判定基準、依據實際判定基準之基板的釋放成功率、及依據實際判定基準之基板處理裝置的處理量之組合所構成的資料集來建立。

在一樣態中，提供一種非暫時性電腦可讀取的記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：執行比較安裝於上方環形轉盤本體之扣環的高度分布與指定之判定基準的動作之步驟；及執行依據前述扣環之高度分布與前述判定基準的比較結果，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常的動作之步驟。

在一樣態中，係使電腦執行以下步驟：比較從前述扣環之高度分布所獲得的最大值與顯示前述扣環之高度容許上限的容許上限值之步驟；及將前述最大值比前述容許上限值還大作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之步驟。 在一樣態中，係使電腦執行以下步驟：比較從前述扣環之高度分布所獲得的最小值與顯示前述扣環之高度容許下限的容許下限值之步驟；及將前述最小值比前述容許下限值還小作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之步驟。 在一樣態中，係使電腦執行以下步驟：比較從前述扣環之高度分布獲得的最大值與最小值之間的差分值與前述扣環之高度容許上限與容許下限之間的容許差分值之步驟；及將前述差分值比前述容許差分值大作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體安裝異常之步驟。 ［發明之效果］

控制裝置使真空形成機構動作，而在彈性囊內部形成真空。因此，基板處理系統可在將扣環之下面配置於比晶圓上面還高的位置之前，使扣環確實上升。結果來說，基板處理系統可確實釋放晶圓。

控制裝置藉由比較扣環之高度分布與指定的判定基準，可判斷扣環朝上方環形轉盤本體之安裝異常。因此，基板處理系統可判斷是否有將扣環確實安裝於上方環形轉盤本體。

以下，就本發明之基板處理裝置的實施形態參照圖式詳細說明。在相同或相當之元件上註記相同符號，並省略重複之說明。

圖1係顯示基板處理裝置之一種實施形態的俯視圖。如圖1所示，該基板處理裝置具備概略矩形狀之機架1，機架1之內部藉由分隔壁1a、1b劃分成裝載/卸載部2、研磨部3、及清洗部4。此等裝載/卸載部2、研磨部3、及清洗部4分別獨立地裝配，並獨立地排氣。此外，基板處理裝置具備控制基板處理動作之控制裝置5。

裝載/卸載部2具備2個以上（本實施形態係4個）前裝載部20，供裝載貯存多數片晶圓（基板）之晶圓匣盒。此等前裝載部20鄰接於機架1而配置，並沿著基板處理裝置之寬度方向（與長度方向垂直的方向）排列。前裝載部20中可搭載開放式匣盒、SMIF（晶舟承載（Standard Manufacturing Interface）盒（Pod））、或FOUP（前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod)）。此處之SMIF、FOUP係密閉容，其將晶圓匣盒收納於內部，藉由以分隔壁覆蓋，可保持與外部空間獨立之環境。

此外，裝載/卸載部2中沿著前裝載部20之排列敷設有行駛機構21，在該行駛機構21上設置有可沿著晶圓匣盒之排列方向移動的2台搬送機器人（裝載機）22。搬送機器人22藉由在行駛機構21上移動，而可存取搭載於前裝載部20之晶圓匣盒。各搬送機器人22在上下具備2隻機器手（Hand），將經處理之晶圓送回晶圓匣盒時使用上側的機器手。從晶圓匣盒取出處理前之晶圓時使用下側的機器手，而可分開使用上下的機器手。再者，搬送機器人22下側之機器手係構成為藉由繞其軸心旋轉，而可使晶圓反轉。

因為裝載/卸載部2係需要保持最潔淨狀態之區域，所以裝載/卸載部2之內部隨時維持比基板處理裝置外部、研磨部3、或清洗部4還高的壓力。因為研磨部3是使用漿液作為研磨液，所以是最髒的區域。因此，係在研磨部3內部形成負壓，維持其壓力比清洗部4的內部壓力還低。裝載/卸載部2中設有具有HEPA Filter（高效率粒子空氣過濾器）、ULPA Filter（超低穿透空氣過濾器）、或化學過濾器等清淨空氣過濾器的過濾器風扇單元（無圖示）。從該過濾器風扇單元隨時吹出經除去微粒子、有毒蒸氣、及有毒氣體等的潔淨空氣。

研磨部3係進行晶圓研磨（平坦化）之區域，且具備：第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、及第四研磨單元3D。此等第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、及第四研磨單元3D如圖1所示，係沿著基板處理裝置之長度方向而排列。

如圖1所示，第一研磨單元3A具備：安裝了具有研磨面之研磨墊10的研磨台30A；用於保持晶圓，並且一邊將晶圓按壓於研磨台30A上之研磨墊10一邊進行研磨的上方環形轉盤31A；用於在研磨墊10上供給研磨液及修整液（例如，純水）的研磨液供給噴嘴32A；用於進行研磨墊10之研磨面的修整之修整器33A；及將液體（例如純水）與氣體（例如氮氣）之混合流體或液體（例如純水）形成霧狀而噴射於研磨面的霧化器34A。

同樣地，第二研磨單元3B具備：安裝有研磨墊10之研磨台30B、上方環形轉盤31B、研磨液供給噴嘴32B、修整器33B、及霧化器34B。第三研磨單元3C具備：安裝有研磨墊10之研磨台30C、上方環形轉盤31C、研磨液供給噴嘴32C、修整器33C、及霧化器34C。第四研磨單元3D具備：安裝有研磨墊10之研磨台30D、上方環形轉盤31D、研磨液供給噴嘴32D、修整器33D、及霧化器34D。

其次，說明用於搬送晶圓之搬送機構。如圖1所示，鄰接於第一研磨單元3A及第二研磨單元3B配置有第一線性傳輸機6。此第一線性傳輸機6係在沿著研磨單元3A、3B排列之方向的4個搬送位置（從裝載/卸載部側起依序為第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4）之間搬送晶圓的機構。

此外，鄰接於第三研磨單元3C及第四研磨單元3D配置有第二線性傳輸機7。此第二線性傳輸機7係在沿著研磨單元3C、3D排列之方向的3個搬送位置（從裝載/卸載部側起依序為第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7）之間搬送晶圓的機構。

晶圓藉由第一線性傳輸機6而搬送至研磨單元3A、3B。如上述，第一研磨單元3A之上方環形轉盤31A在研磨位置與第二搬送位置TP2之間移動。因此，係在第二搬送位置TP2進行朝上方環形轉盤31A的晶圓收送。同樣地，第二研磨單元3B之上方環形轉盤31B在研磨位置與第三搬送位置TP3之間移動，並在第三搬送位置TP3進行朝上方環形轉盤31B的晶圓收送。第三研磨單元3C之上方環形轉盤31C在研磨位置與第六搬送位置TP6之間移動，並在第六搬送位置TP6進行朝上方環形轉盤31C的晶圓收送。第四研磨單元3D之上方環形轉盤31D在研磨位置與第七搬送位置TP7之間移動，並在第七搬送位置TP7進行朝上方環形轉盤31D的晶圓收送。

在第一搬送位置TP1配置有用於從搬送機器人22接收晶圓之升降機11。晶圓經由該升降機11而從搬送機器人22送至第一線性傳輸機6。位於升降機11與搬送機器人22之間，於分隔壁1a上設有快門（無圖示），而於搬送晶圓時，快門打開，讓晶圓從搬送機器人22送交至升降機11。此外，在第一線性傳輸機6、第二線性傳輸機7、與清洗部4之間配置有搖擺傳輸機12。此搖擺傳輸機12具有可在第四搬送位置TP4與第五搬送位置TP5之間移動的機器手，從第一線性傳輸機6朝第二線性傳輸機7晶圓收送係藉由搖擺傳輸機12進行。晶圓藉由第二線性傳輸機7搬送至第三研磨單元3C及/或第四研磨單元3D。此外，經研磨部3研磨後之晶圓經由搖擺傳輸機12而搬送至清洗部4。清洗部4劃分成：第一清洗室190、第一搬送室191、第二清洗室192、第二搬送室193、及乾燥室194。

圖2係示意地顯示上方環形轉盤31A之構造的剖面圖。上方環形轉盤31A經由萬能接頭37而連結於上方環形轉盤軸桿36的下端。萬能接頭37係球接頭，其容許上方環形轉盤31A與上方環形轉盤軸桿36互相傾斜移動，並將上方環形轉盤軸桿36之旋轉傳達至上方環形轉盤31A。上方環形轉盤31A具備：概略圓盤狀之上方環形轉盤本體38、及配置於上方環形轉盤本體38之下部的扣環40。上方環形轉盤本體38由金屬或陶瓷等強度及剛性高的材料形成。此外，扣環40由剛性高之樹脂材料或陶瓷等形成。另外，亦可將扣環40與上方環形轉盤本體38一體地形成。

