TW202331240A - 基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄介質 - Google Patents

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日商荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可防止在基板的表面發生光腐蝕的基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄介質。基板搬送方法是將基板搬入至接收單元，檢測出從光感測器（302）照射的光被搬送至接收單元的基板遮斷，來確認基板存在於接收單元，並且在將基板從接收單元搬出之前停止來自光感測器（302）的光的照射。

Description

基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄介質
[0001]本發明涉及一種基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄有用以使基板處理裝置的構成要件運行的程式的非暫時性的電腦能夠讀取的記錄介質。
[0002]已知有對晶片等基板進行處理的基板處理裝置（例如，參照專利文獻1）。在此種基板處理裝置中，晶片被搬送至各種模組，在各模組中進行處理。 [0003]基板處理裝置包括對在其搬送臺上是否存在晶片進行檢測的光感測器。在將晶片搬送至各模組時，在通過光感測器檢測出晶片的存在之後，將晶片搬送至下一個模組。 [現有技術文獻] [專利文獻] [0004][專利文獻1]日本專利第2010-050436號
[發明所要解決的問題] [0005]近年來，隨著半導體器件的高集成化、高密度化，電路的配線越來越微細化，多層配線的層數也增加。因此，若從光感測器發出的光照射至晶片，則形成於晶片的表面（更具體而言，為器件面）的金屬會受到光的影響，從而金屬被腐蝕。換言之，在晶片的表面會發生光腐蝕（photo corrosion）。 [0006]因此，本發明的目的在於提供一種可防止在基板（例如，晶片）的表面發生光腐蝕的基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄介質。 [解決問題的技術手段] [0007]在一個形態中，提供一種基板處理裝置中的基板搬送方法，將基板搬入至所述基板的接收單元，檢測出從光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於所述接收單元，在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0008]在一個形態中，利用在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組對所述基板進行濕式處理，利用所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光。 [0009]在一個形態中，在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認，在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0010]在一個形態中，在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0011]在一個形態中，在將所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於接收單元的情況進行確認，在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0012]在一個形態中，在將所述基板搬送至所述接收單元之前，開始來自所述光感測器的光的照射，在確認到所述接收單元中不存在所述基板之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0013]在一個形態中，提供一種基板處理裝置，其包括：基板的接收單元；光感測器，檢測有無被搬送至所述接收單元的所述基板；以及控制裝置，對所述光感測器的投光動作進行控制。關於所述控制裝置，將所述基板搬入至所述接收單元，檢測出從所述光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於所述接收單元，在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0014]在一個形態中，所述基板處理裝置包括在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組，所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光。 [0015]在一個形態中，關於所述控制裝置，在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認，在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0016]在一個形態中，所述控制裝置在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0017]在一個形態中，關於所述控制裝置，在將所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認，在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。 [0018]在一個形態中，所述控制裝置在將所述基板搬送至所述接收單元之前開始來自所述光感測器的光的照射，在確認到所述接收單元中不存在所述基板之後停止來自所述光感測器的光的照射。 [0019]在一個形態中，所述光感測器包括：投光部，發出光；以及受光部，接收從所述投光部發出的光，且所述投光部配置於被搬送至所述接收單元的所述基板的背面側，所述受光部配置於被搬送至所述接收單元的所述基板的表面側。 [0020]在一個形態中，所述投光部及所述受光部相對於所述基板的搬送方向垂直地配置。 [0021]在一個形態中，所述投光部及所述受光部相對於所述基板的搬送方向傾斜地配置。 [0022]在一個形態中，提供一種非暫時性的電腦能夠讀取的記錄介質，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式：將基板搬入至所述基板的接收單元，檢測出從光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於接收單元的步驟；以及在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。 [0023]在一個形態中，記錄有一種程式，所述程式用以使電腦執行如下步驟：利用在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組，對所述基板進行濕式處理的步驟；以及利用所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光的步驟。 [0024]在一個形態中，記錄有一種程式，所述程式用以使電腦執行如下步驟：在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認的步驟；以及在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。 [0025]在一個形態中，記錄有一種程式，所述程式用以使電腦執行如下步驟：在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過了預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。 [0026]在一個形態中，記錄有一種程式，所述程式用以使電腦執行如下步驟：在將所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射的步驟；在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認的步驟；以及在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。 [發明的效果] [0027]基板搬送方法中，將基板搬入至交接站，並照射來自光感測器的光，在將基板從交接站搬出之前，停止光的照射。因此，不會產生來自光感測器的光持續照射至晶片W的問題。結果，可防止在基板的表面發生光腐蝕。
[0029]以下，參照附圖詳細說明本發明的基板處理裝置的實施方式。對相同或相當的構成元件標注相同的符號並省略重複的說明。 [0030]圖1是表示基板處理裝置的一實施方式的平面圖。如圖1所示，基板處理裝置包括大致矩形形狀的殼體1。殼體1的內部利用隔壁1a、隔壁1b而劃分為裝載/卸載部2、研磨部3、以及清洗部4。 [0031]裝載/卸載部2、研磨部3、及清洗部4分別獨立地組裝，且獨立地排氣。基板處理裝置包括對基板處理動作進行控制的控制裝置5。裝載/卸載部2包括兩個以上（在本實施方式中為四個）前裝載部20，所述前裝載部20用以載置貯存多個晶片（基板）的晶片匣。 [0032]前裝載部20與殼體1鄰接地配置，且沿著基板處理裝置的寬度方向（與長度方向垂直的方向）排列。可在前裝載部20搭載開放式盒、標準製造介面（Standard Manufacturing Interface，SMIF）盒、或者前開式晶片傳送盒（Front Opening Unified Pod，FOUP）。SMIF、FOUP是在內部收納晶片匣，通過利用隔壁進行覆蓋而可保持與外部空間獨立的環境的密閉容器。 [0033]在裝載/卸載部2，沿著前裝載部20的排列方向鋪設有移行機構21，在所述移行機構21上設置有能夠沿著晶片匣的排列方向移動的兩台搬送機器人（裝載機）22。搬送機器人22通過在移行機構21上移動，可接入搭載於前裝載部20的晶片匣。 [0034]研磨部3是進行晶片的研磨（平坦化）的區域，包括第一研磨模組3A、第二研磨模組3B、第三研磨模組3C、及第四研磨模組3D。如圖1所示，第一研磨模組3A、第二研磨模組3B、第三研磨模組3C、及第四研磨模組3D沿著基板處理裝置的長度方向排列。 [0035]如圖1所示，第一研磨模組3A包括：研磨台30A，安裝有具有研磨面的研磨墊10；頂環31A，用於對晶片進行保持且將晶片一邊按壓於研磨台30A上的研磨墊10一邊進行研磨；研磨液供給噴嘴32A，用於向研磨墊10供給研磨液或修整液（例如，純水）；修整器33A，用於對研磨墊10的研磨面進行修整；以及噴霧器34A，使液體（例如純水）與氣體（例如氮氣）的混合流體或液體（例如純水）成為霧狀而向研磨面噴射。 [0036]同樣地，第二研磨模組3B包括：安裝有研磨墊10的研磨台30B、頂環31B、研磨液供給噴嘴32B、修整器33B、以及噴霧器34B。第三研磨模組3C包括：安裝有研磨墊10的研磨台30C、頂環31C、研磨液供給噴嘴32C、修整器33C、以及噴霧器34C。第四研磨模組3D包括：安裝有研磨墊10的研磨台30D、頂環31D、研磨液供給噴嘴32D、修整器33D、以及噴霧器34D。 [0037]對用於搬送晶片的搬送機構進行說明。如圖1所示，基板處理裝置包括與第一研磨模組3A及第二研磨模組3B鄰接地配置的第一線性輸送機6。第一線性輸送機6是在沿著研磨模組3A、研磨模組3B的排列方向的四個搬送位置（第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4）之間搬送晶片的機構。 [0038]基板處理裝置包括與第三研磨模組3C及第四研磨模組3D鄰接地配置的第二線性輸送機7。第二線性輸送機7是在沿著研磨模組3C、研磨模組3D的排列方向的三個搬送位置（第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7）之間搬送晶片的機構。 [0039]晶片由第一線性輸送機6搬送至研磨模組3A、研磨模組3B。第一研磨模組3A的頂環31A通過其擺動動作在研磨位置與第二搬送位置TP2之間移動。因此，在第二搬送位置TP2進行晶片向頂環31A的交接。 [0040]同樣地，第二研磨模組3B的頂環31B在研磨位置與第三搬送位置TP3之間移動，在第三搬送位置TP3進行晶片向頂環31B的交接。第三研磨模組3C的頂環31C在研磨位置與第六搬送位置TP6之間移動，在第六搬送位置TP6進行晶片向頂環31C的交接。第四研磨模組3D的頂環31D在研磨位置與第七搬送位置TP7之間移動，在第七搬送位置TP7進行晶片向頂環31D的交接。 [0041]在第一搬送位置TP1配置有用於從搬送機器人22接收晶片的升降機11。晶片經由升降機11從搬送機器人22傳遞給第一線性輸送機6。 [0042]基板處理裝置包括設置於隔壁1a的閘門（未圖示）。閘門配置於升降機11與搬送機器人22之間。在搬送晶片時，閘門打開，晶片從搬送機器人22傳遞給升降機11。在第一線性輸送機6、第二線性輸送機7與清洗部4之間配置有擺動輸送機12。 [0043]擺動輸送機12具有能夠在第四搬送位置TP4與第五搬送位置TP5之間移動的手部。從第一線性輸送機6向第二線性輸送機7的晶片的交接由擺動輸送機12進行。晶片由第二線性輸送機7搬送至第三研磨模組3C和/或第四研磨模組3D。由研磨部3研磨後的晶片由擺動輸送機12經由暫置台180而搬送至清洗部4。即，擺動輸送機12對位於第四搬送位置TP4或第五搬送位置TP5的晶片進行保持，並使晶片的正反面翻轉之後，將其搬送至暫置台180。由此，晶片在其器件面朝上的狀態下被載置於暫置台180。 [0044]圖2的（a）是表示清洗部的平面圖，圖2的（b）是表示清洗部的側面圖。如圖2的（a）及圖2的（b）所示，清洗部4被劃分為第一清洗室190、第一搬送室191、第二清洗室192、第二搬送室193、以及乾燥室194。在第一清洗室190內配置有沿著縱向排列的上側一次清洗模組201A及下側一次清洗模組201B。 [0045]上側一次清洗模組201A配置於下側一次清洗模組201B的上方。同樣地，在第二清洗室192內配置有沿著縱向排列的上側二次清洗模組202A及下側二次清洗模組202B。上側二次清洗模組202A配置於下側二次清洗模組202B的上方。一次清洗模組201A、一次清洗模組201B及二次清洗模組、二次清洗模組202B是使用清洗液對晶片進行清洗的清洗機。 [0046]在上側二次清洗模組202A與下側二次清洗模組202B之間設置有晶片的暫置台203。在乾燥室194內配置有沿著縱向排列的上側乾燥模組205A及下側乾燥模組205B。上側乾燥模組205A及下側乾燥模組205B相互分離。 [0047]在上側乾燥模組205A及下側乾燥模組205B的上部，設置有將清潔的空氣分別供給至乾燥模組205A、乾燥模組205B內的篩檢程式風扇裝置207、篩檢程式風扇裝置207。 [0048]在第一搬送室191配置有能夠上下移動的第一搬送機器人209，在第二搬送室193配置有能夠上下移動的第二搬送機器人210。第一搬送機器人209及第二搬送機器人210分別移動自如地支撐於沿縱向延伸的支撐軸211、支撐軸212。 [0049]第一搬送機器人209及第二搬送機器人210沿著支撐軸211、支撐軸212上下移動自如。如圖2的（a）的虛線所示，第一搬送機器人209配置于能夠接入暫置台180的位置。在第一搬送機器人209接入暫置台180時，設置於隔壁1b的閘門（未圖示）打開。 [0050]第一搬送機器人209以在暫置台180、上側一次清洗模組201A、下側一次清洗模組201B、暫置台203、上側二次清洗模組202A、及下側二次清洗模組202B之間搬送晶片W的方式運行。 [0051]第二搬送機器人210以在上側二次清洗模組202A、下側二次清洗模組202B、暫置台203、上側乾燥模組205A、下側乾燥模組205B之間搬送晶片W的方式運行。 [0052]圖1所示的搬送機器人22從上側乾燥模組205A或者下側乾燥模組205B取出晶片，並將所述晶片放回至晶片匣。在搬送機器人22接入乾燥模組205A、乾燥模組205B時，設置於隔壁1a的閘門（未圖示）打開。 [0053]如上所述，晶片被依序搬送至裝載/卸載部2、研磨部3、及清洗部4。在將晶片搬送至各模組時，在通過光感測器檢測出晶片的存在之後，將晶片搬送至下一個模組。在本實施方式中，在將晶片搬送至研磨部3的研磨模組3A至研磨模組3D、清洗部4的清洗模組201A、清洗模組201B、清洗模組202A、清洗模組202B等模組時，在第一搬送位置TP1至第七搬送位置TP7檢測晶片的存在。 [0054]光感測器可不與晶片W接觸地檢測晶片W的存在。然而，若從光感測器發出的光長時間照射至晶片W，則在晶片W的表面（更具體而言，為器件面）發生光腐蝕。因此，基板處理裝置具有防止在晶片W的表面發生光腐蝕的結構。 [0055]圖3是表示配置於晶片的搬送路徑的交接站的圖。如圖3所示，基板處理裝置包括配置於晶片W的搬送路徑的交接站301。晶片W的搬送路徑相當於將一張晶片W搬送至裝載/卸載部2、研磨部3、及清洗部4時的晶片W的移動路徑。交接站301相當於將晶片W交接至各模組時的搬送位置（例如，配置有各搬送位置TP2、TP3、TP6、TP7、各暫置台180、203的空間）。 [0056]如圖3所示，基板處理裝置包括：光感測器302，檢測有無被搬送至交接站301的晶片W；以及載置台300，用於載置晶片W。載置台300例如相當於各暫置台180、203。 [0057]光感測器302包括發出光的投光部302a、以及接收從投光部302a發出的光的受光部302b。投光部302a配置於比載置台300的上端（即，晶片W的載置面）更靠下方處，以位於載置於載置台300上的晶片W的背面側。受光部302b配置於比載置台300的上端更靠上方處，以位於載置於載置台300上的晶片W的表面側。在圖3所示的實施方式中，投光部302a及受光部302b相對於晶片W的搬送方向（即，水準方向）垂直地配置。 [0058]圖4是表示投光部及受光部的另一實施方式的圖。如圖4所示，投光部302a及受光部302b相對於晶片W的搬送方向（即，水準方向）傾斜地配置。在圖4所示的實施方式中，投光部302a也配置於載置在載置台300上的晶片W的下方，受光部302b也配置於載置在載置台300上的晶片W的上方。 [0059]在圖3及圖4所示的實施方式中，晶片W以其上表面（即，器件面）朝向上方的狀態載置於載置台300上。因此，從投光部302a發出的光照射至晶片W的背面。通過向晶片W的背面投射光，光不會直接照射至晶片W的器件面，因此可減輕光對晶片W的器件面的影響。結果，可抑制在晶片的器件面發生光腐蝕。 [0060]從投光部302a發出的光的光量（強度）根據其距離而衰減。在圖4所示的實施方式中，傾斜照射的光在其光量（強度）衰減的狀態下照射至晶片W的背面。因此，可進一步減輕光對晶片W的器件面的影響，結果，可進一步抑制在晶片的器件面發生光腐蝕。 [0061]進而，通過傾斜地照射光，可增大光對晶片W的背面的照射面積，因此可防止光對晶片W的背面的局部照射。結果，可進一步抑制在晶片的器件面發生光腐蝕。 [0062]如圖3及圖4所示，光感測器302與控制裝置5電連接。控制裝置5構成為對光感測器302（更具體而言，為投光部302a）的投光動作（即，光的照射的開始及停止）進行控制。 [0063]構成為當受光部302b接收到從投光部302a發出的光時，受光部302b向控制裝置5發送檢測信號。若控制裝置5接收到來自受光部302b的檢測信號，則控制裝置5確定晶片W不存在於載置台300上。若從投光部302a發出的光被晶片W遮擋，則受光部302b不檢測從投光部302a發出的光，而停止對控制裝置5發送檢測信號。控制裝置5基於檢測信號的發送的停止，確定晶片W載置於載置台300上。 [0064]控制裝置5包括保存程式的存儲裝置5a、以及按照程式執行運算的處理裝置5b。包括電腦的控制裝置5按照電性保存於存儲裝置5a的程式來運行。程式使處理裝置5b執行光感測器302的投光動作。 [0065]用以使處理裝置5b執行投光動作的程式存儲在作為非暫時性的有形物的電腦能夠讀取的記錄介質中，並經由記錄介質而提供給控制裝置5。或者，程式也可經由網際網路或局域網等通信網路從通信裝置（未圖示）輸入至控制裝置5。記錄介質不僅記錄有用以使處理裝置5b執行投光動作的程式，還記錄有用於防止在晶片W的表面發生光腐蝕的程式（後述）。 [0066]圖5的（a）至圖5的（c）是表示搬入至交接站的晶片的圖。圖6是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。圖7是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的一實施方式的圖。 [0067]在以下所示的實施方式中，對將在研磨部3進行了研磨處理的晶片W搬送至清洗部4的例子進行說明。因此，配置於交接站301內的載置台300相當於暫置台180（參照圖1）。擺動輸送機12及第一搬送機器人209（參照圖1）能夠接入交接站301的暫置台180。 [0068]控制裝置5構成為：將晶片W搬入至交接站301，通過操作光感測器302而照射來自光感測器302的光，在將晶片W從交接站301搬出之前，通過操作光感測器302而停止來自光感測器302的光的照射。 [0069]更具體而言，如圖5的（a）及圖6的步驟S101所示，控制裝置5開始來自投光部302a的光的照射（投光接通（ON）），開始晶片W的搬入動作。在一實施方式中，控制裝置5可在將前一個晶片W從交接站301搬出之後至將下一個晶片W搬入至交接站301為止的期間，繼續照射來自投光部302a的光。通過此種結構，不需要確定用於在將下一個晶片W搬入至交接站301之前開始照射來自投光部302a的光的觸發。 [0070]在一實施方式中，控制裝置5也可在將前一個晶片W從交接站301搬出之後，停止來自投光部302a的光的照射（投光斷開（OFF）），在將下一個晶片W搬入至交接站301時，開始來自投光部302a的光的照射（投光接通（ON））。控制裝置5例如也可在擺動輸送機12開始晶片W的搬入動作的時機（更具體而言，保持有晶片W的擺動輸送機12轉換方向至交接站301的時機）開始光的照射。通過此種結構，來自光感測器302的光斷續地照射，因此可實現光感測器302的長壽命化。 [0071]如圖5的（b）所示，當晶片W被擺動輸送機12搬入至交接站301內時，從投光部302a照射的光被晶片W遮斷。在圖7所示的實施方式中，控制裝置5在從光感測器302照射的光被搬入至交接站301的晶片W遮斷之後，在將晶片W載置於載置台300上時，開始晶片W的存在確認。換言之，控制裝置5在晶片W的搬入動作完成時，開始晶片W的存在確認。通過此種結構，控制裝置5可確定晶片W可靠地載置於載置台300上。 [0072]在載置台300具有對晶片W進行保持的卡盤的情況下，控制裝置5將載置台300的卡盤的閉合作為觸發，開始晶片W的存在確認。在載置台300不具有卡盤的情況下，控制裝置5在擺動輸送機12發出表示晶片W的搬入動作完成的信號時，開始晶片W的存在確認。例如，所述信號在擺動輸送機12下降至最低位置時發出。 [0073]關於控制裝置5，晶片W的搬入動作完成（參照圖6的步驟S102），判斷在開始晶片W的存在確認之後至經過規定時間為止的期間，受光部302b的受光是否被遮斷（參照圖6的步驟S103），在至經過規定時間為止的期間受光被遮斷的情況下（參照圖6的步驟S103的“是（YES）”），控制裝置5在停止來自投光部302a的光的照射的同時（參照圖5的（c）及圖6的步驟S104），結束晶片W的存在確認（參照圖7）。 [0074]在本實施方式中，規定時間為0.3秒以下，但也可根據光感測器302的解析度來設定規定時間。在光感測器302具有比較高的解析度的情況下，規定時間也可為20毫秒以下。 [0075]以往，在從將晶片W搬入至交接站301之前至從交接站301搬出為止的期間，來自光感測器302的光始終持續照射，因此在晶片W停留於交接站301的期間，光持續照射至晶片W的外表面。因此，在晶片W的外表面及內部發生光腐蝕的可能性大。 [0076]根據本實施方式，控制裝置5構成為，將晶片W搬入至交接站301，開始來自光感測器302的光的照射，在將晶片W從交接站301搬出之前，停止來自光感測器302的光的照射。因此，不會產生來自光感測器302的光持續照射至晶片W的問題。結果，控制裝置5可防止在晶片W的外表面及內部發生光腐蝕。 [0077]如圖6所示，在至經過規定時間為止的期間受光未被遮斷的情況下（參照圖6的步驟S103的“否”），控制裝置5確定為光感測器302或擺動輸送機12等裝置或晶片W發生異常，而發出異常警報（參照圖6的步驟S105）。然後，控制裝置5停止來自投光部302a的光的照射（參照圖6的步驟S106）。 [0078]此外，在圖6的步驟S103中，也可判定在至經過規定時間為止的期間受光是否持續被遮斷。由此，可防止由於水等環境所產生的干擾而在極短時間內遮斷了光的情況下的誤探測、或者可檢測出在擺動輸送機12的手部上晶片W破裂的情況。 [0079]圖8的（a）及圖8的（b）是表示從交接站搬出的晶片的圖。圖9是表示將晶片從交接站搬出時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。如圖7及圖8的（a）所示，在將載置於載置台300上的晶片W從交接站301搬出的情況下，控制裝置5將設置於交接站301的閘門305打開，而開始晶片W的搬出動作。 [0080]控制裝置5在將閘門305打開之後，使第一搬送機器人209接入載置台300上的晶片W。晶片W在被第一搬送機器人209保持的狀態下，從交接站301搬出，控制裝置5將閘門305關閉，並且完成晶片W的搬出動作（參照圖8的（b）及圖9的步驟S201）。 [0081]如圖7及圖8的（b）所示，控制裝置5將閘門305的閉合作為觸發，開始來自投光部302a的光的照射，開始晶片W的存在確認（參照圖9的步驟S202）。如圖9的步驟S203所示，控制裝置5判斷在從晶片W的存在確認開始至經過規定時間為止的期間，受光是否被遮斷。在此情況下，規定時間也根據光感測器302的解析度確定為極短時間（例如，0.3秒以下、20毫秒以下）。 [0082]在規定時間內受光未被遮斷的情況下（參照圖9的步驟S203的“否（NO）”），控制裝置5確定在載置台300上不存在晶片W，結束晶片W的存在確認，並且停止來自投光部302a的光的照射（參照圖9的步驟S204）。通過所述動作，控制裝置5可防止晶片W從載置台300的漏取。 [0083]在受光被遮斷的情況下（參照圖9的步驟S203的“是（YES）”），例如在第一搬送機器人209漏取晶片W的情況下，控制裝置5確定在載置台300上存在晶片W，而發出異常警報（參照圖9的步驟S205）。然後，停止來自投光部302a的光的照射（參照圖9的步驟S206）。 [0084]圖10是表示在將晶片從交接站搬出之前進行晶片的存在確認的情況的圖。圖11是表示將晶片從交接站搬出之前的控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。如圖10及圖11所示，控制裝置5可在將載置於載置台300上的晶片W從交接站301搬出時，進行晶片W的存在確認。 [0085]更具體而言，控制裝置5以閘門305的放開為觸發，開始來自投光部302a的光的照射（參照圖10及圖11的步驟S301），開始晶片W的存在確認。控制裝置5判斷在從晶片W的存在確認開始至經過規定時間為止的期間，受光部302b的受光是否被遮斷（參照圖11的步驟S302）。在受光被遮斷的情況下（參照圖11的步驟S302的“是（YES）”），控制裝置5確定晶片W載置於載置台300上，結束晶片W的存在確認。此時，控制裝置5結束來自投光部302a的光的照射（參照圖11的步驟S303）。然後，控制裝置5進行與圖9的步驟S201至步驟S203相同的動作。 [0086]在至經過規定時間為止的期間受光未被遮斷的情況下（參照圖11的步驟S302的“否（NO）”），控制裝置5確定為光感測器302等裝置或晶片W發生異常，而發出異常警報（參照圖11的步驟S304）。然後，控制裝置5結束來自投光部302a的光的照射（參照圖11的步驟S305）。 [0087]在圖10所示的實施方式中，控制裝置5在將晶片W從交接站301搬出之前，確認晶片W是否存在於載置台300上。控制裝置5在確定了載置於載置台300上的晶片W的存在之後，通過第一搬送機器人209將晶片W從交接站301搬出。通過此種結構，可避免在利用第一搬送機器人209搬出晶片W時，在載置台300上不存在晶片W的事態。 [0088]圖12是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。圖13是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的另一實施方式的圖。 [0089]如圖12的步驟S401及圖13所示，控制裝置5開始來自投光部302a的光的照射，開始晶片W的搬入動作。然後，控制裝置5在檢測出由晶片W導致的光的遮斷之後，以此為觸發，經過規定時間之後，停止來自投光部302a的光的照射（參照圖13）。 [0090]控制裝置5在從投光部302a照射光的狀態下（參照步驟S401），開始晶片W的存在確認，判斷受光部302b的受光是否被遮斷（參照圖12的步驟S402）。 [0091]當擺動輸送機12將晶片W搬入至交接站301時，光被晶片W的邊緣遮斷，受光部302b的受光被遮斷（參照步驟S402的“是（YES）”）。在檢測出受光部302b的受光被遮斷之後（即，步驟S402的“是（YES）”之後），控制裝置5判斷是否經過了規定時間（參照步驟S403）。繼續進行所述判斷直到經過規定時間為止（參照步驟S403的“否（NO）”）。在經過了規定時間的情況下（參照步驟S403的“是（YES）”），控制裝置5停止來自投光部302a的光的照射（參照步驟S404）。 [0092]在儘管擺動輸送機12的手部朝向載置台300伸出，但受光部302b的受光未被遮斷的情況下（參照步驟S402的“否（NO）”），控制裝置5發出異常警報（參照步驟S405），停止來自投光部302a的光的照射（參照步驟S406）。此外，在經過規定時間之前，受光部302b再次接收到光的情況下，控制裝置5可發出異常警報，也可再次返回至步驟S402。 [0093]此外，在圖13中，晶片的存在確認的開始與受光遮斷的開始為相同的時機，但也可從實際上由晶片遮斷受光的稍前開始進行晶片的存在確認。 [0094]通過此種結構，可進一步縮短來自光感測器302的光照射至晶片W的時間，因此控制裝置5可更可靠地防止在晶片W的表面發生光腐蝕。 [0095]圖10所示的實施方式也能夠適用於圖13所示的實施方式。更具體而言，在圖13所示的實施方式中，控制裝置5也可在將晶片W從交接站301搬出之前，確認晶片W是否存在於載置台300上。 [0096]圖14是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。圖15是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的另一實施方式的圖。 [0097]如圖14的步驟S501、步驟S502及圖15所示，控制裝置5在擺動輸送機12開始晶片W的搬入動作的時機開始光的照射，並且開始晶片W的存在確認。 [0098]控制裝置5判斷在開始晶片W的存在確認之後至經過規定時間為止的期間，受光部302b的受光是否被遮斷（參照圖14的步驟S503），在至經過規定時間為止的期間，受光未被遮斷的情況下（參照圖14的步驟S503的“否（NO）”），控制裝置5在停止來自投光部302a的光的照射的同時（參照圖14的步驟S504），確認到晶片W不存在於載置台300上（參照圖15）。 [0099]在至經過規定時間為止的期間受光被遮斷的情況下（參照圖14的步驟S503的“是（YES）”），控制裝置5確定為在載置台300上存在前一個晶片W，而發出異常警報（參照圖14的步驟S505）。然後，控制裝置5結束來自投光部302a的光的照射（參照圖14的步驟S506）。 [0100]在圖14的步驟S504之後，控制裝置5在晶片W的搬入動作完成的時機（參照圖14的步驟S507），換言之，在將晶片W載置於載置台300上時，開始來自光感測器302的光的照射（參照圖14的步驟S508）。控制裝置5在從光感測器302照射的光被載置於載置台300上的晶片W遮斷時，開始晶片W的存在確認（參照圖15）。通過此種結構，控制裝置5可確定晶片W可靠地載置於載置台300上，並且可進一步縮短來自光感測器302的光照射至晶片W的時間。 [0101]控制裝置5判斷在開始晶片W的存在確認之後至經過規定時間為止的期間受光部302b的受光是否被遮斷（參照圖14的步驟S509），在至經過規定時間為止的期間受光被遮斷的情況下（參照圖14的步驟S509的“是（YES）”），控制裝置5在停止來自投光部302a的光的照射的同時（參照圖14的步驟S510），結束晶片W的存在確認（參照圖15）。 [0102]在至經過規定時間為止的期間受光未被遮斷的情況下（參照圖14的步驟S509的“否（NO）”），控制裝置5發出異常警報（參照圖14的步驟S511），停止來自投光部302a的光的照射（參照圖14的步驟S512）。 [0103]然後，控制裝置5進行與將晶片W從交接站301搬出時的動作流程（參照圖9）相同的動作流程，將晶片W從交接站301搬出。 [0104]圖10所示的實施方式也能夠適用於圖15所示的實施方式。更具體而言，在圖15所示的實施方式中，控制裝置5也可在將晶片W從交接站301搬出之前，確認晶片W是否存在於載置台300上。在圖5的（a）至圖10所示的實施方式的情況下，在晶片W的存在確認中，若受光部302b的受光被晶片W遮斷，則控制裝置5確定為存在晶片W，若未被遮斷，則確定為不存在晶片W。 [0105]在所述實施方式中，對經由交接站301將晶片W從研磨部3搬送至清洗部4時的、控制裝置5對光感測器302的投光動作的控制進行了說明，但光感測器302的投光動作的控制並不限定於所述實施方式。 [0106]在一實施方式中，控制裝置5對光感測器302的投光動作的控制也可在將晶片W從裝載/卸載部2搬送至研磨部3時進行。更具體而言，在各搬送位置TP1至搬送位置TP7的線性輸送機上確認有無晶圓W的存在。 [0107]在一實施方式中，光感測器302的投光動作的控制也可在將晶片W搬送至第一清洗室190（清洗模組201A、清洗模組201B）或者第二清洗室192（清洗模組202A、清洗模組202B）或者乾燥室194（乾燥模組205A、乾燥模組205B）時進行。 [0108]在所述實施方式中，對相當於將晶片W交接至各模組時的搬送位置的交接站301中的光感測器302的投光動作的控制進行了說明，但光感測器302的投光動作的控制也可在升降機11、第一搬送位置TP1至第四搬送位置TP4處的第一線性輸送機6上進行。 [0109]光感測器302的投光動作的控制可在第五搬送位置TP5至第七搬送位置TP7處的第二線性輸送機7上進行，也可在暫置台180、暫置台203、清洗部4的各模組（一次清洗模組201、二次清洗模組202、乾燥模組205）中進行。如此，光感測器302的投光動作的控制未必需要在交接站301中進行，也可在各模組中進行。