JP2024508534A - 化学機械研磨における絶縁流体ライン - Google Patents

Abstract

研磨アセンブリが、化学機械研磨システム、流体源、および流体源から化学機械研磨システム内へ流体を運ぶ流体送出導管を含む。化学機械研磨システムは、研磨パッドを支持するプラテン、基板を支持するとともに基板を研磨パッドと接触した状態にするキャリアヘッド、およびプラテンとキャリアヘッドとの間に相対運動を引き起こすモータを含む。流体送出導管は、電気絶縁配管と、配管の外直径の周りに配管の第１の端部から配管の第２の端部まで巻き付けられた導電性ラッパと、導電性ラッパの第１の端部に装着された導電線と、を含む。導電性ラッパは静電放電を導くように構成され、導電線は導電性ラッパから静電放電を接地源へ導くように構成される。
【選択図】図３

Description

本開示は、化学機械研磨（ＣＭＰ）に関し、より詳細にはＣＭＰにおける流体送出に関する。

集積回路は、通常、半導体ウエハ上に導電層、半導体層、または絶縁層を逐次堆積させることにより基板上に形成される。様々な製造プロセスは基板上の層の平坦化を必要とする。例えば、１つの製造ステップには、非平面の表面の上に充填層を堆積させ、この充填層を平坦化する必要がある。いくつかの応用例では、充填層は、パターン化層の上面が露出されるまで、または所定の厚さの材料が下層の上に残存するまで平坦化される。

化学機械研磨（ＣＭＰ）は、１つの受け入れられている平坦化方法である。この平坦化方法は、通常、基板がキャリアヘッド上に取り付けられる必要がある。基板の露出面は、通常、回転研磨パッドに当てて配置される。キャリアヘッドは、キャリアヘッドを研磨パッドに押し付けるために基板上に制御可能な荷重を与える。研磨粒子を有する研磨スラリが、典型的には研磨パッドの表面に供給される。研磨プロセスから破片を除去するために研磨パッド上に洗浄流体、例えば脱イオン水を噴霧することができる。

一態様では、研磨アセンブリが、化学機械研磨システム、流体源、および流体源から化学機械研磨システム内へ流体を運ぶ流体送出導管を含む。化学機械研磨システムは、研磨パッドを支持するプラテン、基板を支持するとともに基板を研磨パッドと接触した状態にするキャリアヘッド、およびプラテンとキャリアパッドとの間に相対運動を引き起こすモータを含む。流体送出導管は、電気絶縁配管（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｉｎｓｕｌａｔｉｖｅ ｔｕｂｉｎｇ）と、配管の外直径に周りに配管の第１の端部から配管の第２の端部まで巻き付けられた導電性ラッパ（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｗｒａｐｐｅｒ）であって、静電放電を流すように構成された導電性ラッパと、導電性ラッパの第１の端部に装着された導電線であって、導電性ラッパから静電放電を接地源へ導くように構成された導電線と、を含む。

別の態様では、流体を化学機械研磨システム内へ流すように構成された電気絶縁配管が、配管の外直径の周りに配管の第１の端部から配管の第２の端部まで巻き付けられた導電性ラッパであって、静電荷（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈａｒｇｅ）を導くように構成された導電性ラッパと、導電性ラッパに装着された導電線であって、導電性ラッパから静電放電を共通接地源へ導くように構成された導電線と、を含む。

別の態様では、流体導管を製造する方法が、配管の周りに導電性ラッパを巻き付けること、および導電性ラッパに導電線を結合すること、を含む。配管は、流体を化学機械研磨アセンブリ内へ流すように構成され、導電性ラッパは、静電荷を導くために静電放電保護アセンブリを形成するように構成される。

諸実装形態は、下記の特徴のうちの１つまたは複数を含むことができる。流体源は、洗浄液を保持するリザーバを含むことができる。流体が静電放電保護アセンブリに流され得る。流体を静電放電保護アセンブリに流すのに応答して、配管上に静電荷が生成され得る。静電荷は、配管から導電性ラッパおよび導電線を通って共通接地源へ放電され得る。