在形成於上方環形轉盤本體38及扣環40內側之空間內，收容有抵接於晶圓W之圓形的彈性墊42。彈性墊42安裝於上方環形轉盤本體38的下面。彈性墊42中設有4個壓力室（氣囊）P1、P2、P3、P4。在壓力室P1、P2、P3、P4中可分別經由流體路徑51、52、53、54供給加壓空氣等之加壓流體，或是進行真空吸引。中央之壓力室P1係圓形，其他壓力室P2、P3、P4係環狀。此等壓力室P1、P2、P3、P4排列於同心圓上。

壓力室P1、P2、P3、P4之內部壓力可藉由壓力調整部（無圖示）而相互獨立地變化，藉此，可獨立地調整對晶圓W之4個區域，亦即中央部、內側中間部、外側中間部、及周緣部的按壓力。此外，藉由使整個上方環形轉盤31A升降，可以指定之按壓力將扣環40按壓於研磨墊10。

晶圓W之周端部被扣環40包圍，讓晶圓W不致在研磨中從上方環形轉盤31A彈出。在構成壓力室P3之彈性墊42的部位形成有開口（無圖示），藉由將壓力室P3形成真空，可讓晶圓W吸附保持於上方環形轉盤31A。此外，藉由在該壓力室P3中供給氮氣、乾燥空氣、壓縮空氣等，讓晶圓W從上方環形轉盤31A釋放。

在扣環40與上方環形轉盤本體38之間配置有彈性囊46，在其彈性囊46之內部形成有壓力室P6。扣環40相對於上方環形轉盤本體38可相對地上下移動。壓力室P6中連通有流體路徑56，讓加壓空氣等之加壓流體通過流體路徑56而供給至壓力室P6。壓力室P6之內部壓力可藉由壓力調整部（後述）來調整。因此，可與對晶圓W之按壓力獨立地來調整扣環40對研磨墊10的按壓力。

圖3(a)係顯示扣環台與上方環形轉盤之位置關係的側視圖，圖3(b)係顯示扣環台與搬送載台之位置關係的俯視圖。以下就配置於第二搬送位置TP2之扣環台進行說明。

扣環台143具備：上推上方環形轉盤31A之扣環40的複數個上推機構144；及支撐此等上推機構144之支撐座145。上推機構144之高度方向的位置在上方環形轉盤31A與第一線性傳輸機6的搬送載台之間。此外，如圖3(b)所示，上推機構144與搬送載台係配置成彼此不接觸。

圖4(a)係顯示上推機構144之剖面圖，圖4(b)係顯示接觸扣環時之上推機構144的剖面圖。上推機構144具備：接觸於扣環40之上推銷146；作為按壓機構將上推銷146推至上方之彈簧147；及收容上推銷146及彈簧147之收容盒148。上推機構144配置於上推銷146與扣環40之下面相對的位置。上方環形轉盤31A下降時，扣環40之下面接觸上推銷146。如圖4(b)所示，扣環40被上推銷146上推，而移動到比晶圓W還上方的位置。

如上述，在將彈性囊46之內部開放於大氣的狀態下，扣環40藉由上推銷146而上推時，會有導因於殘留於彈性囊46內部之空氣而造成扣環40無法完全移動到比晶圓W還上方的位置之虞。在該狀態下釋放晶圓W時，會有晶圓W接觸扣環40而造成晶圓W破損之虞。

在此，設有可確實釋放晶圓W，而不損壞晶圓W之基板處理系統。以下，參照圖式就基板處理系統的細節進行說明。

圖5係顯示基板處理系統之圖。如圖5所示，基板處理系統200具備：上方環形轉盤31（亦即，31A至31D），其具備可上下移動之扣環40、及使扣環40上下移動之彈性囊46；連結於彈性囊46之真空形成機構220；及連接於真空形成機構220之控制裝置5。

基板處理系統200具備圖1所示之基板處理裝置的全部或一部分元件。一種實施形態係基板處理系統200亦可具備與圖1所示之控制裝置5不同的控制裝置。

上方環形轉盤軸桿36連接於經由上方環形轉盤軸桿36而使上方環形轉盤31上下移動的上下移動裝置202。上下移動裝置202之一例係伺服馬達或空氣汽缸。以下，在本說明書中，係將上下移動裝置202作為伺服馬達來說明。伺服馬達202具備：電性連接於控制裝置5之馬達驅動器202a；及連接於馬達驅動器202a之馬達本體202b。伺服馬達202按照來自控制裝置5之指令驅動，上方環形轉盤軸桿36及上方環形轉盤31藉由伺服馬達202而一體地上下移動。

流體路徑56連接有用於將加壓流體供給至彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）之加壓管線205。加壓管線205中安裝有：調整供給至彈性囊46之加壓流體的壓力之壓力調整部206；及在加壓流體之流動方向，配置於壓力調整部206之下游側的加壓閥（開閉閥）207。此等壓力調整部206及加壓閥207電性連接於控制裝置5。控制裝置5可分別控制壓力調整部206及加壓閥207。

流體路徑56連接有用於在彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）形成真空之真空管線210。在真空管線210上，安裝有真空裝置211及真空閥（開閉閥）212。真空閥212電性連接於控制裝置5。

驅動真空裝置211時，經由真空管線210及流體路徑56而在彈性囊46中形成真空。控制裝置5使真空閥212動作，而在彈性囊46內部形成真空，或是遮斷真空的形成。真空管線210、真空裝置211、及真空閥212構成真空形成機構220。

在流體路徑56上，連接有用於將彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）開放於大氣的大氣開放管線215。在大氣開放管線215上，安裝有大氣開放閥（開閉閥）216。大氣開放閥216電性連接於控制裝置5。在關閉加壓閥207及真空閥212之狀態下，當打開大氣開放閥216時，彈性囊46會開放於大氣。

控制裝置5具備：儲存程式之記憶裝置5a；及按照程式執行運算之處理裝置5b。由電腦構成之控制裝置5按照電性儲存於記憶裝置5a之程式而動作。程式含有指令，其使處理裝置5b執行測量下降到上方環形轉盤下降位置之上方環形轉盤31的高度之動作，並使處理裝置5b執行比較上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置的動作，並依據上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置的比較結果來說，使真空形成機構220執行在彈性囊46內部形成真空之動作。

換言之，控制裝置5執行以下步驟：使上下移動裝置202執行使上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置之步驟；測量下降之上方環形轉盤31的高度；比較上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置之步驟；及依據上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置的比較結果，使真空形成機構220執行在彈性囊46內部形成真空之步驟。

此等用於使控制裝置5執行步驟之程式係記錄於非暫時性有形物之電腦可讀取的記錄媒體，並經由記錄媒體提供至控制裝置5。此外，程式亦可經由網際網路或區域網路等之通信網路而從通信裝置（無圖示）輸入控制裝置5。

控制裝置5藉由執行如此步驟，可使扣環40確實上升直到將扣環40之下面配置於比晶圓W之上面還高的位置。結果來說，即使釋放晶圓W，晶圓W仍不致接觸扣環40而防止晶圓W破損。

以下，參照圖式具體說明控制裝置5可執行之步驟。圖6係顯示控制裝置5之動作的一種實施形態之流程圖。圖7(a)至圖7(d)係用於說明基板處理系統200之元件的動作圖。另外，在圖7(a)至圖7(d)中，符號VSP表示開始吸引位置，符號TLP表示上方環形轉盤下降位置。

如圖6及圖7(a)所示，控制裝置5輸出指令至上下移動裝置202（本實施形態係伺服馬達202），開始上方環形轉盤31（參照步驟S101）的下降。此時，上方環形轉盤31配置於比開始吸引位置還上方。上方環形轉盤31開始下降時，顯示上方環形轉盤31高度之位置資料從伺服馬達202傳送至控制裝置5。控制裝置5依據從伺服馬達202傳送之位置資料測量上方環形轉盤31的高度（參照步驟S102）。

以下，就測量上方環形轉盤31之高度的上下移動裝置202之一例構成進行說明。如上述，上下移動裝置202連接於上方環形轉盤軸桿36。上下移動裝置202藉由設於其內部之感測器（例如編碼器），檢測上方環形轉盤軸桿36從指定之基準位置起的位移。該位移相當於上方環形轉盤31的位置的位移。