進行光感測器302的投光動作的控制的交接站301及各模組總稱為接收單元。 [0110]光腐蝕特別是在晶片W潤濕的情況下容易發生。因此，對光感測器302的投光動作進行控制所得的效果在晶片W經濕式處理之後的工序中特別明顯。作為對晶片W進行濕式處理的濕式處理模組，可列舉研磨模組3A至研磨模組3D及清洗模組201A、清洗模組201B、清洗模組202A、清洗模組202B。 [0111]濕式處理模組在晶片W的搬送方向上配置於交接站301的前段側，光感測器302構成為對由濕式處理模組濕式處理後的晶片W照射光。通過此種結構，基板處理裝置可更有效果地防止在晶片W的表面發生光腐蝕。 [0112]所述的實施方式是以本發明所屬的技術領域中具有通常知識的人可實施本發明為目的而記載。所述實施方式的各種變形例只要是本領域技術人員則當然可實現，本發明的技術思想也可適用於其他實施方式。因此，本發明並不限定於所記載的實施方式，而應該是根據請求項所定義的技術思想的最寬範圍。
[0113]1:殼體 1a、1b:隔壁 2:裝載/卸載部 3:研磨部 3A、3B、3C、3D:研磨模組 4:清洗部 5:控制裝置 5a:存儲裝置 5b:處理裝置 6:第一線性輸送機 7:第二線性輸送機 10:研磨墊 11:升降機 12:擺動輸送機 20:前裝載部 21:移行機構 22:搬送機器人 30A、30B、30C、30D:研磨台 31A、31B、31C、31D:頂環 32A、32B、32C、32D:研磨液供給噴嘴 33A、33B、33C、33D:修整器 34A、34B、34C、34D:噴霧器 180、203:暫置台 190:第一清洗室 191:第一搬送室 192:第二清洗室 193:第二搬送室 194:乾燥室 201A:上側一次清洗模組 201B:下側一次清洗模組 202A:上側二次清洗模組 202B:下側二次清洗模組 205A:上側乾燥模組 205B:下側乾燥模組 207:篩檢程式風扇裝置 209:第一搬送機器人 210:第二搬送機器人 211、212:支撐軸 300:載置台 301:交接站 302:光感測器 302a:投光部 302b:受光部 305:閘門 W:晶片 S101～S106、S201～S206、S301～S305、S401～S406、S501～S512:步驟 TP1、TP2、TP3、TP4、TP5、TP6、TP7:搬送位置
[0028]圖1是表示基板處理裝置的一實施方式的平面圖。 圖2的（a）是表示清洗部的平面圖，圖2的（b）是表示清洗部的側面圖。 圖3是表示配置於晶片的搬送路徑的交接站的圖。 圖4是表示投光部及受光部的另一實施方式的圖。 圖5的（a）至圖5的（c）是表示搬入至交接站的晶片的圖。 圖6是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。 圖7是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的一實施方式的圖。 圖8的（a）及圖8的（b）是表示從交接站搬出的晶片的圖。 圖9是表示將晶片從交接站搬出時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。 圖10是表示在將晶片從交接站搬出之前進行晶片的存在確認的情況的圖。 圖11是表示將晶片從交接站搬出之前的控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。 圖12是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。 圖13是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的另一實施方式的圖。 圖14是表示將晶片搬入至交接站時控制裝置對光感測器的投光動作進行控制的控制流程的圖。 圖15是表示將晶片搬入至交接站，並將晶片從交接站搬出的控制裝置的動作的另一實施方式的圖。
12:擺動輸送機
180:暫置台
209:第一搬送機器人
300:載置台
301:交接站
302:光感測器
302a:投光部
302b:受光部
305:閘門
W:晶片

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置中的基板搬送方法，將基板搬入至所述基板的接收單元，檢測出從光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於所述接收單元， 在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射。
  2. 如請求項1所述的基板搬送方法，其中，利用在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組對所述基板進行濕式處理， 利用所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光。
  3. 如請求項1或2所述的基板搬送方法，其中，在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認， 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  4. 如請求項1或2所述的基板搬送方法，其中，在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  5. 如請求項1或2所述的基板搬送方法，其中，在將所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射， 在從所述基板載置於所述接收單元的所述載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認， 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  6. 如請求項5所述的基板搬送方法，其中，在將所述基板搬送至所述接收單元之前，開始來自所述光感測器的光的照射，在確認到所述接收單元中不存在所述基板之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  7. 一種基板處理裝置，包括： 基板的接收單元； 光感測器，檢測有無被搬送至所述接收單元的所述基板；以及 控制裝置，對所述光感測器的投光動作進行控制，且 關於所述控制裝置， 將所述基板搬入至所述接收單元，檢測出從所述光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於所述接收單元， 在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射。