考えられる利点としては、下記のうちの１つまたは複数を含むことができるが、これらに限定されるものではない。

流体送出ラインからの静電放電の危険性、したがって化学機械研磨システム内の流体送出ラインまたは他の構成要素を損傷させる危険性を軽減することができる。絶縁配管は、容易にかつ低コストで製造することができる。配管に流れる流体はさらなる汚染の危険性がない。

１つまたは複数の実装形態の詳細は、添付図面および以下の説明に記載されている。他の態様、特徴、および利点は、本明細書および図面から、また特許請求の範囲から明らかになるであろう。

研磨装置の研磨ステーションの一例の概略断面図である。 化学機械研磨装置の研磨ステーション例の上面図である。 化学機械研磨システム内の導管用の静電放電保護アセンブリを有する配管の部分断面の概略斜視図である。 配管の概略断面正面図である。 配管の端部の概略断面側面図である。

種々の図面内の同様の参照符号は同様の要素を示す。

化学機械研磨システムは、かなり多種の流体、例えば脱イオン水、スチーム、窒素ガスを送出するためにかなり多数の流体送出ラインを含む。例えば、典型的なシステムは、スラリを研磨パッドへ運ぶ流体送出ライン、研磨破片を除去するために洗浄液を研磨パッドへ運ぶ流体送出ライン、研磨プロセスの温度を制御するために加熱もしくは冷却された流体を研磨パッドへ運ぶ流体送出ライン、キャリアヘッド内の圧力の空気圧制御用の加圧ガスを運ぶ流体送出ライン、などを含むことができる。これらの流体送出ライン内に蓄積される静電気は、摩擦充電または静電誘導で引き起こされる可能性がある。蓄積された静電気が過大になると、静電放電が流体送出ラインに沿って構成要素および配管を損傷させることになり得る。特に、静電気は、高温ガス、例えばスチームを運ぶ流体ライン内に特に生じやすい。蒸気と温度が組み合わさると、スチームを使用しない従来のシステム内では見られない摩擦充電をもたらす可能性がある。

静電散逸（ＥＳＤ）配管のための従来の手法は、配管の内側に例えば炭素の導電層を配置することである。しかしながら、配管の内側をコーティングする材料の粒子が流体によって研磨システムへ運ばれ、その結果、基板の汚染および基板上の欠陥をもたらす可能性がある。さらに、研磨環境は、湿気がありかつ研磨スラリで濡れている可能性があり、したがって配管の外側の導電層は、酸化および環境的摩耗を受ける可能性がある。

適切であり得る技法は、導電性材料が巻き付けられ、次いで導電性材料の上に付着された熱収縮配管が巻き付けられたポリマー配管を使用することである。次いで導電性材料を接地することができる。

図１および図２は、化学機械研磨システムの研磨ステーション２０の一例を示す。研磨ステーション２０は回転可能なディスク状プラテン２４を含み、プラテン上には研磨パッド３０がある。プラテン２４は、軸線２５を中心に回転する（図２の矢印Ａ参照）ように動作可能である。例えば、モータ２２が、駆動シャフト２８を回してプラテン２４を回転させることができる。研磨パッド３０は、外側研磨層３４および軟質バッキング層３２を有する２層研磨パッドとすることができる。

研磨ステーション２０は、研磨スラリなどの研磨液４２を研磨パッド３０上に分注するために、例えばスラリ送出アーム４３の端部に供給ポート４０を含むことができる。研磨液３８は、例えばポンプによって、リザーバ４４から流体送出ライン４４を通って送出され得る。

研磨ステーション２０は、研磨パッド３０の表面粗さを維持するために、コンディショナーディスク９２（図２参照）を有するパッドコンディショナー９０を含むことができる。コンディショナーディスク９２は、アーム９４の端部にあるコンディショナーヘッド９３内に配置され得る。コンディショナーディスク９２を研磨パッド３０に当てて加圧することは、空気圧で、例えば、流体送出ライン９６内の加圧ガス、例えばＮ_２によって制御され得る。