上下移動裝置202使上方環形轉盤31從基準位置下降（或上升）時，上下移動裝置202檢測上方環形轉盤31從基準位置起的位移量，並作為位置資料而傳送至控制裝置5。控制裝置5依據從上下移動裝置202所傳送之位置資料，測量上方環形轉盤31的位置，亦即上方環形轉盤31之高度。在一種實施形態中，控制裝置5亦可將顯示位置資料與上方環形轉盤31之高度的相關關係之資料預先記憶於記憶裝置5a。

圖8係顯示檢測上方環形轉盤31之高度的距離感測器之圖。一種實施形態中，基板處理系統200亦可具備檢測與上方環形轉盤31之距離的距離感測器240。距離感測器240電性連接於控制裝置5。距離感測器240配置於上方環形轉盤31的上方。距離感測器240檢測上方環形轉盤31從基準位置起之位移量，並將顯示該位移量之位置資料傳送至控制裝置5。控制裝置5依據從距離感測器240所傳送之位置資料測量上方環形轉盤31的高度。

回到圖6，在步驟S102之後，控制裝置5比較上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置，判斷上方環形轉盤31之高度是否比開始吸引位置還低（參照步驟S103）。上方環形轉盤31之高度不比開始吸引位置低時，亦即，上方環形轉盤31之高度在開始吸引位置以上時（參照步驟S103之「否」），控制裝置5回到步驟S101，執行上方環形轉盤31之下降動作。

當上方環形轉盤31之高度變成比開始吸引位置還低時（參照步驟S103之「是」），如圖7(b)所示，控制裝置5使真空形成機構220動作，在彈性囊46之內部形成真空（參照步驟S104）。

控制裝置5係構成來使真空形成機構220動作，而在彈性囊46內部形成第一真空壓力、及比第一真空壓力還小之第二真空壓力。第一真空壓力係比第二真空壓力還接近大氣壓的壓力。因此，開始將彈性囊46內部抽成真空時，首先係在彈性囊46內部形成第一真空壓力，然後，形成第二真空壓力。

第一真空壓力係使彈性囊46收縮直到扣環40上升的壓力，第二真空壓力係使彈性囊46完全收縮的壓力。因此，在彈性囊46內部形成第一真空壓力時，彈性囊46會收縮，而扣環40上升。在彈性囊46內部形成第二真空壓力時，彈性囊46會完全收縮。

圖6之步驟S104係控制裝置5逐漸將彈性囊46內部抽成真空，而在彈性囊46內部形成第一真空壓力。結果來說，如圖7(b)所示，扣環40藉由彈性囊46之收縮而上升到不與上方環形轉盤本體38之下面接觸的高度。圖7(b)係扣環40之下面上升到與晶圓W之下面相同高度。

在將上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置之前，當彈性囊46內部形成第二真空壓力時，在彈性囊46之一部分起了皺紋的狀態下，彈性囊46會有完全收縮之虞。結果來說，扣環40會有無法正常上升之虞。因此，控制裝置5控制上下移動裝置202（及/或真空形成機構220），在彈性囊46內部形成第二真空壓力之前，使上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置。

如步驟S105所示，控制裝置5使上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置。如圖7(c)所示，當上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置時，扣環40之下面接觸上推銷146（參照圖5），扣環40藉由上推銷146稍微上推。此時，彈簧147藉由扣環40而稍微收縮。然後，扣環40藉由彈簧147之施加力而被上推銷146完全上推（參照圖7(d)）。結果來說，扣環40移動到比晶圓W上方的位置。

如此，控制裝置5將上方環形轉盤31之高度比開始吸引位置還低作為條件，而將真空形成機構220，更具體而言為真空閥212打開。當打開真空閥212時，彈性囊46內部會被抽成真空。因此，基板處理系統200可防止會阻礙扣環40正常上升之空氣殘留於彈性囊46內部，上推銷146可使扣環40確實移動到比晶圓W還上方的位置。結果來說，基板處理系統200可防止導因於晶圓W與扣環40接觸所造成晶圓W破損，並可確實釋放晶圓W。

開始吸引位置係用於開始將彈性囊46內部抽成真空的位置，且可設定任意之值。開始吸引位置係常數或可變。一種實施形態中，開始吸引位置亦可為在扣環40接觸上推銷146後，扣環40上升結束前之與上方環形轉盤31高度相當的位置。

在彈性囊46之一部分起皺紋的狀態（亦即，扭曲變形之狀態）下，當彈性囊46內部被抽成真空時，彈性囊46係收縮使其一部分重疊。因此，因彈性囊46重疊，扣環40會有不完全上升之虞。當扣環40藉由上推銷146被上推時，彈性囊46係被壓扁使其剖面成為橢圓（亦即，成為橫向變寬）。在此時間點，藉由將彈性囊46內部抽成真空，可將彈性囊46內部抽成真空而不會於彈性囊46之一部分起皺紋。

將彈性囊46內部抽成真空的時間點不限定於上述時間點。其他實施形態中，開始吸引位置亦可為上方環形轉盤31開始下降後，扣環40接觸上推銷146之前與上方環形轉盤31高度相當的位置。

當上推銷146上推扣環40時，彈性囊46的下推力（換言之，彈簧反作用力）會作用於將上推銷146推至上方之彈簧147（參照圖4）上。此種彈簧反作用力會成為縮短彈簧147壽命的原因。採用本實施形態時，因藉由在彈性囊46內部形成真空，可降低作用於彈簧147之負荷，所以可延長彈簧147的壽命。

扣環40因在晶圓W研磨中與研磨墊之研磨面滑動接觸，所以扣環40之下面會逐漸磨損。在一種實施形態中，上述程式亦可包含指令，使處理裝置5b執行測量扣環40之磨損量的動作，並使處理裝置5b執行將與扣環40之磨損量相當的距離（值）反映至開始吸引位置之動作。

測量扣環40磨損量之方法的一例如下。如圖5所示，基板處理系統200具備測量扣環40之高度的高度測量感測器230。

圖9係顯示具備高度測量感測器230之扣環台143的立體圖。高度測量感測器230設置於支撐上推機構144之支撐座145，並固定高度測量感測器230與上推機構144之相對位置。高度測量感測器230具備：配置於扣環40下方之接觸部230a；及固定了接觸部230a之感測部230b。高度測量感測器230電性連接於控制裝置5。作為高度測量感測器230之一例，可舉出位移感測器。

當扣環40下降時，扣環40之下面接觸高度測量感測器230的接觸部230a。當扣環40進一步下降時，接觸部230a移動至下方。感測部230b檢測接觸部230a之移動作為扣環40的位移。控制裝置5取得藉由高度測量感測器230所檢測的高度資料，來測量扣環40之位移。

高度測量感測器230之測量值會依扣環40的磨損量而變化。因此，控制裝置5依據扣環40之位移的變化來測量扣環40之磨損量。控制裝置5亦可按處理指定片數之晶圓W，執行該磨損量的測量。

控制裝置5將與扣環40之磨損量相當的距離反映至開始吸引位置。例如，控制裝置5將開始吸引位置以該距離量下降。藉由此種構成，控制裝置5不會受到扣環40磨損之影響，可隨時在穩定之時間點執行抽真空。

圖10係顯示扣環40之高度隨時間變化的曲線圖。如圖10所示，控制裝置5藉由高度測量感測器230測量扣環40之高度隨時間的變化，直到上方環形轉盤31到達上方環形轉盤下降位置。圖10中，控制裝置5測量扣環40之高度隨時間變化的過調量。此處，「扣環40之高度」是指高度測量感測器230之感測器輸出。感測器輸出可以下列公式表示。 感測器輸出＝上方環形轉盤之下降量－彈性囊之收縮量

發生此種過調現象之一般理由如下。控制裝置5在將彈性囊46內部開放於大氣的狀態下，當使上方環形轉盤31下降時，扣環40接觸上推銷146（參照圖10之P1）。導因於殘留於彈性囊46內部之空氣，扣環40會稍微下推上推銷146（參照圖10之P2）。然後，上推銷146抵抗扣環40（彈性囊46）之下推力而上推扣環40，而使扣環40完全上升。

因此，從扣環40接觸上推銷146直到扣環40開始上升之間，扣環40之高度隨時間的變化稱為過調現象。當發生過調現象時，直到扣環40完全上升之間，並無法釋放晶圓W。結果來說，製程整體之處理量降低。