  8. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中，所述基板處理裝置包括在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組， 所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光。
  9. 如請求項7或8所述的基板處理裝置，其中， 關於所述控制裝置， 在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認， 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  10. 如請求項7或8所述的基板處理裝置，其中，所述控制裝置在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  11. 如請求項7或8所述的基板處理裝置，其中， 關於所述控制裝置， 在所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射， 在從所述基板載置於所述接收單元的所述載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認， 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射。
  12. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，所述控制裝置在將所述基板搬送至所述接收單元之前開始來自所述光感測器的光的照射，在確認到所述接收單元中不存在所述基板之後停止來自所述光感測器的光的照射。
  13. 如請求項7或8所述的基板處理裝置，其中， 所述光感測器包括： 投光部，發出光；以及 受光部，接收從所述投光部發出的光， 所述投光部配置於被搬送至所述接收單元的所述基板的背面側， 所述受光部配置於被搬送至所述接收單元的所述基板的表面側。
  14. 如請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述投光部及所述受光部相對於所述基板的搬送方向垂直地配置。
  15. 如請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述投光部及所述受光部相對於所述基板的搬送方向傾斜地配置。
  16. 一種非暫時性的電腦能夠讀取的記錄介質，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式： 將基板搬入至所述基板的接收單元，檢測出從光感測器照射的光被搬送至所述接收單元的所述基板遮斷，而確認所述基板存在於接收單元的步驟；以及 在將所述基板從所述接收單元搬出之前，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。
  17. 如請求項16所述的記錄介質，其中，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式： 利用在所述基板的搬送方向上配置於所述接收單元的前段側的、對所述基板進行濕式處理的濕式處理模組，對所述基板進行濕式處理的步驟；以及 利用所述光感測器對由所述濕式處理模組進行了濕式處理的所述基板照射光的步驟。
  18. 如請求項16或17所述的記錄介質，其中，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式： 在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷之後，在從所述基板載置於所述接收單元的載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認的步驟；以及 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。
  19. 如請求項16或17所述的記錄介質，其中，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式：在從所述光感測器照射的光被搬入至所述接收單元的所述基板遮斷起經過了預先確定的規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。
  20. 如請求項16或17所述的記錄介質，其中，記錄有用以使電腦執行如下步驟的程式： 在所述基板載置於所述接收單元的載置台上時，開始來自所述光感測器的光的照射的步驟； 在從所述基板載置於所述接收單元的所述載置台上起至經過預先確定的規定時間為止的期間，對所述基板存在於所述接收單元的情況進行確認的步驟；以及 在經過所述規定時間之後，停止來自所述光感測器的光的照射的步驟。
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