キャリアヘッド５０は、基板１０を研磨パッド３０に当てて保持するように動作可能である。キャリアヘッド５０は、キャリアヘッドの下の基板１０の横方向位置を維持するために、保持リング５６も含むことができる。キャリアヘッド５０は、支持構造６０、例えばカルーセルまたはトラックからつるされ、キャリアヘッドが軸線５１を中心に回転することができるように、駆動シャフト６２によってキャリアヘッド回転モータ６４に連結される。随意に、キャリアヘッド５０は、トラックに沿って動くことによるか、またはカルーセル自体の回転振動により、例えばカルーセル上のスライダ上で、横方向に振動することができる。

キャリアヘッド５０は、基板１０の裏面に接触する基板取付け面を有する可撓性膜５４と、基板１０上の異なるゾーン、例えば異なる半径方向のゾーンに異なる圧力を加える複数の加圧可能チャンバ５２ａ～５２ｃと、を含むことができる。チャンバ５２ａ～５２ｃへの圧力は、圧力調整器５８ａ～５８ｃによって制御され得る。圧力調整器５８ａ～５８ｃは、回転ユニオンおよび駆動シャフト６２を挿通し、加圧ガス、例えばＮ_２をそれぞれのチャンバ５２ａ～５２ｃへ運ぶ空気圧ライン５９を介してそれぞれのチャンバ５２ａ～５２ｃに結合され得る。

運転中、プラテンは、プラテンの中心軸線２５を中心に回転させられ、キャリアヘッドは、キャリアヘッドの中心軸線５１を中心に回転させられ（図２の矢印Ｂ参照）、研磨パッド３０の上面を横切って横方向に平行移動させられる（図２の矢印Ｃ参照）。

キャリアヘッド５０およびコンディショナーヘッド９２は研磨パッド３０を横切って掃除するので、露出面はスラリで覆われた状態になりやすい。例えば、スラリは、保持リング５６の外直径表面または内直径表面にくっつく可能性がある。一般に、湿潤状態に保たれない表面があると、スラリは凝固しかつ／または完全に乾きがちであり、その結果、部品および微粒子の腐食ならびに基板上の欠陥をもたらす。１つの解決策が、構成要素、例えばキャリアヘッド５０およびコンディショナーヘッド９２を、例えば水もしくはスチームのジェットで洗浄することである。キャリアヘッド用のキャリアヘッドクリーナ、例えばスチーム処理アセンブリは、研磨システム内のロードカップの一部とすることができる。同様に、コンディショナーヘッド用のコンディショナーヘッドクリーナ、例えばスチーム処理アセンブリは、コンディショナーヘッド洗浄カップの一部とすることができる。いずれにせよ、配管が洗浄流体、例えば液体水またはスチームをクリーナへ運ぶ必要がある。

いくつかの実装形態では、研磨ステーション２０は、研磨ステーションまたは研磨ステーションの／内の構成要素内の温度、例えば、研磨パッド３０および／または研磨パッド上の研磨液３８の温度を監視するために温度センサ８０を含む。例えば、温度センサ８０は、赤外線（ＩＲ）センサ、例えばＩＲカメラとすることができる。代替的にまたは加えて、温度センサは、非接触センサ以外の接触センサとすることができる。例えば、温度センサ８０は、プラテン２４上／内の熱電対またはＩＲ温度計とすることができる。加えて、温度センサ８０は、研磨パッドと直接接触した状態にすることができる。

研磨システム２０は、研磨パッド３０および／または研磨パッド上の研磨液３８の温度を制御する温度制御システム１００も含むことができる。温度制御システム１００は、冷却システム１０２および／または加熱システム１０４を含むことができる。冷却システム１０２および加熱システム１０４の少なくとも一方、いくつかの実装形態では両方が、温度制御媒体、例えば液体、蒸気またはスプレーを研磨パッド３０の研磨面３６上に（または研磨パッド上に既に存在している研磨液上に）送出することで動作する。