圖11係顯示控制裝置5之動作的其他實施形態之流程圖。圖11所示之實施形態中，控制裝置5係構成為自動變更開始吸引位置。圖11所示之實施形態的控制裝置5可解決導因於上述過調現象的問題。如圖11之步驟S201所示，執行開始吸引位置之自動變更時，控制裝置5將開始吸引位置決定於上方環形轉盤下降位置（開始吸引位置＝上方環形轉盤下降位置）。一種實施形態中，控制裝置5亦可將開始吸引位置決定於比上方環形轉盤下降位置還高的位置（開始吸引位置＞上方環形轉盤下降位置）。

如圖11之步驟S202及步驟S203所示，控制裝置5開始下降上方環形轉盤31，並測量上方環形轉盤31之高度。然後，控制裝置5比較上方環形轉盤31之高度與開始吸引位置，判斷上方環形轉盤31之高度是否在開始吸引位置以下（參照步驟S204）。上方環形轉盤31之高度並非在開始吸引位置以下時，亦即，上方環形轉盤31之高度比開始吸引位置還高時（參照步驟S204之「否」），控制裝置5回到步驟S202，（繼續）執行上方環形轉盤31之下降動作。

上方環形轉盤31之高度在開始吸引位置以下時（參照步驟S204之「是」），控制裝置5使真空形成機構220動作，將彈性囊46內部形成真空（參照步驟S205）。然後，控制裝置5使上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置（參照步驟S206）。如上述，在開始吸引位置之變更動作的初期時，因開始吸引位置及上方環形轉盤下降位置相同，所以控制裝置5省略步驟S206。

如圖11之步驟S207所示，控制裝置5判斷過調量是否在容許範圍內，過調量不在容許範圍內時，亦即，過調量在容許範圍外時，將開始吸引位置變更至比上方環形轉盤下降位置還高的位置（參照步驟S208）。

在一實施形態中，控制裝置5亦可使開始吸引位置比初期時之位置（本實施形態係上方環形轉盤下降位置）上升指定數值（例如，1mm）量。該數值可任意設定。其他實施形態之控制裝置5亦可依據扣環40的最下降位置與最上升位置之間的距離來決定開始吸引位置的變更。

圖12係顯示扣環40之最下降位置及最上升位置的圖。如圖12所示，扣環40之最下降位置係扣環40下降最低時扣環40下面的位置。扣環40之最上升位置係扣環40上升最高時扣環40下面的位置。控制裝置5亦可以指定之比率分割該最下降位置與最上升位置之間的距離，並將經分割之數值反映至開始吸引位置的變更。

在圖11的步驟S208之後，控制裝置5再度執行步驟S202至步驟S207，判斷過調量是否在容許範圍內。過調量不在容許範圍內時，控制裝置5將開始吸引位置變更至比上方環形轉盤下降位置還高之位置的動作反覆進行，直到過調量收斂至容許範圍內。

藉由執行此種動作，在上推銷146被扣環40（彈性囊46）下推之前，控制裝置5可開始將彈性囊46內部抽成真空。因此，基板處理系統200可降低扣環40之高度的過調量，結果來說，可迅速釋放晶圓W。

當開始吸引位置過高時，在上方環形轉盤31到達上方環形轉盤下降位置之前，在彈性囊46內部有可能會形成第二真空壓力。因此，控制裝置5在彈性囊46內部形成第二真空壓力之前，將開始吸引位置決定在上方環形轉盤31到達上方環形轉盤下降位置的高度。

圖13係顯示控制裝置5之動作的又其他實施形態之流程圖。圖13所示之實施形態中，控制裝置5執行確認扣環40是否已完全上升到指定的上升位置之動作。如上述，在彈性囊46之一部分起皺紋的狀態（亦即，扭曲變形之狀態）下，當彈性囊46內部抽成真空時，彈性囊46係收縮使其一部分重疊。此時，會有扣環40不完全上升之虞。

在此，控制裝置5亦可執行判斷扣環40是否已完全上升之動作。如圖13之步驟S301至步驟S303所示，控制裝置5開始下降上方環形轉盤31，在彈性囊46內部形成真空，並使上方環形轉盤31下降到上方環形轉盤下降位置。

然後，控制裝置5依據從高度測量感測器230取得之高度資料測量扣環40的高度（參照步驟S304），判斷所測量之扣環40的高度是否比過去測量到之扣環40的高度還高（參照步驟S305）。在一種實施形態中，過去測量到之扣環40的高度亦可為過去複數次測量到之扣環40高度的平均。其他實施形態中，過去測量到之扣環40的高度亦可為剛測量到的扣環40高度。

所測量之扣環40的高度比過去測量到之扣環40的高度還高時（參照步驟S305之「是」），控制裝置5判斷成扣環40尚未完全上升，而決定開始重試動作（參照步驟S306）。然後，控制裝置5使上方環形轉盤31上升到指定的位置（參照步驟S307），並在彈性囊46內部供給加壓流體後，將彈性囊46之內部開放於大氣（參照步驟S308）。然後，控制裝置5再度執行步驟S301。

所測量之扣環40的高度不比過去測量到之扣環40的高度還高時（參照步驟S305之「否」），亦即，所測量之扣環40的高度在過去測量到之扣環40的高度以下時，控制裝置5判斷為扣環40已完全上升。然後，釋放晶圓W。

因此，控制裝置5依據過去測量到之扣環40的高度，決定是否執行重試動作。依本實施形態，控制裝置5係判斷為扣環40已完全上升，然後，釋放晶圓W。因此，基板處理系統200可更確實地釋放晶圓W。

在一種實施形態中，控制裝置5亦可依據過去複數次測量到扣環40的高度的平均或是剛測量到的扣環40之高度，來決定重試臨限值。重試臨限值亦可係常數。顯示測量到之扣環40的高度的數值比重試臨限值還高時，控制裝置5亦可執行重試動作。

使上述全部實施形態之控制裝置5動作的程式亦可儲存於記憶裝置5a。上述全部實施形態在可能的限度內亦可組合。控制裝置5亦可在可能的限度內組合圖6、圖11、及圖13之實施形態來執行控制流程。

圖14係示意地顯示上方環形轉盤31A之構造的剖面圖。上方環形轉盤31A經由萬能接頭37而連結於上方環形轉盤軸桿36的下端。萬能接頭37係為球接頭，其容許上方環形轉盤31A與上方環形轉盤軸桿36互相傾斜移動，並且將上方環形轉盤軸桿36之旋轉傳達至上方環形轉盤31A。上方環形轉盤31A具備：概略圓盤狀之上方環形轉盤本體38；及配置於上方環形轉盤本體38下部之扣環40。上方環形轉盤本體38係由金屬或陶瓷等強度及剛性高的材料形成。此外，扣環40係由剛性高之樹脂材料或陶瓷等形成。

在形成於上方環形轉盤本體38及扣環40內側的空間內收容有抵接於晶圓W之圓形的彈性墊42。彈性墊42安裝於上方環形轉盤本體38的下面。彈性墊42中設有4個壓力室（氣囊）P1、P2、P3、P4。壓力室P1、P2、P3、P4中可分別經由流體路徑51、52、53、54供給加壓空氣等之加壓流體，或是被抽成真空。中央之壓力室P1係圓形，其他壓力室P2、P3、P4係環狀。此等壓力室P1、P2、P3、P4排列於同心圓上。

壓力室P1、P2、P3、P4之內部壓力藉由壓力調整部（無圖示）可相互獨立地變化，藉此，可獨立調整對晶圓W之4個區域，亦即對中央部、內側中間部、外側中間部、及周緣部的按壓力。此外，藉由使整個上方環形轉盤31A升降，可將扣環40以指定之按壓力按壓於研磨墊10。

晶圓W之周端部被扣環40包圍，讓研磨中晶圓W不會從上方環形轉盤31A彈出。在構成壓力室P3之彈性墊42的部位形成有開口（無圖示），藉由在壓力室P3中形成真空可將晶圓W吸附保持於上方環形轉盤31A。此外，藉由在該壓力室P3中供給氮氣、乾燥空氣、壓縮空氣等，可從上方環形轉盤31A釋放晶圓W。

在扣環40與上方環形轉盤本體38之間配置有彈性囊46，在其彈性囊46內部形成有壓力室P6。扣環40可對上方環形轉盤本體38相對地上下移動。壓力室P6中連通有流體路徑56，加壓空氣等之加壓流體可通過流體路徑56供給至壓力室P6。藉由壓力調整部（後述）而可壓力室P6之內部壓力調整。因此，可獨立於對晶圓W之按壓力而調整扣環40對研磨墊10的按壓力。