図１に示されているように、温度制御システム例１００は、プラテン２２および研磨パッド３０の上に延びる１つまたは複数のアーム１１０を含む。多数のノズル１２０が各アーム１１０からぶら下げられるかまたは各アーム１１０内に形成され、各ノズル１２０は、温度制御流体を研磨パッド３０上に送出するように、例えば、流体を研磨パッド３０上に噴霧するように構成される。

冷却システムとして動作するには、温度制御流体は冷却材である。冷却材は、ガス、例えば空気、または液体、例えば水である。冷却材は、室温または室温より低い冷却温度、例えば５～１５℃とすることができる。冷却システム１０２内に使用される冷却材は、例えば、冷水、液体窒素、または液体窒素および／またはドライアイスから形成されたガスを含むことができる。いくつかの実装形態では、液体、例えば水、エタノールまたはイソプロピルアルコールの小滴をガス流に付加することができる。いくつかの実装形態では、冷却システムは、空気および液体のスプレー、例えば、液体、例えば水のエアロゾル化されたスプレーを使用する。特に、冷却システムは、室温未満に冷却された水のエアロゾル化されたスプレーを生成するノズルを有することができる。

図２に示されているように、冷却システム１０２は、液体冷却材媒体のソース１３０および／またはガス冷却材媒体のソース１３２を含むことができる。ソース１３０からの液体およびソース１３２からのガスは、ノズル１２０を通って、例えばスプレー１２２を形成するように方向付けられる前に、配管１３２、１３６によってアーム１１０へ、そしてアーム１１０の内部で運ばれ得る。この冷却材は、分注されるときに、室温未満、例えば－１００～２０℃、例えば０℃未満とすることができる。

ガス源１３２からのガス、例えば圧縮ガスは、圧縮ガスを低温ストリームおよび高温ストリームに分離し、ノズル１２０への低温ストリームを研磨パッド３０上に向けることができる渦管５０に接続され得る。いくつかの実装形態では、ノズル１２０は、圧縮ガスの低温ストリームを研磨パッド３０上に向ける渦管の下端部である。

加熱システムとして動作するには、温度制御流体は加熱流体である。加熱流体は、ガス、例えばスチームもしくは加熱空気、または液体、例えば加熱水、あるいはガスと液体の混合物とすることができる。加熱流体は、室温より高い、例えば４０～１２０℃、例えば９０～１１０℃である。流体は、実質的に純粋な脱イオン水や添加物または化学物質を含む水などの水とすることができる。いくつかの実装形態では、加熱システムは、スチームのスプレー、またはスチームと液体水の混合物のスプレーを使用する。スチームは、添加物または化学物質を含むことができる。

図２に示されているように、加熱システム１０４は、加熱液体、例えば温水のソース１４０、および／または加熱ガス、例えばスチームのソース１４２を含むことができる。例えば、ソース１４２はボイラとすることができる。ソース１４０からの液体およびソース１４２からのガスは、ノズル１２０を通ってスプレー１２２を形成するように方向付けられる前に、配管１４４、１４６によってアーム１１０へ、そしてアーム１１０の内部で運ばれ得る。

プラテン２４の回転方向に沿って、加熱システム１０４のアーム１１０ｂは、冷却システム１１０ａのアーム１１０とキャリアヘッド７０との間に配置され得る。プラテン２４の回転方向に沿って、加熱システム１０４のアーム１４０は、冷却システム１０２のアーム１１０ａとスラリディスペンサアーム４３との間に配置され得る。例えば、冷却システム１０２のアーム１１０ａ、加熱システム１０４のアーム１１０ｂ、スラリディスペンサアーム４３、およびキャリアヘッド７０は、プラテン２４の回転方向に沿ってその順序で配置され得る。