圖15(a)係顯示上推機構144之剖面圖，圖15(b)係顯示與扣環接觸時之上推機構144的剖面圖。上推機構144具備：接觸於扣環40之上推銷146；作為將上推銷146推至上方之按壓機構的彈簧147；及收容上推銷146及彈簧147之收容盒148。上推機構144將上推銷146配置於與扣環40之下面相對的位置。上方環形轉盤31A下降時，扣環40之下面接觸上推銷146。如圖15(b)所示，扣環40被上推銷146上推，而移動至比晶圓W還上方的位置。

如上述，扣環40未確實安裝於上方環形轉盤本體38時，會有扣環40無法正常上升之虞。當在該狀態下釋放晶圓W時，晶圓W可能會接觸扣環40而會有晶圓W破損之虞。

在此，設有基板處理系統，其判斷是否將扣環40確實安裝於上方環形轉盤本體38。以下，參照圖式就基板處理系統詳細說明。

圖16係顯示基板處理系統之圖。如圖16所示，基板處理系統200具備：具備可上下移動之扣環40、及使扣環40上下移動之彈性囊46的上方環形轉盤31（亦即，31A至31D）；連結於彈性囊46之真空形成機構220；及連接於真空形成機構220之控制裝置5。

基板處理系統200具備圖1所示之基板處理裝置的全部或一部分之元件。在一種實施形態中，基板處理系統200亦可具備與圖1所示之控制裝置5不同的控制裝置。

上方環形轉盤軸桿36連接於經由上方環形轉盤軸桿36而使上方環形轉盤31上下移動的上下移動裝置202。上下移動裝置202之一例係伺服馬達或空氣汽缸。以下，在本說明書中，係將上下移動裝置202作為伺服馬達來說明。伺服馬達202具備：電性連接於控制裝置5之馬達驅動器202a；及連接於馬達驅動器202a之馬達本體202b。伺服馬達202按照來自控制裝置5之指令驅動，上方環形轉盤軸桿36及上方環形轉盤31藉由伺服馬達202而一體地上下移動。

流體路徑56連接有用於將加壓流體供給至彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）之加壓管線205。加壓管線205中安裝有：調整供給至彈性囊46之加壓流體的壓力之壓力調整部206；及在加壓流體之流動方向，配置於壓力調整部206之下游側的加壓閥（開閉閥）207。此等壓力調整部206及加壓閥207電性連接於控制裝置5。控制裝置5可分別控制壓力調整部206及加壓閥207。

流體路徑56連接有用於在彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）形成真空之真空管線210。真空管線210中安裝有真空裝置211及真空閥（開閉閥）212。真空閥212電性連接於控制裝置5。

當驅動真空裝置211時，經由真空管線210及流體路徑56而在彈性囊46中形成真空。控制裝置5使真空閥212動作，而在彈性囊46內部形成真空，或是遮斷真空的形成。真空管線210、真空裝置211、及真空閥212構成真空形成機構220。

流體路徑56連接有用於將彈性囊46內部（更具體而言，係壓力室P6）開放於大氣的大氣開放管線215。大氣開放管線215中安裝有大氣開放閥（開閉閥）216。大氣開放閥216電性連接於控制裝置5。在關閉加壓閥207及真空閥212之狀態下，當打開大氣開放閥216時，彈性囊46開放於大氣。

如圖16所示，上方環形轉盤軸桿36連接於經由上方環形轉盤軸桿36而使上方環形轉盤31旋轉的旋轉裝置302。旋轉裝置302之一例係伺服馬達。旋轉裝置302具備：電性連接於控制裝置5之馬達驅動器302a；連接於馬達驅動器302a之馬達本體302b；及檢測上方環形轉盤31之旋轉角度的旋轉編碼器302c。旋轉編碼器302c係檢測上方環形轉盤31之旋轉角度的旋轉角度檢測器。另外，旋轉角度檢測器具備檢測上方環形轉盤31之旋轉角度的構成即可，並不限定於旋轉編碼器。

旋轉裝置302按照來自控制裝置5之指令被驅動，上方環形轉盤軸桿36及上方環形轉盤31藉由旋轉裝置302而一體地旋轉。控制裝置5依據藉由旋轉編碼器302c檢測之值取得上方環形轉盤31的旋轉角度。旋轉裝置302按照來自控制裝置5之指令使上方環形轉盤31旋轉指定的旋轉角度量。

控制裝置5具備：儲存了程式之記憶裝置5a；及按照程式執行運算之處理裝置5b。由電腦構成之控制裝置5按照電性儲存於記憶裝置5a之程式而動作。程式使處理裝置5b執行比較在扣環40之圓周方向上扣環40之高度分布與指定之判定基準的動作，並依據扣環40之高度分布與判定基準的比較結果，使處理裝置5b執行判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38的安裝異常之動作。

換言之，控制裝置5執行以下步驟：使處理裝置5b執行比較在扣環40之圓周方向上扣環40之高度分布與指定之判定基準的動作之步驟；及依據扣環40之高度分布與判定基準的比較結果，使處理裝置5b執行判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38的安裝異常之動作之步驟。

用於使控制裝置5執行此等步驟之程式係記錄於非暫時性有形物之電腦可讀取的記錄媒體，並經由記錄媒體提供至控制裝置5。此外，程式亦可經由網際網路或區域網路等之通信網路而從通信裝置（無圖示）輸入控制裝置5。

以下，就取得扣環40之高度分布的機構之一例進行說明。如圖16所示，基板處理系統200具備電性連接於控制裝置5，且直接或間接測量扣環40之高度分布的測量裝置300。

圖16所示之實施形態中，測量裝置300係具備高度測量感測器230，其具備：可與扣環40之下面40a接觸的接觸部230a；及檢測接觸部230a在鉛直方向之移動的感測部230b。高度測量感測器230之一例可舉出位移感測器。

高度測量感測器230設置於支撐上推機構144（參照圖15）之支撐座145，並固定高度測量感測器230與上推機構144之相對位置。

在將扣環40配置於接觸部230a之上方的狀態下，當上方環形轉盤31下降時，扣環40之下面40a與高度測量感測器230的接觸部230a接觸。當上方環形轉盤31進一步下降時，接觸部230a在扣環40接觸的狀態下移動至下方。

上方環形轉盤31繼續下降直到到達指定的下降位置。感測部230b檢測接觸部230a在鉛直方向之移動，作為扣環40的位移（亦即，扣環40之高度資料），並將扣環40之高度資料傳送至控制裝置5。控制裝置5依據該高度資料取得扣環40之高度。

本說明書之扣環40的高度係相當於從上方環形轉盤本體38突出於下方之扣環40的突出部分之長度。圖15(a)及圖15(b)中，扣環40之高度相當於上方環形轉盤本體38之基準面38a與扣環40的下面40a之間的距離Dt。

圖17係顯示扣環40之複數個旋轉角度位置的圖。如圖17所示，控制裝置5依據在扣環40的複數個旋轉角度位置上扣環40的高度，取得扣環40之高度分布。在圖17所示之實施形態中，旋轉角度位置包含：0度位置（或360度位置）、60度位置、120度位置、180度位置、240度位置、及300度位置。

控制裝置5在6個旋轉角度位置取得扣環40之高度，並依據扣環40在此等複數個旋轉角度位置之高度而取得扣環40的高度分布。在一種實施形態中，控制裝置5亦可至少取得在2個旋轉角度位置之扣環40的高度分布。以下，就藉由控制裝置5取得扣環40之高度分布的動作，參照圖式說明。

圖18係顯示測量在扣環40的複數個旋轉角度位置上扣環40的高度之流程圖。首先，控制裝置5使上下移動裝置202動作，並使上方環形轉盤31上升到指定的高度。如圖18之步驟S101所示，控制裝置5依據藉由旋轉裝置302所檢測之現在的旋轉角度位置，使旋轉裝置302動作，並使上方環形轉盤31旋轉到指定之旋轉角度基準位置（在圖17所示之實施形態中，係在0度位置）。

如圖17所示，在0度位置上扣環40的下方配置有高度測量感測器230。在該狀態下，控制裝置5使上方環形轉盤31下降到指定之下降位置，測量扣環40在0度位置之高度（參照步驟S102）。測量扣環40之高度後，控制裝置5使上方環形轉盤31上升到指定的高度（參照步驟S103）。