温度制御システム１００は、別個のアームではなく、冷却材と加熱流体の両方を分注する単一アームを含むことができる。

選択的にまたは加えて、研磨プロセスの温度を制御するために、他の技法が温度制御システム１００によって使用され得る。例えば、研磨液４２が分注される前に研磨液４２の温度を上げるまたは下げるために、加熱流体または冷却流体、例えばスチームまたは冷水を研磨液４２（例えばスラリ）に注入することができる。別の例として、抵抗加熱器が、研磨パッド３０を加熱するためにプラテン２２内に支持され、かつ／または基板１０を加熱するためにキャリアヘッド５０内に支持され得る。

層の研磨中にスラリおよび研磨パッドの温度を緩和することにより、酸化セリウムなどの電荷運搬研磨剤の間の相互作用の増大が可能になる。温度制御を用いることにより、材料除去速度は、研磨パッドの物理パラメータを調節すること、ならびに帯電セリアと充填層との間の化学的相互作用特性を変えることの両方により有益に高めることができる。

いくつかの実装形態では、コントローラ９０は、温度センサ８０から信号を受け取り、閉ループ制御アルゴリズムを実行して、研磨プロセスを所望の温度に保つように、温度制御システム１００、例えば、冷却材または加熱流体関係物の流量、混合比、圧力、または温度を制御する。

いくつかの実装形態では、現場監視システムが基板の研磨速度を測定し、コントローラ９０は、閉ループ制御アルゴリズムを実行して、研磨速度を所望の速度に保つように、温度制御システム、例えば、冷却材または加熱流体関係物の流量または温度を制御する。

研磨システム２０は、高圧リンスシステム１０６も含むことができる。高圧リンスシステム１０６は、パッド３０を洗い、使用済みスラリや研磨破片などを除去するために洗浄流体、例えば水を高強度で研磨パッド３０上へ向ける複数のノズル１５０、例えば３～２０個のノズルを含む。洗浄流体は、洗浄流体のソース１５６、例えば脱イオン水のリザーバから配管１５２を経由してノズル１５０まで流れることができる。

リンスシステム例１０６は、プラテン２４および研磨パッド３０の上に延びるアーム１１０ｃを含む。プラテン２４の回転方向に沿って、リンスシステム１０６のアーム１１０ｃは、冷却システム１０２のアーム１１０ａと加熱システム１０４のアーム１１０ｂとの間にあり得る。

いくつかの実装形態では、研磨システム２０は、研磨液４０を研磨パッド３０全体に均等に分散させるために、ワイパブレードまたは本体１７０を含む。プラテン２４の回転方向に沿って、ワイパブレード１７０は、スラリディスペンサ４０とキャリアヘッド７０との間にあり得る。

図２は、各サブシステム、例えば加熱システム１０２、冷却システム１０４およびリンスシステム１０６用の別々のアームを示しているが、様々なサブシステムが、共通アームによって支持された単一アセンブリ内に含まれ得る。様々な流体送出構成要素、例えば配管や通路などが各本体の内部に延びることができる。

図３、図４Ａおよび図４Ｂは、化学機械研磨システムでの使用に適している流体送出ライン２００を示す。流体送出ライン２００は、研磨液用の流体送出ライン４４、キャリアヘッド用の空気圧ライン５９、コンディショナーヘッド用の流体送出ライン９６、冷却システム用の配管１３４、１３６、加熱システム用の配管１４４、１４６、高圧リンスシステム用の配管１５２、空気圧流体および／または洗浄流体をロードカップおよび／またはコンディショナークリーナカップへ、例えば液体水またはスチームをクリーナへ運ぶための配管、のうちの１つまたは複数に使用することができる。

流体ライン２００は、蒸気と温度を組み合わせると、室温のガスまたは液体中で生じないかもしれない静電荷の蓄積をもたらす可能性があるので、高温ガス、例えばスチームを運ぶのに特によく適していることができる。例えば、流体送出ライン２００は、ソース１４２、例えばボイラから高温ガス、例えばスチームを送出する配管１４６として、あるいはロードカップおよび／またはコンディショナークリーナカップ内のキャリアヘッドおよび／またはコンディショナーヘッドを洗浄するためのスチームを送出する配管として使用され得る。

流体送出ライン２００はポリマー配管２１０を含み、ポリマー配管は導電層２２０によって巻き付けられる。ポリマー配管は、最高１００°までの温度に対して電気的に絶縁性でありかつ耐性のある材料とすることができ、送出ライン２００を通過する流体に対して不活性であり、研磨プロセスに対して不活性である。例えば、ポリマー配管は、ペルフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）とすることができる。ポリマー配管２１０は、流体が流れる内部チャネル２１２を有する。

導電層２２０が、ポリマー配管２１０の周りに流体送出ライナ２００の長さに沿って巻き付けられる。導電層２２０は連続層またはワイヤメッシュとすることができる。導電層２２０は、導電性金属、例えば銅とすることができる。代替的にまたは加えて、導電層２２０は、導電性または半導電性形態の炭素、例えば導電性カーボンブラックとすることができる。半導電性ポリマーテープまたはカーボン被覆テープを導電層２２０として使用することもできる。導電層は、例えば１０フィート長に対して最大２００００オームまでの高抵抗導電性テープとすることができる。対照的に、炭素スリーブは、著しく低い抵抗、例えば１０フィート長に対して２０オームを有することができる。別の選択肢では、導電層２２０は、ポリマー配管２１０上に塗られた導電性塗料、例えば黒鉛塗料で形成することができる。

流体送出ライン２００の端部において導体層をフレアにすることができる。こうすることで、流体送出ラインの端部において鋭くとがった先を形成するのを回避することができ、これにより静電放電の危険性を低減することができる。

両端部にある配管の末端部に向かって、導電性配線２４０が導電層２２０に装着される。導電性配線２４０は共通接地に接続することができる。導電性配線２４０はステンレス鋼接地線とすることができる。いくつかの実装形態では、導電線の一部が導電層２２０とポリマー配管２１０との間に配置される。例えば、導電性配線２４０は、ポリマー配管２１０に当てて配置され、次いで、配管２１０および配線２４０の上に導電テープを巻き付けることによって所定の位置に固着される。

導電層２１０が配管２１０の周りに巻き付けられると、別の電気絶縁ポリマーのシース２３０が、導電層と直接接触しかつ導電層を覆うように配置される。特に、熱収縮材料、例えばＰＶＤＦ、ＰＴＦＥ、または別の材料が導電層２２０の上に当てられる。例えば、ポリマー配管に導電層２２０を組み付けたものを、熱収縮配管を貫通して延びるように挿入することができる。次いで、熱収縮配管を熱処理して、材料を導電層２２０に接触させ、それから強く接触させる。

随意に、絶縁材料、例えばＥＰＤＭ、ＰＴＦＥ、ＰＦＡの追加層２４０が、断熱のために熱収縮層を取り囲むことができる。

この流体送出ラインは蓄積電荷のための接地経路を提供することができ、したがって、研磨プロセスに依然として適合したままでありながら、構成要素損傷の危険性を低減することができる。加えて、熱収縮配管は、流体送出ラインの外側を、環境内で液体がはねるのに対して保護し、これにより欠陥および汚染を防止することもできる。

本発明のいくつかの実施形態について説明してきた。それにもかかわらず、様々な修正が本発明の精神および範囲から逸脱することなく成され得ることを理解されたい。したがって、他の実施形態は下記の特許請求の範囲内にある。

Claims (19)