在一種實施形態中，控制裝置5亦可在彈性囊46內部形成了真空之狀態下，使上下移動裝置202動作，而使上方環形轉盤31下降。在其他實施形態中，控制裝置5亦可在將彈性囊46內部開放於大氣之狀態下，使上下移動裝置202動作而使上方環形轉盤31下降。又在其他實施形態中，控制裝置5亦可在彈性囊46內部供給加壓流體之狀態下，使上下移動裝置202動作而使上方環形轉盤31下降。

如圖18之步驟S104所示，控制裝置5使旋轉裝置302動作，而使上方環形轉盤31旋轉指定之旋轉角度量（在圖17所示之實施形態中，係60度）（參照圖17之順時鐘方向的箭頭）。然後，控制裝置5與步驟S102同樣地，使上方環形轉盤31下降到指定的下降位置，測量在60度位置上扣環40之高度（參照步驟S105）。

控制裝置5重複與步驟S104及步驟S105同樣之步驟，直到測量在全部的旋轉角度位置上扣環40的高度（參照步驟S106之「否」）。控制裝置5測量了在全部旋轉角度位置上扣環40之高度時（參照步驟S106之「是」），結束測量扣環40之高度的動作。

如此，控制裝置5藉由執行圖18所示之流程圖，測量在複數個旋轉角度位置上扣環40之高度，並依據所測量之扣環40的高度，而可取得在扣環40之圓周方向上扣環40之高度分布。

圖19係顯示具備複數個高度測量感測器之測量裝置300的圖。如圖19所示，測量裝置300亦可具備沿著扣環40之圓周方向而等間隔配置的複數個高度測量感測器230A,230B、230C、230D、230E、230F。高度測量感測器230數量不限定於圖19所示之實施形態。亦可至少設置2個高度測量感測器230。在一種實施形態中，高度測量感測器230之數量亦可對應於扣環40在旋轉角度位置的數量。

在圖19所示之實施形態中，測量裝置300係具備複數個高度測量感測器230。因此，控制裝置5亦可省略使旋轉裝置302動作，並使上方環形轉盤31旋轉指定之旋轉角度量的動作（參照圖18之步驟S104）。

如上述，控制裝置5比較取得之扣環40的高度分布與指定之判定基準，來判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38的安裝異常。以下，就控制裝置5判斷扣環40之安裝異常的動作，參照圖式進行說明。

圖20至圖22係顯示判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38的安裝異常之流程圖。如圖20之步驟S201所示，控制裝置5使處理裝置5b執行比較從扣環40之高度分布所獲得的最大值與容許上限值之動作。容許上限值係顯示扣環40之高度的容許上限之值。上述判定基準包含該容許上限值。

然後，控制裝置5將上述最大值比容許上限值還大作為條件，使處理裝置5b執行判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38之安裝異常的動作。更具體而言，如圖20之步驟S202所示，控制裝置5判定扣環40之高度的最大值是否比容許上限值還大，最大值比容許上限值還大時（參照步驟S202之「是」），控制裝置5判斷扣環40之安裝異常，並發出錯誤信號。作業人員依據從控制裝置5所發出之錯誤信號，拆卸扣環40及彈性囊46，再度執行裝配上方環形轉盤31之作業。

扣環40之高度的最大值比容許上限值還大時之安裝異常原因之一例如下。如上述，彈性囊46配置於上方環形轉盤本體38與扣環40之間。因此，在彈性囊46安裝不適切狀態下，當藉由上推銷146（參照圖16）上推扣環40時，扣環40被彈性囊46阻礙，無法整體地完整上升。結果來說，控制裝置5會判斷扣環40之安裝異常。

返回圖20，扣環40之高度的最大值比容許上限值還小時（參照步驟S202之「否」），控制裝置5執行圖21所示之步驟。如圖21之步驟S301所示，控制裝置5使處理裝置5b執行比較從扣環40之高度分布所獲得的最小值與容許下限值之動作。容許下限值係顯示扣環40之高度的容許下限之值。上述判定基準包含該容許下限值。

控制裝置5將上述最小值比容許下限值小作為條件，使處理裝置5b執行判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38之安裝異常的動作。更具體而言，如圖21之步驟S302所示，控制裝置5判定扣環40之高度的最小值是否比容許下限值還小，最小值比容許下限值還小時（參照步驟S302之「是」），控制裝置5判斷扣環40之安裝異常，並發出錯誤信號。

扣環40之高度的最小值比容許下限值小時之安裝異常原因的一例如下。在不安裝彈性囊46，而裝配上方環形轉盤31之狀態下，當扣環40藉由上推銷146（參照圖16）被上推時，扣環40會過度地上升與彈性囊46之厚度相當的距離量。

此外，扣環40因在晶圓W研磨中會與研磨墊10之研磨面滑動接觸，扣環40之下面40a會逐漸磨損。因此，安裝了已異常磨損之扣環40時，顯示扣環40高度之值會異常地變小。結果來說，控制裝置5會判斷扣環40之安裝異常。

返回圖21，最小值比容許下限值還大時（參照步驟S302之「否」），控制裝置5執行圖22所示之步驟。如圖22之步驟S401所示，控制裝置5算出從扣環40之高度分布所獲得的最大值與最小值之間的差分值，並使處理裝置5b執行比較該差分值與容許差分值之動作。容許差分值係顯示扣環40之高度的容許上限與容許下限之間的容許差分之值。上述判定基準包含該容許差分值。

控制裝置5將上述差分值比容許差分值還大作為條件，使處理裝置5b執行判斷扣環40朝上方環形轉盤本體38之安裝異常的動作。更具體而言，如圖22之步驟S402所示，差分值比容許差分值大時（參照步驟S402之「是」），控制裝置5判斷扣環40之安裝異常，並發出錯誤信號。

扣環40之高度的差分值比容許差分值還大時之安裝異常原因的一例如下。扣環40之高度的差分值大表示扣環40傾斜。在彈性囊46之一部分起皺紋的狀態（亦即，變形成扭曲之狀態）下安裝彈性囊46時，當扣環40藉由上推銷146（參照圖16）被上推時，扣環40之一部分因彈性囊46重疊而無法完全上升。另外，扣環40之其他部分正常上升。結果來說，控制裝置5會判斷扣環40之安裝異常。

返回圖22，差分值比容許差分值還小時（參照步驟S402之「否」），控制裝置5決定扣環40已正常安裝於上方環形轉盤本體38，並結束安裝異常之判斷動作。

根據本實施形態，控制裝置5藉由比較扣環40之高度分布與指定的判定基準，可判斷扣環40之安裝異常。因此，基板處理系統200可判斷是否已將扣環40確實安裝於上方環形轉盤本體38。

控制裝置5亦可在更換扣環40後，首先搬送晶圓W時，自動執行上述之安裝異常的判斷動作。藉由如此構成，基板處理裝置可在扣環40之安裝異常的狀態下，減少進行晶圓生產之風險。在一種實施形態中，亦可在更換扣環40後，由作業人員手動執行上述安裝異常之判斷動作。

上述實施形態之測量裝置300係構成為藉由高度測量感測器230直接測量扣環40之高度。如以下實施形態之說明，測量裝置300亦可構成為間接測量扣環40之高度分布。

圖23係顯示測量裝置300之其他實施形態的圖。未特別說明之本實施形態的構成因與上述實施形態相同，所以省略其重複之說明。測量裝置300具備檢測在鉛直方向移動之扣環40的壓力之壓力測量感測器310。壓力測量感測器310具備：可與扣環40之下面40a接觸的接觸部310a；及檢測扣環40作用於接觸部310a之力的感測部310b。

壓力測量感測器310支撐於支撐座315。壓力測量感測器310之接觸部310a從支撐座315的上面315a露出。當扣環40與上方環形轉盤31一同下降時，扣環40之下面40a按壓於壓力測量感測器310的接觸部310a。感測部310b檢測扣環40作用於接觸部310a之力，並將扣環40之壓力資料傳送至控制裝置5。控制裝置5依據該壓力資料取得扣環40的壓力。

控制裝置5依據在複數個旋轉角度位置（參照圖17）上扣環40之壓力而取得扣環40的壓力分布。更具體而言，控制裝置5執行與圖18所示之步驟S101至步驟S106同樣的動作，而取得扣環40之壓力分布。