1. 化学機械研磨アセンブリであって、
   研磨パッドを支持するプラテン、基板を支持するとともに前記基板を前記研磨パッドと接触した状態にするキャリアヘッド、および前記プラテンと前記キャリアヘッドとの間に相対運動を引き起こすモータを含む化学機械研磨システムと、
   流体源と、
   前記流体源から前記化学機械研磨システム内へ流体を運ぶ流体送出導管と
   を備え、前記流体送出導管が、
   電気絶縁配管と、
   前記配管の外直径の周りに前記配管の第１の端部から前記配管の第２の端部まで巻き付けられた導電性ラッパであって、静電放電を流すように構成された導電性ラッパと、
   前記導電性ラッパの前記第１の端部に装着された導電線であって、前記導電性ラッパから接地源へ前記静電放電を流すように構成された導電線と
   を備える、化学機械研磨アセンブリ。
2. 前記流体源が研磨流体を保持するリザーバを備え、前記システムが前記研磨流体を前記研磨パッドへ送出するディスペンサを含み、前記流体送出導管が前記リザーバを前記ディスペンサに結合する、請求項１に記載のアセンブリ。
3. 前記流体源が洗浄流体源を備え、前記システムが、前記洗浄流体を前記研磨パッド、コンディショナーヘッドまたは前記キャリアヘッドへ送出するディスペンサを含み、前記流体送出導管が前記流体源を前記ディスペンサに結合する、請求項１に記載のアセンブリ。
4. 前記流体源がスチームを発生させるボイラを備える、請求項３に記載のアセンブリ。
5. 前記流体源が温度制御流体源を備え、前記システムが、前記温度制御流体を前記研磨パッドへ送出するディスペンサを含み、前記流体送出導管が前記流体源を前記ディスペンサに結合する、請求項１に記載のアセンブリ。
6. 前記流体源がスチームを発生させるボイラを備える、請求項５に記載のアセンブリ。
7. 前記流体源が圧力ラインを備え、前記キャリアヘッドが１つまたは複数の加圧可能チャンバを含み、前記流体送出導管が前記圧力ラインを前記キャリアヘッドに結合する、請求項１に記載のアセンブリ。
8. 前記流体源が圧力ラインを備え、コンディショナーヘッドが１つまたは複数の加圧可能チャンバを含み、前記流体送出導管が前記圧力ラインを前記コンディショナーヘッドに結合する、請求項１に記載のアセンブリ。
9. 前記導電層に結合された接地線を備える、請求項１に記載のアセンブリ。
10. 流体導管であって、
    流体を化学機械研磨システム内へ流すように構成された電気絶縁配管と、
    前記配管の外直径の周りに前記配管の第１の端部から前記配管の第２の端部まで巻き付けられた導電性ラッパであって、静電荷を導くように構成された導電性ラッパと、
    前記導電性ラッパに装着された導電線であって、前記導電性ラッパから前記静電荷を共通接地源へ導くように構成された導電線と
    を備える、流体導管。
11. 前記導電性ラッパが金属ワイヤである、請求項１０に記載の流体導管。
12. 前記金属ワイヤが金属ワイヤメッシュである、請求項１１に記載の流体導管。
13. 前記導電性ラッパが導電性ポリマーテープまたは半導電性ポリマーテープである、請求項１０に記載の流体導管。
14. 前記配管および前記導電性ラッパを取り囲む熱収縮配管をさらに備える、請求項１０に記載の流体導管。
15. 前記配管および前記導電性ラッパを取り囲む絶縁層をさらに備える、請求項１０に記載の流体導管。
16. 流体導管を製造する方法であって、
    配管の周りに導電性ラッパを巻き付けることであって、前記配管が流体を化学機械研磨アセンブリ内へ流すように構成される、導電性ラッパを巻き付けること、および
    前記導電性ラッパに導電線を結合することであって、前記導電性ラッパが、静電荷を導くために静電放電保護アセンブリを形成するように構成される、導電線を結合すること
    を含む、方法。
17. 化学機械研磨アセンブリ上に前記静電放電保護アセンブリを設置することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記静電放電保護アセンブリを設置することが、前記静電放電保護アセンブリを流体源から流体結合して、前記流体源から前記化学機械研磨アセンブリへ流体を流すことをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記静電放電保護アセンブリを設置することが、前記導電線を共通接地源に結合することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。

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