在複數個旋轉角度位置上扣環40之高度不同時，在複數個旋轉角度位置上，扣環40作用於接觸部310a之力會依扣環40的高度而異。如此，因扣環40的壓力與扣環40的高度之間存在相關的關係，所以扣環40之壓力分布相當於扣環40的高度分布。因此，測量裝置300亦可表現為間接測量扣環40之高度分布。

控制裝置5比較取得之扣環40的壓力分布與指定之判定基準，來判斷扣環40之安裝異常。更具體而言，控制裝置5在取得扣環40之壓力分布後，執行與圖20至圖22所示之流程圖同樣的動作，來判斷扣環40之安裝異常。判定基準包含：顯示與扣環40之高度相當的壓力容許上限之容許上限值；顯示與扣環40之高度相當的壓力容許下限之容許下限值；及與扣環40之高度相當之壓力容許上限與容許下限之間的容許差分值。

圖24係顯示具備複數個壓力測量感測器310之測量裝置300的圖。如圖24所示，測量裝置300亦可具備沿著支撐座315（亦即，扣環40）之圓周方向而等間隔配置的複數個壓力測量感測器310A、310B、310C、310D、310E、310F。壓力測量感測器310之數量不限定於圖24所示的實施形態。亦可至少設置2個壓力測量感測器310。

圖24所示之實施形態中，因測量裝置300具備複數個壓力測量感測器310，所以控制裝置5亦可省略使上方環形轉盤31旋轉指定之旋轉角度量的動作（參照圖18之步驟S104）。

上述實施形態中，控制裝置5比較記憶於記憶裝置5a中之指定的判定基準、與扣環40之高度分布（亦即，壓力分布），來判斷扣環40之安裝異常。在一種實施形態中，控制裝置5亦可依據藉由機器學習演算法而建立之模型所輸出的判定基準，來判斷扣環40之安裝異常。

藉由使用藉由機器學習演算法所建立之模型，可自動且精確生成判定基準。藉由使用此種判定基準，控制裝置5可將晶圓W之釋放的成功率最大化，並且實現基板處理裝置之處理量（亦即，每單位時間的處理能力）之最大化。

圖25係用於說明建立學習完成模型之方法的圖。以下，說明將晶圓W之釋放的成功率最大化，並且實現基板處理裝置之處理量的最大化之具體構成。

控制裝置5係構成為藉由深層學習等之機器學習演算法，包含多樣要素來學習判定基準，而生成最佳判定基準。建立學習完成模型時，首先，收集資料，製作原始資料之集合體（參照圖25）。

資料之收集係涵蓋廣範圍進行。收集之資料不限定於藉由測量裝置300所測量的物理量（亦即，扣環40之高度、扣環40之壓力）。例如，資料包含：配置於基板處理裝置之各種感測器的測量值（例如，上下移動裝置202之測量值、旋轉裝置302之測量值）、配置於基板處理裝置之各元件的材料（例如，彈性囊46之特徵（種類、尺寸等）、扣環40之特徵（種類、尺寸等）、由作業人員輸入至基板處理裝置之參數等的各種要素。

其次，從原始資料之集合體製作用於建立（及更新）學習完成模型所需的學習用資料集。若過度嚴格設定判定基準時，雖然晶圓W之釋放的成功率會變高，但是控制裝置5判定錯誤之比率也會變高。結果來說，會造成基板處理裝置之處理量降低。反之，過度寬鬆設定判定基準時，雖然控制裝置5判定錯誤之比率會變低，但是晶圓W之釋放的成功率也會變低。結果來說，會造成基板處理裝置之處理量降低。

因此，在本實施形態中，係使用由實際判定基準、依據實際判定基準之晶圓W的釋放成功率、及依據實際判定基準之基板處理裝置的處理量之組合所構成之資料集來建立模型。

在一種實施形態中，係在模型之建立中，將學習資料之說明變數作為判定基準，可賦予學習資料之目的變數作為表示晶圓W之釋放成功率、及基板處理裝置之處理量是否良好的數值。

如圖25所示，使用類神經網路或量子計算進行機器學習來建立學習完成模型。使用類神經網路或量子計算之機器學習宜為深度學習法（Deep Learning法）。深度學習法係將隱藏層（亦稱為中間層）多層化之類神經網路作為基礎的學習法。

記憶裝置5a記憶有藉由機器學習演算法所建立的模型，處理裝置5b至少將晶圓W之研磨條件、及在該研磨條件下使用之扣環40的種類輸入模型，並執行用於從模型輸出用於判斷扣環40之安裝異常的判定基準之運算。從模型所輸出之基準亦可被反映至用於更新學習完成模型之學習資料集。

上述實施形態係以具有本發明所屬之技術領域的一般知識者可實施本發明為目的而記載者。熟悉本技術之業者當然可形成上述實施形態之各種修改例，本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此，本發明不限定於所記載之實施形態，應係按照藉由申請專利範圍所定義之技術性思想的最廣範圍。

1:機架 1a,1b:分隔壁 2:裝載/卸載部 3:研磨部 3A,3B,3C,3D研磨單元 4:清洗部 5:控制裝置 5a:記憶裝置 5b:處理裝置 6:第一線性傳輸機 7:第二線性傳輸機 10:研磨墊 11:升降機 12:搖擺傳輸機 20:前裝載部 21:行駛機構 22:搬送機器人 30A,30B,30C,30D:研磨台 31A,31B,31C,31D:上方環形轉盤 32A,32B,32C,32D:研磨液供給噴嘴 33A,33B,33C,33D:修整器 34A,34B,34C,34D:霧化器 36:上方環形轉盤軸桿 37:萬能接頭 38:上方環形轉盤本體 38a:基準面 40:扣環 40a:下面 42:彈性墊 46:彈性囊 51~54,56:流體路徑 143:扣環台 144:上推機構 145:支撐座 146:上推銷 147:彈簧 148:收容盒 190:第一清洗室 191:第一搬送室 192:第二清洗室 193:第二搬送室 194:乾燥室 200:基板處理系統 202:上下移動裝置 202a:馬達驅動器 202b:馬達本體 205:加壓管線 206:壓力調整部 207:加壓閥 210:真空管線 211:真空裝置 212:真空閥 215:大氣開放管線 216:大氣開放閥 220:真空形成機構 230,230A,230B,230C,230D,230E,230F:高度測量感測器 230a:接觸部 230b:感測部 240:距離感測器 300:測量裝置 302:旋轉裝置 302a:馬達驅動器 302b:馬達本體 302c:旋轉編碼器 310,310A,310B,310C,310D,310E,310F:壓力測量感測器 310a:接觸部 310b:感測部 315:支撐座 315a:上面 Dt:距離 P1,P2,P3,P4,P6:壓力室 TP1:第一搬送位置 TP2:第二搬送位置 TP3:第三搬送位置 TP4:第四搬送位置 TP5:第五搬送位置 TP6:第六搬送位置 TP7:第七搬送位置 W:晶圓

圖1係顯示基板處理裝置之一種實施形態的俯視圖。 圖2係示意地顯示上方環形轉盤之構造的剖面圖。 圖3(a)係顯示扣環台與上方環形轉盤之位置關係的側視圖，圖3(b)係顯示扣環台與搬送載台之位置關係的俯視圖。 圖4(a)係顯示上推機構之剖面圖，圖4(b)係顯示與扣環接觸時之上推機構的剖面圖。 圖5係顯示基板處理系統之圖。 圖6係顯示控制裝置之動作的一種實施形態之流程圖。 圖7(a)至圖7(d)係用於說明基板處理系統之元件的動作圖。 圖8係顯示檢測上方環形轉盤之高度的距離感測器之圖。 圖9係顯示具備高度測量感測器之扣環台的立體圖。 圖10係顯示扣環之高度隨時間變化的曲線圖。 圖11係顯示控制裝置之動作的其他實施形態之流程圖。 圖12係顯示扣環之最下降位置及最上升位置的圖。 圖13係顯示控制裝置之動作的又其他實施形態之流程圖。 圖14係示意地顯示上方環形轉盤之構造的剖面圖。 圖15(a)係顯示上推機構之剖面圖，圖15(b)係顯示與扣環接觸時之上推機構的剖面圖。 圖16係顯示基板處理系統之圖。 圖17係顯示扣環之複數個旋轉角度位置的圖。 圖18係顯示測量在扣環的複數個旋轉角度位置上扣環的高度之流程圖。 圖19係顯示具備複數個高度測量感測器之測量裝置的圖。 圖20係顯示判斷扣環朝上方環形轉盤本體安裝異常之流程圖。 圖21係顯示判斷扣環朝上方環形轉盤本體安裝異常之流程圖。 圖22係顯示判斷扣環朝上方環形轉盤本體安裝異常之流程圖。 圖23係顯示測量裝置之其他實施形態的圖。 圖24係顯示具備複數個壓力測量感測器之測量裝置的圖。 圖25係用於說明建立學習完成模型之方法的圖。

S101:步驟

S102:步驟

S103:步驟

S104:步驟

S105:步驟

Claims (26)

1. 一種基板處理系統，係具備： 上方環形轉盤，其係具備：可上下移動之扣環、及使前述扣環上下移動之彈性囊； 真空形成機構，其係連結於前述彈性囊；及 控制裝置，其係連接於前述真空形成機構； 前述控制裝置具備：記憶裝置，其係儲存了程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算； 前述程式係使前述處理裝置執行測量下降到上方環形轉盤下降位置之前述上方環形轉盤的高度之動作，並使前述處理裝置執行比較前述上方環形轉盤之高度與開始吸引位置的動作，並依據前述上方環形轉盤之高度與前述開始吸引位置的比較結果，使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作。
2. 如請求項1之基板處理系統，其中前述程式係將前述上方環形轉盤之高度比前述開始吸引位置還低作為條件，而使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作。
3. 如請求項1之基板處理系統，其中前述程式係使前述處理裝置執行測量前述扣環之高度隨時間變化的動作，直到前述上方環形轉盤到達前述上方環形轉盤下降位置，並使前述處理裝置執行比較前述時間變化之過調（Overshoot）量是否在指定的容許範圍內之動作，並將前述過調量不在前述容許範圍內作為條件，使前述處理裝置執行將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的動作。
4. 如請求項3之基板處理系統，其中前述程式係使前述處理裝置執行將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的動作反覆進行的動作，直到前述過調量收斂至前述容許範圍內。
5. 如請求項3之基板處理系統，其中前述程式係使前述處理裝置依據前述扣環的最下降位置與最上升位置之間的距離，執行將前述開始吸引位置變更之動作。
6. 如請求項1之基板處理系統，其中前述程式係使前述處理裝置執行測量前述扣環之磨損量的動作，並使前述處理裝置執行將與前述扣環之磨損量相當的距離反映至前述開始吸引位置的動作。
7. 如請求項1至6中任一項之基板處理系統，其中前述程式係在前述上方環形轉盤下降到上方環形轉盤下降位置之後，使前述處理裝置執行測量前述扣環之高度的動作，並使前述處理裝置執行判斷所測量之前述扣環的高度是否比過去測量到之扣環的高度還高之動作，並以所測量之前述扣環的高度比過去測量到之扣環的高度還高為條件，使前述處理裝置執行決定將使前述上方環形轉盤再度下降之重試動作開始的動作。
8. 一種非暫時性電腦可讀取之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式：使上方環形轉盤上下移動裝置執行使上方環形轉盤下降到上方環形轉盤下降位置之步驟，前述上方環形轉盤具備可上下移動之扣環、及使前述扣環上下移動之彈性囊； 測量下降之前述上方環形轉盤之高度之步驟； 執行比較前述上方環形轉盤之高度與開始吸引位置的動作之步驟；及 使連結於前述彈性囊之真空形成機構執行依據前述上方環形轉盤之高度與前述開始吸引位置的比較結果，在前述彈性囊之內部形成真空的動作之步驟。
9. 如請求項8之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 將前述上方環形轉盤之高度比前述開始吸引位置還低作為條件，而使前述真空形成機構執行在前述彈性囊內部形成真空之動作之步驟。
10. 如請求項8之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 測量前述扣環之高度隨時間的變化，直到前述上方環形轉盤到達前述上方環形轉盤下降位置之步驟； 比較前述時間變化之過調量是否在指定的容許範圍內之步驟；及 將前述過調量不在前述容許範圍內作為條件，將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高的位置之步驟。
11. 如請求項10之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 將前述開始吸引位置變更至比前述上方環形轉盤下降位置還高之位置的步驟反覆進行，直到前述過調量收斂至前述容許範圍內之步驟。
12. 如請求項10之記錄媒體，其記錄了係用於使電腦執行以下步驟之程式： 依據前述扣環的最下降位置與最上升位置之間的距離，變更前述開始吸引位置之步驟。
13. 如請求項8之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 測量前述扣環之磨損量之步驟；及 將與前述扣環之磨損量相當的距離反映至前述開始吸引位置之步驟。
14. 如請求項8至13中任一項之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 在前述上方環形轉盤下降到前述上方環形轉盤下降位置後，測量前述扣環之高度之步驟； 判斷所測量之前述扣環高度是否比過去測量到之扣環的高度還高； 將所測量之前述扣環高度比過去測量到的扣環高度還高為條件，決定將使前述上方環形轉盤再度下降的重試動作開始之步驟。
15. 一種基板處理系統，係具備： 上方環形轉盤，其係具備：扣環、及安裝了前述扣環之上方環形轉盤本體； 測量裝置，其係直接或間接地測量前述扣環之高度分布；及 控制裝置，其係具備：記憶裝置，其係連接於前述測量裝置，並儲存了程式；及處理裝置，其係按照前述程式執行運算； 前述程式係使前述處理裝置執行比較前述扣環之高度分布與指定之判定基準的動作，並依據前述扣環之高度分布與前述判定基準的比較結果，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。
16. 如請求項15之基板處理系統，其中前述判定基準係含有顯示前述扣環高度之容許上限的容許上限值， 前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最大值與前述容許上限值之動作，並將前述最大值比前述容許上限值還大作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。
17. 如請求項15之基板處理系統，其中前述判定基準係含有顯示前述扣環高度之容許下限的容許下限值， 前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最小值與前述容許下限值之動作，並將前述最小值比前述容許下限值還小作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。
18. 如請求項15之基板處理系統，其中前述判定基準係含有前述扣環高度的容許上限與容許下限之間的容許差分值， 前述程式使前述處理裝置執行比較從前述扣環之高度分布所獲得的最大值與最小值之間的差分值與前述容許差分值之動作，並將前述差分值比前述容許差分值還大作為條件，使前述處理裝置執行判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之動作。
19. 如請求項15之基板處理系統，其中前述測量裝置係具備高度測量感測器，其係檢測前述扣環在鉛直方向之移動， 前述控制裝置依據藉由前述高度測量感測器所檢測之前述扣環在複數個旋轉角度位置上的高度資料，使前述處理裝置執行取得前述扣環之高度分布的動作。
20. 如請求項15之基板處理系統，其中前述測量裝置係具備壓力測量感測器，其係檢測在鉛直方向移動之前述扣環的壓力， 前述控制裝置使前述處理裝置依據藉由前述壓力測量感測器所檢測之前述扣環在複數個旋轉角度位置上的壓力資料，執行取得與前述扣環之高度分布相當的前述扣環之壓力分布的動作。
21. 如請求項15至20中任一項之基板處理系統，其中前述記憶裝置係記憶有藉由機器學習演算法所建立的模型， 前述處理裝置至少將基板之研磨條件、及所使用之扣環的種類輸入前述模型，執行用於從前述模型輸出前述判定基準之運算。
22. 如請求項21之基板處理系統，其中前述模型依據由實際之判定基準、依據實際判定基準之基板的釋放成功率、及依據實際判定基準之基板處理裝置的處理量之組合所構成的資料集來建立。
23. 一種非暫時性電腦可讀取的記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 執行比較安裝於上方環形轉盤本體之扣環的高度分布與指定之判定基準的動作之步驟；及 執行依據前述扣環之高度分布與前述判定基準的比較結果，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常的動作之步驟。
24. 如請求項23之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 比較從前述扣環之高度分布獲得的最大值與顯示前述扣環之高度容許上限的容許上限值之步驟；及 將前述最大值比前述容許上限值還大作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之步驟。
25. 如請求項23之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 比較從前述扣環之高度分布所獲得的最小值與顯示前述扣環之高度容許下限的容許下限值之步驟；及 將前述最小值比前述容許下限值還小作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體之安裝異常之步驟。
26. 如請求項23至25中任一項之記錄媒體，其記錄了用於使電腦執行以下步驟之程式： 比較從前述扣環之高度分布獲得的最大值與最小值之間的差分值與前述扣環之高度容許上限與容許下限之間的容許差分值之步驟；及 將前述差分值比前述容許差分值大作為條件，判斷前述扣環朝前述上方環形轉盤本體安裝異常之步驟。

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